×
13.07.2018
218.016.70df

Результат интеллектуальной деятельности: Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к способу получения тонких магнитных наногранулированных пленок. Способ включает последовательное осаждение на термостойкую подложку тонкой пленки оксида ферромагнитного металла и слоя металла-восстановителя при комнатной температуре с последующим вакуумным отжигом полученной двухслойной пленки. Слой оксида ферромагнитного металла наносят высокочастотным магнетронным распылением металлической кобальтовой мишени в атмосфере из смеси газов, состоящей из 70% аргона и 30% кислорода при комнатной температуре. На полученный слой в качестве металла-восстановителя осаждают слой алюминия методом низкочастотного магнетронного распыления в атмосфере чистого, не менее 99,99%, аргона, после чего осуществляют вакуумный отжиг полученной двухслойной пленки при температуре 700°С. Технический результат заключается в упрощении технологии получения пленок, отсутствует агломерация магнитных наногранул, обеспечении возможности синтеза пленок с магнитными наногранулами заданного размера от единиц до сотни нанометров с малой дисперсностью магнитных наногранул. 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к технологиям получения тонкопленочных материалов, состоящих из наногранул ферромагнитного металла, внедренных в оксидную матрицу, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в спинтронике, нанотехнологии, а также для создания элементов магнитной памяти и каталитически активных покрытий.

Известны различные способы получения магнитных наногранулированных (нанокомпозитных) тонких пленок, состоящих из магнитных наночастиц распределенных в немагнитной матрице.

Существует метод получения магнитных нанокомпозитных материалов путем осаждения на подложку изолированных кластеров магнитных наночастиц и покрытия кластеров изолирующим слоем [патент US 8273407 В2, МПК B05D 1/12, B05D 1/36, опубл. 25.09.2012].

Основным недостатком данного изобретения является сложность технологии, включающей в себя специальную трудоемкую подготовку подложек, а также использование методик химического и физического парофазного осаждения, приводящие к высокой себестоимости данного метода.

Известен способ получения наногранулированных магнитных пленок [патент US 7060374 В2, МПК H01F 10/00, H01F 10/32, опубл. 13.06.2006] методом одновременного магнетронного распыления металлической (например, Со, Fe, Ni) и оксидной керамической мишени (например, Al2O3, MgO). При этом формируется наногранулированная пленка с размерами магнитных гранул до 10 нм и оксидной прослойкой 0,5-1,5 нм между ними.

К недостаткам изобретения можно отнести малый диапазон размеров получаемых наногранул и низкую термическую стабильность материала, проявляющуюся в агломерации наногранул при нагреве.

Наиболее близким аналогом, принятым за прототип, является способ получения тонких ферромагнитных пленок Co-ZrO2 с помощью термитной реакции между осажденными на термостойкую подложку слоями оксида кобальта и циркония [V.G. Myagkov, V.S. Zhigalov, L.E. Bykova and others. Thermite sinthesis and characterization Co-ZrO2 ferromagnetic nanocomposite thin films. - Journal of Alloys and Compounds, 2016, 665, c.197-203.]. Недостатком этого способа является сложная технология получения пленки оксида ферромагнитного металла и его более низкая реакционная способность, связанная с большим размером зерна, образующимся при термическом окислении.

Задачей, на решение которой направлено изобретение, является разработка способа получения тонких магнитных наногранулированных пленок с заданным размером магнитных наногранул, равномерно распределенных в оксидной матрице.

Техническим результатом данного изобретения является способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок, в котором упрощается технология получения пленок, отсутствует агломерация магнитных наногранул, существует возможность синтеза пленок с магнитными наногранулами заданного размера от единиц до сотни нанометров с малой дисперсностью магнитных наногранул.

Технический результат достигается тем, что в способе получения тонких магнитных наногранулированных пленок, включающем последовательное осаждение на термостойкую подложку тонкой пленки оксида ферромагнитного металла и слоя металла-восстановителя при комнатной температуре и последующий вакуумный отжиг полученной двухслойной пленки, новым является то, что слой оксида ферромагнитного металла наносят высокочастотным магнетронным распылением металлической кобальтовой мишени в атмосфере смеси газов, состоящей из 70% аргона и 30% кислорода, при комнатной температуре, на полученный слой в качестве металла-восстановителя осаждают слой алюминия низкочастотным магнетронным распылением в атмосфере чистого, не менее 99,99%, аргона, после чего вакуумный отжиг полученной двухслойной пленки выполняют при температуре 700°С.

Сопоставительный анализ с прототипом позволяет сделать вывод о том, что заявляемое изобретение отличается от известного тем, что слой оксида ферромагнитного металла наносят при комнатной температуре методом высокочастотного магнетронного распыления металлической кобальтовой мишени в атмосфере смеси газов, состоящей из 70% аргона и 30% кислорода, и полученный двухслойный образец подвергается вакуумному отжигу при температуре 700°С.

Признаки, отличающие заявляемое решение от прототипа, обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию «новизна».

Признаки, отличающие заявляемое решение от прототипа, не выявлены при изучении других известных технических решений в данной области техники и, следовательно, обеспечивают ему соответствие критерию «изобретательский уровень».

Изобретение поясняется фигурами. На фиг. 1 представлена микрофотография и гистограмма распределения размеров наногранул кобальта для пленки Со-Al2O3 с толщиной исходного слоя Co3O4 15 нм. На фиг. 2 - микрофотография и гистограмма распределения размеров наногранул кобальта для пленки Со-Al2O3 с толщиной исходного слоя Co3O4 80 нм.

Сущность изобретения заключается в проведении металлотермической реакции в тонких двухслойных пленках, состоящих из слоя оксида ферромагнитного металла (Fe2O3, Co3O4, NiO) и слоя металла-восстановителя (Al, Zr, In, Mg, Ti и др.), химически значительно более активного, чем восстанавливаемый металл, при повышенных температурах. Слой оксида ферромагнитного металла получают путем реактивного высокочастотного магнетронного распыления металлической мишени в смеси газов аргон (70%) + кислород (30%) при комнатной температуре. Слой металла-восстановителя также осаждают методом магнетронного распыления, но в атмосфере чистого, не менее 99,99%, аргона при комнатной (или ниже) температуре для предотвращения преждевременного инициирования реакции между слоями. Соотношения толщин реагентов определяется стехиометрией химической реакции. Синтез наногранулированных пленок осуществляется методом вакуумного отжига полученной двухслойной пленки при остаточном давлении в камере не ниже 10-6 Торр и температуре, при которой восстанавливается максимально возможное количество ферромагнитного металла в виде наногранул. Для каждого типа магнитных наногранулированных пленок температура отжига ТОТЖ индивидуальна и подбирается экспериментально в процессе исследования реакции (например, для пленок Fe-In2O3 ТОТЖ=250°С, Fe-ZrO2 ТОТЖ=500°С, Со-Al2O3 ТОТЖ=700°С). Время отжига составляет 60 минут. При этом размер магнитных наногранул, формирующихся при вакуумном отжиге, напрямую зависит от толщины исходного слоя оксида ферромагнитного металла. Варьируя толщину можно синтезировать наногранулированные пленки с размером магнитных гранул от единиц до сотни нанометров.

Пример осуществления

Получение наногранулированных тонких магнитных пленок Со-Al2O3

Тонкие пленки Со-Al2O3 изготавливались в следующей технологической последовательности:

1) получение тонкой пленки оксида кобальта Co3O4: тонкая пленка Co3O4 получается путем высокочастотного магнетронного распыления металлической кобальтовой мишени в смеси газов аргон (70%) + кислород (30%) при комнатной температуре, давлении газов в камере порядка 3×10-3 Торр, мощности 100 Вт и скорости напыления порядка 1,3-1,4 нм/мин. В качестве подложки может использоваться любой термостойкий материал, не вступающий в реакцию с материалами пленки (поликристаллический оксид алюминия, кварц, термостойкие стекла, MgO);

2) осаждение слоя алюминия поверх пленки Co3O4 путем низкочастотного магнетронного распыления в атмосфере чистого (99,99%) аргона при комнатной температуре, давлении аргона в камере порядка 3×10-3 Торр, токе 0,1 А и скорости напыления порядка 7 нм/мин;

3) вакуумный отжиг полученной двухслойной пленки Co3O4/Al при температуре 700°С в течение 60 минут при остаточном давлении в камере порядка 10-6 Торр, необходимый для проведения термитной реакции: 3Co3O4+8Al → 9Со+4Al2O3.

Полученные тонкие магнитные пленки, содержащие наногранулы кобальта, внедренные в матрицу из оксида алюминия изучались на просвечивающем электронном микроскопе НТ-7700 Hitachi при ускоряющем напряжении 100 кэВ. На фиг. 1 видно, что полученный материал содержит наногранулы кобальта, средний размер которых 20 нм, на фиг. 2 - средний размер наногранул 150 нм. Частицы равномерно распределены в оксидной матрице.

Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок, включающий последовательное осаждение на термостойкую подложку тонкой пленки оксида ферромагнитного металла и слоя металла-восстановителя при комнатной температуре и последующий вакуумный отжиг полученной двухслойной пленки, отличающийся тем, что слой оксида ферромагнитного металла наносят высокочастотным магнетронным распылением металлической кобальтовой мишени в атмосфере смеси газов, состоящей из 70% аргона и 30% кислорода, при комнатной температуре, на полученный слой в качестве металла-восстановителя осаждают слой алюминия низкочастотным магнетронным распылением в атмосфере чистого, не менее 99,99%, аргона, после чего вакуумный отжиг полученной двухслойной пленки выполняют при температуре 700°С.
Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-20 of 60 items.
13.02.2018
№218.016.2166

Способ сульфатирования органосольвентного лигнина

Изобретение относится к области химической технологии и предназначено для получения водорастворимых аммониевых или солей щелочных металлов сернокислых эфиров лигнинов, которые могут быть использованы как добавки в химических составах для регулирования свойств промывочных жидкостей при бурении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641758
Дата охранного документа: 22.01.2018
04.04.2018
№218.016.32c6

Резинополимерный материал для внутренней футеровки гидроциклонов

Изобретение относится к изготовлению футеровок внутренней части гидроциклонов - песковых насадок, работающих в водной среде и среде слабых растворов кислот и щелочей для обеспечения защиты от абразивного износа. Композиционный материал включает комбинацию стереорегулярного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002645503
Дата охранного документа: 21.02.2018
04.04.2018
№218.016.366f

Способ получения оксиборатов cumn gabo

Изобретение относится к технологии получения новых магнитных материалов - оксиборатов CuMnGaBO (0≤x<1), включающих ионы переходных металлов, которые могут найти применение в химической промышленности, развитии магнитных информационных технологий, создании магнитных датчиков. Способ получения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646429
Дата охранного документа: 05.03.2018
10.05.2018
№218.016.42c1

Способ получения субмикронных порошков феррита кобальта (ii)

Изобретение может быть использовано в электронике, в производстве телекоммуникационного оборудования и электродвигателей. Способ получения субмикронных порошков феррита кобальта(II) включает приготовление исходных реакционных водных растворов, содержащих соли кобальта и железа. В качестве солей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002649443
Дата охранного документа: 03.04.2018
09.06.2018
№218.016.5b07

Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами mngeo в матрице geo

Изобретение относится к способу получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами MnGeO в матрице GeO при низких температурах. Получаемая MnGeO фаза может быть использована в качестве элементов спинтроники. Способ включает подготовку подложки, нанесение на нее слоя германийсодержащего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002655507
Дата охранного документа: 28.05.2018
16.06.2018
№218.016.62db

Способ комплексной переработки коры лиственницы

Изобретение относится к химической переработке древесных отходов, в частности, к комплексной переработке коры лиственницы с получением ценных химических продуктов. Способ комплексной переработки коры лиственницы сибирской, включающий измельчение коры, экстракцию неполярным растворителем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002657427
Дата охранного документа: 13.06.2018
28.06.2018
№218.016.684a

Способ получения сукцината аллобетулина

Изобретение относится к способу получения сукцината аллобетулина формулы: ацилированием аллобетулина с очисткой целевого продукта растворением в хлороформе и пропусканием через колонку с оксидом алюминия, в качестве ацилирующего агента используют янтарную кислоту, при этом ацилирование...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658838
Дата охранного документа: 25.06.2018
08.07.2018
№218.016.6d94

Способ получения медьсодержащих производных сульфата арабиногалактана

Изобретение относится к фармацевтической промышленности, а именно к способу получения медьсодержащих производных сульфата арабиногалактана. Способ получения медьсодержащих производных сульфата арабиногалактана, заключающийся в том, что к водному раствору, содержащему сульфат арабиногалактана,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002660560
Дата охранного документа: 06.07.2018
01.09.2018
№218.016.81ef

Способ сульфатирования органосольвентного лигнина

Изобретение относится к области химической технологии и предназначено для получения водорастворимых аммониевых или натриевых солей сернокислых эфиров лигнинов, которые могут быть использованы в качестве химических добавок для регулирования свойств промывочных жидкостей при бурении нефтяных и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002665576
Дата охранного документа: 31.08.2018
01.09.2018
№218.016.822d

Способ получения дициннамата бетулина

Изобретение относится к способу получения дициннамата бетулина ацилированием бетулина, в котором в качестве ацилирующего агента используют коричную кислоту, при этом ацилирование проводят сплавлением бетулина с коричной кислотой при температуре 220-230°С в течение 5-7 минут при мольном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002665578
Дата охранного документа: 31.08.2018
Showing 1-7 of 7 items.
10.10.2014
№216.012.fbf9

Способ создания контекста для сжатия измерительных данных и способ проведения измерений

Изобретение относится к телеметрии и сжатию данных при трансляции данных измерений в системах контроля и мониторинга, при проведении измерений в труднодоступных местах, а также при хранении измерительных данных, например, в черных ящиках самолетов и судов. Техническим результатом является...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002530351
Дата охранного документа: 10.10.2014
20.12.2014
№216.013.1081

Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочного образца

Изобретение относится к области теплометрии и может быть использовано для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочных образцов, например образцов теплозащитных экранов, используемых в космической промышленности. Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535648
Дата охранного документа: 20.12.2014
13.02.2018
№218.016.2082

Способ получения суспензии на полимерной основе с высокодисперсными металлическими частицами для изготовления полимерных матриц, наполненных упомянутыми частицами

Изобретение относится к способам введения частиц в вещество и может быть использовано для получения суспензий частиц, содержащих наполнители контролируемого размера, в том числе для введения частиц контролируемого размера от наночастиц до атомарных в матрицу термопластических и сетчатых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641591
Дата охранного документа: 18.01.2018
09.06.2018
№218.016.5b07

Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами mngeo в матрице geo

Изобретение относится к способу получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами MnGeO в матрице GeO при низких температурах. Получаемая MnGeO фаза может быть использована в качестве элементов спинтроники. Способ включает подготовку подложки, нанесение на нее слоя германийсодержащего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002655507
Дата охранного документа: 28.05.2018
13.07.2018
№218.016.70ee

Способ создания прозрачных проводящих композитных нанопокрытий (варианты)

Изобретение относится к способу создания прозрачных проводящих композитных нанопокрытий (варианты). По первому варианту предварительно осуществляют химическое осаждение на нагретую подложку тонкой пленки углеродных нанотрубок. Осуществляют реактивное магнетронное распыление металлической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002661166
Дата охранного документа: 12.07.2018
13.03.2019
№219.016.de94

Способ нанесения нанопленочного покрытия на подложку

Изобретение относится к способу нанесения нанопленочного покрытия на подложку и может быть использовано для получения нанопокрытий на поверхностях различных подложек при невысокой температуре. Осуществляют импульсно-плазменное напыление с лазерным поджигом. Используют импульсный режим работы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681587
Дата охранного документа: 11.03.2019
24.01.2020
№220.017.f951

Способ получения композиционного высокоанизотропного материала copt-alo с вращательной анизотропией

Изобретение относится к области технологических процессов, связанных с получением высокоанизотропных композиционных материалов с помощью твердотельных реакций по методу алюмотермии и формированию в них магнитной вращательной анизотропии. Получаемый материал может быть использован в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711700
Дата охранного документа: 21.01.2020
+ добавить свой РИД