17.02.2018
218.016.29d3

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЕВ АЛМАЗА

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть

Правообладатели

№ охранного документа
0000987912
Дата охранного документа
10.03.2013
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: 1. Способ выращивания слоев алмаза на поверхности затравочного кристалла разложением паров углеродсодержащих соединений в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса и получения монокристаллических слоев, пары углеродсодержащего соединения получают непосредственно в процессе выращивания нагреванием твердого материала, например, графита, расположенного рядом с затравочным кристаллом. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при нагревании твердого материала до температуры 1500-2500°С, температуре затравочного кристалла 500-1500°С и температурном градиенте между ними 10-10 град/см.
Источник поступления информации: Роспатент

Похожие РИД в системе