×
20.02.2019
219.016.c09b

Результат интеллектуальной деятельности: ДИСК ИЗ АЛМАЗОСОДЕРЖАЩЕГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ И ИЗДЕЛИЙ ИЗ НИХ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к электронной технике, а именно к механической обработке материалов электронной техники и изделий из них, в том числе полупроводниковых и ферритовых материалов. Технический результат изобретения - повышение выхода годных путем повышения качества обработки, а именно повышения точности геометрических размеров и уменьшения как количества сколов, так и размера каждого из них, особенно при обработке гибридных и монолитных интегральных схем СВЧ и их элементов, а также повышение срока годности алмазного диска. Сущность изобретения: в диске из алмазосодержащего материала для обработки материалов электронной техники и изделий из них, выполненном с зернистостью, заданной обрабатываемым материалом, в качестве основы алмазосодержащего материала берут жесткий материал. Диск выполнен, по меньшей мере, из двух чередующихся слоев алмазосодержащего материала, между которыми расположена и соединена с ними демпфирующая прослойка, при этом демпфирующая прослойка выполнена толщиной, равной 1/10-2/3 зернистости алмазосодержащего материала. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к механической обработке материалов электронной техники и изделий из них, в том числе полупроводниковых и ферритовых материалов.

Высокая твердость и хрупкость материалов электронной техники и миниатюризация изделий их них предъявляют особые требования при их механической обработке, в том числе их резке, а именно:

- к точности геометрических размеров,

- наличию сколов.

При механической обработке материалов электронной техники и изделий из них, в том числе их резке, широко используют диски из алмазосодержащего материала, далее алмазный диск, которые изготавливают либо из проката, либо гальваническим способом.

При резке алмазными дисками в системе шпиндель - оправка - алмазный диск возникает вибрация, которая усиливается с увеличением скорости резки, и как следствие вибрации имеет место:

- во-первых, ухудшение качества обработки, в том числе повышение как количества сколов, так и размера каждого из них,

- во-вторых, снижение эффективности работы алмазного диска,

- в-третьих, снижение срока годности алмазного диска.

С целью уменьшения вибраций при резке используют различные приемы - как технические, так и технологические.

Известно устройство для резки пластин из кремния, в котором алмазный диск изготовлен гальваническим способом, при этом в качестве основы для нанесения алмазосодержащего слоя используют магнитный материал (1).

С целью снижения вибраций и, следовательно, уменьшения как количества сколов, так и размера каждого из них алмазный диск помещают в соленоид.

Однако это не эффективно при резке ферритовых материалов, в силу их магнитных свойств происходит прилипание и засаливание поверхности алмазного диска стружкой материала резки и ухудшение режущих его свойств, а следовательно, качества резки и снижение срока службы алмазного диска.

Известно устройство для резки пластин кремния, в котором алмазный диск закрепляют в оправке определенным образом, а именно он не должен выступать из оправки более чем на 1,5 от толщины разрезаемой пластины (2).

Это позволило уменьшить вибрацию режущей кромки алмазного диска, но не уменьшило вибрацию в системе шпиндель - оправка - алмазный диск, следовательно, не обеспечивается должное качество резки, в том числе с точки зрения наличия сколов.

Известно устройство для резки монокристаллов полупроводникового материала на пластины, в котором с целью повышения качества резки, в том числе уменьшения наличия сколов, в мастику, с помощью которой закрепляют монокристалл полупроводникового материала на держатель, который располагают в систему шпиндель - оправка - алмазный диск, вводят в качестве наполнителя абразивный порошок зернистостью 10 мкм и более (3).

Наличие абразивного порошка в мастике позволило в процессе резки проводить правку режущей кромки алмазного диска.

Но, с другой стороны, сам абразив приводит к быстрому износу выступающих зерен режущей кромки алмазного диска, что снижает срок его службы.

Кроме того, при резке вязких полупроводниковых материалов, таких как антимонид индия, происходит быстрое засаливание режущей кромки алмазного диска, то есть заполнение и уплотнение материалом резки пространства между выступающими алмазными зернами и тем самым снижение эффективности работы алмазного диска, а увеличение нагрузки на него может привести к разрушению материала резки.

Известно устройство для резки монокристаллов полупроводникового материала на пластины, в котором в мастику в качестве наполнителя вводят стружку полупроводниковых материалов, полученных после резки алмазным диском с той же зернистостью, с которой режут и данный монокристалл полупроводникового материала (4).

Мастика с таким наполнителем исключает засаливание выступающих зерен режущей кромки алмазного диска, что обеспечивает стабильность и эффективность его работы и тем самым повышает качество резки, а также увеличивает срок его годности.

Однако в силу непрозрачности материала мастики это затруднительно для резки гибридных и монолитных интегральных схем СВЧ (ГИС и МИС) и их элементов, так как требует дополнительных технических решений с точки зрения возможности осуществления самой операции резки.

И в случае ее осуществления не обеспечиватся высокое качество, прежде всего точности геометрических размеров, наличия сколов и размера каждого из них, а, следовательно, и высокий выход годных.

Техническим результатом изобретения является повышение выхода годных путем повышения качества обработки, а именно повышения точности геометрических размеров и уменьшения как количества сколов, так и размера каждого из них, особенно при обработке гибридных и монолитных интегральных схем СВЧ и их элементов, а также повышение срока годности алмазного диска.

Технический результат достигается тем, что в известном диске из алмазосодержащего материала для обработки материалов электронной техники и изделий из них, выполненном с зернистостью, заданной обрабатываемым материалом, в качестве основы алмазосодержащего материала берут жесткий материал, диск выполнен, по меньшей мере, из двух чередующихся слоев алмазосодержащего материала, между которыми расположена и соединена с ними демпфирующая прослойка, при этом демпфирующая прослойка выполнена из эластичного материала толщиной, равной 1/10-2/3 зернистости алмазосодержащего материала.

Количество чередующихся слоев алмазосодержащего материала определяет как тип механической обработки, например либо резка, либо шлифовка, так и тип обрабатываемого материала.

При резке их количество должно быть минимально, а при шлифовке наоборот.

Соединение демпфирующей прослойки со слоями алмазосодержащего материала выполнено либо клеем, либо сваркой.

Демпфирующая прослойка выполнена из эластичного материала, например термостойкой резины.

Сущность изобретения

Как было сказано выше, при резке алмазными дисками в системе шпиндель - оправка - алмазный диск возникает вибрация.

Алмазный диск, в котором в качестве основы алмазосодержащего материала берут жесткий материал, а диск выполнен, по меньшей мере, из двух чередующихся слоев алмазосодержащего материала, между которыми расположена и соединена с ними демпфирующая прослойка, выполненная из эластичного материала и с указанной толщиной, обеспечивает следующий эффект.

Во-первых, демпфирующая прослойка поглощает часть энергии колебаний и тем самым снижает вибрацию в системе шпиндель - оправка - алмазный диск.

Следовательно, наличие демпфирующей прослойки повышает качество обработки, в том числе снижает как количество сколов, так и размер каждого из них, и, следовательно, повышает выход годных.

При этом указанный эффект усиливается с увеличением количества чередующихся слоев алмазосодержащего материала и соответственно демпфирующих прослоек между ними.

Во-вторых, вследствие меньших контактных давлений в зоне резания глубина внедрения алмазных зерен в обрабатываемую поверхность снижается. В результате чего происходит резка с меньшими нарушениями структуры обрабатываемого материала. Это аналогично использованию алмазного диска с меньшей зернистостью, т.е. процесс резки многослойным диском является менее теплонапряженным, что также снижает как количество сколов, так и размер каждого из них вдоль зоны резания и, следовательно, повышает выход годных.

Выполнение алмазосодержащего материала на жесткой основе повышает:

во-первых, износостойкость алмазного диска и, следовательно, стабильность его работы в процессе резки и тем самым обеспечивает высокую точность геометрических размеров и, следовательно, повышает выход годных,

во-вторых, срок годности алмазного диска.

Выполнение демпфирующей прослойки с толщиной как менее 1/10, так и более 2/3 зернистости алмазосодержащего материала не желательно, так как в первом случае теряются демпфирующие свойства алмазного диска, во втором происходит его разрушение.

Изобретение поясняется чертежом.

На фиг.1 изображен алмазный диск, состоящий из трех чередующихся слоев алмазосодержащего материала, где

- алмазосодержащие слои - 1,

- демпфирующие прослойки между ними - 2.

Пример

Для обработки материалов электронной техники и изделий из них широко используют устройство типа DS 150.

Устройство имеет высокоскоростной шпиндель на аэростатических опорах с возможностью вращения с частотой 20000-40000 об/мин, на который устанавливают оправку с алмазным диском, координатный стол с вакуумным столиком для закрепления обрабатываемых материалов и видеоконтрольное устройство.

Рассмотрим, например, резку ферритовой пластины толщиной 1 мм с кристаллической структурой граната и с выполненными на ней элементами ГИС на платы.

Ферритовую пластину наклеивают на носитель в виде пластины из гетинакса, располагают ее на координатном столике и закрепляют ее посредством вакуума.

В процессе резки координатный столик вместе с ферритовой пластиной перемещается со скоростью, которая определяется обрабатываемым материалом, в данном случае равной 2 мм/сек.

Алмазный диск выполнен из трех чередующихся слоев алмазосодержащего материала 1, выполненных из проката ОСТ 11317000-85, ТУ2-037-550-86, с зернистостью, равной 60/40 мкм, что определено экспериментально для ферритовых материалов и является оптимальным для данных материалов и демпфирующих прослоек 2 между ними, выполненных из материала - термостойкий резины из силикона марки Silicone «Krass» толщиной, равной 1/3 зернистости алмазосодержащего материала, в данном примере это составляет 20 мкм.

Алмазный диск располагают и закрепляют в оправке.

Включают установку и осуществляют резку.

Для охлаждения алмазного диска в зону резки подается вода автоматически.

Примеры 2-3

Аналогично примеру 1 была проведена резка аналогичных ферритовых пластин, но при других значениях толщины демпфирующих прослоек, указанных в формуле изобретения.

Пример 4

Для сравнения аналогично примеру 1 была проведена резка аналогичной ферритовой пластины алмазным диском, выполненным только из одного слоя алмазосодержащего материала, выполненного не на жесткой основе, без демпфирующей прослойки, - прототип.

Полученные в результате резки образцы элементов плат ГИС из ферритового и кремниевого материала были исследованы на предмет наличия сколов и их размеров, а также выхода годных.

Данные приведены в таблице.

Из таблицы видно:

- во-первых, уменьшилось как количество сколов вдоль линии резания - не превышает 2 штук/мм, так и размер каждого из них - не превышает 30 мкм (примеры 1-3 как для ферритового, так и кремниевого материала) против 4 штук/мм и 60 мкм соответственно в прототипе,

- во-вторых, повысился выход годных изделий более чем в 3 раза.

Таким образом, предложенный алмазный диск для обработки материалов электронной техники и изделий из них обеспечит по сравнению с прототипом:

- во-первых, повышение выхода годных изделий более чем в 3 раза путем повышения качества обработки, в том числе уменьшения как количества сколов, так и размера каждого из них,

- во-вторых, повышение срока годности алмазного диска. Это особенно важно при обработке гибридных и монолитных интегральных схем СВЧ.

Источники информации

1. Авт. св. СССР №255386, кл. 21а4. опубл. Бюл. №33, 1969 г.

2. Патент Великобритании №1098398, кл. Н1К, B3D.

3. Запорожский И.П., Лапшинов Б.А. Обработка полупроводниковых материалов. - М. Высшая школа, 1988 г., стр.38-54.

4.Патент РФ №2137251, кл. H01L 21/304, опубл. 10.09.99 г.

Таблица
№ п/пПараметры, указанные в формуле изобретенияРезультаты испытаний
Обрабатываемый материалЗернистость алмазосодержащ его материала, мкмТолщина демпфирущей прослойки, мкмКоличество сколов вдоль линии резания, штук/ммРазмер сколов, мкмВыход годных, %
1ферритовый60/40201,4менее 3095
260/4061,8менее 3093
360/40401,6менее 3096
1кремниевый20/14101,3менее 2091
221,6менее 2090
3151,4менее 2093
прототипферритовый60/40отсутствует4менее 6030

1.Дискизалмазосодержащегоматериаладляобработкиматериаловэлектроннойтехникииизделийизних,выполненныйсзернистостью,заданнойобрабатываемымматериалом,отличающийсятем,чтовкачествеосновыалмазосодержащегоматериалаберутжесткийматериал,дисквыполнен,поменьшеймере,издвухчередующихсяслоевалмазосодержащегоматериала,междукоторымирасположенаисоединенаснимидемпфирующаяпрослойка,приэтомдемпфирующаяпрослойкавыполненаизэластичногоматериала,толщинойравной1/10-2/3зернистостиалмазосодержащегоматериала.12.Дискизалмазосодержащегоматериаладляобработкиматериаловэлектроннойтехникииизделийизнихпоп.1,отличающийсятем,чтоколичествочередующихсяслоевалмазосодержащегоматериалаопределяеттипобработки,напримерлиборезка,либошлифовка.23.Дискизалмазосодержащегоматериаладляобработкиматериаловэлектроннойтехникииизделийизнихпоп.1,отличающийсятем,чтосоединениедемпфирующейпрослойкисослоямиалмазосодержащегоматериалавыполненолибоклеем,либосваркой.34.Дискизалмазосодержащегоматериаладляобработкиматериаловэлектроннойтехникииизделийизнихпоп.1,отличающийсятем,чтодемпфирующаяпрослойкавыполненаизэластичногоматериала,напримертермостойкойрезины.4

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-20 of 62 items.
10.10.2013
№216.012.7411

Устройство для контроля толщины проводящей пленки изделий электронной техники

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: устройство для контроля толщины проводящей пленки изделий электронной техники непосредственно в технологическом процессе ее формирования в вакууме путем измерения электрического сопротивления содержит подложку из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002495370
Дата охранного документа: 10.10.2013
10.10.2013
№216.012.7438

Устройство для определения коэффициента теплопроводности материала

Изобретение относится к области технической физики и может быть использовано при прогнозировании эксплуатационных характеристик композиционных материалов. Заявлено устройство для определения коэффициента теплопроводности материала методом плоского горизонтального слоя, содержащее элемент,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002495409
Дата охранного документа: 10.10.2013
20.11.2013
№216.012.833e

Устройство для определения шумовых параметров четырехполюсника свч

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: устройство содержит измерительную интегральную схему с перестраиваемыми параметрами, вход которой соединен с генератором шума посредством центрального проводника в виде отрезка линии передачи, выход которого соединен с входом измеряемого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002499274
Дата охранного документа: 20.11.2013
20.03.2014
№216.012.ad20

Устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на свч

Изобретение относится к измерительной технике на СВЧ. Устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на СВЧ, содержащее измеритель частотных характеристик и интегральную схему в составе центральной линии передачи, отрезка линии передачи, соединенного с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510035
Дата охранного документа: 20.03.2014
20.02.2019
№219.016.bcd4

Зонд для измерения электрических характеристик планарных элементов интегральных схем

3онд содержит коаксиальный разъем, коаксиальную линию передачи, воздушную копланарную линию передачи из плоских упругих проводников. Проводники воздушной копланарной линии передачи имеют выступы для контактирования с контактными площадками планарных элементов интегральных схем. На торцах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002285930
Дата охранного документа: 20.10.2006
20.02.2019
№219.016.be6f

Гибридная интегральная схема свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизации, а на обратной стороне - экранная заземляющая металлизация, по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002390877
Дата охранного документа: 27.05.2010
01.03.2019
№219.016.cf97

Усилитель мощности свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Технический результат: повышение надежности работы, выходной мощности, снижение коэффициентов отражения на входе и выходе усилителя мощности. Усилитель содержит два прямоугольных волновода, один - для входа, другой - для выхода, которые...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002433524
Дата охранного документа: 10.11.2011
11.03.2019
№219.016.d693

Способ изготовления окна вывода энергии свч и квч электронных приборов

Изобретение относится к способам изготовления волноводных узлов устройств СВЧ и КВЧ диапазонов. Техническим результатом является снижение трудоемкости и стоимости изготовления, а также повышение надежности. Заданную конфигурацию диэлектрической пластины задают вакуумным напылением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002285313
Дата охранного документа: 10.10.2006
11.03.2019
№219.016.d7ea

Аттенюатор свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к аттенюаторам СВЧ на полупроводниковых приборах. Аттенюатор СВЧ состоит, по крайней мере, из одного разряда, каждый из которых содержит резисторы, один из которых соединен последовательно, а другой - параллельно линиям передачи на входе и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002340048
Дата охранного документа: 27.11.2008
11.03.2019
№219.016.d8c6

Окно ввода и/или вывода энергии свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к выходным устройствам электронных СВЧ-приборов. Техническим результатом является повышение надежности, выхода годных приборов при снижении потерь мощности СВЧ. Окно ввода и/или вывода энергии СВЧ выполнено в виде диэлектрической пластины из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002313865
Дата охранного документа: 27.12.2007
Showing 11-20 of 25 items.
25.08.2017
№217.015.c6de

Способ измельчения смеси карбоната бария и оксида железа в производстве гексаферритов бария

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов бария. Технический результат - повышение активности при измельчении смеси исходных ферритообразующих компонентов в производстве гексаферрита бария, позволяющее снизить температуру...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618781
Дата охранного документа: 11.05.2017
26.08.2017
№217.015.e03c

Способ изготовления композиционного материала для изделий электронной техники свч

Изобретение относится к изготовлению композиционного материала для изделий электронной техники СВЧ на основе металлической матрицы в виде алюминиевого сплава и неметаллического наполнителя в виде карбида кремния. Способ включает уплотнение в разъемной пресс-форме шликерным литьем смеси фракций...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002625377
Дата охранного документа: 13.07.2017
26.08.2017
№217.015.e931

Способ получения прессованного металлосплавного палладий-бариевого катода

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления эффективных термо- и вторично-эмиссионных катодов. Путем плавки получают интерметаллид РdВа, размалывают в атмосфере инертного газа или СО с получением порошка, полученный порошок смешивают с порошком...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627707
Дата охранного документа: 10.08.2017
26.08.2017
№217.015.e93a

Способ получения катодного сплава на основе металла платиновой группы и бария

Изобретение относится к изготовлению металлосплавных катодов для приборов СВЧ-электроники. Способ получения катодного сплава на основе металла платиновой группы и бария включает прессование навески порошка металла платиновой группы, очистку поверхности бария от оксидов, совместную дуговую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627709
Дата охранного документа: 10.08.2017
29.12.2017
№217.015.f2a4

Способ измельчения смеси карбоната стронция и оксида железа в производстве гексаферритов стронция

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов стронция. Технический результат - повышение коэрцитивной силы по намагниченности гексаферрита стронция больше 235 кА/м и повышение активности при измельчении смеси исходных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002637703
Дата охранного документа: 06.12.2017
29.12.2017
№217.015.f3eb

Способ измельчения смеси карбоната стронция и оксида железа в производстве гексаферритов стронция

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов стронция. Технический результат - повышение активности при измельчении смеси исходных ферритообразующих компонентов, обеспечивающее снижение температуры синтеза и повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002637705
Дата охранного документа: 06.12.2017
29.12.2017
№217.015.fda7

Способ измельчения смеси карбоната стронция и оксида железа в производстве гексаферритов стронция

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов стронция. Технический результат - повышение активности при измельчении смеси исходных ферритообразующих компонентов, обеспечивающее снижение температуры синтеза и повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638069
Дата охранного документа: 11.12.2017
04.04.2018
№218.016.318e

Способ измельчения смеси карбоната стронция и оксида железа в производстве гексаферритов стронция

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов стронция. Технический результат - повышение активности при измельчении смеси исходных ферритообразующих компонентов в производстве гексаферрита стронция, что обеспечивает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002645192
Дата охранного документа: 16.02.2018
09.05.2018
№218.016.37d3

Способ получения катодного материала на основе металла платиновой группы и бария

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления эффективных термо- и вторичноэмиссионных катодов для мощных приборов СВЧ-электроники, в частности ламп бегущей волны, магнетронов и т.п. Способ получения катодного материала на основе металла платиновой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646654
Дата охранного документа: 06.03.2018
10.05.2018
№218.016.3af7

Прессованный металлосплавный палладий-бариевый катод и способ его получения

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления эффективных термо- и вторичноэмиссионных катодов для мощных приборов СВЧ-электроники. Прессованный металлосплавный палладий-бариевый катод выполнен трехслойным из двух сплошных палладиевых лент и размещенной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002647388
Дата охранного документа: 15.03.2018
+ добавить свой РИД