×
25.08.2018
218.016.7ec8

Результат интеллектуальной деятельности: Способ балансировки магниторезистивного датчика

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к датчикам для измерения угла поворота, основанным на анизотропном магниторезистивном эффекте в тонких магнитных пленках, и может быть использовано в системах управления подвижными объектами. Технический результат – балансировка углового магниторезистивного датчика. Способ балансировки углового магниторезистивного датчика содержит этапы, на которых осуществляют подключение дискретного ряда одинаковых подгоночных сопротивлений последовательно с плечами моста Уинстона и балансировку моста Уинстона путем увеличения сопротивлений плеч моста Уинстона последовательным лазерным перерезанием перемычек соответствующих подгоночных сопротивлений, сначала на включенный мост Уинстона подают магнитное поле величиной не менее поля насыщения магниторезистивного материала датчика, затем замеряют значения выходного напряжения моста Уинстона при двух взаимно перпендикулярных направлениях магнитного поля, при которых выходное напряжение имеет максимальное и минимальное значения, и добиваются равенства этих значений по абсолютной величине, увеличивая сопротивления плеч моста Уинстона. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к датчикам для измерения угла поворота, основанным на анизотропном магниторезистивном эффекте (АМР-эффекте) в тонких магнитных пленках, и может быть использовано в системах управления подвижными объектами.

В качестве чувствительного элемента датчика используется мост Уинстона, одной из характеристик которого, отрицательно влияющей на точность измерения угла поворота, является разбаланс (смещение) моста.

Известны AMP датчики магнитного поля, описанные в ряде патентов фирмы Honeywell (Muchael 3, Caruso Н. and Tamara Bratland, Honeywell SSES, Carl H. Smith and Robert Schneider, Nonvolatile Electronics, Jnc), http://www sensorsmag.com, которым присуще наличие технологического разбаланса мостовой схемы, содержащей тонкопленочные резисторы.

Технологический разбаланс является следствием того, что процессы вакуумного напыления, фотолитографии и травления пленок не могут обеспечить одинаковую толщину и размер магниторезистивных полосок, что приводит к неравенству сопротивлений плеч моста.

Для устранения разбаланса моста предлагаются разные способы, основанные на использовании схемных решений с введением дополнительных тонкопленочных элементов или электронных компонентов в схеме обработки сигнала (катушек смещения, микропроцессора, электронной обратной связи).

Использование этих способов позволяет устранить разбаланс моста, но имеет ограничение по его величине, усложняет процесс изготовления датчика и отбирает заметную часть питания, что снижает его чувствительность.

Известны технические решения, описанные в патентах РФ №2186440, кл. H01L 43/08 от 16 февраля 2001 г. и №2216822 кл. H01L 43/08 от 9 апреля 2002 г., в которых вместо катушки индуктивности, для той же цели используются управляющие проводники, но эти решения имеют те же недостатки, что и предыдущие.

Более простой способ предложен в патенте РФ №2347302 кл. H01L 43/08 от 11.09.2007 г., взятый нами за прототип.

В этом способе балансировку разомкнутого моста Уинстона осуществляют подключением дискретного ряда одинаковых подгоночных сопротивлений последовательно с плечом моста Уинстона и поочередным лазерным перерезанием перемычек между сопротивлениями, каждый раз увеличивая сопротивление плеча на одну и ту же величину (шаг подгонки) до окончательной балансировки моста.

В приведенном примере показано с какой точностью может быть выполнено заданное сопротивление плеча при шаге подгонки 1 Ом для получения моста в 1000 Ом с равными сопротивлениями плеч.

Этот способ не может быть реализован для замкнутого моста Уинстона, вследствие того, что сопротивления плеч невозможно замерить.

В этом случае разбаланс оценивают по величине напряжения в диагонали моста при отсутствии воздействующего магнитного поля (у сбалансированного моста выходное напряжение - 0 мВ).

Для мостов Уинстона компасного применения с нечетной вольт-эрстедной характеристикой (ВЭХ) и имеющей гистерезис, используют способ, описанный в ChipNews # 3(96), 2005, стр 61-62, заключающийся в том, что магниторезистивные полоски намагничивают в одну сторону и получают смещение моста Uset, а затем в другую - получают смещение Ureset. Искомый разбаланс находится как: (Uset-Ureset)/2, и для балансировки необходимо выполнение условия Uset=Ureset. Балансировка такого моста с помощью подгоночных сопротивлений не вызывает затруднений.

Основным недостатком всех перечисленных способов является невозможность их применения для балансировки углового магниторезистивного датчика.

Особенностью угловых датчиков является то, что они работают в состоянии насыщения при полях до 10 мТл и сбалансированность моста для работы в области малых полей не обеспечивает сбалансированности моста в рабочем состоянии датчика вследствие большой величины размагничивающих полей. Так Р. Суху в книге «Магнитные тонкие пленки», Издательство «Мир», Москва, 1967 стр 394, приводит пример для размагничивающих полей по длинной и короткой стороне прямоугольного образца с соотношением сторон 2:1. Размагничивающее поле по короткой стороне оказалось в два раза больше, чем по длинной. У применяемых на практике магниторезистивных полосок эта разница еще больше, что естественно приводит к разнице сопротивлений плеч, т.е. разбалансу моста и, соответственно, снижению характеристик датчика.

Техническим результатом предлагаемого решения является способ балансировки углового магниторезистивного датчика.

Указанный технический результат достигается тем, что в способе балансировки магниторезистивного датчика, включающем подключение дискретного ряда одинаковых подгоночных сопротивлений последовательно с плечами моста Уинстона и балансировку моста Уинстона путем увеличения сопротивлений плеч моста Уинстона последовательным лазерным перерезанием перемычек соответствующих подгоночных сопротивлений, сначала на включенный мост Уинстона подают магнитное поле величиной не менее поля насыщения магниторезистивного материала датчика, затем замеряют значения выходного напряжения моста Уинстона при двух взаимно перпендикулярных направлениях магнитного поля, при которых выходное напряжение имеет максимальное и минимальное значения и добиваются равенства этих значений по абсолютной величине, увеличивая сопротивления плеч моста Уинстона.

Пример реализации способа

На фиг. 1 представлена топология датчика, состоящего из 2-х мостов Уинстона, имеющих общий центр симметрии (условное название «Ромашка»).

На фиг. 2 представлена зависимость выходного напряжения датчика от величины прикладываемого магнитного поля.

На фиг. 3а представлена зависимость выходного напряжения моста Уинстона от угла поворота до балансировки.

На фиг. 3б представлена зависимость выходного напряжения моста Уинстона от угла поворота после балансировки.

На фиг. 1:

1 - контактная площадка 1-го моста Уинстона (условное обозначение «мост 0°», у него два плеча параллельны, а два плеча перпендикулярны оси легкого намагничивания);

2 - контактная площадка 2-го моста Уинстона (условное обозначение «мост 45°», который повернут на 45° относительно первого моста);

3 - контактная площадка «моста 0°»;

4 -контактная площадка «моста 45°»;

5 - контактная площадка «моста 45°»;

6 - контактная площадка «моста 0°»;

7 - контактная площадка «моста 45°»;

8 - контактная площадка «моста 0°»;

9 - магниторезистивные полоски;

10 - сопротивление грубой подгонки;

11 - сопротивление тонкой подгонки.

Стрелкой обозначено направление оси легкого намагничивания (ОЛН), которое формировалось во время напыления пленки в вакууме при приложении вдоль поверхности подложки магнитного поля величиной 16 мТл.

Балансировку датчика проводят следующим образом. Сначала на тестовом образце снимают зависимость выходного напряжения моста Уинстона от величины прикладываемого перпендикулярно ОЛН магнитного поля. Для этого использовали соленоид на 2000 витков, который при токе 0,77 А позволяет получать однородное магнитное поле по оси соленоида величиной 12,5 мТл.

Из фиг. 2 видно, что 5 мТл достаточно для полного намагничивания образца.

Для балансировки «моста 0°» подложку устанавливают на контактное приспособление с четырьмя зондами. Зонды, по которым подается питание, устанавливают на контактные площадки 1 и 6, а зонды с которых снимается выходное напряжение, и которые подключены к вольтметру - на контактные площадки 3 и 8.

На соленоид подают от источника питания со стабилизацией по току ток величиной 0,31А, что соответствует магнитному полю величиной 5 мТл.

Из информации фирмы Honeywell об угловых датчиках НМС 1501/ НМС 1512 известно, что «мост 0°» имеет косинусную зависимость, а «мост 45°» имеет синусную зависимость выходного напряжения от угла поворота. Поэтому, для «моста 0°» замеряют два значения выходного напряжения - одно при поле направленном параллельно ОЛН (0°), а второе при поле, направленном перпендикулярно ОЛН (90°). В этих двух положениях будут наблюдаться максимальное и минимальное значения выходного напряжения.

Максимальное и минимальное значения амплитуды выходного напряжения выбраны из соображений возможности их измерения с наименьшей погрешностью. Для сбалансированного моста обе амплитуды равны по модулю.

В случае разбаланса осуществляют грубую подгонку, перерезая перемычки соответствующих подгоночных сопротивлений «10» по направлению, указанному знаком .

Если этого окажется недостаточным, то удаляют часть материала с сопротивления тонкой подгонки «11». Погрешность подгонки во многом определяется инструментом, чем меньше диаметр луча лазера, тем точнее она может быть проведена. В данном случае грубая подгонка давала 8 мВ добавки при перерезании одной перемычки и менее 1 мВ при тонкой подгонке.

Аналогичным способом балансируется и «мост 45°», у которого зависимость выходного напряжения от угла поворота синусная и его минимальное и максимальное значение замеряются при углах 45° и 135° относительно ОЛН.

В таблице 1 представлены результаты балансировки двухмостовых датчиков после грубой подгонки.

Из таблицы видно, что в случае грубой подгонки погрешность составляла от ±1 мВ до ±5 мВ.

В случае тонкой подгонки удалось достичь погрешности менее ±1 мВ, типично ±0,5 мВ.

Искомый угол определяется по формуле:

По угловой характеристике, представленной на фиг. 3a, наглядно видно, что значения «α» для разбалансированного моста не будут соответствовать табличным.

Таким образом, можно констатировать, что предложен оригинальный способ, который существенно отличается от известных и позволяет балансировать угловой тонкопленочный магниторезистивный датчик с погрешностью, определяемой возможностью инструмента удалять минимальное количество материала с сопротивления точной подгонки.

Способ балансировки углового магниторезистивного датчика, включающий подключение дискретного ряда одинаковых подгоночных сопротивлений последовательно с плечами моста Уинстона и балансировку моста Уинстона путем увеличения сопротивлений плеч моста Уинстона последовательным лазерным перерезанием перемычек соответствующих подгоночных сопротивлений, отличающийся тем, что для балансировки углового магниторезистивного датчика сначала на включенный мост Уинстона подают магнитное поле величиной не менее поля насыщения магниторезистивного материала датчика, затем замеряют значения выходного напряжения моста Уинстона при двух взаимно перпендикулярных направлениях магнитного поля, при которых выходное напряжение имеет максимальное и минимальное значения, и добиваются равенства этих значений по абсолютной величине, увеличивая сопротивления плеч моста Уинстона.
Способ балансировки магниторезистивного датчика
Способ балансировки магниторезистивного датчика
Способ балансировки магниторезистивного датчика
Способ балансировки магниторезистивного датчика
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 321-330 of 556 items.
13.01.2017
№217.015.79fd

Устройство пассивной защиты ядерного реактора на быстрых нейтронах (варианты)

Изобретение относится к системам остановки ядерных реакторов на быстрых нейтронах. Устройство содержит две емкости внутри шестигранного корпуса (1), геометрически идентичного корпусу тепловыделяющей сборки. Верхняя герметичная емкость (2) размещена выше активной зоны (7) реактора и заполнена...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002599045
Дата охранного документа: 10.10.2016
13.01.2017
№217.015.7b79

Электрическая машина с мультипликатором

Изобретение относится к электротехнике, а именно к электрическим машинам с волновой передачей. Электрическая машина с мультипликатором содержит корпус 10, статор 3, ротор 4 и волновую передачу в режиме мультипликатора с телами качения 7, причем мультипликатор размещен коаксиально внутри ротора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002600574
Дата охранного документа: 27.10.2016
13.01.2017
№217.015.7c5e

Блок бокового отражателя ядерного реактора на быстрых нейтронах с тяжелым жидкометаллическим теплоносителем

Изобретение относится к ядерным реакторам на быстрых нейтронах с тяжелым жидкометаллическим теплоносителем. Блок бокового отражателя изготовлен из стали марки 16Х12МВСФБР-Ш и снабжен внутренней проточной полостью, выход из которой расположен в верхнем торце блока. Полость занимает от 0.85 до...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002600457
Дата охранного документа: 20.10.2016
13.01.2017
№217.015.7cc9

Способ получения нанокристаллического порошка диоксида циркония

Изобретение относится к технологии неорганических материалов, в частности к способам получения нанокристаллического порошка диоксида циркония, стабилизированного добавками редкоземельных элементов (РЗЭ), и может быть использовано для изготовления катализаторов и сорбентов, технической керамики...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002600636
Дата охранного документа: 27.10.2016
13.01.2017
№217.015.7d6a

Фильтр подавления электромагнитных помех

Изобретение может быть применено для подавления электромагнитных помех в цепях питания постоянного тока электронных устройств ВЧ и СВЧ диапазонов. Технический результат - повышение эффективности подавления электромагнитных помех и электромагнитной экранировки фильтра в дециметровом диапазоне...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002600731
Дата охранного документа: 27.10.2016
13.01.2017
№217.015.7daf

Установка для определения выхода летучих веществ из тяжелого жидкометаллического теплоносителя в газовую среду

Изобретение относится к области ядерной энергетики, к радиационному анализу материалов. Установка для определения выхода летучих веществ из жидкометаллического теплоносителя в газовую среду содержит петлю циркуляции газа, включающую емкость с нагревательными элементами, в нижней части которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002600732
Дата охранного документа: 27.10.2016
13.01.2017
№217.015.7e60

Двухтактный усилитель мощности

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в качестве усилителя синусоидальных колебаний высокой мощности. Технический результат - разделение функций ограничения обратного напряжения и регулирования выходной мощности. В усилителе мощности с трансформаторным входом и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601182
Дата охранного документа: 27.10.2016
13.01.2017
№217.015.8093

Способ получения плазменного источника светового излучения и устройство для его осуществления

Изобретение относится к плазменной технике, в частности к способам и устройствам с излучающей плазмой, и может быть использовано для решения широкого круга технических задач, например при испытаниях приборов и материалов на устойчивость к облучению световым излучением, аналогичным излучению...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002602093
Дата охранного документа: 10.11.2016
13.01.2017
№217.015.8258

Способ структурирования зашумленных оптических сигналов

Изобретение относится к приемникам оптических сигналов и может быть использовано для восстановления кодовой комбинации из зашумленных оптических сигналов. Способ восстановления кодовой комбинации из зашумленных цифровых оптических сигналов, заключающийся в их приеме, преобразовании в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601438
Дата охранного документа: 10.11.2016
13.01.2017
№217.015.82e9

Устройство для инициирования зарядов взрывчатых веществ

Изобретение относится к инициированию зарядов взрывчатых веществ (ВВ). Устройство содержит инициируемое светочувствительное ВВ, источник света с источником питания, при этом светочувствительное ВВ соединено с источником света оптическим жгутом, а в качестве источника света использован лазерный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601845
Дата охранного документа: 10.11.2016
Showing 1-8 of 8 items.
27.01.2013
№216.012.2137

Способ изготовления многоуровневых тонкопленочных микросхем

Изобретение относится к области изготовления микросхем и может быть использовано для изготовления многоуровневых тонкопленочных гибридных интегральных схем и анизотропных магниторезистивных преобразователей. Технический результат - упрощение технологии изготовления микросхем и повышение их...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474004
Дата охранного документа: 27.01.2013
20.12.2014
№216.013.131e

Способ изготовления магниторезистивного датчика

Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии. Способ изготовления магниторезистивного датчика заключается в формировании на изолирующей подложке моста Уинстона путем вакуумного напыления магниторезистивной структуры с последующим формированием магниторезистивных полосок методом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536317
Дата охранного документа: 20.12.2014
25.08.2017
№217.015.c0b2

Способ изготовления магниторезистивного датчика

Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков для определения положения движущихся объектов, магнитометров, электронных компасов для систем навигации и т.д. Технический результат: повышение разрешающей способности за счет...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617454
Дата охранного документа: 25.04.2017
20.01.2018
№218.016.148a

Устройство для нанесения покрытий на подложки в вакууме

Изобретение относится к технологии нанесения нанопленок в вакууме и может быть использовано в производстве изделий микроэлектроники. Устройство содержит вакуумную камеру, магнетрон с кольцевой зоной эрозии мишени и связанные кинематически с реверсивным электроприводом вакуумный ввод с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634833
Дата охранного документа: 03.11.2017
05.07.2018
№218.016.6b97

Способ изготовления магниторезистивного датчика

Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано при изготовлении тахометров, датчиков перемещения, приборов для бесконтактного измерения электрического тока, магнитометров, электронных компасов и т.п. Способ изготовления магниторезистивного датчика включает формирование на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002659877
Дата охранного документа: 04.07.2018
11.03.2019
№219.016.d8c3

Способ получения многослойных магнитных пленок

Изобретение относится к области вакуумного напыления тонких пленок и может быть использовано в системах магнитной записи, датчиках, основанных на магниторезистивном эффекте. Проводят послойное напыление магнитного сплава Fe-Ni и SiO в вакууме при приложении в плоскости осаждения внешнего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002315820
Дата охранного документа: 27.01.2008
17.04.2019
№219.017.1648

Абсолютный датчик угла поворота

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного определения положения вала электродвигателя. Технический результат - повышение радиационной стойкости упрощение схемы обработки сигнала. Сущность изобретения заключается в том, что абсолютный датчик угла...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002436037
Дата охранного документа: 10.12.2011
17.04.2019
№219.017.164c

Способ изготовления магниторезистивного датчика

Изобретение относится к области магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков перемещений, устройств измерения электрического тока и магнитных полей, при изготовлении датчиков угла поворота, устройств с гальванической развязкой, магнитометров, электронных компасов и т.п....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002463688
Дата охранного документа: 10.10.2012
+ добавить свой РИД