×
06.07.2018
218.016.6ccf

Результат интеллектуальной деятельности: Способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002660121
Дата охранного документа
05.07.2018
Аннотация: Изобретение относится к способам, предназначенным для позиционирования, размещения и монтажа частей интегральной схемы в корпусе, а именно прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС) с установкой кристалла на кристалл, и может быть использовано в ракетно-космическом и наземном приборостроении. Технический результат – повышение точности и качества монтажа многокристальных сборок. Это достигается тем, что в способе прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем с установкой кристалла на кристалл последовательно позиционируют полупроводниковые кристаллы ручным методом с помощью графических цифровых линеек. Обеспечивается повышение точности и качества монтажа многокристальных сборок. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к способам, предназначенным для позиционирования, размещения и монтажа частей интегральной схемы в корпусе, а именно прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС) с установкой кристалла на кристалл, и может быть использовано в ракетно-космическом приборостроении.

Из уровня техники известен способ изготовления вертикальных контактных структур на полупроводниковых пластинах или печатных платах (см. RU 2600514 C1, 20.10.2016) (1), который может быть использован при высокоплотном монтаже полупроводниковых кристаллов на различные платы с большим количеством контактных межсоединений, а также при 3D-монтаже кристалла на кристалл. Изобретение обеспечивает монтаж кристаллов за счет изготовления вертикальных контактных структур. Таким образом, при изготовлении многокристальных сборок интегральных схем (ИС) с установкой кристалла на кристалл трудоемкость монтажа кристаллов уменьшатся, но увеличивается сложность изготовления корпуса интегральной схемы (ИС), что является недостатком способа (1).

Из уровня техники также известен, выбранный в качестве наиболее близкого аналога, способ монтажа полупроводниковых кристаллов, и устройство для его осуществления (см. WO 2009096454, 06.08.2000) (2), в котором выравнивание и монтаж полупроводникового чипа производится по специальным меткам на корпусе, при сохранении соотношения между отдельными кристаллами, остальные кристаллы притягивают вакуумным инструментом и позиционируют на корпусе, второй уровень кристаллов позиционируется по первому также при сохранении расстояния между кристаллами.

Недостатком выбранного в качестве наиболее близкого аналога способа (2) является то, при упрощении монтажа кристаллов за счет предварительно нанесенных меток усложняется предварительная подготовка корпуса, одновременно снижается универсальность использования корпуса для дальнейшего применения, а также снижается качество и точность позиционирования кристаллов, поскольку они зависят от точности предварительной разметки.

Техническим результатом заявленного изобретения является повышение точности и качества монтажа многокристальных сборок.

Технический результат достигается за счет создания способа прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС) с установкой кристалла на кристалл, который включает градуировку графических цифровых линеек устройства для установки кристаллов в корпус при помощи линейки с точностью шкалы до 10 мкм, установку ширины первой пары графических цифровых линеек, равной необходимому расстоянию между колодцем корпуса ИС и кристаллом, установку ширины второй пары последующих пар графических цифровых линеек, количество которых соответствует количеству уровней кристаллов многокристальной сборки, равной необходимому смещению последующего уровня кристаллов относительно предыдущего по осям Х и У соответственно, установку корпуса с нанесенным адгезивом с совмещением его сторон с наружными частями графической цифровой линейки при помощи блока из двух видеокамер, позволяющего просматривать монтируемую интегральную схему с двух сторон, далее осуществляют подъем кристалла с помощью пластикового или резинового инструмента за лицевую часть кристалла в ручном режиме, выравнивают кристалл с помощью блока камер по внутренней стороне графических цифровых линеек, выполняют монтаж кристалла на адгезив, аналогично выполняют монтаж оставшихся кристаллов первого уровня, производят полимеризацию адгезива, наносят адгезив на лицевую часть уже установленных кристаллов первого уровня, в ручном режиме производят подъем следующего кристалла для второго уровня, выполняя все действия так же, как для кристалла первого уровня, при этом кристалл выравнивают с помощью графических линеек относительно сторон кристалла первого уровня, установленного ранее, выполняют монтаж кристалла, аналогично устанавливают оставшиеся кристаллы второго уровня и последующих уровней, проводя после монтажа каждого уровня полимеризацию адгезива.

В частном варианте выполнения подъем кристалла за лицевую часть осуществляют из происпособления, в котором все кристаллы, необходимые для сборки, размещены в одной плоскости, которое устанавливается на устройство для установки кристаллов перед монтажом.

Заявленный способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС) проиллюстрирован следующими изображениями.

Фиг.1 - блок-схема способа прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС).

Фиг.2 - схема позиционирования полупроводниковых кристаллов и корпуса.

Фиг.3 - общий вид многокристальной сборки интегральной схемы.

На фиг.1-3:

1 - контактные площадки корпуса,

2 - графические цифровые линейки,

3 - обратная сторона кристалла (один из четырех углов).

Способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем (ИС) с установкой кристалла на кристалл осуществляется следующим образом: производят предварительный запуск устройства для установки кристаллов в корпус и компьютера, подключают блок из двух видеокамер, позволяющий просматривать монтируемую интегральную схему с двух сторон, создают две графические цифровые линейки по осям Х и У. При помощи ГОСТированной линейки с градацией шкалы до 10 мкм и камеры установки устанавливают ширину первой пары графических цифровых линеек, равную необходимому расстоянию от края колодца корпуса до кристалла и ширину второй пары и последующих пар графических цифровых линеек, количество которых соответствует количеству уровней кристаллов многокристальной сборки, равной расстоянию сдвига одного уровня кристаллов относительно другого (по осям Х и У соответственно).

Далее устанавливают на устройство металлокерамический корпус с нанесенным адгезивом и кристаллы в приспособлении, в котором все кристаллы, необходимые для сборки, размещены в одной плоскости. Выравнивают корпус на рабочем столике установки с помощью наружного края первой пары графических цифровых линеек и блока видеокамер, осуществляют подъем кристаллов с помощью пластикового или резинового инструмента за лицевую часть кристалла, в ручном режиме производят подъем первого кристалла, подводят блок камеры под кристалл. На экране будет виден угол кристалла с обратной стороны. С помощью двух камер установки необходимо совместить углы колодца корпуса с углами кристалла, используя соответственно первую пару графических цифровых линеек для отступа кристалла от стороны колодца корпуса. Опираясь на первую пару графических цифровых линеек, выравнивают стороны кристалла относительно сторон колодца корпуса, выполняют монтаж кристалла на адгезив, аналогично выполняют монтаж нижних оставшихся кристаллов (если их более 1-го), производят полимеризацию адгезива, наносят адгезив на лицевую часть уже установленных кристаллов первого уровня.

Для монтажа кристаллов второго уровня в ручном режиме производят подъем следующего кристалла, выполняют все действия аналогично описанным ранее, только на данном этапе кристалл выравнивают с помощью второй пары графических цифровых линеек 5 относительно сторон кристалла первого уровня, установленного ранее. Выполняют монтаж кристалла, аналогично устанавливают оставшиеся кристаллы второго уровня и последующих уровней. Проводят после монтажа каждого уровня полимеризацию адгезива, выключают установку.

Для проведения экспериментальных исследований использовался металлокерамический корпус (все открытые металлизированные поверхности и металлические части основания корпуса имеют антикоррозионное золотое покрытие) и 16 крупных полупроводниковых кристаллов (кремний, арсенид галлия), кристаллы устанавливались в четыре уровня, соответственно по четыре кристалла на каждый уровень. Для установки кристаллов использовались две пары графических цифровых линеек, так как расстояние между колодцем корпуса и первым уровнем кристаллов (1500 мкм), а также между кристаллами разного уровня (350 мкм) было различно. Таким образом, величины пар графических цифровых линеек устанавливались равными 1500 и 350 мкм. Операции способа осуществлялись в соответствии с блок-схемой (фиг.1).

При монтаже способом кристалл на кристалл необходимо устанавливать кристаллы с прецизионным смещением по 2-м сторонам, соблюдая параллельность всех сторон, в обратном случае на последующей операции микросварки возникнут сложности, в худшем случае – электрод сварочной установки вообще не сможет произвести микросварку.

Данное изобретение позволяет производить высокоточный монтаж кристаллов в крупные металлокерамические корпуса, а также позволяет вести монтаж кристаллов на уже установленный кристалл (более 2-х кристаллов).

В результате была собрана интегральная специализированная микросхема, на которой в дальнейшем было выполнено 1600 микросоединений алюминиевой проволокой.

Таким образом, заявленное изобретение является универсальным решением и позволяет с высокой точностью производить монтаж кристаллов разных размеров как друг на друга, так и точно позиционировать отдельные кристаллы относительно колодца корпуса в ручном режиме.

Результаты монтажа данным способом подтвердили качество и точность посадки кристаллов, тем самым положительно оценив эффективность и целесообразность применения заявленного изобретения для создания радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники, а также в тех областях техники, где предъявляются высокие требования к качеству сборки, не ограничиваясь данной областью применения.


Способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем
Способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем
Способ прецизионного монтажа многокристальных сборок интегральных схем
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 91-99 of 99 items.
13.02.2020
№220.018.0235

Свч коммутационная плата из высокоомного кремния на металлическом основании

Заявленное изобретение относится к конструкции СВЧ коммутационной платы из высокоомного кремния на металлическом основании. Техническим результатом заявленного изобретения является уменьшение омических потерь при распространении энергии СВЧ, обеспечение возможности варьировать в более широких...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002713917
Дата охранного документа: 11.02.2020
15.02.2020
№220.018.02ee

Способ маршрутизации в сетях подвижной персональной спутниковой связи на низкоорбитальных спутниках-ретрансляторах с зональной регистрацией абонентов и маршрутизатор низкоорбитального спутника ретранслятора с интегрированными службами для осуществления указанного способа

Изобретение относится к области беспроводной связи. Технический результат заключается в повышении эффективности работы алгоритмов маршрутизации в сетях подвижной персональной спутниковой связи (СППСС) на низкоорбитальных спутниках ретрансляторах (НСР) за счет снижения вычислительной нагрузки на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002714220
Дата охранного документа: 13.02.2020
27.02.2020
№220.018.0684

Космическая система траекторных измерений

Изобретение относится к средствам определения орбит космических аппаратов (КА). Система траекторных измерений включает один или более КА на солнечно-синхронной орбите, средства контроля бортовой аппаратуры дальномерно-доплеровской системы (ДДС) КА, связанные с одним или более...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002715069
Дата охранного документа: 25.02.2020
05.04.2020
№220.018.135a

Интеллектуальная космическая система для мониторинга участков недропользования открытого типа

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для мониторинга участков недропользования открытого типа. Техническим результатом является повышение быстродействия обработки данных и снижение количества вычислительных ресурсов. Система содержит совокупность компьютерных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002718419
Дата охранного документа: 02.04.2020
06.07.2020
№220.018.300c

Перестраиваемый диодный лазер с внешним резонатором

Изобретение относится к лазерной технике. Перестраиваемый диодный лазер с внешним резонатором содержит последовательно установленные на единой оптической оси лазерный диод, коллимирующий объектив, интерференционный фильтр, фокусирующий объектив, отражающее зеркало, установленное на единой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725639
Дата охранного документа: 03.07.2020
21.05.2023
№223.018.6898

Способ формирования объемных элементов в кремнии для устройств микросистемной техники и производственная линия для осуществления способа

Способ формирования объемного элемента для устройств микросистемной техники предусматривает формирование маски для анизотропного травления с лицевой стороны и с обратной стороны из двух слоев; обработку кремния в водном растворе, содержащем окислительный компонент для кремния и травящий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002794560
Дата охранного документа: 21.04.2023
17.06.2023
№223.018.7e01

Микромодуль космического назначения

Изобретение относится к микроэлектронным приборам космического назначения и может быть использовано в составе бортовой и наземной аппаратуры космических аппаратов с высокоплотным монтажом. Предложен микромодуль, включающий в свой состав корпус с крышкой, основание, N чередующихся коммутационных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002778034
Дата охранного документа: 12.08.2022
17.06.2023
№223.018.7f2d

Способ изготовления микромодуля

Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов, состоящих из нескольких полупроводниковых компонентов на твердом теле, и может быть использовано при производстве аппаратуры с высокоплотным монтажом. Cпособ изготовления микромодуля включает формирование на коммутационной плате...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002773807
Дата охранного документа: 09.06.2022
17.06.2023
№223.018.8039

Многоцелевая модульная платформа для создания космических аппаратов нанокласса

Изобретение относится к области космической техники, а более конкретно к космическим аппаратам с общей массой до 10 кг. Многоцелевая модульная платформа космического аппарата нанокласса выполнена в форме шестиугольной призмы и состоит из набора унифицированных масштабируемых модулей. Модули...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002762452
Дата охранного документа: 21.12.2021
Showing 1-3 of 3 items.
27.11.2014
№216.013.0a39

Способ исправления дефектов узлов многослойных печатных плат с высокоинтегрированной элементной базой

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники, в частности к способу исправления дефектов и проведения ремонта узлов многослойных печатных плат (МПП), и может быть использовано при доработке разводки проводников МПП (разрыв и прокладка новых цепей). Технический результат - повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534025
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.12.2014
№216.013.15b4

Способ очистки, активации и осветления серебряных покрытий в газоразрядной плазме

Заявленное изобретение относится к области радиоэлектронной техники и микроэлектроники, а также может использоваться в других областях техники для очистки, активации и осветления различных изделий с серебряным покрытием. Способ очистки, активации и осветления серебряных покрытий в газоразрядной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536980
Дата охранного документа: 27.12.2014
10.02.2015
№216.013.26ff

Способ плазмохимической обработки подложек из поликора и ситалла

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и микроэлектроники и может быть использовано для плазмохимической обработки подложек из поликора и ситалла. В способе плазмохимической обработки подложек из поликора и ситалла производят предварительную протирку изделий спиртом со всех...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541436
Дата охранного документа: 10.02.2015
+ добавить свой РИД