×
25.08.2017
217.015.bf97

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ЭЛЕКТРОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРЕНИЯ ПРОИЗВОДНОЙ ХИМИЧЕСКОГО ПОТЕНЦИАЛА ПО ТЕМПЕРАТУРЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области электрометрического анализа химического потенциала μ c помощью модуляции температуры T и может быть использовано для исследования характеристик имеющихся и для конструирования новых элементов наноэлектроники. Предложен способ измерения ∂μ/∂T, который позволяет измерить ∂S/∂n в двумерных системах с изменяемой концентрацией n. В изобретении используется модуляция температуры структуры, изготовленной на поверхности исследуемого образца, и электрически эквивалентной плоскому конденсатору, одной из обкладок которого является исследуемое вещество, и последующее измерение возникающего тока перезарядки структуры. При этом структура (образец) размещается в экранирующем внешние электрические поля и теплопроводящем контейнере, обеспечивающем однородность температуры по площади образца. В случае если исследуемое вещество является двумерной системой с перестраиваемой концентрацией носителей заряда, то дополнительным результатом измерений является определение энтропии системы. Технический результат – повышение точности и достоверности измерения химического потенциала и энтропии. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области электрометрического анализа химического потенциала с помощью модуляции температуры.

Из существующего уровня техники известен способ определения энтропии калориметрическим методом (Y. Kraftmakher, Modulation Calorimetry: Theory and applications. Springer-Verlag Berlin Heidenberg, 2004), в котором измеряется теплоемкость c=T∂S/∂T и интегрируется по температуре.

Недостатком АС-калориметрии является необходимость интегрирования от нуля температур, что экспериментально трудно достижимо. Кроме того, существенным недостатком является низкая чувствительность способа, особенно в случае двумерных или слоистых систем. При измерении теплоемкости таких систем с двумерным электронным газом неизбежен значительный вклад теплоемкости подложки или кристаллической решетки в измеряемую теплоемкость образца.

Известен также патент США №5439291 на «Способ и устройство для АС дифференциального термического анализа» (опубл. 08.08.1995), в котором используется модуляция температуры образца для определения тепловых свойств образца.

Недостатком данного изобретения являются его применимость только к объемным материалам (а не к двумерным системам носителей зарядов) и полуколичественный (не абсолютный) характер измеряемой величины, которой является удельная теплоемкость T∂S/∂T.

Задача, решаемая изобретением, - измерение производной химического потенциала по температуре ∂μ/∂T в двумерных системах носителей зарядов или в поверхностном слое трехмерных систем с изменяемой концентрацией n носителей заряда. Данное изобретение позволяет определить, в частности, производную от энтропии по концентрации ∂S/∂n.

Принципиальное отличие предлагаемых способа и устройства заключается в том, что на поверхности образца исследуемого вещества создается структура типа плоского конденсатора, ток перезарядки которой при модуляции температуры измеряется вместо разности температур образца и криостата. Это дает возможность измерять вклад в термодинамические свойства вещества только от электронов (в общем случае от носителей зарядов) без вклада кристаллической решетки. В двумерных системах данный способ является единственным, дающим возможность абсолютного измерения изменений энтропии. Поэтому данное устройство и способ можно использовать для исследования характеристик имеющихся и для конструирования новых элементов наноэлектроники.

В предложенном способе электрометрического измерения производной химического потенциала по температуре осуществляют следующие операции:

- создают на поверхности образца структуру типа плоского конденсатора,

- модулируют температуру образца, помещенного в теплопроводящий контейнер, путем подачи изменяющегося во времени напряжения на нагреватель контейнера;

- детектируют ток перезарядки полученной структуры;

- определяют производную химического потенциала по температуре по продетектированному току перезарядки.

В частности, при наличии двумерной системы носителей зарядов в образце, по продетектированному току перезарядки определяют производную энтропии носителей заряда по их концентрации.

Особенность данного способа состоит в том, что детектирование тока перезарядки проводят на удвоенной частоте модуляции изменяющегося по времени напряжения путем синхронного детектирования с использованием независимо измеряемого мгновенного значения температуры образца в качестве опорного сигнала.

Предложенное устройство для осуществления такого способа содержит:

- структуру типа плоского конденсатора, созданную на поверхности образца;

- теплопроводящий контейнер, находящийся в тепловой связи с криостатом и предназначенный для размещения образца исследуемого вещества;

- нагреватель, соединенный с контейнером и запитываемый источником изменяющегося по времени напряжения для обеспечения модуляции температуры образца;

- измеритель тока перезарядки структуры.

Устройство может содержать дополнительно соединенный с контейнером измеритель температуры, сигнал с которого предназначен для использования в качестве опорного в измерителе тока перезарядки, выполненном в виде синхронного детектора, работающего на удвоенной частоте модуляции изменяющегося по времени напряжения.

В частности, тепловая связь контейнера с криостатом осуществляется с помощью теплообменного газа либо с помощью теплопроводного материала.

Приложенные чертежи иллюстрируют настоящее изобретение.

На Фиг. 1 представлена схема камеры образцов.

На Фиг. 2 условно показана схема измерений по настоящему способу.

На Фиг. 3 приведены графики измеренной энтропии на один электрон (∂S/∂n) в зависимости от напряжения на затворе Si-МДП структуры для образца Si-UW2 на разных частотах при температуре Т=2,6 К.

В конкретном примере, показанном на Фиг. 1, образец 1 представляет собой двумерный слой электронов в кремниевой структуре МДП. На его поверхности (верхней на Фиг. 1) создают структуру 2 типа плоского конденсатора, соединенную золотыми проволочками 3 с распаечной площадкой 4. Образец 1 вместе с распаечной площадкой 4, а также термометром 5 приклеены изнутри к нижней части теплопроводящего контейнера 7 (именуемого в некоторых случаях держателем и представляющего собой в данном примере медную камеру диаметром 14 мм и высотой 4 мм) с помощью теплопроводящего клея 8.

В качестве термометра для определения температуры камеры использовались AuFe/Au термопары или термосопротивление на основе RuO2. Сопротивление RuO2 измеряли на повышенной частоте (~1000 Гц), а затем его модуляция определялась отдельным узкополосным усилителем с синхронным детектором. Время установления теплового равновесия медной камеры при температуре 4,2 К составляет порядка 10-3 с. Время установления равновесия монокристаллической кремниевой подложки имеет тот же порядок 10-3 с.

Для нагревания камеры 7 использовался проволочный нагреватель 9, соприкасающийся с камерой 7 снаружи. Согласно настоящему изобретению нагревание осуществляют путем подачи изменяющегося во времени напряжения на нагреватель 9, за счет чего происходит модуляция температуры образца 1, помещенного в теплопроводящий контейнер 7. Эта модуляция температуры обеспечивается подачей на нагреватель 9 переменного тока i=iocos(2πtƒ/2) с частотой ƒ/2. Тогда тепловая мощность W модулируется на удвоенной частоте ƒ (обычно ƒ=0,5 Гц): .

Ссылочными позициями 6 и 10 на Фиг. 1 обозначены манганиновые провода диаметром 0,02 мм и длиной порядка 10 см, сводящие к минимуму тепловой поток на образце 1 и термометре 5. Когда контейнер 7 с приклеенными образцом 1 и термометром 5 помещен в теплообменный газ 4Не, время установления теплового равновесия увеличивается из-за ограниченной теплопроводности клея 8. Время термализации термометра 5 на основе RuO2 превосходит время термализации образца 1 и медного контейнера 7 из-за керамического корпуса термометра.

На Фиг. 2 показана условная схема измерений по настоящему способу. Массивный контейнер 7 (держатель) способствует достижению теплового равновесия всех компонентов внутри него за период модуляции температуры, осуществляемой с помощью нагревателя 9 и контролируемой термометром 5. Охлаждение контейнера 7 происходит за счет тепловой связи с холодной ванной, что условно обозначено ссылочной позицией 11. На Фиг. 2 показаны электрод 12 затвора, слой 13 оксида кремния, сильно легированная область 14 и собственно кремний 15 (МДП-структура). Измерения выполняются с использованием прецизионного источника 16 напряжения и фемтоамперметра 17, последовательно включенных между электродом 12 и сильно легированной областью 14 образца 1, образующих структуру 2. Напряжение Vg от источника 16 суммируется с напряжением VAC модуляции (не показано) в суммирующем усилителе и усиливается усилителем с обратной связью, которая в данном случае образована сопротивлением 10 ГОм и емкостью 10 пФ и подключена к другому входу этого усилителя вместе с выходом от исследуемого образца с заземленным омическим контактом.

Для оценки времени установления равновесия в эксперименте измеряется ∂μ/∂T в зависимости от концентрации электронов при различных частотах модуляции. На Фиг. 3 в правом верхнем углу представлен график зависимости температуры ΔT модуляции от частоты. На низких частотах (ниже 1 Гц) образец 1 и термометр 5 имеют одинаковую температуру ΔT модуляции. При увеличении частоты тепловая связь термометра 5 с образцом 1 становится слишком слабой и температуры ΔT для образца 1 и термометра 5 становятся различными. На основном графике Фиг. 3 приведены результаты измерения энтропии на один электрон (∂n/∂T) в зависимости от концентрации n электронов (изменяемой напряжением на затворе МДП-структуры) для образца Si-UW2 на разных частотах ƒ при Т=2,6 К и нулевом магнитном поле В=0.

При условии, что время установления теплового равновесия держателя 7 образца и самого образца 1 гораздо меньше, чем 1/ƒ, можно феноменологически описать систему как резервуар, имеющий слабую тепловую связь (ссылочная позиция 11 на Фиг. 2) с холодной ванной. Модулированный нагрев вызывает как увеличение температуры держателя 7, так и модуляцию его температуры. Для частот ниже 1 Гц измеренный ток, пропорциональный ∂μ/∂T, не зависит от частоты. Важной проблемой для низкотемпературных измерений в двумерных («плоскостных») системах является обеспечение теплового равновесия электронов с кристаллической решеткой. Однако эта проблема существенна только при сверхнизких температурах. При проведении экспериментов при Т>2,5 К электронный перегрев отсутствует. Термализация электронной системы с решеткой является очень эффективной, ее скорость ~к/Cel~3×107 с-1 при температуре 3 К, где к≈2×10-5 Вт/К см2 - скорость релаксации энергии, измеренная для аналогичных образцов кремниевых МДП-структур в работе О. Prus, М. Reznikov, U. Sivan, V.M. Pudalov; Cooling of Electrons in a Silicon Inversion Layer; Phys. Rev. Lett. 88, 016801, (2002), a Cel≈7×10-13 Дж/К см2 - удельная теплоемкость 2D электронов в (100) кремниевых МДП-структурах при 3 К. Таким образом, температура электронов может отличаться от температуры держателя только из-за возможного перегрева внешними радиочастотными помехами. Во избежание подобных паразитных эффектов высокочастотные помехи в данной экспериментальной установке были отфильтрованы. В отдельном эксперименте с помощью измерений электрического сопротивления было проверено, что в аналогичной схеме нет признаков перегрева электронов (время сбоя фазы при понижении температуры растет пропорционально 1/T без насыщения, и амплитуда осцилляций Шубникова-де Гааза растет при понижении температуры до 1,5 К). Конечно, самым прямым способом измерения температуры двумерного электронного газа было бы использовать в качестве термометра сопротивление самого образца. Однако экспериментально добавление дополнительных измерительных петель для образца сильно увеличивает уровень шума и существенно затрудняет измерение токов порядка фемтоампер.

Для большинства измерений была выбрана частота модуляции ƒ=0,624 Гц в качестве компромисса между уровнем шума, возможностью достижения низких температур и возможностью получения низких электронных плотностей. В описываемом эксперименте самая низкая используемая температура без модуляции составляла 2 К. С увеличением амплитуды модуляции температуры средняя температура растет. Амплитуда модуляции температуры определяет чувствительность измерений. Была выбрана амплитуда модуляции, равная 0,05 К, для которой минимальная достижимая температура составляла 2,4 К. Для возможности проведения измерений в режиме с низкими электронными плотностями, при которых сопротивление МДП-структуры возрастает, частота ƒ модуляции была ограничена временем перезарядки МДП-структуры ƒ<1/(2πRC0), где R - сопротивление 2DEG (двумерный электронный газ) и контактов, а С0 - геометрическая емкость.

С электрической точки зрения температура в данном измерении является просто внешним параметром; она ничем не отличается от, например, магнитного поля В. Процедура измерения ∂μ/∂Т в режиме изолятора (2πƒRC0~1) описана в работе М. Reznikov, A.Yu. Kuntsevich, N. Teneh, and V.M. Pudalov, Pis'ma ZhETF 92, 518 (2010) [JETP Lett. 92, 470 (2010)] для случая модуляции магнитного поля. Для учета сдвига фаз нужно измерить комплексную емкость на той же частоте, что и сигнал. Такая же процедура применяется здесь и позволяет выполнять измерения в режиме изолятора (R~1 ГОм, n~3×1011 см-2).

Образец 1 и массивный медный держатель 7 образца находятся в тепловом контакте с проволочным нагревателем, который изменяет их температуру в соответствии с законом T(t)=T0+ΔTcos(2πƒt), где ƒ - частота, a ΔT - амплитуда модуляции (Фиг. 2). Как T0, так и ΔT измеряются с помощью термометра 5, прикрепленного к камере 7 образца. Модуляция температуры образца изменяет химический потенциал и, следовательно, вызывает возникновение токов перезарядки структуры.

Таким образом, ∂μ/∂Т непосредственно определяется в эксперименте из измеряемого тока перезарядки, равного:

.

Здесь С0 обозначает емкость между электродом 12 затвора и двумерным электронным слоем.

Когда внешний параметр модулируется, переменный ток IAC течет через цепь обратной связи (Фиг. 3) усилителя 19 тока и вызывает на его выходе переменное напряжение VOUT= -IACZFB, где ZFB=RFB/(1+i2πƒCFBRFB). Выходное напряжение VOUT измеряется усилителем с синхронным детектором. Напряжение на затворе устанавливается внешним источником 16 напряжения через суммирующий усилитель 18. Значение емкости С0 образца 1 измеряется in situ при подаче на вход переменного напряжения VAC. Это напряжение переменного тока на входе суммирующего усилителя 18 вызывает ток IAC=-2πƒC0VAC через обратную связь.

Для сопоставления данного способа с известным методом АС-калориметрии можно поместить образец 1 в магнитное поле. Предложенный способ позволяет измерить ∂S/∂n, в то время как АС-калориметрия измеряет удельную теплоемкость T ∂S/∂T. Оба метода, однако, позволяют оценить изменение энтропии. В режиме квантующих магнитных полей, когда энтропия осциллирует при изменении поля, можно интегрировать как ∂S/∂n, так и ∂S/∂T, и рассчитать соответствующие изменения в энтропии между соседними максимумами и минимумами. Таким путем можно сравнивать наименьшую амплитуду осцилляций энтропии, которую удается зарегистрировать каждым конкретным способом.

Измерения методом АС-калориметрии проводились в работе J.K. Wang, J.H. Campbell, D.C. Tsui, A.Y. Cho; Heat capacity of the two-dimensional electron gas in GaAs/AlxGal-xAs multiple-quantum-well structures; Phys. Rev. B, 38, 6174, (1988), с гетероструктурой, содержащей 75 квантовых ям GaAs с концентрацией электронов 8,8×1011 см-2 и подвижностью 10 м2/Вс. Оба эти параметра сопоставимы с использовавшимся в тестовых измерениях образцом GaAs (одиночный переход) и в том же диапазоне температур (1,7-4,6 К). Суммарная площадь квантовых ям в указанной работе J.K. Wang et al была в 50 раз больше площади использованного тестового образца, а наименьшие квантовые осцилляции наблюдались при факторе заполнения уровней Ландау ν=12 в магнитном поле 3 Т (Тесла).

В проведенных тестовых измерениях с одиночным гетеропереходом GaAs при температуре 2,5 К в том же поле 3 Т наблюдались огромные осцилляции, отчетливо видные при уменьшении поля до 1 Т, где они имели в 50 раз меньшую амплитуду. Это означает, что предложенный способ имеет в 50×50=2500 раз лучшую чувствительность на единицу площади, чем АС-калориметрия.

Примечательно, что измеряемая данным способом величина (∂S/∂n) связана только с носителями заряда в образце и не зависит от теплоемкости решетки или подложки.


СПОСОБ ЭЛЕКТРОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРЕНИЯ ПРОИЗВОДНОЙ ХИМИЧЕСКОГО ПОТЕНЦИАЛА ПО ТЕМПЕРАТУРЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
СПОСОБ ЭЛЕКТРОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРЕНИЯ ПРОИЗВОДНОЙ ХИМИЧЕСКОГО ПОТЕНЦИАЛА ПО ТЕМПЕРАТУРЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
СПОСОБ ЭЛЕКТРОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРЕНИЯ ПРОИЗВОДНОЙ ХИМИЧЕСКОГО ПОТЕНЦИАЛА ПО ТЕМПЕРАТУРЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 31-40 of 43 items.
27.02.2020
№220.018.066e

Способ наращивания монокристаллических слоёв полупроводниковых структур

Изобретение относится к способу наращивания слоев полупроводниковых структур, осуществляемого методами эпитаксиального осаждения. Сущность: способ наращивания монокристаллических слоев полупроводниковых структур, осуществляемого методом эпитаксиального осаждения, заключается в том, что...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002715080
Дата охранного документа: 25.02.2020
15.07.2020
№220.018.3260

Способ формирования и компенсации астигматического волнового фронта и устройство для его осуществления

Изобретение относится к способу формирования и компенсации произвольного астигматического волнового фронта и к устройству для осуществления этого способа. Изобретение обеспечивает повышение энергетической эффективности, широкий рабочий спектральный диапазон и технологичность изготовления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726306
Дата охранного документа: 13.07.2020
18.07.2020
№220.018.33a9

Способ нелинейного внутрирезонаторного преобразования длины волны в лазере с продольной накачкой

Изобретение относится к лазерной технике. Способ нелинейного внутрирезонаторного преобразования длины волны в лазере с продольной накачкой заключается в том, что для генерации на основной оптической частоте в лазере используют резонатор, конфигурация которого обеспечивает возможность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726915
Дата охранного документа: 16.07.2020
18.07.2020
№220.018.3470

Сканирующий моноблочный интерферометр фабри-перо

Изобретение относится к оптическим спектральным системам. Сканирующий моноблочный интерферометр Фабри-Перо по настоящему изобретению содержит два плоскопараллельных мембранных зеркала, обращенных одно к другому и зафиксированных с помощью оптического контакта на своих краях на противоположных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726717
Дата охранного документа: 15.07.2020
29.07.2020
№220.018.38b6

Способ доставки криогенной топливной мишени для управляемого инерциального термоядерного синтеза, система и носитель

Изобретение относится к средству доставки криогенной топливной мишени (КТМ) для управляемого инерциального термоядерного синтеза, системе для реализации этого способа и носителю для использования в такой системе. В заявленном способе размещают каждую криогенную топливную мишень в носитель,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002727925
Дата охранного документа: 27.07.2020
12.04.2023
№223.018.4309

Способ определения магнитных свойств материала

Изобретение относится к области измерительной техники. Для определения магнитных свойств материала в заданной области пространства размещают мишень, изготовленную из исследуемого материала, и создают магнитное поле с заданными свойствами, силовые линии которого имеют составляющую, параллельную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793610
Дата охранного документа: 04.04.2023
12.04.2023
№223.018.432b

Способ определения распределения магнитного поля

Использование: изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для определения распределения магнитного поля в заданной области пространства (в частности, рабочих камерах высокоэнергетических установок). Сущность: для определения распределения магнитного поля в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793615
Дата охранного документа: 04.04.2023
12.04.2023
№223.018.4547

Двумерная матрица лазерных диодов и способ её сборки

Изобретение относится к двумерной матрице лазерных диодов и способу её сборки. Его использование обеспечивает технический результат, а именно повышение плотности мощности излучения матрицы при обеспечении надежности и срока службы. Двумерная матрица лазерных диодов содержит: линейки лазерных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002757055
Дата охранного документа: 11.10.2021
16.05.2023
№223.018.5e32

Способ поляризации плёнки из полимерного материала и устройство для его осуществления

Настоящее изобретение относится к способу поляризации пленок из полимерного материала и к устройству для осуществления этого способа. В способе поляризации пленки из полимерного материала согласно изобретению перемещают пленку 1, контактирующую с поверхностью заземленного электрода 2, с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755643
Дата охранного документа: 17.09.2021
16.05.2023
№223.018.5e33

Способ поляризации плёнки из полимерного материала и устройство для его осуществления

Настоящее изобретение относится к способу поляризации пленок из полимерного материала и к устройству для осуществления этого способа. В способе поляризации пленки из полимерного материала согласно изобретению перемещают пленку 1, контактирующую с поверхностью заземленного электрода 2, с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755643
Дата охранного документа: 17.09.2021
Showing 11-20 of 20 items.
20.08.2014
№216.012.e9da

Способ повышения плотности мощности светового излучения внутри среды

Изобретение относится к оптике и касается способа повышения плотности мощности светового излучения внутри среды. Способ включает в себя формирование среды в виде многослойной периодической структуры, имеющей в спектре пропускания запрещенную зону, а также узкие резонансные пики полного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525674
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.10.2014
№216.012.fa13

Устройство для нанесения однородных гладких тонких пленок различных материалов на твердые подложки

Изобретение относится к области технологии сверхпроводящих тонких пленок и может найти применение в производстве сверхпроводящих лент на основе высокотемпературных сверхпроводников для сверхпроводящих кабелей передачи электрической энергии, работающих при температуре жидкого азота. Устройство...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529865
Дата охранного документа: 10.10.2014
27.11.2014
№216.013.0be6

Способ формирования субдифракционной квазирегулярной одно-и двумерной нанотекстуры поверхности материалов и устройство для его осуществления

Заявленная группа изобретений относится к средствам для формирования субдифракционной квазирегулярной одно- и двумерной нанотекстуры поверхности различных материалов для устройств нанофотоники, плазмоники, трибологии или для создания несмачиваемых покрытий. Данное изобретение позволяет повысить...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534454
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.04.2015
№216.013.394c

Способ стабилизации эмульсий и коллоидных растворов и устройство для его осуществления

Изобретение относится к технологическим химическим процессам, в частности к нефтехимии, и может быть использовано для стабилизации различных эмульсий и коллоидных растворов, например, при производстве коллоидных и полимерных дисперсий, нефтяных масел, смазочных материалов, технических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002546156
Дата охранного документа: 10.04.2015
20.05.2015
№216.013.4b9a

Способ формирования микроструктурированного и высокодопированного слоя на поверхности кремния

Изобретение может быть использовано при изготовлении фоточувствительных элементов солнечной энергетики и приборов ночного видения. Сухую поверхность кремния облучают множественными фокусированными ультракороткими фемто- или короткими пикосекундными лазерными импульсами (УКИ) для её абляционного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550868
Дата охранного документа: 20.05.2015
20.11.2015
№216.013.8f51

Генератор быстрых моноэнергетических нейтронов

Заявленное изобретение относится к генераторам быстрых моноэнергетических нейтронов. В заявленном устройстве предусмотрено использование алмазной кристаллической структуры, поверхность которой облучается ускоренным до нескольких десятков кэВ пучком ионов дейтерия, в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568305
Дата охранного документа: 20.11.2015
20.11.2015
№216.013.91da

Способ получения пористого кремния со стабильной фотолюминесценцией

Изобретение относится к области изготовления наноструктурных материалов и может быть использовано в оптоэлектронике для производства светоизлучающих индикаторов. Способ получения пористого кремния со стабильной фотолюминесценцией согласно изобретению осуществляют путем анодного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568954
Дата охранного документа: 20.11.2015
20.06.2016
№217.015.035c

Аподизатор лазерного пучка

Аподизатор лазерного пучка включает зубчатую диафрагму и пространственный фильтр, в котором зубчатая диафрагма с радиусом окружности вершин зубцов R дополнена корректирующим элементом. Корректирующий элемент выполнен в виде установленного соосно с диафрагмой непрозрачного кольца с внешним...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587694
Дата охранного документа: 20.06.2016
27.04.2016
№216.015.3843

Дисковый лазер (варианты)

Изобретение относится к лазерной технике. Дисковый лазер состоит из оптического резонатора с первой оптической осью, активной пластины, имеющей первую поверхность и вторую поверхность, размещенной внутри оптического резонатора и закрепленной на хладопроводящей подложке своей первой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582909
Дата охранного документа: 27.04.2016
25.08.2017
№217.015.bfba

Способ усиления мощности радиочастотно-модулированного терагерцового излучения 30-периодной слабосвязанной полупроводниковой сверхрешетки gaas/algaas

Изобретение относится к физике полупроводниковых структур. Способ усиления мощности радиочастотно-модулированного терагерцового излучения 30-периодной слабосвязанной полупроводниковой сверхрешетки GaAs/AlGaAs заключается в том, что соединяют параллельно активные модули, каждый из которых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617179
Дата охранного документа: 21.04.2017
+ добавить свой РИД