×
22.08.2018
218.016.7e56

Результат интеллектуальной деятельности: Держатель образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к устройствам для измерения переменных магнитных величин и может быть использовано при проведении магнитных измерений. Держатель образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов содержит цилиндрическую трубку из органического материала, при этом дополнительно содержит размещенные внутри трубки выполненные из немагнитного материала прямоугольную пластину, два диска и прямую треугольную призму с прямым углом при одной из вершин ее основания, причем пластина противоположными краями жестко крепится к торцам первого и второго дисков, к центру пластины боковой гранью жестко крепится призма, к большой боковой грани которой жестко крепится образец. Технический результат – повышение точности исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к устройствам для измерения переменных магнитных величин и может быть использовано при проведении магнитных измерений в следующих областях: физика магнитных явлений, физика конденсированного состояния вещества.

СКВИД-магнитометр (магнитометр со сверхпроводящим квантовым интерференционным датчиком) представляет собой прибор для измерения магнитных полей и их градиентов. Его действие основано на эффекте Джозефсона [Кларк Дж. Принципы действия и применение СКВИДов. - ТИИЭР, 1989, т. 77, №8, с. 118-137].

Известна конструкция держателя образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS (прототип), серийно выпускаемого фирмой «Quantum Design» (Сан-Диего, США), содержащая цилиндрическую трубку из органического материала, внутрь которой по центру вставляется короткий отрезок такой же трубки, внутрь которого помещен исследуемый образец [Quantum Design. Magnetic Property Measurement System. MPMS MultiVu Application User's Manual. Part Number 1014-110C, p. 3-2]. Снизу в держатель вставляется пробка, а верхней частью держатель крепится к штоку, с помощью которого по вертикальному каналу помещается в источник намагничивающего поля - сверхпроводящий соленоид. При этом силовые линии поля направлены вдоль оси трубки.

Штатный держатель образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS имеет следующие недостатки:

1) невозможно точно сориентировать кристаллографические оси кристалла относительно направления намагничивающего поля при исследовании анизотропии магнитных свойств монокристаллических образцов;

2) отсутствует жесткая фиксация образца в держателе, вследствие чего ориентация образца изменяется под воздействием намагничивающего поля, что приводит к увеличению погрешности магнитных измерений.

Техническим результатом изобретения является возможность выполнения высококачественного исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов за счет точной ориентации кристаллографических осей относительно направления намагничивающего поля, увеличение точности и снижение погрешности магнитных измерений.

Технический результат достигается тем, что в держателе образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS, предназначенном для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов, содержащем цилиндрическую трубку из органического материала, новым является то, что он дополнительно содержит размещенные внутри трубки выполненные из немагнитного материала прямоугольную пластину, два диска и прямую треугольную призму с прямым углом при одной из вершин ее основания, причем пластина противоположными краями жестко крепится к торцам первого и второго дисков, к центру пластины боковой гранью жестко крепится призма, к большой боковой грани которой жестко крепится образец. Прямоугольная пластина и первый и второй диски выполнены как одно целое.

Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что заявляемое устройство отличается наличием новых компонентов - прямоугольной пластины, двух дисков и треугольной призмы, одна из боковых граней которой используется для жесткого крепления образца.

Эти признаки позволяют сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна».

При изучении других известных технических решений в данной области техники признаки, отличающие заявляемое изобретение от прототипа, не выявлены, и поэтому они обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».

Сущность изобретения поясняется с помощью графических материалов. На фиг. 1 в двух проекциях представлена конструкция держателя образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS. Держатель предназначен для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов. На фиг. 2 изображена призма с закрепленным на ней образцом.

Держатель образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS (см. фиг. 1) содержит пластину 1, первый и второй диски 2, 3, трубку 4 и призму 5. Все компоненты держателя выполнены из немагнитного материала. Пластина 1 - прямоугольная, противоположными краями она жестко крепится к торцам дисков 2, 3 перпендикулярно торцам. Призма 5 - треугольная и к тому же прямая, то есть ее боковые ребра АА1, ВВ1, СС1 перпендикулярны основаниям ABC, А1В1С1 (см. фиг. 2). Угол при вершине В основания - прямой, то есть равен 90°. Таким образом, ребра АВ, ВС и ВВ1 взаимно ортогональны. Угол γ при вершине А основания ABC призмы 5 рассчитывается перед изготовлением призмы 5, исходя из параметров кристаллической решетки и ростовой поверхности орторомбического монокристаллического образца 6, который своей гранью прилегает к большой боковой грани АА1С1С призмы 5. Образец 6 ориентируется по отношению к призме 5 так, чтобы кристаллографические оси а, b и с были параллельны ребрам ВС, ВВ1 и АВ призмы 5 соответственно, затем образец 6 жестко фиксируется на боковой грани АА1С1С призмы 5. Призма 5 вместе с закрепленным на ней образцом 6 жестко крепится к центру пластины 1 боковой гранью ВВ1С1С так, чтобы ребро ВС, а значит и ось а, были параллельны длинной стороне пластины 1. Элементы 1, 2, 3, 5, 6 вставлены в цилиндрическую трубку 4. Трубка 4 из органического материала представляет собой стандартную трубку для изготовления держателей, она поставляется в комплекте со СКВИД-магнитометром типа MPMS. Диски 2, 3 предотвращают поперечное перемещение элементов внутри трубки 4. Описанная конструкция позволяет по-разному ориентировать образец относительно направления намагничивающего поля Н, в зависимости от того, в каком положении закреплена призма 5 с образцом 6 на пластине 1.

Как вариант, прямоугольная пластина 1 и диски 2, 3 могут быть выполнены как одно целое, например, путем фрезерования цилиндрической заготовки.

Снизу в трубку 4 вставляется штатная пробка (не показана), верхней частью трубка 4 крепится к штатному штоку (не показан), с помощью которого по вертикальному каналу (не показан) помещается в источник намагничивающего поля - сверхпроводящий соленоид (не показан). После чего проводят магнитные измерения, в данном случае кристаллографическая ось а параллельна намагничивающему полю Н.

Для выполнения магнитных измерений при другой ориентации образца 6 необходимо вынуть держатель из физической установки, отсоединить призму 5 вместе с закрепленным на ней образцом 6 от пластины 1 и затем закрепить призму 5 вместе с образцом 6 на пластине 1 в новом положении. Для магнитных измерений вдоль оси b призму 5 разворачивают на 90° относительно начального положения, при этом ее боковая грань ВВ1С1С по-прежнему прилегает к пластине 1. Для магнитных измерений вдоль оси с к пластине 1 должна прилегать грань АА1В1В, причем ребро АВ ориентируют параллельно длинной стороне пластины 1.

Пример.

Пластина 1 изготовлена из листового органического стекла толщиной 1 мм, ее длина составляет 174 мм, ширина - 4,5 мм, длинные боковые грани скошены под углом 45°. Диски 2, 3 диаметром 4,95 мм и толщиной 3 мм изготовлены также из органического стекла. Пластина 1 приклеена к дискам 2, 3 с помощью дихлорэтана. Трубка 4 представляет собой стандартную трубку для изготовления держателей, она поставляется в комплекте со СКВИД-магнитометром типа MPMS. Внешний диаметр трубки равен 5,3 мм, внутренний диаметр - 5 мм, длина - 198 мм. В качестве образца 6 исследовался орторомбический монокристалл PbMnBO4.

Рентгенографически установлено, что постоянные кристаллической решетки кристалла PbMnBO4 равны а=6.70 b=5.94 с=8.64 Ростовой поверхностью орторомбического кристалла PbMnBO4 является кристаллографическая плоскость (101). Исходя из этих данных, был определен угол у между осью с и одной из граней кристалла, той, которой образец будет прилегать к призме 5: γ=arctg(a/c)=38°. Точно такой же угол γ=38° должен быть у вершины А основания ABC призмы 5, с тем чтобы можно было сориентировать кристалл таким образом, чтобы кристаллографические оси а, b и с были параллельны ребрам ВС, ВВ1 и АВ соответственно.

Предварительно сориентированный с помощью рентгенографии образец 6 - орторомбический монокристалл PbMnBO4 размерами 3×1×0,5 мм3 - жестко крепился клеем БФ-2 к большой боковой грани АА1С1С призмы 5 с углами 90° и 38° у вершин В и А основания ABC. Материал призмы 5 - органическое стекло. Размеры призмы 5: АВ=3,2 мм, ВС=2,5 мм, ВВ1=3 мм. Затем призма 5 приклеивалась к пластине 1 трижды в разных положениях, при которых ребра ВС, ВВ1 и АВ поочередно были параллельны длинной стороне пластины 1. В каждом положении призмы держатель с образцом по каналу магнитометра помещался в источник намагничивающего поля Н, и проводились магнитные измерения. Таким образом, на СКВИД-магнитометре типа MPMS были проведены магнитные измерения орторомбического монокристалла PbMnBO4 в трех взаимно ортогональных ориентациях, соответствующих направлениям кристаллографических осей а, b и с, относительно направления намагничивающего поля Н [Pankrats A.I., Sablina K.A., Velikanov D.A., Bayukov О.А., Vorotynov А.М., Balaev A.D., Molokeev М.S., Kolkov М.I. Magnetic and dielectric properties of PbFeBO4 and PbMnBO4 single crystals // Solid State Phenomena. - 2014. - Vol. 215. - P. 372-377].

Итак, с помощью заявленного держателя образца появляется возможность проводить на СКВИД-магнитометре типа MPMS высококачественные исследования анизотропии магнитных свойств орторомбических монокристаллов за счет точной ориентации кристаллографических осей относительно направления намагничивающего поля, соответственно увеличивается точность и снижается погрешность магнитных измерений.


Держатель образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов
Держатель образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов
Держатель образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 55 items.
13.09.2018
№218.016.873c

Способ синтеза эндоэдральных фуллеренов

Изобретение относится к нанотехнологии. Синтез эндоэдральных фуллеренов проводят в водоохлаждаемой металлической герметичной камере в плазме высокочастотной дуги с использованием переменного тока при атмосферном давлении. В нижней камере 4 установлен один вертикальный графитовый электрод 2 и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666856
Дата охранного документа: 12.09.2018
28.10.2018
№218.016.97a3

Оксидный керамический магнитный материал на основе натрия, ванадия, железа и никеля

Изобретение относится к разработке новых материалов, которые могут быть полезны для химической промышленности, материаловедения, спинтроники. Оксидный керамический магнитный материал содержит кислород, железо и ванадий и дополнительно натрий и никель при следующем соотношении компонентов, ат....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670973
Дата охранного документа: 26.10.2018
19.12.2018
№218.016.a8a0

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку, одна сторона которой полностью металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую сторону нанесены нерегулярные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675206
Дата охранного документа: 17.12.2018
07.02.2019
№219.016.b7e4

Сверхширокополосное поглощающее покрытие

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для уменьшения радиолокационной заметности объектов военной техники, например летательных аппаратов. Сверхширокополосное поглощающее покрытие содержит диэлектрические слои, на поверхности которых нанесена двумерно-периодическая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678937
Дата охранного документа: 04.02.2019
13.03.2019
№219.016.de94

Способ нанесения нанопленочного покрытия на подложку

Изобретение относится к способу нанесения нанопленочного покрытия на подложку и может быть использовано для получения нанопокрытий на поверхностях различных подложек при невысокой температуре. Осуществляют импульсно-плазменное напыление с лазерным поджигом. Используют импульсный режим работы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681587
Дата охранного документа: 11.03.2019
14.03.2019
№219.016.df47

Способ получения нанокристаллов силицида железа α-fesi с изменяемой преимущественной ориентацией

Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681635
Дата охранного документа: 11.03.2019
14.03.2019
№219.016.df5e

Способ получения композиционного материала на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена

Изобретение относится к полимерному материаловедению и может быть использовано в радиоэлектронике для изготовления морозостойких изделий, обладающих высокой диэлектрической проницаемостью и низкими диэлектрическими потерями. Описан способ получения композиционного материала на основе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681634
Дата охранного документа: 11.03.2019
16.03.2019
№219.016.e1a8

Датчик слабых магнитных полей

Изобретение относится к измерительной технике, а именно предназначено для измерения слабых магнитных полей, и может использоваться, в первую очередь, в магнитометрии. Датчик слабых магнитных полей содержит СВЧ-генератор, чувствительный элемент на основе тонкой магнитной пленки, помещенной в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682076
Дата охранного документа: 14.03.2019
21.03.2019
№219.016.eaa9

Устройство для калибровки дихрографов кругового дихроизма

Изобретение относится к оптическим устройствам, имитирующим вещество, обладающее круговым дихроизмом (КД), с возможностью регулирования величины задаваемого эффекта в широком диапазоне значений на выбранной длине волны, сохраняющее ход светового луча строго по оптической оси в процессе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682605
Дата охранного документа: 19.03.2019
17.05.2019
№219.017.52bc

Тонкопленочный градиентометр

Изобретение относится к области измерительной техники, более конкретно – к устройствам для измерения градиентов слабых магнитных полей. Раскрыт тонкопленочный градиентометр, для измерения градиентов слабых магнитных полей, включающий два чувствительных элемента, разнесенных в пространстве и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687557
Дата охранного документа: 15.05.2019
Showing 11-16 of 16 items.
10.05.2018
№218.016.3b75

Спин-стекольный магнитный материал с содержанием иттербия

Изобретение относится к области разработки новых керамических редкоземельных оксидных материалов с магнитным состоянием спинового стекла и может найти применение в химической промышленности и электронной технике, в частности, для разработки моделей новых типов устройств магнитной памяти....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002647544
Дата охранного документа: 16.03.2018
28.10.2018
№218.016.97a3

Оксидный керамический магнитный материал на основе натрия, ванадия, железа и никеля

Изобретение относится к разработке новых материалов, которые могут быть полезны для химической промышленности, материаловедения, спинтроники. Оксидный керамический магнитный материал содержит кислород, железо и ванадий и дополнительно натрий и никель при следующем соотношении компонентов, ат....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670973
Дата охранного документа: 26.10.2018
26.12.2018
№218.016.aafd

Способ получения mn-fe-содержащего спин-стекольного магнитного материала

Изобретение относится к области технологических процессов, связанных с получением нового магнитного материала с магнитным состоянием типа спинового стекла, и может найти применение при разработке моделей новых типов устройств современной электроники. Способ получения Mn-Fe-содержащего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676047
Дата охранного документа: 25.12.2018
25.07.2019
№219.017.b89c

Способ обеспечения проведения физических измерений в проточном термостате при температурах выше комнатной

В способе обеспечения проведения физических измерений в проточном термостате при температурах выше комнатной газообразный теплоноситель нагревают техническим феном, герметично подсоединенным к входу канала термостата, а ток газообразного теплоносителя в канале термостата создают за счет...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002695482
Дата охранного документа: 23.07.2019
12.07.2020
№220.018.31f1

Держатель образца для сквид-магнитометра типа mpms

Изобретение относится к устройствам для измерения переменных магнитных величин. Держатель образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS содержит цилиндрическую трубку из органического материала, внутри которой вертикально помещен немагнитный цилиндр, при этом дополнительно содержит второй цилиндр,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726268
Дата охранного документа: 10.07.2020
21.05.2023
№223.018.685a

Магнитный аффинный сорбент для выделения рекомбинантных белков

Настоящее изобретение относится к магнитному аффинному сорбенту для выделения рекомбинантных белков, характеризующемуся тем, что состоит из крахмал-активированных магнитных наночастиц оксида железа со средним размером 11,5 нм, значением намагниченности насыщения при комнатной температуре 29,8...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002794889
Дата охранного документа: 25.04.2023
+ добавить свой РИД