×
26.08.2017
217.015.e93a

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАТОДНОГО СПЛАВА НА ОСНОВЕ МЕТАЛЛА ПЛАТИНОВОЙ ГРУППЫ И БАРИЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к изготовлению металлосплавных катодов для приборов СВЧ-электроники. Способ получения катодного сплава на основе металла платиновой группы и бария включает прессование навески порошка металла платиновой группы, очистку поверхности бария от оксидов, совместную дуговую плавку прессовки и бария в атмосфере аргона с использованием нерасходуемого вольфрамового электрода. Перед прессованием навески порошка металла платиновой группы проводят механоактивацию (25-70)% навески порошка в течение 5-20 минут и смешивание с остатком навески порошка. Обеспечивается улучшение однородности распределения фазы интерметаллида в матрице металла платиновой группы. 2 табл., 2 пр.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления эффективных термо- и вторичноэмиссионных металлосплавных катодов для мощных приборов СВЧ-электроники (ламп бегущей волны, магнетронов и т.п.).

Наиболее близким к предлагаемому способу (прототипом) является способ получения двухфазных сплавов Pt-Ba и Pd-Ba (см.: Н.П. Есаулов. Методы электроплавки при разработке спецсплавов для радиоэлектроники. Электрометаллургия. 2011, №4. - С. 30-33). Указанный способ состоит в следующем. Для проведения процесса плавки используется дуговая вакуумная печь (ДВП). Печь включает форвакуумный насос ВН-2, вакуумный агрегат ВА-0,5; вакуумную камеру, водо-охлаждаемый медный кристаллизатор, нерасходуемый вольфрамовый электрод, баллон аргона марки А. Перед плавкой порошок Pd или Pt компактируют (прессуют), а с поверхности бария удаляют парафин и масло, а также слой оксидов. Очищенный барий помещают непосредственно на дно лунки медного водоохлаждаемого кристаллизатора, а сверху на него загружают металл в компактном виде. Рабочую камеру откачивают, напускают аргон. Подают питание на электрод. Происходит расплавление металлов с образованием сплава.

Полученный сплав является двухфазным и представляет собою матрицу тугоплавкого металла (Pd, Pt) с включениями интерметаллического соединения (Pd5Ba; Pt5Ba).

Основной недостаток настоящего способа - сильно неравномерное распределение фазы интерметаллида в матрице металла платиновой группы. Данный факт приводит к понижению коэффициента вторичной электронной эмиссии (КВЭЭ) сплава, понижению КПД электровакуумных приборов (ЭВП) на его основе и уменьшению процента выхода годных.

Технический результат настоящего изобретения - повышение КПД и процента выхода годных ЭВП с использованием катодов R-Ba (где R - металл платиновой группы) улучшения однородности распределения фазы интерметаллида в матрице металла платиновой группы и повышения за счет этого КВЭЭ.

Указанный технический результат достигается тем, что перед проведением операции компактирования (прессования) порошка металла платиновой группы, проводят механоактивацию (25-70)% навески данного порошка в течение 5-20 минут. После этого механоактивированный порошок смешивают с остатком навески, прессуют, а все дальнейшие операции проводят в соответствии с прототипом.

Сущность изобретения состоит в следующем.

Механоактивация порошка металла платиновой группы приводит к уменьшению среднего размера частиц более, чем в 2 раза после 5 мин активации и в 15-20 раз после 20 мин активации, уменьшению в несколько раз среднемассового размера и повышению в 3-4 раза удельной поверхности частиц порошка. Кроме этого процесс механоактивации приводит к увеличению дефектности и энергонасыщенности активируемого материала за счет пластического деформирования и дробления. Существенно меньшие размеры частиц порошка металла платиновой группы после процесса механоактивации, высокие значения удельной поверхности частиц, а также его повышенная активность еще и за счет выделения в технологическом процессе запасенной энергии позволяют добиться более равномерного распределения интерметаллида Pd5Ba (Pt5Ba) в матрице Pd (Pt) и за счет этого повысить КВЭЭ, КПД и процент выхода годных ЭВП.

Пример 1. 50% навески порошка Pd марки ППд1 ПдАП-1 СТО 00195200-040-2008 механоактивировали в мельнице АГО-2 в течение 10 мин. В качестве мелющих тел использовались шары из оксида циркония диаметром 5 мм и керамический барабан. После окончания процесса активации контролировали размер частиц порошка Pd. Средний размер частиц уменьшился с 630 мкм до 175 мкм. Далее активированный порошок тщательно смешивали в смесителе с остатком (50%) навески исходного порошка Pd и прессовался в параллелепипед под давлением ~5,0 т/см2. Очищенную от парафина и масла навеску металлического бария помещали на дно лунки медного водоохлаждаемого кристаллизатора установки дуговой плавки А 535.02 ФО, а сверху на него загружали подготовленную прессовку порошка Pd. Производили откачку рабочей камеры установки дуговой плавки до давления 10-2 Па. После чего напускали аргон до давления 1,5 атм. Далее подавали питание на вольфрамовый электрод. Под воздействием концентрированной тепловой энергии, выделяющейся в плазме разряда, происходило расплавление металлов в лунке кристаллизатора с образованием сплава Pd-Ba. Из образовавшегося сплава Pd-Ba прокатывали фольгу толщиной h=200 мкм. Из разных частей прокатанного образца было изготовлено семь катодов для магнетронов. Для каждого катода измеряли КВЭЭ и работу выхода электрона. Полученные результаты сравнивали с результатами испытаний катодов и магнетронов, полученных по технологии прототипа (без применения механоактивации) (см. табл. 1).

Пример 2. 70% навески порошка Pt механоактивировали в течение 20 мин в мельнице АГО-2. Использовался стальной барабан. В качестве мелющих тел использовались стальные шары диаметром 3 мм.

После окончания процесса активации контролировали размер частиц порошка Pt. Измерения показали, что средний размер уменьшался с 560 мкм до 42 мкм.

Далее все операции по получению сплава Pt-Ba проводились аналогично примеру 1.

Результаты испытаний катодов на основе Pt-Ba, приготовленного с использованием операции механоактивации шихты, представлены в табл. 2.

Как видно из табл. 1 и табл. 2, операция механоактивации порошка металла платиновой группы существенно влияет на характеристики катодов Pd-Ba и Pt-Ba.

В частности, для сплава Pd-Ba КВЭЭ повышается на (8,6-11,9)%, а работа выхода электрона уменьшается на (4,4-9,5)%. Процент выхода годных магнетронов при использовании катодов на основе сплава Pd-Ba, изготовленного с использованием механоактивированного порошка Pd, увеличивается на 12%.

Для сплава Pt-Ba механоактивация порошка Pt приводит к росту КВЭЭ на (9,1-11,4)% и уменьшению работы выхода электрона на (3,3-8,3)%.

Ограничения по количеству навески порошка, проходящего операцию механоактивации выбраны исходя из следующих соображений. При механоактивации меньше 25% исходной навески порошка металла платиновой группы эффект от механоактивации не дает заметного результата. В то же время, когда механоактивируют больше 70% навески порошка, дальнейшего качественного роста свойств катодного сплава не наблюдается, но начинает сказываться появление в материале катода материала намола (материала барабана и мелющих тел).

Ограничения по количеству времени механоактивации выбраны исходя из следующих соображений. При механоактивации порошка исходной навески порошка металла платиновой группы меньше 5 мин эффект от механоактивации не дает заметного результата. В то же время, когда время механоактивации больше 20 мин, дальнейшего качественного роста свойств катодного сплава не наблюдается, но начинает сказываться появление в материале катода материала намола (материала барабана и мелющих тел).

Способ получения катодного сплава на основе металла платиновой группы и бария, включающий прессование навески порошка металла платиновой группы, очистку поверхности бария от оксидов, совместную дуговую плавку прессовки и бария в атмосфере аргона с использованием нерасходуемого вольфрамового электрода, отличающийся тем, что перед операцией прессования проводят механоактивацию (25-70)% навески порошка в течение 5-20 минут и смешивание механоактивированного порошка с остатком навески порошка.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 31-40 of 117 items.
20.09.2015
№216.013.7ccb

Полупроводниковая гетероструктура

Изобретение относится к электронной технике. Полупроводниковая гетероструктура для мощного полевого транзистора СВЧ содержит на монокристаллической полуизолирующей подложке арсенида галлия последовательность полупроводниковых слоев каждый с заданными функциональными свойствами и техническими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563544
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.09.2015
№216.013.7ccc

Мощный полевой транзистор свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. В мощном полевом транзисторе СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре упомянутая полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев, по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563545
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.09.2015
№216.013.7d03

Сверхчувствительный интеллектуальный магнитоимпедансный датчик с расширенным диапазоном рабочих температур

Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой сверхчувствительный интеллектуальный магнитометрический датчик (МИ датчик) с расширенным диапазоном рабочих температур области. Датчик включает магнитоимпедансный элемент (МИ элемент) с двумя катушками, выполненными одна над...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563600
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.09.2015
№216.013.7d35

Способ получения радиационно-защитного материала на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена с повышенными радиационно-защитными свойствами

Изобретение относится к способу получения радиационно-защитного материала на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена для изготовления конструкционных изделий радиационной защиты. Способ включает предварительную сушку при температуре 100-130°C порошков сверхвысокомолекулярного полиэтилена,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563650
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.11.2015
№216.013.8f24

Способ изготовления диэлектрического резонатора свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Технический результат - повышение точности получения значения величины температурного коэффициента частоты диэлектрического резонатора СВЧ. Для этого способ осуществляет приготовление шихты заданного керамического диэлектрического материала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568260
Дата охранного документа: 20.11.2015
20.11.2015
№216.013.8f28

Генератор управляемый напряжением

Изобретение относится к генераторам управляемым напряжением. Технический результат заключается в расширении диапазона перестройки частоты при сохранении нижнего предела диапазона частот и возможности создания генератора в монолитном исполнении. В генератор дополнительно введены полевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568264
Дата охранного документа: 20.11.2015
10.12.2015
№216.013.964f

Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры для мощного полевого транзистора СВЧ включает расположение предварительно обработанной монокристаллической полуизолирующей подложки арсенида галлия на подложкодержатель в реакторе газофазной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002570099
Дата охранного документа: 10.12.2015
20.01.2016
№216.013.a0cc

Иммерсионный магнитный объектив эмиссионного электронного микроскопа

Изобретение относится к электронным линзам, а точнее к иммерсионным магнитным объективам, и может быть использовано при формировании эмиссионного изображения исследуемого объекта на люминесцентном экране эмиссионного электронного микроскопа. Технический результат - повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002572806
Дата охранного документа: 20.01.2016
10.03.2016
№216.014.bff0

Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры, имеющей, по меньшей мере, последовательность слоев GaAs/AlGaAs с заданными характеристиками, включает расположение полупроводниковой гетероструктуры на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002576412
Дата охранного документа: 10.03.2016
10.02.2016
№216.014.c359

Сепаратор газовый вихревого типа

Изобретение относится к области улавливания мелкодисперсных, аэрозольных и растворенных жидких частиц, а также механических примесей из газового потока с использованием центробежных сил и может применяться в нефтяной, газовой, химической и других отраслях промышленности. Сепаратор газовый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574628
Дата охранного документа: 10.02.2016
Showing 31-40 of 125 items.
20.09.2015
№216.013.7ccb

Полупроводниковая гетероструктура

Изобретение относится к электронной технике. Полупроводниковая гетероструктура для мощного полевого транзистора СВЧ содержит на монокристаллической полуизолирующей подложке арсенида галлия последовательность полупроводниковых слоев каждый с заданными функциональными свойствами и техническими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563544
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.09.2015
№216.013.7ccc

Мощный полевой транзистор свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. В мощном полевом транзисторе СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре упомянутая полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев, по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563545
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.09.2015
№216.013.7d03

Сверхчувствительный интеллектуальный магнитоимпедансный датчик с расширенным диапазоном рабочих температур

Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой сверхчувствительный интеллектуальный магнитометрический датчик (МИ датчик) с расширенным диапазоном рабочих температур области. Датчик включает магнитоимпедансный элемент (МИ элемент) с двумя катушками, выполненными одна над...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563600
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.09.2015
№216.013.7d35

Способ получения радиационно-защитного материала на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена с повышенными радиационно-защитными свойствами

Изобретение относится к способу получения радиационно-защитного материала на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена для изготовления конструкционных изделий радиационной защиты. Способ включает предварительную сушку при температуре 100-130°C порошков сверхвысокомолекулярного полиэтилена,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563650
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.11.2015
№216.013.8f24

Способ изготовления диэлектрического резонатора свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Технический результат - повышение точности получения значения величины температурного коэффициента частоты диэлектрического резонатора СВЧ. Для этого способ осуществляет приготовление шихты заданного керамического диэлектрического материала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568260
Дата охранного документа: 20.11.2015
20.11.2015
№216.013.8f28

Генератор управляемый напряжением

Изобретение относится к генераторам управляемым напряжением. Технический результат заключается в расширении диапазона перестройки частоты при сохранении нижнего предела диапазона частот и возможности создания генератора в монолитном исполнении. В генератор дополнительно введены полевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568264
Дата охранного документа: 20.11.2015
10.12.2015
№216.013.964f

Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры для мощного полевого транзистора СВЧ включает расположение предварительно обработанной монокристаллической полуизолирующей подложки арсенида галлия на подложкодержатель в реакторе газофазной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002570099
Дата охранного документа: 10.12.2015
20.01.2016
№216.013.a0cc

Иммерсионный магнитный объектив эмиссионного электронного микроскопа

Изобретение относится к электронным линзам, а точнее к иммерсионным магнитным объективам, и может быть использовано при формировании эмиссионного изображения исследуемого объекта на люминесцентном экране эмиссионного электронного микроскопа. Технический результат - повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002572806
Дата охранного документа: 20.01.2016
10.03.2016
№216.014.bff0

Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры, имеющей, по меньшей мере, последовательность слоев GaAs/AlGaAs с заданными характеристиками, включает расположение полупроводниковой гетероструктуры на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002576412
Дата охранного документа: 10.03.2016
10.02.2016
№216.014.c359

Сепаратор газовый вихревого типа

Изобретение относится к области улавливания мелкодисперсных, аэрозольных и растворенных жидких частиц, а также механических примесей из газового потока с использованием центробежных сил и может применяться в нефтяной, газовой, химической и других отраслях промышленности. Сепаратор газовый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574628
Дата охранного документа: 10.02.2016
+ добавить свой РИД