×
05.09.2018
218.016.836f

Результат интеллектуальной деятельности: Электролит для осаждения покрытия из сплава медь-индий

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области гальваностегии, в частности к электролитическому осаждению сплава медь-индий, и может быть использовано в приборостроении и при дополнительной антикоррозионной защите углеродистых сталей крупногабаритных узлов, днталей, труб и других сооружений. Электролит содержит сернокислую медь, уксуснокислый аммоний и воду, при этом он дополнительно содержит гексаметилендиаминдиянтарную кислоту при следующем соотношении компонентов, г/л: сернокислая медь 20 – 30; сернокислый индий 10 – 20; уксуснокислый аммоний 20 – 30; гексаметилендиаминдиянтарная кислота 40 – 50. Использование предложенного электролита обеспечивает антикоррозионную стойкость покрытия и повышает экологическую безопасность электролита и процесса. 3 пр.

Изобретение относится к области гальваностегии, в частности к электролитическому осаждению сплава медь-индий и может быть использовано в приборостроении и при дополнительной антикоррозионной защите углеродистых сталей крупногабаритных узлов, деталей, труб и других сооружений.

Известен электролит для осаждения сплава медь-индий, содержащий, сульфаты меди и индия, аммония и битартрат натрия [Марченко Н.А., Терехова Л.С., Райбер З.С. В сб. «Электролитическое осаждение сплавов», ч. 2, Л., 1968, с. 50-57].

Недостатком указанного электролита является невысокая рассеивающая способность электролита и образование темных порошкообразных осадков с низкой коррозионной стойкостью (8,7-10,2 г/м2/ч).

Известен электролит для осаждения сплава медь-индий (RU 2134734 С1, 20.08.1999), в состав которого входят сернокислая медь, сернокислый индий, уксуснокислый аммоний, трилон Б (динатриевая соль этилендиаминтетрауксусной кислоты).,

К недостаткам этого электролита относится загрязняющий окружающую среду комплексон III (динатриевая соль этилендиаминтетрауксусной кислоты, ЭДТА), т.к. ЭДТА практически не поддается разложению в живой природе [S. Metsarinae, T. Tuhkanen, R. Aksela. Photodegradanion of ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) and ethylenediamine disuccinic acid (EDDS) within natural UV radiation range // Chemosphere. 45 (2001). P. 949-955; V.M. Nikolskiy, L.N. Toikacheva, A.A. Yakovlev, Y.M. Khalyapina, Т.I. Smirnova. Decrease in Environmental Pollution by Complexones as Factor of Biodiversity Preservation // European Researcher, 2013, vol. (63), №11-2, p. 2675-2680] и накапливается в мировом океане, вызывая растворение отложений токсичных металлов с переходом их в раствор в виде стабильных и часто липидорастворимых комплексонатов, что приводит к отравлению планктона, рыб, птиц и высших животных.

Наиболее близким к заявляемому изобретению по технической сущности и достигаемому эффекту (прототипом) является щавелевокислый электролит [RU 2613838 С1, опубл. 21.03.2017], содержащий экологически безопасный диаминный комплексон - этилендиаминдиянтарную кислоту (ЭДДЯК), который, в условиях сбросов после использования электролита, быстро разлагается [S. Metsarinae, Т. Tuhkanen, R. Aksela. Photodegradanion of ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) and ethylenediamine disuccinic acid (EDDS) within natural UV radiation range // Chemosphere. 45 (2001). P. 949-955; V.M. Nikolskiy, L.N. Tolkacheva, A.A. Yakovlev, Y.M. Khalyapina, T.I. Smirnova. Decrease in Environmental Pollution by Complexones as Factor of Biodiversity Preservation // European Researcher, 2013, Vol. (63), №11-2, P. 2675-2680].

Недостатком прототипа является наличие в составе ЭДДЯК значительного количества азота (9,59%), который при разложении этого комплексона может попадать в сточные воды и негативно воздействовать на окружающую среду [Hyvonen Н., Orama М., Saarine Н., Aksela R. Studies on biodegradable chelating ligands: complexation of iminodisuccinic acid (ISA) with Cu(II), Zn(II), Mn(II) and Fe(III) ions in aqueous solution // Green Chemistry. 2003, №5, P. 410-414].

Задачей изобретения является разработка электролита для осаждения покрытия из сплава медь-индий, позволяющего снизить негативное воздействие вредных химических соединений (например, азота) в области гальваностегии на природную среду.

Данная задача решается за счет того, что Электролит для осаждения покрытия из сплава медь-индий, содержащий сернокислую медь, сернокислый индий уксуснокислый аммоний и воду, дополнительно содержит гексаметилендиаминдиянтарную кислоту, при следующем соотношении компонентов, г/л:

- сернокислая медь 20-30;

- сернокислый индий 10-20;

- уксуснокислый аммоний 20-30;

- гексаметилендиаминдиянтарная кислота 40-50

Технический результат заключается в обеспечении коррозионной стойкости получаемых покрытий и повышении экологической безопасности электролита и процесса.

Технический результат при электроосаждении сплава медь-индий достигается благодаря замене в рецептура электролита диаминного комплексона ЭДДЯК на ГМДДЯК. Применяемый в заявляемой рецептуре экологически безопасный диаминный комплексен ГМДДЯК содержит в своем составе 8,05% азота [RU 2527271 С1, опубл. 27.08.2014], что существенно ниже, чем у аналога, описанного в указанном выше патенте на способ синтеза ГМДДЯК, диэтилентриаминтриянтарной кислоты (9,31%) и у ЭДДЯК (9,59%) в рецептуре щавелевокислого электролита [RU 2613838 С1, опубл. 21.03.2017 - прототип].

Гексаметилендиаминдиянтарная кислота в водном растворе предлагаемого электролита обеспечивает образование координационных соединений, где в качестве ионов-комплексообразователей выступают медь и индий, а лигандом является экологически безопасная ГМДДЯК. Присутствие ГМДДЯК препятствует гидролизу солей и обеспечивает стабильность электролита. Процесс осаждения проводят при кислотности электролита рН=4,8-5,2, т.к. это оптимальное значение рН раствора, при котором практически существует только H2L- форма ГМДДЯК, образующая нейтральные комплексы с медью (например, см. рис. 3 распределения комплекных форм ГМДДЯК в зависимости от рН раствора [Логинова Е.С., Никольский В.М., Толкачева Л.Н., Лукьянова Н.И. Синтез и некоторые свойства комплексонов, производных янтарной кислоты // Известия Академии наук. Серия химическая, 2016, №9, С. 2206-2210]. Электролиз осуществляется при катодной плотности тока 1,0-3,0 А/дм2, температуре 20-25°С и непрерывном перемешивании с использованием медных анодов. Электролит готовят следующим образом: комплексообразователь - гексаметилендиаминдиянтарную кислоту растворяют при 80-90°С в 1/4 необходимого для приготовления электролита объема водопроводной воды. В отдельных порциях по 1/4 общего объема воды растворяют соли меди и индия. Затем, половину объема горячего раствора ГМДДЯК при непрерывном перемешивании вливают в полученный раствор соли меди, а другую половину объема горячего раствора ГМДДЯК вливают в полученный раствор соли индия. Смеси растворов оставляют на 10-15 минут для полноты комплексообразования, а затем медленно (при перемешивании) к раствору комплексоната индия добавляют раствор комплексоната меди. К полученной смеси добавляют уксуснокислый аммоний и доводят объем электролита до рабочего водой.

Дополнительное введение уксуснокислого аммония способствует увеличению электропроводности раствора и его буферных свойств, а также улучшает равномерность распределения осаждаемых металлов на катоде за счет образования комплексов с ГМДДЯК.

Возможность осуществления заявляемого изобретения подтверждается следующими примерами.

Пример 1. В 1000 мл воды растворяют 20 г сульфата меди, 10 г сульфата индия, 40 г гексаметилендиаминдиянтарной кислоты, 20 г уксуснокислого аммония. Полученным составом при перемешивании проводят электролиз на платиновых анодах при плотности тока 1,0 а/дм2, температуре 20°С, рН=5,0. В результате чего достигаются следующие эффекты: содержание индия в сплаве 5,9 вес %, выход по току 68%, скорость коррозии 6,5 г/м2⋅ч, электролитическое покрытие светлое, плотное, мелкокристаллическое.

Пример 2. В 1000 мл воды растворяют 25 г сульфата меди, 15 г сульфата индия, 45 г гексаметилендиаминдиянтарной кислоты, 25 г уксуснокислого аммония. Полученным составом при перемешивании проводят электролиз на платиновых анодах при плотности тока 2,0 а/дм2, температуре 22,5°С, рН=4,8. В результате чего достигаются следующие эффекты: содержание индия в сплаве 9,0 вес %, выход по току 75%, скорость коррозии 6,8 г/м2⋅ч, покрытие светлое, плотное, мелкокристаллическое, полублестящие.

Пример 3. В 1000 мл воды растворяют 30 г сульфата меди, 20 г сульфата индия, 50 г гексаметилендиаминдиянтарной кислоты, 30 г уксуснокислого аммония. Полученным составом при перемешивании проводят электролиз на платиновых анодах при плотности тока 3,0 а/дм2, температуре 25°С, рН=5,2. В результате чего достигаются следующие эффекты: содержание индия в сплаве 14,8 вес.%, выход по току 82%, скорость коррозии 7,6 г/м2⋅ч, покрытие - светлое, плотное, мелкокристаллическое.

Таким образом, использование предложенного состава позволяет осаждать светлые, полублестящие, прочно сцепленные с медной подложкой покрытия и уменьшить загрязнение окружающей среды.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 58 items.
25.08.2017
№217.015.a3fc

Способ синтеза наночастиц полупроводников

Изобретение относится к коллоидной химии и нанотехнологии и может быть использовано в производстве люминесцентных материалов, сверхминиатюрных светодиодов, источников белого света, одноэлектронных транзисторов, нелинейно-оптических устройств, фоточувствительных и фотогальванических устройств....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607405
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.b308

Щавелевокислый электролит для осаждения сплава медь-олово

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для нанесения защитно-декоративных покрытий. Электролит содержит, моль/л: сульфат меди пятиводный (8-10)10, сульфат олова (1-5)10, аммоний щавелевокислый (3-4)10, ацетат натрия (1,81-2,00)10, желатин (1-5)10, ванилин...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613838
Дата охранного документа: 21.03.2017
25.08.2017
№217.015.b6dd

Способ выращивания монокристаллов парателлурита из расплава по чохральскому

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов парателлурита из расплава методом Чохральского. Выращивание осуществляют из неподвижного тигля с программированием скоростей вытягивания и вращения затравки, при этом после выхода на требуемый диаметр вытягивание цилиндрической части...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614703
Дата охранного документа: 28.03.2017
25.08.2017
№217.015.be20

Кристалломорфологический способ диагностики и профилактики опухолевых заболеваний поджелудочной железы

Изобретение относится к области медицины и представляет собой кристалломорфологический способ диагностики опухолевых заболеваний поджелудочной железы, включающий введение в пробу мочи пациента нингидрина с добавкой тинктуры болиголова и горечавки, высушивание смеси методом испарения,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002616900
Дата охранного документа: 18.04.2017
26.08.2017
№217.015.d5a6

Кристалломорфологический способ диагностики и профилактики опухолевых заболеваний

Изобретение относится к области медицины и касается способа определения профилактических мероприятий опухолевых заболеваний. Сущность способа заключается в том, что у пациента отбирается вторая утренняя проба мочи, 5 мл мочи помещается в чашку Петри, добавляется раствор нингидрина и несколько...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623077
Дата охранного документа: 21.06.2017
26.08.2017
№217.015.d9fc

Способ получения периодических профилей на поверхности кристаллов парателлурита

Изобретение относится к области дифракционной оптики и может быть использовано для разработки новых дифракционных оптических элементов для диапазона 0,35-5,5 мкм. В основу изобретения поставлена задача получения периодических профилей на поверхности кристаллов парателлурита методом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623681
Дата охранного документа: 28.06.2017
26.08.2017
№217.015.e827

Электролит для осаждения цинк-никелевых покрытий

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в машиностроении, приборостроении и автомобилестроении для защиты от коррозии стальных изделий. Электролит для электроосаждения цинк-никелевых покрытий содержит оксид цинка, едкий натр, никель сернокислый, триэтаноламин,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627319
Дата охранного документа: 07.08.2017
26.08.2017
№217.015.edfd

Электрохимическая твердотельная топливная ячейка

Изобретение относится к способам прямого преобразования химической энергии топлив в электрическую и устройствам для их осуществления. Электрохимическая твердотельная топливная ячейка включает корпус 1, газожидкостной тракт 2, электроды 3, которые могут быть выполнены из активированного угля или...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628760
Дата охранного документа: 22.08.2017
19.01.2018
№218.016.02e6

Новая ионная жидкость производная бис-(n,n-диметиламида) метилфосфоновой кислоты с высокими термическими свойствами

Изобретение относится к ионной жидкости с катионом бис-(N,N,N-триметиламида) метилфосфоновой кислоты и гексафторфосфат анионом, которая может быть использована в химической промышленности. Предложена новая ионная жидкость с высокими термическими свойствами, устойчивая к влаге. 1 пр., 1 ил.
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002630226
Дата охранного документа: 06.09.2017
19.01.2018
№218.016.0429

Способ оценки риска развития простудных заболеваний у лиц пожилого возраста

Изобретение относится к медицине и представляет собой способ оценки риска развития простудных заболеваний у лиц пожилого возраста, заключающийся в исследовании ротовой жидкости пациента пожилого возраста с определением концентрации иммуноглобулина А и концентрации иммуноглобулина G,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002630587
Дата охранного документа: 11.09.2017
Showing 21-21 of 21 items.
24.07.2020
№220.018.36e3

Маскирантно-кислотный слой индикаторной бумаги для определения нитрат-ионов

Изобретение относится к органическим соединениям, содержащим в своем составе одновременно кислотные и основные группировки, имеющим общее название – комплексоны, и может быть использовано в аналитической химии для изготовления химических индикаторов на твердофазных носителях, в частности, для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002727571
Дата охранного документа: 22.07.2020
+ добавить свой РИД