×
20.01.2018
218.016.11bd

Результат интеллектуальной деятельности: ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ТПТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002634088
Дата охранного документа
23.10.2017
Аннотация: Настоящее изобретение предлагает переключающий тонкопленочный транзистор (ТПТ), который включает затвор, сток, исток, полупроводниковый слой и четвертый электрод, причем сток соединяется с первым сигналом, затвор соединяется с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, исток выводит первый сигнал, когда ТПТ включается, четвертый электрод и затвор соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя, и четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с напряжениями разного уровня, причем первый сигнал является контрольным сигналом, и исток соединен с проверяемой линией сканирования или линией данных. Изобретение обеспечивает уменьшение тока утечки в канале переключающего ТПТ, чтобы улучшить переключающую характеристику при отключении ТПТ. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

ПРЕДПОСЫЛКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Область техники

Настоящее изобретение относится к технологии изготовления жидкокристаллических дисплеев (ЖК-дисплеев) и, более конкретно, к переключающему тонкопленочному транзистору (ТПТ) и к способу его изготовления.

2. Описание уровня техники

В области детектирования панели ЖК-дисплея существуют две общепринятые конструкции схем детектирования. Одна - это схема детектирования, непосредственно соединенная с линиями сканирования или линиями данных в области отображения панели, и после детектирования необходимо разрезать соединение между контрольной схемой и схемой в области отображения, используя лазер. Другая - это контрольная схема, соединенная с линией сигнала в области отображения посредством переключающего ТПТ. Сигнал подается в область отображения через переключающий ТПТ, когда на затвор переключающего ТПТ подается высокое напряжение, чтобы включить его. Напротив, поскольку переключающий ТПТ отключается, чтобы разорвать соединение между контрольной линией и линией сканирования или линией данных в ответ на низкое напряжение, подаваемое на затвор переключающего ТПТ, когда панель работает в нормальном режиме, процесс лазерной резки не применяется.

Известно, что переключающий ТПТ для схемы детектирования имеет три электрода, а именно затвор, сток и исток. Затвор ТПТ находится в режиме отрицательного смещения в долгосрочном плане, когда панель работает в нормальном режиме, и, поэтому, электрическая характеристика полупроводникового слоя ТПТ изменяется, чтобы увеличить ток утечки. На Фиг. 1 показана принципиальная схема известного переключающего ТПТ. Как показано на Фиг. 1, закорачивающая перемычка соединяет стоки 11 и 14 двух ТПТ. Истоки 12 и 15 двух ТПТ соответственно соединены с разными линиями сканирования (GL) или линиями данных (DL). Когда на два затвора 13 и 16 ТПТ подается низкое напряжение, эти два ТПТ отключаются. Если ток утечки протекает через эти два ТПТ и закорачивающую перемычку, возникает короткое замыкание между упомянутыми разными линиями сканирования или линиями данных, т.е. короткое замыкание между разными сигналами, которое ухудшает качество отображения.

РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Настоящее изобретение предлагает переключающий ТПТ и способ его изготовления для уменьшения тока утечки в канале переключающего ТПТ, чтобы улучшить переключающую характеристику при отключении ТПТ.

Согласно настоящему изобретению, переключающий тонкопленочный транзистор (ТПТ) имеет затвор, сток, исток, полупроводниковый слой и четвертый электрод. Сток соединен с первым сигналом. Затвор соединен с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ. Исток выводит первый сигнал, когда ТПТ включается. Четвертый электрод и затвор соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя. Четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с напряжениями разного уровня.

В одном аспекте настоящего изобретения затвор и четвертый электрод соединяются с напряжением высокого уровня, когда ТПТ включается.

В еще одном аспекте настоящего изобретения уровень напряжения четвертого электрода идентичен уровню напряжения затвора.

В еще одном аспекте настоящего изобретения уровень напряжения четвертого электрода отличается от уровня напряжения затвора.

В еще одном аспекте настоящего изобретения переключающий ТПТ, кроме того, включает пассивирующий слой и подзатворный слой между затвором и полупроводниковым слоем. Сток и исток расположены между полупроводниковым слоем и пассивирующим слоем. Четвертый электрод расположен на пассивирующем слое. Когда переключающий ТПТ отключается, затвор соединяется с напряжением низкого уровня. Четвертый электрод соединяется с напряжением высокого уровня, чтобы отвести накопившиеся электроны со стороны затвора в полупроводниковом слое, и после этого соединяется с напряжением низкого уровня.

В еще одном аспекте настоящего изобретения уровень напряжения четвертого электрода идентичен уровню напряжения затвора, когда четвертый электрод соединен с напряжением низкого уровня.

В еще одном аспекте настоящего изобретения уровень напряжения четвертого электрода отличается от уровня напряжения затвора, когда четвертый электрод соединен с напряжением низкого уровня.

В еще одном аспекте настоящего изобретения переключающий ТПТ, кроме того, включает пассивирующий слой и подзатворный слой на затворе. Сток и исток расположены между подзатворным слоем и полупроводниковым слоем. Четвертый электрод расположен на полупроводниковом слое. Пассивирующий слой окружает четвертый электрод. Когда переключающий ТПТ отключается, затвор соединяется с напряжением низкого уровня, и четвертый электрод заземляется, чтобы отвести накопившиеся электроны со стороны затвора в полупроводниковом слое.

В еще одном аспекте настоящего изобретения первый сигнал является контрольным сигналом, и исток соединен с проверяемой линией сканирования или линией данных.

Согласно настоящему изобретению, способ изготовления переключающего ТПТ включает: формирование затвора, соединяющегося с управляющим сигналом, чтобы управлять включением и отключением переключающего ТПТ, и под-затворного слоя на подложке по очереди; формирование полупроводникового слоя на подзатворном слое; формирование стока, соединяющегося с первым сигналом, и истока на полупроводниковом слое, соответственно, и закрывание полупроводникового слоя пассивирующим слоем; и формирование четвертого электрода на пассивирующем слое, и четвертый электрод выборочно соединяется с напряжениями разного уровня.

Согласно настоящему изобретению, способ изготовления переключающего ТПТ включает: формирование затвора, соединяющегося с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, и подзатворного слоя на подложке по очереди; формирование стока, соединяющегося с первым сигналом, и истока на подзатворном слое соответственно; формирование полупроводникового слоя на стоке и истоке в контакте с подзатворным слоем; формирование четвертого электрода на полупроводниковом слое и закрывание окружения четвертого электрода пассивирующим слоем, и четвертый электрод выборочно соединяется с напряжениями разного уровня.

Преимущество настоящего изобретения заключается в том, что в дополнение к затвору, стоку и истоку, обычным для известного переключающего ТПТ, в переключающий ТПТ добавлен четвертый электрод. Сток соединен с первым сигналом и затвор соединен с управляющим сигналом, чтобы управлять включением или отключением переключающего ТПТ. Первый сигнал выводится с истока, когда ТПТ включается. Четвертый электрод и затвор соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя. Четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с разными уровнями напряжения, этим уменьшая ток утечки в канале, чтобы улучшить переключающую характеристику при отключении ТПТ.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

На Фиг. 1 показана принципиальная схема известного переключающего ТПТ.

На Фиг. 2 показан переключающий ТПТ согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения.

На Фиг. 3 представлен вид в поперечном разрезе переключающего ТПТ согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения.

На Фиг. 4 представлен вид в поперечном разрезе переключающего ТПТ согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения.

На Фиг. 5 приведена блок-схема способа изготовления переключающего ТПТ, показанного на Фиг. 3.

На Фиг. 6 приведена блок-схема способа изготовления переключающего ТПТ, показанного на Фиг. 4.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫХ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Обратимся к Фиг. 2. На Фиг. 2 показан переключающий ТПТ согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения. Как видно на Фиг. 2, переключающий ТПТ 20 включает затвор G, сток D, исток S, полупроводниковый слой 23 между затвором G, стоком D и истоком S и четвертый электрод В. Сток D соединен с первым сигналом, затвор G соединен с управляющим сигналом, чтобы управлять включением или отключением переключающего ТПТ 20. Первый сигнал выводится с истока S, когда переключающий ТПТ 20 включается. Четвертый электрод В и затвор G соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя 23. Четвертый электрод В выборочно соединяется с напряжениями разного уровня. Затвор G, сток D, исток S и четвертый электрод В изготовлены из проводящего материала.

В настоящем изобретении переключающий ТПТ 20 может быть применен в разных схемах, таких как переключающий ТПТ, соединенный с электродом пикселя, контрольная схема или макетная плата ЖК-дисплея с активной матрицей. Предпочтительно, переключающий ТПТ 20 предназначен для использования в контрольной схеме. В это время первый сигнал, соединенный со стоком D, является контрольным сигналом, сток S соединен с проверяемой схемой, которой является линия данных DL или линия сканирования GL. В качестве примера, ниже приведено описание применения переключающего ТПТ в контрольной схеме.

В данном варианте осуществления затвор G и четвертый электрод В соединяются с напряжением высокого уровня, когда переключающий ТПТ 20 включается. В это время уровень напряжения четвертого электрода В или соответствует уровню напряжения затвора G, или отличается от него. Следует сказать, что разница между двумя уровнями напряжения имеет ограниченный интервал. Когда переключающий ТПТ 20 начинает отключаться, затвор G соединен с напряжением низкого уровня и четвертый электрод В выборочно соединяется с напряжениями разного уровня для отвода тока утечки со стороны затвора G в полупроводниковом слое 23. И затем четвертый электрод В также соединяется с напряжением низкого уровня. Уровень напряжения четвертого электрода В или соответствует уровню напряжения затвора G или отличается от него. Следует сказать, что разница между двумя уровнями напряжения имеет ограниченный интервал.

На Фиг. 3 представлен вид в поперечном разрезе переключающего ТПТ согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на Фиг. 3, переключающий ТПТ 20 включает затвор G на базе 21, подзатворный слой 22 на затворе G и полупроводниковый слой 23 на подзатворном слое 22. Сток D и исток S выполнены на полупроводниковом слое 23 и разделены пассивирующим слоем 24. Пассивирующий слой 24 также закрывает всю поверхность. Четвертый электрод В расположен над зазором между стоком D и истоком S и заходит на сток D и исток S. Два слоя n+25 с повышенной концентрацией электронов расположены соответственно между стоком D и полупроводниковым слоем 23 и между истоком S и полупроводниковым слоем 23. Эти два слоя n+25 являются, соответственно, частью стока D или истока S и значительно уменьшают сопротивление канала, когда переключающий ТПТ 20 включается.

В данном варианте осуществления затвор расположен на одной стороне полупроводникового слоя, а сток и исток расположены на противоположной стороне полупроводникового слоя. Затвор G соединен с напряжением низкого уровня, и четвертый электрод В соединен с напряжением высокого уровня, чтобы отводить накопившиеся электроны со стороны затвора G в полупроводниковом слое 23 для уменьшения тока утечки, когда переключающий ТПТ 20 отключается. Напряжение низкого уровня четвертого электрода В или соответствует напряжению затвора G, или отличается от него. Следует сказать что разница между двумя уровнями напряжения имеет ограниченный интервал. Случай, когда переход с напряжения высокого уровня на напряжение низкого уровня, подаваемое на четвертый электрод В, подобен переходу с напряжения высокого уровня на напряжение низкого уровня, подаваемое на затвор G, когда переключающий ТПТ отключается. Поэтому происходит утечка электронов, накопившихся на стороне, удаленной от стороны затвора G в полупроводниковом слое 23, а также электронов, рядом со стороной затвора G в полупроводниковом слое 23.

На Фиг. 4 представлен вид в поперечном разрезе переключающего ТПТ согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на Фиг. 4, переключающий ТПТ 30 включает затвор G на базе 31, подзатворный слой 32 на затворе G. Сток D и исток S расположены на подзатворном слое 32 и разделены полупроводниковым слоем 33. Полупроводниковый слой 33 также покрывает весь сток D и исток S. Четвертый электрод В расположен над зазором между стоком D и истоком S и заходит на сток D и исток S, но не закрывает весь сток D и исток S. Остальная поверхность покрыта пассивирующим слоем 34, окружающим четвертый электрод В, и между пассивирующим слоем 34 и четвертым электродом В есть определенный зазор. Два слоя 35 n+ с повышенной концентрацией электронов расположены, соответственно, между стоком D и полупроводниковым слоем 32 и между истоком S и полупроводниковым слоем 32. Эти два слоя n+35 являются, соответственно, частью стока D или истока S и значительно уменьшают сопротивление канала, когда переключающий ТПТ 30 включается. Затвор G, сток D, исток S и четвертый электрод В являются проводящими.

В данном варианте осуществления затвор G, сток D и исток S расположены, соответственно, на одной стороне полупроводникового слоя 33, и четвертый электрод В и затвор G расположены, соответственно, на двух сторонах полупроводникового слоя 33. Затвор G соединен с напряжением низкого уровня, и четвертый электрод В заземляется, чтобы отводить накопившиеся электроны со стороны затвора G в полупроводниковом слое 33 для уменьшения тока утечки, когда переключающий ТПТ 30 отключается. Когда четвертый электрод В соединен с напряжением низкого уровня, электроны на удалении от стороны затвора G в полупроводниковом слое 33, которая расположена рядом с четвертым электродом В, отводятся непосредственно через четвертый электрод В, поскольку четвертый электрод В непосредственно контактирует с полупроводниковым слоем 33. Уровень напряжения четвертого электрода В или соответствует уровню напряжения затвора G, или отличается от него. Обратите внимание, что разница между двумя уровнями напряжения имеет ограниченный интервал.

Теперь обратимся к Фиг. 5. На Фиг. 5 приведена блок-схема способа изготовления переключающего ТПТ, показанного на Фиг. 3. Как показано на Фиг. 5, способ изготовления переключающего ТПТ включает следующие этапы.

Этап S101: формирование затвора для соединения с управляющим сигналом, чтобы включать или отключать переключающий ТПТ, и подзатворного слоя на подложке по очереди.

Этап S102: формирование полупроводникового слоя на подзатворном слое.

Этап S103: формирование стока для соединения с первым сигналом и истока на полупроводниковом слое, соответственно, и закрывание пассивирующим слоем. Когда переключающий ТПТ используется в контрольной схеме, первый сигнал является контрольным сигналом, и сток соединяется с контрольной схемой. Контрольной схемой является линия данных или линия сканирования.

Этап S104: формирование четвертого электрода на пассивирующем слое, и четвертый электрод выборочно соединяется с напряжениями разного уровня.

В данном варианте осуществления затвор расположен на одной стороне полупроводникового слоя, а сток и исток расположены на противоположной стороне полупроводникового слоя. Четвертый электрод и затвор соединяются с высоким напряжением, когда ТПТ включается, и напряжение четвертого электрода или идентично напряжению затвора, или отличается от него. Затвор соединяется с низким напряжением и четвертый электрод соединяется с высоким напряжением, чтобы отвести накопившиеся электроны со стороны затвора в полупроводниковом слое для уменьшения тока утечки, когда переключающий ТПТ отключается. После этого четвертый электрод соединяется с низким напряжением, и напряжение четвертого электрода или идентично напряжению затвора, или отличается от него. Следует сказать что разница между двумя уровнями напряжения имеет ограниченный интервал.

Теперь обратимся к Фиг. 6. На Фиг. 6 приведена блок-схема способа изготовления переключающего ТПТ, показанного на Фиг. 4. Как показано на Фиг. 6, способ изготовления переключающего ТПТ включает следующие этапы.

Этап S201: формирование затвора для соединения с управляющим сигналом, чтобы управлять включением или отключением переключающего ТПТ, и подзатворного слоя на подложке по очереди.

Этап S202: формирование стока для соединения с первым сигналом и истока на подзатворном слое, соответственно. Когда переключающий ТПТ используется в контрольной схеме, первый сигнал является контрольным сигналом, и исток используется для соединения с проверяемой схемой. Контрольной схемой является линия данных или линия сканирования.

Этап S203: формирование полупроводникового слоя на стоке и истоке и обеспечение контакта с подзатворным слоем.

Этап S204: формирование четвертого электрода на полупроводниковом слое и закрывание окружения четвертого электрода пассивирующим слоем, и четвертый электрод выборочно соединяется с напряжениями разного уровня.

В данном варианте осуществления затвор, сток и исток расположены на одной стороне полупроводникового слоя. Четвертый электрод и затвор соединяются с высоким напряжением, когда ТПТ включается, и напряжение четвертого электрода или идентично напряжению затвора, или отличается от него. Затвор соединяется с низким напряжением и четвертый электрод заземляется, чтобы отводить электроны со стороны затвора в полупроводниковом слое для уменьшения тока утечки, когда переключающий ТПТ отключается. Напряжение четвертого электрода или идентично напряжению затвора, или отличается от него после отключения переключающего ТПТ. Следует сказать что разница между двумя уровнями напряжения имеет ограниченный интервал.

Суммируя вышесказанное, настоящее изобретение предлагает переключающий ТПТ, включающий затвор, сток, исток и четвертый электрод. Сток соединяется с первым сигналом, затвор соединяется с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, и исток передает первый сигнал, когда ТПТ включается. Четвертый электрод и затвор расположены на двух сторонах истока и стока. Четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с разными уровнями напряжения, этим уменьшая ток утечки в канале, чтобы улучшить переключающую характеристику при отключении ТПТ.

Специалисты в данной области техники легко поймут, что в устройство могут быть внесены многочисленные модификации и изменения, но без изменения объема изобретения. Соответственно, приведенное выше раскрытие должно истолковываться как ограниченное только объемом прилагаемой формулы изобретения.


ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ТПТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ТПТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ТПТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ТПТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-20 of 117 items.
26.08.2017
№217.015.d54e

Способ изготовления подложки матрицы для жк-дисплея с активной матрицей (тпт) и панель /устройство жк-дисплея, полученное этим способом

Использование: для производства жидкокристаллических дисплеев. Сущность изобретения заключатся в том, что способ изготовления подложки матрицы для ТПТ ЖК-дисплея, включает: а) формирование электрода затвора, подзатворного слоя, активного слоя, электрода истока и электрода стока, пассивирующего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623187
Дата охранного документа: 22.06.2017
26.08.2017
№217.015.d550

Подложка матрицы и жидкокристаллический дисплей

Изобретение относится к технологиям изготовления дисплеев. Подложка матрицы включает некоторое число пиксельных элементов, по меньшей мере одну линию общего электрода, по меньшей мере одну линию данных, по меньшей мере одну первую линию развертки и одну вторую линию развертки, параллельную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623184
Дата охранного документа: 22.06.2017
26.08.2017
№217.015.d5cc

Подложка матрицы и жидкокристаллическая панель с такой подложкой матрицы

Изобретение относится к технологиям изготовления жидкокристаллических дисплеев, более конкретно к подложке матрицы и жидкокристаллической панели. Каждый из пикселей в подложке матрицы включает первый электрод пикселя, второй электрод пикселя и третий электрод пикселя. Третий электрод пикселя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623185
Дата охранного документа: 22.06.2017
26.08.2017
№217.015.dde8

Подложка матрицы и панель жидкокристаллического дисплея

Изобретение относится к способам изготовления жидкокристаллических дисплеев и, в частности, к подложке матрицы и панели жидкокристаллического дисплея. Подложка матрицы включает первые линии сканирования (ЛС1), вторые линии сканирования (ЛС2), третьи линии сканирования (ЛС3), линии данных (ЛД),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624843
Дата охранного документа: 07.07.2017
26.08.2017
№217.015.e9d2

Микросхема goa для совместного возбуждения электрода затвора и общего электрода, схема возбуждения и матрица

Изобретение предлагает микросхему GOA (gate driver on array) для совместного возбуждения электрода затвора и общего электрода дисплея с матрицей. Технический результат заключается в снижении проходного напряжения для повышения качества шкалы серого на дисплее. Микросхема включает пусковую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628188
Дата охранного документа: 15.08.2017
26.08.2017
№217.015.e9fc

Подложка матрицы, панель жидкокристаллического дисплея и способ ее возбуждения

Изобретение относится к изготовлению жидкокристаллических дисплеев. Технический результат заключается в уменьшении искажения цвета. В панели жидкокристаллического дисплея осуществляют сканирование в направлении сканирования. Когда присутствует сигнал сканирования на линии сканирования,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628194
Дата охранного документа: 15.08.2017
26.08.2017
№217.015.ea9a

Подложка матрицы и панель дисплея

Использование: для создания жидкокристаллических панелей. Сущность изобретения заключается в том, что подложка матрицы включает по меньшей мере одну линию данных, по меньшей мере одну линию сканирования и пиксель, определяемый этими линией данных и линией сканирования, пиксель включает тонкую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627938
Дата охранного документа: 14.08.2017
26.08.2017
№217.015.eacc

Источник сд-подсветки и жидкокристаллическое устройство

Изобретение относится к технологии изготовления жидкокристаллических дисплеев и, более конкретно, к источнику СД-подсветки и жидкокристаллическому устройству (ЖК-дисплею). Источник СД-подсветки включает: инвертор для повышения подводимого напряжения постоянного тока и для вывода повышенного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627937
Дата охранного документа: 14.08.2017
26.08.2017
№217.015.eadf

Тонкопленочный транзистор, подложка матрицы и панель дисплея

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, подложке матрицы и панели дисплея. Тонкопленочный транзистор ТПТ включает затвор, первый изолирующий слой, расположенный над затвором, второй изолирующий слой, расположенный над первым изолирующим слоем, полупроводниковый слой, исток и сток,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627934
Дата охранного документа: 14.08.2017
29.12.2017
№217.015.f1e0

Структура металлических дорожек подложки матрицы

Изобретение относится к области жидкокристаллических дисплеев. Структура металлических дорожек подложки матрицы включает объединенную линию RGB, служащую в качестве линии данных в процессе отверждения, объединенную четную и нечетную линию ОЕ, служащую в качестве линии сканирования в процессе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636800
Дата охранного документа: 28.11.2017
Showing 11-20 of 39 items.
26.08.2017
№217.015.d54e

Способ изготовления подложки матрицы для жк-дисплея с активной матрицей (тпт) и панель /устройство жк-дисплея, полученное этим способом

Использование: для производства жидкокристаллических дисплеев. Сущность изобретения заключатся в том, что способ изготовления подложки матрицы для ТПТ ЖК-дисплея, включает: а) формирование электрода затвора, подзатворного слоя, активного слоя, электрода истока и электрода стока, пассивирующего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623187
Дата охранного документа: 22.06.2017
26.08.2017
№217.015.d550

Подложка матрицы и жидкокристаллический дисплей

Изобретение относится к технологиям изготовления дисплеев. Подложка матрицы включает некоторое число пиксельных элементов, по меньшей мере одну линию общего электрода, по меньшей мере одну линию данных, по меньшей мере одну первую линию развертки и одну вторую линию развертки, параллельную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623184
Дата охранного документа: 22.06.2017
26.08.2017
№217.015.d5cc

Подложка матрицы и жидкокристаллическая панель с такой подложкой матрицы

Изобретение относится к технологиям изготовления жидкокристаллических дисплеев, более конкретно к подложке матрицы и жидкокристаллической панели. Каждый из пикселей в подложке матрицы включает первый электрод пикселя, второй электрод пикселя и третий электрод пикселя. Третий электрод пикселя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623185
Дата охранного документа: 22.06.2017
26.08.2017
№217.015.dde8

Подложка матрицы и панель жидкокристаллического дисплея

Изобретение относится к способам изготовления жидкокристаллических дисплеев и, в частности, к подложке матрицы и панели жидкокристаллического дисплея. Подложка матрицы включает первые линии сканирования (ЛС1), вторые линии сканирования (ЛС2), третьи линии сканирования (ЛС3), линии данных (ЛД),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624843
Дата охранного документа: 07.07.2017
26.08.2017
№217.015.e9d2

Микросхема goa для совместного возбуждения электрода затвора и общего электрода, схема возбуждения и матрица

Изобретение предлагает микросхему GOA (gate driver on array) для совместного возбуждения электрода затвора и общего электрода дисплея с матрицей. Технический результат заключается в снижении проходного напряжения для повышения качества шкалы серого на дисплее. Микросхема включает пусковую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628188
Дата охранного документа: 15.08.2017
26.08.2017
№217.015.e9fc

Подложка матрицы, панель жидкокристаллического дисплея и способ ее возбуждения

Изобретение относится к изготовлению жидкокристаллических дисплеев. Технический результат заключается в уменьшении искажения цвета. В панели жидкокристаллического дисплея осуществляют сканирование в направлении сканирования. Когда присутствует сигнал сканирования на линии сканирования,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628194
Дата охранного документа: 15.08.2017
26.08.2017
№217.015.ea9a

Подложка матрицы и панель дисплея

Использование: для создания жидкокристаллических панелей. Сущность изобретения заключается в том, что подложка матрицы включает по меньшей мере одну линию данных, по меньшей мере одну линию сканирования и пиксель, определяемый этими линией данных и линией сканирования, пиксель включает тонкую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627938
Дата охранного документа: 14.08.2017
26.08.2017
№217.015.eacc

Источник сд-подсветки и жидкокристаллическое устройство

Изобретение относится к технологии изготовления жидкокристаллических дисплеев и, более конкретно, к источнику СД-подсветки и жидкокристаллическому устройству (ЖК-дисплею). Источник СД-подсветки включает: инвертор для повышения подводимого напряжения постоянного тока и для вывода повышенного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627937
Дата охранного документа: 14.08.2017
26.08.2017
№217.015.eadf

Тонкопленочный транзистор, подложка матрицы и панель дисплея

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, подложке матрицы и панели дисплея. Тонкопленочный транзистор ТПТ включает затвор, первый изолирующий слой, расположенный над затвором, второй изолирующий слой, расположенный над первым изолирующим слоем, полупроводниковый слой, исток и сток,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627934
Дата охранного документа: 14.08.2017
29.12.2017
№217.015.f1e0

Структура металлических дорожек подложки матрицы

Изобретение относится к области жидкокристаллических дисплеев. Структура металлических дорожек подложки матрицы включает объединенную линию RGB, служащую в качестве линии данных в процессе отверждения, объединенную четную и нечетную линию ОЕ, служащую в качестве линии сканирования в процессе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636800
Дата охранного документа: 28.11.2017
+ добавить свой РИД