×
25.08.2018
218.016.7ed0

Результат интеллектуальной деятельности: ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ДИСПЛЕЙ И СПОСОБ ЗАТЕМНЕНИЯ ТАКОГО ДИСПЛЕЯ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002664677
Дата охранного документа
21.08.2018
Аннотация: Изобретение относится к жидкокристаллическим устройствам отображения и процессу затемнения. Жидкокристаллический дисплей содержит нижнюю подложку, снабженную нижним общим электродом, линией сканирования, линией данных, пиксельным электродом и тонкопленочным транзистором. Электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования. Электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных. Электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом. Нижний общий электрод имеет удлинение. Линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора расположены на расстоянии друг от друга и частично совпадают с удлинением. При выполнении процесса затемнения линия соединения разъединяется с линией данных и соединяется с удлинением. Технический результат – устранение проблемы фрагментарных ярких точек, упрощение ремонта. 4 н. и 15 з.п. ф-лы, 8 ил.

ПРЕДПОСЫЛКИ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к области технологии отображения, и в частности к жидкокристаллическому устройству отображения, жидкокристаллическому дисплею, способу изготовления жидкокристаллического дисплея и способу затемнения такого дисплея.

2. Описание предшествующего уровня техники

Фиг. 1а - вид сверху структуры пикселя жидкокристаллической панели отображения VA-типа. Как показано на фиг. 1а, структура пикселя обычно содержит линию сканирования (Gate (Затвор)) 1, линию данных (Data (Данные)) 2, общий электрод (Com), тонкопленочный транзистор (TFT) 4 и пиксельный электрод 5. Причем, тонкопленочный транзистор 4 функционирует как переключатель при управлении пикселем. Когда тонкопленочный транзистор 4 включается, сигнал данных может быть записан в пиксельный электрод 5, а в другое время тонкопленочный транзистор 4 выключен. При фактическом производстве из-за металлических остатков или аномального объекта канал тонкопленочного транзистора 4 может быть коротким настолько, что он теряет функцию переключения, что приводит к яркой точке в пикселе. В это время требуется процесс затемнения для пикселя с яркой точкой.

Как показано на фиг. 1а - фиг. 1 с, во-первых, разъединение и прерывание («X», показанное на фиг. 1а - фиг. 1 с, представляет собой разъединение и прерывание) тонкопленочного транзистора 4 от линии данных и пиксельного электрода. Затем используется лазер вдоль направления «А», чтобы облучить частично совпадающее положение пиксельного электрода и общего электрода (Асоm) нижней подложки. При высокой температуре пиксельный электрод и общий электрод сплавляются для осуществления проводимости (на фиг. lb цифра «6» представляет собой использование лазера для достижения проводимости). Соответственно, пиксель будет отображаться как темная точка. Однако, при использовании такой технологии, как СОА (цветной фильтр на матрице) или органический плоский слой, между пиксельным электродом и общим электродом нижней подложки добавляется очень толстый изолирующий слой, если используется традиционный способ затемнения, мощность лазера должна быть добавлена для того, чтобы преодолеть дополнительный изолирующий слой, так что сложность ремонта увеличивается. Когда мощность лазера увеличивается, температура также увеличивается, цветной защитный слой и пиксельный электрод легко разбиваются и переворачиваются при более высокой температуре, так что внешний вид пиксельного электрода меняется, чтобы вызвать ненормальную ситуацию выравнивания молекул жидких кристаллов. В то же время фрагменты брызг легко генерируют проблему фрагментарных ярких точек так, что процесс затемнения не удается.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Основная технологическая проблема, решаемая настоящим изобретением, заключается в создании жидкокристаллического устройства отображения, жидкокристаллического дисплея, способа изготовления и процесса затемнения, чтобы решить проблемы легкого разбивания и переворачивания на цветном защитном слое и слое ITO при выполнении процесса затемнения и легкого генерирования фрагментарной яркой точки.

Для решения вышеуказанных проблем технологическое решение, принятое в соответствии с настоящим изобретением, представляет собой: жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее жидкокристаллический дисплей, причем жидкокристаллический дисплей содержит: верхнюю подложку, снабженную верхним общим электродом; нижнюю подложку, расположенную напротив верхней подложки и снабженную нижним общим электродом, имеющим удлинение, причем нижняя подложка также снабжена линией сканирования, линией данных, пиксельным электродом и тонкопленочным транзистором (TFT); электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования; электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных; электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом; пиксельный электрод расположен с одной стороны с изоляцией и пересечением линии данных и линии сканирования; удлинение расположено с другой стороны от изоляции и пересечения линии данных и линии сканирования; и жидкокристаллический слой, расположенный между верхней подложкой и нижней подложкой; причем линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора отстоит от и частично совпадает с удлинением; при выполнении процесса затемнения разъединяют линию соединения и линию данных и соединяют удлинение с линией соединения.

Причем, удлинение изолировано, отстоит от и частично совпадает с линией соединения, и удлинение расположено выше или ниже линии соединения.

Причем, нижняя подложка также снабжена изолирующим слоем, который делает линию сканирования, линию данных, пиксельный электрод и тонкопленочный транзистор изолированными друг от друга.

Причем, нижняя подложка формируется с помощью технологии цветного фильтра на матрице (СОА) или технологии органического плоского слоя.

Причем, цветной защитный слой или плоский слой расположен между пиксельным электродом и изолирующим слоем.

Причем, накопительный конденсатор сформирован между пиксельным электродом и верхним общим электродом.

Причем, жидкокристаллический конденсатор сформирован между пиксельным электродом и нижним общим электродом.

Для решения вышеуказанных проблем технологическим решением, принятым в соответствии с настоящим изобретением, является: жидкокристаллический дисплей, содержащий: верхнюю подложку, снабженную верхним общим электродом; нижнюю подложку, расположенную напротив верхней подложки и снабженную нижним общим электродом, имеющим удлинение, причем нижняя подложка также снабжена линией сканирования, линией данных, пиксельным электродом и тонкопленочным транзистором (TFT); электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования; электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных; электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом; и жидкокристаллический слой, расположенный между верхней подложкой и нижней подложкой; причем линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора отстоит от и частично совпадает с удлинением; при выполнении процесса затемнения разъединяют линию соединения и линию данных и соединяют удлинение с линией соединения.

Для решения вышеуказанных проблем технологическое решение, принятое в соответствии с настоящим изобретением, представляет собой: способ изготовления жидкокристаллического дисплея, включающий: формирование множества параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга нижних общих электродов на нижней подложке, причем каждый из общих электродов имеет удлинение; формирование множества параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга линий данных на нижней подложке; формирование множества параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга линий сканирования на нижней подложке, причем линии сканирования и линии данных изолированы и пересекаются для формирования нескольких прямоугольников в виде матрицы; и формирование тонкопленочного транзистора (TFT) на углу прямоугольника; причем электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования; электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных; электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом; линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора отстоит от и частично совпадает с удлинением; и формирование пиксельного электрода на одной стороне с изоляцией и пересечением линии данных и линии сканирования.

Причем, перед этапом формирования пиксельного электрода на одной стороне с изоляцией и пересечением линии данных и линии сканирования, дополнительно включается этап расположения изолирующего слоя на нижней подложке, чтобы сделать линию сканирования, линию данных, пиксельный электрод и тонкопленочный транзистор изолированными друг от друга.

Причем после этапа расположения изолирующего слоя на нижней подложке, чтобы линия сканирования, линия данных, пиксельный электрод и тонкопленочный транзистор были изолированы друг от друга, дополнительно включается этап использования технологии цветного фильтра на матрице (СОА) или технологии органического плоского слоя, чтобы соответственно сформировать цветной защитный слой или плоский слой между пиксельным электродом и изолирующим слоем.

Для решения вышеуказанных проблем технологическое решение, принятое в соответствии с настоящим изобретением, представляет собой: способ затемнения для жидкокристаллического дисплея, причем жидкокристаллический дисплей, содержащий: верхнюю подложку, снабженную верхним общим электродом; нижнюю подложку, расположенную напротив верхней подложки и снабженную нижним общим электродом, имеющим удлинение, причем нижняя подложка также снабжена линией сканирования, линией данных, пиксельным электродом и тонкопленочным транзистором (TFT); электрод затвора тонкопленочного транзистора соединен с линией сканирования; электрод истока тонкопленочного транзистора соединен с линией данных; электрод стока тонкопленочного транзистора соединен с пиксельным электродом; и жидкокристаллический слой, расположенный между верхней подложкой и нижней подложкой; причем линия соединения линии данных и электрода истока тонкопленочного транзистора отстоит от и частично совпадает с удлинением; причем пиксельный электрод расположен с одной стороны с изоляцией и пересечением линии данных и линии сканирования; удлинение расположено с другой стороны от изоляции и пересечения линии данных и линии сканирования; и, причем, способ включает: разъединение линии соединения и линии данных и соединение удлинения с электродом истока тонкопленочного транзистора.

Благоприятные эффекты настоящего изобретения заключаются в следующем: по сравнению с предшествующим уровнем техники нижний общий электрод имеет удлинение, и удлинение отстоит от и частично совпадает с линией соединения линии данных с электродом истока тонкопленочного транзистора. При выполнении процесса затемнения линия соединения линии данных с электродом истока тонкопленочного транзистора прерывается или разъединяется и удлинение соединяется с линией соединения лазером, так что напряжение пиксельного электрода и напряжение нижнего общего электрода равны и далее равны напряжению верхнего общего электрода. Соответственно, молекулы жидких кристаллов, соответствующие пиксельному электроду, не создают наклон для проведения света для того, чтобы закончить процесс затемнения. Настоящее изобретение может легко работать, уменьшать трудности процесса затемнения, избегать проблемы фрагментарных ярких точек из-за процесса затемнения и улучшать частоту ремонта продукта и объем выпуска.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Чтобы более четко проиллюстрировать техническое решение настоящего изобретения или предшествующего уровня техники, ниже будут приведены чертежи, используемые для описания вариантов осуществления или предшествующего уровня техники. Очевидно, что следующие чертежи являются только некоторыми вариантами осуществления настоящего изобретения. Обычный специалист в данной области техники может получить другие чертежи в соответствии с этими чертежами без творческих усилий.

Фиг. 1а - вид сверху структуры пикселя жидкокристаллической панели отображения VA-типа в соответствии с предшествующим уровнем техники;

Фиг. lb - частичная эквивалентная принципиальная схема жидкокристаллической панели отображения VA-типа;

Фиг. 1с - основной вид частичной структуры жидкокристаллической панели отображения VA-типа;

Фиг. 2 - вид сверху структуры пикселя жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением;

Фиг. 3 - эквивалентная принципиальная схема пиксельной структуры жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением;

Фиг. 4 - основной вид жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением;

Фиг. 5 - блок-схема способа изготовления жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением; и

Фиг. 6 - блок-схема процесса затемнения жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНОГО ВАРИАНТА ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Следующее содержание объединяет чертежи и варианты осуществления для подробного описания настоящего изобретения.

Со ссылкой на фиг. 2 - фиг. 4, причем, фиг. 2 - вид сверху структуры пикселя жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением; фиг. 3 - эквивалентная принципиальная схема пиксельной структуры жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением; фиг. 4 - основной вид жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением.

Жидкокристаллический дисплей содержит верхнюю подложку (не показана на чертежах), нижнюю подложку и жидкокристаллический слой (не показан на чертежах). Верхняя подложка снабжена верхним общим электродом (не показан на чертежах). Нижняя подложка расположена напротив верхней подложки и имеет нижний общий электрод 13. Жидкокристаллический слой расположен между верхней подложкой и нижней подложкой 13.

Нижняя подложка согласно настоящему изобретению дополнительно предусматривает линию сканирования 11, линию данных 12, пиксельный электрод 15 и тонкопленочный транзистор (TFT) 14. Электрод затвора тонкопленочного транзистора 14 соединен линией сканирования 11. Электрод истока тонкопленочного транзистора 14 соединен с линией данных 12. Электрод стока тонкопленочного транзистора 14 соединен с пиксельным электродом 15. Причем, нижний общий электрод 13 имеет удлинение 131. Линия соединения 132 линии данных 12 и электрод стока тонкопленочного транзистора 14 расположены на расстоянии друг от друга и частично совпадают с удлинением 131. Удлинение 131 изолировано, отстоит от и частично совпадает с линией соединения 132 в верхней части или нижней части линии соединения 132. В частности, удлинение 131 проходит от нижнего общего электрода 13 к электроду стока тонкопленочного транзистора 14, а конец удлинения 131 расположен рядом с электродом стока тонкопленочного транзистора 14. Кроме того, удлинение 131 расположено в верхней части или нижней части линии соединения 132 линии данных 12 и электрода стока тонкопленочного транзистора 14. Кроме того, линия соединения 132 и удлинение 131 изолированы.

Пиксельный электрод 15 и верхний общий электрод формируют накопительный конденсатор Cst. Пиксельный электрод 15 и нижний общий электрод 13 формируют жидкокристаллический конденсатор С1с. Пиксельный электрод 15 расположен с одной стороны с изоляцией и пересечением 111 линии данных 12 и линии сканирования 11. Удлинение 131 расположено с другой стороны от изоляции и пересечения 111 линии данных 12 и линии сканирования 11. В частности, место расположения изоляции и пересечения 111 делает удлинение 131 и пиксельный электрод 15 расположенными на расстоянии друг от друга. Место расположения изоляции и пересечения удлинения 131 и линии соединения 132 не совпадает частично с и расположено на расстоянии от пиксельного электрода 15 таким образом, что при выполнении процесса затемнения воздействие лазера на пиксельный электрод 15 уменьшается.

В другом варианте осуществления нижняя подложка дополнительно предусматривает изолирующий слой 18 и цветной защитный слой 19, которые частично совпадают и расположены последовательно. Линия сканирования 11, линия данных 12, пиксельный электрод 15 и тонкопленочный транзистор 14 расположены на изолирующем слое 18, чтобы они были изолированными друг от друга. В другом варианте осуществления цветной защитный слой 19 может не предусматриваться между пиксельным электродом 15 и изолирующим слоем 18. Вместо этого может быть предусмотрен плоский слой. Цветной защитный слой 19 может быть сформирован на нижней подложке с помощью технологии СОА. Плоский слой может быть сформирован на нижней подложке с помощью технологии органического плоского слоя.

Как показано на фиг. 2 и фиг. 3, при выполнении процесса затемнения линия соединения 132 линии данных 12 и электрода истока тонкопленочного транзистора 14 прерывается или разъединяется («X» на фиг. 2 и фиг. 3 означает, что часть прервана или разъединена при выполнении процесса затемнения), и удлинение 131 соединяется с линией соединения 132 (цифра «16» на фиг. 2 и фиг. 4 означает использование лазера для соединения двух линий, которые первоначально являются изолированными), так что напряжение пиксельного электрода 15 и напряжение нижнего общего электрода 13 равны и дополнительно равны напряжению верхнего общего электрода. Соответственно, молекулы жидких кристаллов, соответствующие пиксельному электроду 15, не создают наклон для проведения света для того, чтобы закончить процесс затемнения.

Настоящее изобретение также предусматривает жидкокристаллическое устройство отображения, и жидкокристаллическое устройство отображения содержит жидкокристаллический дисплей, описанный выше.

Со ссылкой на фиг. 5, фиг. 5 - блок-схема способа изготовления жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением. Способ изготовления жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением включает следующие этапы:

S10: формирование множества параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга нижних общих электродов 13 на нижней подложке;

Причем, каждый из общих электродов 13 имеет удлинение 131;

S20: формирование множества параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга линий данных 12 на нижней подложке;

S30: формирование множества параллельных и расположенных на расстоянии друг от друга линий сканирования 11 на нижней подложке;

Причем, линии сканирования 11 и линии данных 12 изолированы и пересекаются для формирования нескольких прямоугольников в виде матрицы;

S40: формирование тонкопленочного транзистора (TFT) 14 на углу прямоугольника;

Причем, электрод затвора тонкопленочного транзистора 14 соединен с линией сканирования 11. Электрод истока тонкопленочного

транзистора 14 соединен с линией данных 12. Электрод стока тонкопленочного транзистора 14 соединен с пиксельным электродом 15. Линия соединения 132 линии данных 12 и электрода истока тонкопленочного транзистора 14 отстоит от и частично совпадает с удлинением 131. То есть, линия соединения 132 и удлинение 131 частично совпадают и изолированы. В частности, удлинение 131 проходит от нижнего электрода 13 к электроду истока тонкопленочного транзистора 14. Конец удлинения 131 находится рядом с электродом истока тонкопленочного транзистора 14. Кроме того, удлинение 131 расположено выше или ниже линии соединения 132 электрода истока тонкопленочного транзистора 14.

S50: расположение изолирующего слоя 18 на нижней подложке, чтобы сделать линию сканирования 11, линию данных 12, пиксельный электрод 15 и тонкопленочный транзистор 14 изолированными друг от друга;

S60: использование способа СОА или способа органического плоского слоя, чтобы соответственно сформировать цветной защитный слой 19 или плоский слой между пиксельным электродом 15 и изолирующим слоем 18;

В частности, использование способа СОА для формирования цветного защитного слоя 19 между пиксельным электродом 15 и изолирующим слоем 18 и использование способа органического плоского слоя для формирования плоского слоя между пиксельным электродом 15 и изолирующим слоем 18;

S70: формирование пиксельного электрода 15 на одной стороне с изоляцией и пересечением линии данных 12 и линии сканирования 11;

Причем, пиксельный электрод 15 расположен с одной стороны с местом расположения 111 изоляции и пересечения линии данных 12 и линии сканирования 11. Удлинение 131 расположено с другой стороны от места расположения 111 изоляции и пересечения линии данных 12 и линии сканирования 11. В частности, расположенные на расстоянии и частично совпадающие место расположение удлинения 131 и линия соединения 132 не совпадают частично с и расположены на расстоянии от пиксельного электрода 15 таким образом, что при выполнении процесса затемнения воздействие лазера на пиксельный электрод 15 уменьшается.

Со ссылкой на фиг. 6, фиг. 6 - блок-схема способа затемнения жидкокристаллического дисплея в соответствии с настоящим изобретением. Способ включает следующие этапы:

S110: разъединение линии соединения 132 линии данных 12 и электрода истока тонкопленочного транзистора 14 от линии данных 12;

S120: соединение удлинения 131 с электродом истока тонкопленочного транзистора 14.

Причем, используется лазер для облучения места расположения частичного совпадения удлинения 131 и линии соединения 132, чтобы соединить удлинение 131 с электродом истока тонкопленочного транзистора 14.

В настоящем изобретении нижний общий электрод 13 имеет удлинение 131, и удлинение 131 отстоит от и частично совпадает с линией соединения 132 линии данных 12 и электрода истока тонкопленочного транзистора 14. При выполнении процесса затемнения линия соединения 132 линии данных 12 и электрод истока тонкопленочного транзистора 14 прерывается или разъединяется, и соединяется удлинение 131 с линией соединения 132 с помощью лазера, так что напряжение пиксельного электрода 15 и напряжение нижнего общего электрода 13 равны и далее равны напряжению верхнего общего электрода. Соответственно, молекулы жидких кристаллов, соответствующие пиксельному электроду 15, не создают наклон для проведения света для того, чтобы закончить процесс затемнения. Настоящее изобретение может легко работать, уменьшать трудности процесса затемнения, избегать проблемы фрагментарных ярких точек из-за процесса затемнения и улучшать частоту ремонта продукта и объем выпуска.

Вышеупомянутые варианты осуществления настоящего изобретения не используются для ограничения формулы изобретения. Любое использование содержания спецификации или чертежей настоящего изобретения, которое производит эквивалентные структуры или эквивалентные процессы или прямо или косвенно используется в других связанных технических областях, по-прежнему охватывается формулой изобретения.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 71-80 of 117 items.
09.08.2018
№218.016.78aa

Сенсорная панель с взаимной емкостью и "решением на одном стекле" и способ изготовления такой панели

Изобретение относится к сенсорным панелям. Технический результат заключается в повышении чувствительности сенсорного управления. Первое сквозное отверстие и второе сквозное отверстие сформированы на изолирующем слое сенсорной панели. Первая подсистема электродов сенсорной панели электрически...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663326
Дата охранного документа: 03.08.2018
09.08.2018
№218.016.7964

Печатная плата и способ ее проектирования

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться при проектировании печатной платы с несколькими отверстиями для винтов. Технический результат состоит в повышении точности проектирования печатных плат. Для этого способ включает этапы: последовательное расположение верхней стороны,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663185
Дата охранного документа: 02.08.2018
09.08.2018
№218.016.79b9

Подложка матрицы, панель жидкокристаллического дисплея и способ управления ими

Изобретение относится к подложке матрицы, панели жидкокристаллического дисплея и способу управления панели жидкокристаллического дисплея. Подложка матрицы включает множество пиксельных блоков, каждый из которых включает электрод основной области, электрод вторичной области и конденсатор обмена,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663081
Дата охранного документа: 01.08.2018
19.08.2018
№218.016.7d77

Жидкокристаллическое устройство и способ его изготовления

Изобретение относится к технологиям изготовления жидкокристаллических дисплеев. Жидкокристаллическое устройство включает подложку массива тонкопленочных транзисторов, ЦФ-подложку и слой жидкого кристалла. Подложка массива тонкопленочных транзисторов включает первый электродный слой и первый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664289
Дата охранного документа: 16.08.2018
22.08.2018
№218.016.7e46

Подложка матрицы и жидкокристаллическое устройство отображения

Изобретение относится к подложке матрицы и жидкокристаллическому устройству отображения. Подложка матрицы представляет собой прямоугольную подложку, протяженную вдоль направления оси x и направления оси y, а направление оси x и направление оси y перпендикулярны друг другу. Указанная подложка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664286
Дата охранного документа: 20.08.2018
29.08.2018
№218.016.80a6

Способ контроля конструкции с мдп-структурой в тонкопленочных транзисторах и система для осуществления контроля

Изобретение относится к области техники жидкокристаллических дисплеев, в частности к контролю конструкции с МДП-структурой (структурой металл - диэлектрик - полупроводник) в ТПТ (тонкопленочных транзисторах) и его системе. Раскрыт способ контроля конструкции с МДП-структурой (структурой металл...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002665263
Дата охранного документа: 28.08.2018
29.08.2018
№218.016.80c7

Конструкция модуля подсветки

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является повышение надежности устройства. Конструкция модуля подсветки включает панель дисплея, множество оптических пленок, световодную пластину и отражающий лист, уложенные последовательно, и защитный клей, расположенный на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002665047
Дата охранного документа: 28.08.2018
13.09.2018
№218.016.8774

Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов и способ ее изготовления, и жидкокристаллический дисплей

Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов включает область расположения электродов пикселей, область расположения электродов данных, прозрачный слой электродов пикселей, сформированный в области расположения электродов пикселей, первый металлический слой, первый диэлектрический слой, слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666815
Дата охранного документа: 12.09.2018
16.09.2018
№218.016.885d

Жидкокристаллический дисплей с сенсорной функцией и реализованный в нем способ обнаружения касания

Изобретение относится к жидкокристаллическим дисплеям с сенсорной функцией и реализованному в нем способу обнаружения касания. Технический результат заключается в уменьшении взаимного влияния сигналов отображения и сенсорных сигналов для того, чтобы повысить качество отображения и эффективность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002667050
Дата охранного документа: 13.09.2018
16.09.2018
№218.016.8877

Способ преобразования и система преобразования трехцветных данных в четырехцветные данные

Изобретение относится к области технологии отображения. Технический результат – улучшение насыщенности цвета изображения, отображаемого устройством отображения. Способ преобразования трехцветных данных в четырехцветные данные включает преобразование входных RGB данных в промежуточные RGBW...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002667043
Дата охранного документа: 13.09.2018
+ добавить свой РИД