Результат интеллектуальной деятельности: НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ РАДИАЦИОННО-СТОЙКИЙ МУЛЬТИДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления широкополосных сигналов.

В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение операционные усилители (ОУ) на полевых или биполярных транзисторах [1-15], в т.ч. выполненные на основе несимметричных дифференциальных каскадов [14-16]. Основное достоинство последних - отсутствие классических источников опорного тока, отрицательно влияющих на важнейшие статические и динамические параметры.

Для работы в условиях низких температур, в условиях космического пространства, в экспериментальной физике необходимы радиационно-стойкие ОУ. Мировой опыт проектирования устройств данного класса показывает, что решение этих задач возможно с использованием биполярно-полевого технологического процесса [17], обеспечивающего формирование р-канальных полевых и высококачественных n-p-n биполярных транзисторов с радиационной стойкостью до 1 Мрад и потоком нейтронов до 10¹³ н/см² [18-21]. Однако в таких ОУ при t=-100°÷-120° необходима специальная схемотехника, учитывающая ограничения биполярно-полевой технологии [17]. Для более низких температур в схемах рекомендуется использовать только полевые транзисторы [22-24].

Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является мультидифференциальный операционный усилитель, представленный в патенте RU 2523124, фиг. 2. Он содержит (фиг. 1) первый 1 дифференциальный каскад на основе первого 2 и второго 3 входных транзисторов, связанных друг с другом инжектирующими выводами, первый 4 и второй 5 токовые выходы первого 1 дифференциального каскада, первый 6 и второй 7 входы первого 1 дифференциального каскада, второй 8 дифференциальный каскад на основе первого 9 и второго 10 входных транзисторов, связанных друг с другом инжектирующими выводами, первый 11 и второй 12 токовые выходы второго 8 дифференциального каскада, первый 13 и второй 14 входы второго 8 дифференциального каскада, первое 15 токовое зеркало, согласованное с первой 16 шиной источника питания, выход которого соединен с токовым выходом устройства 17, второе 18 токовое зеркало, согласованное со второй 19 шиной источника питания, вход которого соединен со вторым 5 токовым выходом первого 1 дифференциального каскада.

Существенный недостаток известного ОУ состоит в том, что он имеет повышенное напряжение смещения нуля (U_см). Это связано с тем, что в двухканальной структуре ОУ-прототипа фиг.1 используются для передачи сигнала как первое 15, так и второе 18 токовые зеркала, реализуемые на разнотипных транзисторах (n-p-n, p-n-p), имеющих различные значения коэффициента усиления по току базы (β), а также неодинаковые напряжения Эрли. В конечном итоге, это увеличивает влияние неидентичности данных токовых зеркал на U_см.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в уменьшении систематической составляющей напряжения смещения нуля.

Дополнительная задача - создание условий для применения в схеме заявляемого устройства КМОП транзисторов.

Поставленные задачи достигаются тем, что в мультидифференциальном операционном усилителе фиг. 2, содержащем первый 1 дифференциальный каскад на основе первого 2 и второго 3 входных транзисторов, связанных друг с другом инжектирующими выводами, первый 4 и второй 5 токовые выходы первого 1 дифференциального каскада, первый 6 и второй 7 входы первого 1 дифференциального каскада, второй 8 дифференциальный каскад на основе первого 9 и второго 10 входных транзисторов, связанных друг с другом инжектирующими выводами, первый 11 и второй 12 токовые выходы второго 8 дифференциального каскада, первый 13 и второй 14 входы второго 8 дифференциального каскада, первое 15 токовое зеркало, согласованное с первой 16 шиной источника питания, выход которого соединен с токовым выходом устройства 17, второе 18 токовое зеркало, согласованное со второй 19 шиной источника питания, вход которого соединен со вторым 5 токовым выходом первого 1 дифференциального каскада, предусмотрены новые элементы и связи - первый 4 токовый выход первого 1 дифференциального каскада и первый 11 токовый выход второго 8 дифференциального каскада подключены к входу первого 15 токового зеркала, второй 12 токовый выход второго 8 дифференциального каскада подключен к выходу второго 18 токового зеркала и соединен с входом дополнительного инвертирующего усилителя 20, согласованного со второй 19 шиной источника питания, токовый выход которого соединен с токовым выходом устройства 17.

На фиг. 1 показана схема ОУ-прототипа, а на фиг. 2 - схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1- 5 формулы изобретения.

На фиг. 3 приведена схема фиг. 2 с конкретным выполнением первого 15 токового зеркала по схеме Вильсона (p-n-p транзисторы 26, 27, p-n переход 28), а также второго 18 токового зеркала, включающего первый 24 и второй 25 вспомогательные транзисторы. При этом дополнительный инвертирующий усилитель 20 реализован на транзисторе 23 по схеме с общим эмиттером.

На фиг.4 приведена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 6, а на фиг. 5 – с п. 7 формулы изобретения.

На фиг. 6 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 8 и п. 9 формулы изобретения.

На фиг.7 представлена схема заявляемого устройства фиг. 3 в среде PSpice на радиационно-зависимых моделях интегральных транзисторов АБМК_1_4 НПО «Интеграл» (г. Минск).

На фиг. 8 показаны амплитудно-частотные характеристики мультидифференциального операционного усилителя фиг. 7 при разных значениях коэффициента усиления буферного усилителя 21.

На фиг. 9 приведены амплитудно-частотные характеристики заявляемого мультидифференциального операционного усилителя фиг. 7 со 100% отрицательной обратной связью при разных значениях коэффициента усиления буферного усилителя 21.

На фиг. 10 представлена зависимость напряжения смещения нуля ОУ фиг. 7 от температуры.

Низкотемпературный радиационно-стойкий мультидифференциальный операционный усилитель фиг. 2 содержит первый 1 дифференциальный каскад на основе первого 2 и второго 3 входных транзисторов, связанных друг с другом инжектирующими выводами, первый 4 и второй 5 токовые выходы первого 1 дифференциального каскада, первый 6 и второй 7 входы первого 1 дифференциального каскада, второй 8 дифференциальный каскад на основе первого 9 и второго 10 входных транзисторов, связанных друг с другом инжектирующими выводами, первый 11 и второй 12 токовые выходы второго 8 дифференциального каскада, первый 13 и второй 14 входы второго 8 дифференциального каскада, первое 15 токовое зеркало, согласованное с первой 16 шиной источника питания, выход которого соединен с токовым выходом устройства 17, второе 18 токовое зеркало, согласованное со второй 19 шиной источника питания, вход которого соединен со вторым 5 токовым выходом первого 1 дифференциального каскада. Первый 4 токовый выход первого 1 дифференциального каскада и первый 11 токовый выход второго 8 дифференциального каскада подключены к входу первого 15 токового зеркала, второй 12 токовый выход второго 8 дифференциального каскада подключен к выходу второго 18 токового зеркала и соединен с входом дополнительного инвертирующего усилителя 20, согласованного со второй 19 шиной источника питания, токовый выход которого соединен с токовым выходом устройства 17.

На фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, токовый выход устройства 17 соединен с входом дополнительного буферного усилителя 21, выход которого является потенциальным выходом 22 устройства.

Кроме этого на фиг. 2, в соответствии с п. 3 формулы изобретения, второе 18 токовое зеркало выполнено на основе первого 24 и второго 25 вспомогательных транзисторов, эмиттеры которых связаны со второй 19 шиной источника питания, базы объединены и подключены ко входу второго 18 токового зеркала, причем коллектор первого 24 вспомогательного транзистора соединен со входом второго 18 токового зеркала, а коллектор второго 25 вспомогательного транзистора связан с выходом второго 18 токового зеркала.

На фиг. 2, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, дополнительный инвертирующий усилитель 20 выполнен на входном транзисторе 23, включенным по схеме с общим эмиттером.

На фиг. 2, в соответствии с п. 5 формулы изобретения, первый 2 входной транзистор первого 1 дифференциального каскада выполнен как биполярный транзистор, коллектор которого соединен с первым 4 токовым выходом первого 1 дифференциального каскада, база соединена с первым 6 входом первого 1 дифференциального каскада, причем второй 3 входной транзистор первого 1 дифференциального каскада выполнен как полевой транзистор с управляющим pn-переходом, затвор которого соединен со вторым 7 входом первого 1 дифференциального каскада, а сток связан со вторым 5 токовым выходом первого 1 дифференциального каскада, первый 9 входной транзистор второго 8 дифференциального каскада выполнен как биполярный транзистор, коллектор которого соединен с первым 11 токовым выходом второго 8 дифференциального каскада, база соединена с первым 13 входом второго 8 дифференциального каскада, причем второй 10 входной транзистор второго 8 дифференциального каскада выполнен как полевой транзистор с управляющим pn-переходом, затвор которого соединен со вторым 14 входом второго 8 дифференциального каскада, а сток связан со вторым 12 токовым выходом второго 8 дифференциального каскада.

На фиг. 3 приведена схема фиг.2 с конкретным выполнением первого 15 токового зеркала по схеме Вильсона (p-n-p транзисторы 26, 27, p-n переход 28), а также второго 18 токового зеркала, включающего первый 24 и второй 25 вспомогательные транзисторы. При этом дополнительный инвертирующий усилитель 20 реализован на транзисторе 23 по схеме с общим эмиттером.

На фиг. 4, в соответствии с п. 6 формулы изобретения, первый 2 входной транзистор первого 1 дифференциального каскада и первый 9 входной транзистор второго 8 дифференциального каскада выполнены как полевые КМОП-транзисторы, а второй 3 входной транзистор первого 1 дифференциального каскада и второй 10 входной транзистор второго 8 дифференциального каскада выполнены как полевые транзистора с управляющим pn-переходом, причем затворы первого 2 входного транзистора первого 1 дифференциального каскада и первого 9 входного транзистора второго 8 дифференциального каскада соединены соответственно с первым 6 входом первого 1 дифференциального каскада и первым 13 входом второго 8 дифференциального каскада, а затворы второго 3 входного транзистора первого 1 дифференциального каскада и второго 10 входного транзистора второго 8 дифференциального каскада соединены соответственно со вторым 7 входом первого 1 дифференциального каскада и вторым 14 входом второго 8 дифференциального каскада, сток первого 2 входного транзистора первого 1 дифференциального каскада соединен с первым 4 токовым выходом первого 1 дифференциального каскада, сток второго 3 входного транзистора первого 1 дифференциального каскада соединен со вторым 5 токовым выходом первого 1 дифференциального каскада, сток первого 9 входного транзистора второго 8 дифференциального каскада соединен с первым 11 токовым выходом второго 8 дифференциального каскада, сток второго 10 входного транзистора второго 8 дифференциального каскада соединен со вторым 12 токовым выходом второго 8 дифференциального каскада.

На фиг. 5, в соответствии с п. 7 формулы изобретения, первый 2 входной транзистор первого 1 дифференциального каскада и первый 9 входной транзистор второго 8 дифференциального каскада выполнены как полевые транзисторы с управляющим pn-переходом, а второй 3 входной транзистор первого 1 дифференциального каскада и второй 10 входной транзистор второго 8 дифференциального каскада выполнены как полевые КМОП-транзисторы, причем затвор первого 2 входного транзистора первого 1 дифференциального каскада соединен с первым 6 входом первого 1 дифференциального каскада, сток первого 2 входного транзистора первого 1 дифференциального каскада соединен с первым 4 токовым выходом первого 1 дифференциального каскада, затвор первого 9 входного транзистора второго 8 дифференциального каскада соединен с первым 13 входом второго 8 дифференциального каскада, сток первого 9 входного транзистора второго 8 дифференциального каскада соединен с первым 11 токовым выходом второго 8 дифференциального каскада, затвор второго 3 входного транзистора первого 1 дифференциального каскада соединен со вторым 7 входом первого 1 дифференциального каскада, сток второго 3 входного транзистора первого 1 дифференциального каскада соединен со вторым 5 токовым выходом первого 1 дифференциального каскада, затвор второго 10 входного транзистора второго 8 дифференциального каскада соединен со вторым 14 входом второго 8 дифференциального каскада, а сток второго 10 входного транзистора второго 8 дифференциального каскада, связан со вторым 12 токовым выходам второго 8 дифференциального каскада.

На фиг. 6, в соответствии с п. 8 формулы изобретения, инжектирующие выводы первого 2 и второго 3 входных транзисторов первого 1 дифференциального каскады связаны друг с другом через первый 29 согласующий резистор, а инжектирующие выводы первого 9 и второго 10 входных транзисторов второго 8 дифференциального каскада связаны друг с другом через второй 30 согласующий резистор.

Кроме этого на фиг. 6, в соответствии с п. 9 формулы изобретения, в качестве первого 24 и второго 25 вспомогательных транзисторов второго 18 токового зеркала и входного транзистора 23 дополнительного инвертирующего усилителя 20 используются КМОП транзисторы, затвор каждого из которых соответствует базе биполярного транзистора, исток - эмиттеру, а сток - коллектору биполярного транзистора.

Рассмотрим работу МОУ фиг. 3 с конкретным выполнением первого 15 и второго 18 токовых зеркал.

Особенность схемы фиг. 3 состоит в том, что первое 15 токовое зеркало не участвует в непосредственном усилении сигнала, а используется в качестве пассивного источника тока, создающего (вместе с входным транзистором 23) высокоимпедансный узел 17 (токовый выход 17). В статическом режиме для схемы фиг. 3 можно составить следующие уравнения Кирхгофа:

I_вх.15=2I₀-2I_бр,

I_вых.15=2I₀-2I_бр,

где I₀ - статический ток истока второго 3 входного транзистора первого 1 дифференциального каскада и второго 10 входного транзистора второго 8 дифференциального каскада при нулевых напряжениях на первом 6, втором 7 входах первого 1 дифференциального каскада, а также на первом 13 и втором 14 входах второго 8 дифференциального каскада;

I_бр - ток базы n-p-n транзисторов схемы (первого 24, второго 25 вспомогательных транзисторов, а также входного транзистора 23) при токе эмиттера I_э=I₀.

С уменьшением температуры и повышением уровня радиации ток базы транзисторов схемы фиг. 3 существенно (в 5-10 раз) возрастает [22-24, 18-21]. Однако в заявляемом устройстве фиг. 3 (при идентичном изменении параметров указанных выше элементов) в высокоимпедансном узле 17 обеспечивается полная взаимная компенсация радиационных и температурных изменений токов базы транзисторов. Данный эффект обеспечивается за счет введения новых связей, а также конкретного построения основных функциональных узлов ОУ фиг. 3. В результате напряжение смещения нуля схемы фиг. 2 получается небольшим

где I_вых.15=2I₀-2I_бр - статический выходной ток первого 15 токового зеркала;

I_к23=2I₀-2I_бр - статический коллекторный ток транзистора 23;

I_БУ≈0 - входной ток дополнительного буферного усилителя 21;

S_ДК - крутизна передачи входного напряжения МОУ к токовому выходу 17.

Заметим, что первое 15 токовое зеркало, реализованное по схеме Вильсона [17], обеспечивает выполнение условий I_вых.15=I_вх.15=2I₀-2I_бр в широком диапазоне внешних воздействий.

Из приведенного анализа следует, что схема фиг. 3 обладает уникальными свойством - в ней в высокоимпедансном узле 17 обеспечивается взаимная компенсация основных статических погрешностей преобразования сигналов, обусловленных деградацией (в 5-10 раз) коэффициента усиления по току базы транзисторов (β).

Для работы предлагаемого ОУ в диапазоне более низких, в т.ч. криогенных, температур целесообразно исключать биполярные транзисторы [22-24], что частично реализуется в схемах фиг. 4, фиг. 5, а наиболее полно в схеме фиг. 6.

Таким образом, заявляемое устройство характеризуется более высокими значениями параметров, характеризующими его прецизионность и имеет потенциальные возможности работы при низких температурах с одновременным воздействием радиации [18-21].

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Патент US №4.596.958, fig. 2.

2. Патент US №4.901.031, fig. 3.

3. Патент US №5.291.149, fig. 4.

4. Патент US №4.357.578, fig. 1.

5. Патент US №3.703.650, fig. 1.

6. Патент US №2.070.768, fig. 1.

7. Патент US №2.571.579, fig. 4.

8. Патент US №3.873.933, fig. 2.

9. Патент US №7.202.738, fig. 10.

10. Патент US №4.198.610, fig. 3.

11. Патент US №6.407.537, fig. 1.

12. Патент US №4.667.165, fig. 3.

13. Патентная заявка US 2010/0117735, fig. 2.

14. Патент РФ 2523124.

15. Патент РФ 2517699.

16. Prokopenko, N.N. The Radiation-Hardened Differential Stages and Op Amps without Classical Reference Current Source / N.N. Prokopenko, O.V. Dvornikov, I.V. Pakhomov and N.V. Butyrlagin // 2015 Conference on Radiation Effects on Components and Systems (RADECS), September 14th-18th, 2015, Moscow, Russia. DOI: 10.1109/RADECS.2015.7365681.

17. Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, С.Г. Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н. Прокопенко; ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т. экономики и сервиса». - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - 208 с.

18. Дворников, О. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 1 / O. Дворников, В. Чеховский, В. Дятлов, Н. Прокопенко // Современная электроника, 2015, №4. С. 44-49.

19. Дворников, О. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 2 / О. Дворников, В. Чеховский, В. Дятлов, Н. Прокопенко // Современная электроника, 2015, №5. С. 24-28.

20. Дворников, О. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 3 / О. Дворников, В. Чеховский, В. Дятлов, Н. Прокопенко // Современная электроника, 2015, №6. С. 34-39.

21. Dvornikov, О.V. Specialized Integral Microcircuit of the Amplifier of Photosignals / О.V. Dvornikov, V.A. Chekhovskii, V.L. Dyatlov, and N.N. Prokopenko // Russian Microelectronics, 2015, Vol. 44, No. 3, pp. 197-202. (ISSN 1063-7397). DOI: 10.1134/S1063739715020031.

22. Dvornikov, О.V. An Integrated Circuit of a Universal Comparator / О.V. Dvornikov, V.A. Chekhovskii, V.L. Dyatlov, and N.N. Prokopenko // Instruments and Experimental Techniques, 2015, Vol. 58, No. 3, pp. 483-487. DOI: 10.1134/S0020441215030197.

23. Dvornikov, О.V. An integrated circuit for silicon photomultipliers tubes / O.V. Dvornikov, V.A. Tchekhovsi, V.L. Dyatlov, and N.N. Prokopenko // Instruments and Experimental Techniques, vol. 57, no. 1, pp. 40-44, Feb. 2014. WOS:000331640100007, JCR 2013 Impact Factor - 0.349 DOI: 10.1134/S0020441214010047

24. Dvornikov, О.V. Influence of Ionizing Radiation on the Parameters of an Operational Amplifier Based on Complementary Bipolar Transistors / О.V. Dvornikov, V.A. Tchekhovski, V.L. Dziatlau, and N. N. Prokopenko // Russian Microelectronics, 2016, Vol. 45, No. 1, pp. 54-62. (ISSN 1063-7397). DOI: 10.1134/S1063739716010030.