×
25.08.2017
217.015.a66b

Результат интеллектуальной деятельности: Высоковольтный преобразователь ионизирующих излучений и способ его изготовления

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Настоящее изобретение относится к области преобразователей энергии радиационных излучений в электрическую энергию и может быть также использовано в взрывоопасных помещениях - шахтах, в беспилотных летательных аппаратах, ночных индикаторах и сенсорах, расположенных в труднодоступных местах и т.д. Высоковольтный преобразователь ионизирующих излучений содержит в полупроводниковой пластине n(p) типа проводимости вертикальные щели, на поверхности которых расположены вертикальные p-n-переходы и которые заполнены электропроводящим материалом радиоактивного изотопа, при этом преобразователь содержит дополнительную изолирующую подложку, на которой расположена полупроводниковая пластина n(p) типа проводимости, в которой сформированы глубокие щели в виде решетки, перпендикулярные к поверхности пластины, при этом их глубина достигает поверхности диэлектрической подложки, образуя полупроводниковые столбики n(p) типа проводимости, нижняя поверхность которых примыкает к изолирующей подложке, боковые поверхности примыкают к щелям, на боковых поверхностях столбиков расположены p(n) области, образующие боковые вертикальные p-n-переходы, на поверхности щелей расположен тонкий диэлектрик, изолирующий полупроводниковые столбики сбоку друг от друга, в объеме щелей расположен радиоактивный изотоп, на верхней поверхности столбиков расположены диэлектрик и контактные области p(n) типа к p-n-переходам и контактные области n(p) к столбикам n(p) типа проводимости, при этом контактные области соседних столбиков последовательно соединены между собой металлическими проводниками. Также предложен способ изготовления высоковольтного преобразователя ионизирующих излучений. Изобретение обеспечивает возможность получить практически не ограниченную величину выходного электрического напряжения и максимальную электрическую мощность на единицу объема и веса преобразователя. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Настоящее изобретение относится к области преобразователей энергии ионизирующих излучений в электрическую энергию (Э.Д.С.). Известны конструкции двумерных (планарных - 2D) [1. Мурашев В.Н и др. «Полупроводниковый фотопреобразователь и способ его изготовления». Патент РФ №2377695 от 27.12.2009; 2. Guo Н., Zhang К., Zhang Yu., Zhang Yu., Han Ch., Shi Ya. I-layer vanadium-doped pin type nuclear battery and the preparation process thereof. USA Patent US 20140225472 A1 от 14.08.2014 г.] и трехмерных - (объемных - 3D) [3. Долгий А.Л. Бета-преобразователи энергии на основе макропористого кремния // 4-ая Международная научная конференция «Материалы и структуры современной электроники», 23-24 сентября 2010 г., Минск, Беларусь. С. 57-60; 4. Clarkson J.P., Sun W., Hirschman K.D., Gadeken L.L. and Fauchet P.M. Betavoltaic and photovoltaic energy conversion in three-dimensional macroporous silicon diodes // Physica status solidi (a). 2007. V. 204. N 5. P. 1536-1540; 5. Sun W., Kherani N.P., Hirschman K.D., Gadeken L.L. and Fauchet P.M.A Three-Dimensional Porous Silicon p-n Diode for Betavoltaics and Photovoltaics // Advanced Materials. 2005. V. 17. N 10. P. 1230-1233; 6. Gadeken L.L., Engel P.S., Laverdure K.S. Apparatus for generating electrical current from radioactive material and method of making same. 2008. USA Patent. US 20080199736 A1; 7. Chandrashekhar M.V.S, Thomas Ch. L, Spencer M.G. Betavoltaic cell. 2011. USA Patent. US 7939986 B2] преобразователей оптических и ионизирующих радиационных излучений в электрическую энергию.

Недостатки

Такие преобразователи способны создать электрическое напряжение в кристалле (чипе) не более величины, равной контактной разности потенциалов p-n-перехода (0,7 В), не позволяют получать более высокое напряжение, необходимое и удобное для большинства применений. Они содержат в кристалле или на пластине только один изолированный p-n-переход, и для получения «высокого» напряжения батареи необходимо соединять в единую конструкцию множество последовательно включенных чипов (или пластин). Данное обстоятельство сильно усложняет конструкцию и технологию изготовления высоковольтной батареи и не позволяет выполнить ее в миллиметровых микронных размерах, что необходимо для ряда применений.

Наиболее близкой по технической сущности является «щелевая» 3D конструкция полупроводниковых вольтаических преобразователей радиационных бета-излучений в электрическую энергию [7. Chandrashekhar M.V.S, Thomas Ch. I., Spencer M.G. Betavoltaic cell. 2011. USA Patent. US 7939986 B2] (см. фиг. 1), взятая за прототип, содержащая в полупроводниковой пластине n(p) типа проводимости вертикальные щели, на поверхности которых расположены вертикальные p-n-переходы и которые заполнены электропроводящим материалом радиоактивного изотопа.

Способ ее изготовления включает формирование в объеме полупроводниковой пластины n(p) типа проводимости щелей, легирование поверхности каналов примесью p(n) типа, осаждение на поверхность пластины и в полость щелей материала радиоактивного изотопа.

Общим недостатком аналогов и прототипа является невозможность получения в пределах кристалла (чипа, пластины) в едином технологическом процессе высоковольтного преобразователя - батарейки.

Техническим результатом изобретения является создание высоковольтного преобразователя (батарейки) на кристалле или пластине для расширения области применения преобразователей ионизирующих излучений на микроэлектронные устройства и МЭМС микромашины и упрощение технологии их получения.

Технический результат достигается изменением конструкции преобразователя за счет создания конструкции, состоящей из изолирующей (диэлектрической) подложки, на которой расположена полупроводниковая пластина n(p) типа проводимости, в которой сформированы глубокие щели, например, в виде решетки, перпендикулярные к поверхности пластины, при этом их глубина достигает поверхности диэлектрической подложки, образуя полупроводниковые столбики (мезы) n-(p-) типа проводимости, нижняя поверхность которых примыкает к изолирующей подложке, боковые поверхности примыкают к щелям, на боковых поверхностях столбиков расположены p+(n+) области, образующие боковые вертикальные p-n переходы, на поверхности щелей расположен тонкий диэлектрик, изолирующий полупроводниковые столбики (мезы) сбоку друг от друга, в объеме щелей расположен радиоактивный изотоп, на верхней поверхности столбиков расположены диэлектрик и контактные области p+(n+) типа к p-n-переходам и контактные области n+(p+) к столбикам n(p) типа проводимости, при этом контактные области соседних столбиков последовательно соединены между собой металлическими проводниками.

Способ ее изготовления включает соединение диэлектрической подложки и полупроводниковой пластины n(p) типа проводимости, формирование на ее поверхности n+ и p+ контактных областей, выращивание на ее поверхности оксида кремния, формирование полупроводниковых столбиков путем селективного травления глубоких щелей в виде решетки в полупроводниковой пластине до поверхности диэлектрической подложки, проведение диффузии примеси p(n) типа на боковой поверхности щелей, тонкое окисление поверхности щелей, осаждение на поверхность пластины и в полость щелей радиоактивного изотопа, удаление радиоактивного изотопа с поверхности пластины и оксида кремния, осаждение низкотемпературного оксида кремния на поверхность пластины, формирование контактных окон к n+ и p+ контактным областям, осаждение металла и проведение операции разводки - соединения металлом контактных областей соседних столбиков.

Изобретение поясняется приведенными чертежами:

Конструкция прототипа показана на фиг. 1.

На фиг. 1: 1 - полупроводниковая пластина n(p) типа проводимости, 2 - n+(p+) сильнолегированный контактный слой, 3 - p(n) область вертикальных p-n-переходов, 4 - p(n) область горизонтальных p-n-переходов, 5 - материал радиоактивного изотопа.

Конструкция преобразователя по изобретению показана на фиг. 2, где а - структура, б - топология, в - эквивалентная электрическая схема.

В ней полупроводниковая пластина n(p) типа проводимости - 1 расположена на изолирующей подложке, состоящей из кремниевой пластины - 6 и расположенного на ней слоя толстого диэлектрика - 7, в полупроводниковой пластине сформированы глубокие щели - 8 в виде решетки перпендикулярно к поверхности полупроводниковой пластины - 1, при этом глубина щелей достигает поверхности толстого диэлектрика - 7, образуя полупроводниковые столбики - 9 (мезы) n-(p-) типа проводимости, нижняя поверхность которых примыкает к поверхности толстого диэлектрика - 7, на боковой поверхности столбиков - 9, примыкающей к щелям - 8, расположен тонкий диэлектрик (оксид кремния) - 10, изолирующий столбики друг от друга, а в объеме щелей расположен материал радиоактивного изотопа - 5, на боковых поверхностях столбиков - 9, примыкающих к щелям – 8, расположены p+(n+) области - 3, образующие боковые вертикальные p-n-переходы, на верхней поверхности столбиков расположены диэлектрик - 11 и контактные области - 12 p+(n+) типа к p-n-переходам и контактные области - 13 n+(p+) к столбикам n-(p-) типа проводимости, контактные области соседних столбиков последовательно соединены между собой металлическими проводниками - 14, образуя электрическую схему последовательно соединенных диодов.

Пример конкретной реализации

Технология изготовления преобразователя по изобретению показана на фиг. 3, которая состоит из следующей последовательности технологических операций:

а) проводят термическое окисление обратных сторон кремниевых пластин КЭФ 5 кΩ⋅см с ориентацией (100) - 1 и 6, спекают их со стороны диэлектрика - 7;

- проводят утонение нижней пластины химико-механической полировкой;

- проводят 1-ую фотолитографию и формируют n+ контактный слой - 13 ионным легированием фосфора дозой D=300 мкКл с энергией E=50 кэВ;

- проводят 2-ую фотолитографию и формируют p+ контактный слой - 12 ионным легированием бора дозой D=600 мкКл с энергией E=30 кэВ;

- проводят термический отжиг имплантированной примеси при температуре T=1050°C t=40 минут;

- выращивают термический оксид - 15 на полупроводниковой пластине при температуре T=950°C t=40 минут толщиной 0,3 мкм;

б) проводят 3-ую фотолитографию и травят глубокие щели - 8 плазмохимическим травлением кремния - Si селективно к оксиду кремния - SiO2 на всю глубину пластины, формируя изолированные кремниевые столбики;

- проводят диффузию бора в боковые поверхности щелей, формируя вертикальные p-n-переходы - 3 при температуре T=900°С t=20 минут;

- удаляют из щелей боросиликатное стекло;

в) проводят тонкое окисление поверхности столбиков (щелей) при температуре Т=850°C t=20 минут до толщины оксида кремния - 10 - SiO2 30 нм;

- затем осаждают электролизом радиоактивный никель - 63Ni - 5;

г) удаляют реактивным ионным травлением никель 63Ni с поверхности пластины;

- проводят осаждение низкотемпературного плазмохимического оксида -11;

- затем проводят 4-ую фотолитографию контактных окон;

д) осаждают металл - алюминий - AL - 14 и проводят 5-ую фотолитографию по разводке алюминия;

- затем режут пластины на отдельные кристаллы - чипы.

Предлагаемый преобразователь может быть реализован на пластинах кремния КЭФ 5 кΩ⋅см с ориентацией (100) по технологии, представленной на фиг. 3. При этом в качестве изотопного источника может быть выбран 63Ni, имеющий большой период времени полураспада (100 лет), испускающий электронное излучение со средней энергией 17 кэВ и максимальной энергией 64 кэВ, практически безопасный для здоровья человека. Такая энергия электронов существенно меньше энергии дефектообразования в кремнии (160 кэВ). При этом глубина поглощения в кремнии электронов со средней энергией 17 кэВ составляет примерно 3,0 мкм, а для 90% бета-излучения поглощение происходит на глубине до 12 мкм. Данные размеры должны соответствовать глубинам залегания p-n-переходов и величине ОПЗ, что достигается на типовых кремниевых структурах.

Следует отметить, что в качестве радиоактивного изотопа могут быть использованы иные материалы, например тритий и т.д.

Принцип действия преобразователя основан на ионизации полупроводникового материала, например кремния, бета-излучением изотопов никеля, трития, стронция, кобальта и т.д. Образующиеся при этом электронно-дырочные пары разделяются полем p-n-перехода в области пространственного заряда (ОПЗ) и создают разность потенциалов на p+ и n+ областях преобразователя (бета-гальваническая ЭДС). При этом часть электронно-дырочных пар может быть собрана полем p-n перехода также в квазинейтральной (КНО) области на расстоянии, равном диффузионной длине.

Техническими преимуществами изобретения являются:

- реализация в одном чипе или пластине высоковольтного источника - ЭДС, что позволяет отказаться от трудоемкой и нетехнологической операции сборки «высоковольтной» батареи (с типовым напряжением для интегральных схем от 5 до 12 В) из отдельных низковольтовых чипов, генерируемое напряжение которых обычно не превышает 100 мВ;

- при производстве высоковольтного преобразователя используется стандартная «микроэлектронная» технология, не требующая резки и шлифовки чипов для получения высокого (стандартного напряжения от 5 до 12 В и выше);

- высокий коэффициент отношения площади принимающих излучение p-n-переходов к объему кремниевого материала, в котором они расположены, что позволяет получать максимальную мощность излучения и соответственно ЭДС на единицу объема преобразователя;

- последовательное соединение пиксель-высоковольтного преобразователя позволяет снизить потери активной энергии на внешнем и внутреннем активном сопротивлении, что дает повышение КПД в системе батарея - нагрузка по сравнению с низковольтным источником ЭДС и делает его перспективным для микроэлектронных и МЭМС применений;

- такой источник ЭДС может обеспечить прямую зарядку аккумулятора при отсутствии солнечных батарей при минимальном ее весе и размерах, что важно, например, для применения в беспилотных летательных аппаратах, взрывоопасных помещениях - шахтах, ночных индикаторах, расположенных в труднодоступных местах, электростимуляторах сердца, для питания биосенсоров и т.д.;

- важным обстоятельством является также то, что срок службы такого преобразователя определяется периодом полураспада радиационного материала, который для 63Ni составляет 100 лет, что более чем достаточно в большинстве применений.


Высоковольтный преобразователь ионизирующих излучений и способ его изготовления
Высоковольтный преобразователь ионизирующих излучений и способ его изготовления
Высоковольтный преобразователь ионизирующих излучений и способ его изготовления
Высоковольтный преобразователь ионизирующих излучений и способ его изготовления
Высоковольтный преобразователь ионизирующих излучений и способ его изготовления
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 161-170 of 334 items.
19.01.2018
№218.016.0ca2

Гибридная пористая конструкция для замещения костно-хрящевых дефектов

Изобретение относится к медицине. Гибридная пористая многослойная конструкция для замещения костно-хрящевых дефектов содержит пористый слой на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена, также содержит сплошной слой на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена поверх пористого слоя с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632785
Дата охранного документа: 09.10.2017
19.01.2018
№218.016.0d0d

Интерметаллический сплав на основе tial

Изобретение относится к области металлургии, в частности легированным сплавам на основе γ-TiAl. Интерметаллический сплав на основе TiAl содержит, ат.%: алюминий 44-46, ниобий 5-7, хром 1-3, цирконий 1-2, бор 0,1-0,5, лантан ≤0,2, титан - остальное. Сплав характеризуется мелкозернистой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633135
Дата охранного документа: 11.10.2017
19.01.2018
№218.016.0d7e

Композиционный материал на полимерной основе для комбинированной защиты гамма, нейтронного и электромагнитного излучения, наполненный нанопорошком вольфрама, нитрида бора и технического углерода

Изобретение относится к области защиты от ионизирующего и сверхвысокочастотного излучения. Предлагаемый композиционный материал состоит из сверхвысокомолекулярного полиэтилена 40-62 мас.%, порошка вольфрама 18-20 мас.%, нитрида бора 15-20 мас.% и технического углерода УМ-76 5-20 мас.%....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632934
Дата охранного документа: 11.10.2017
19.01.2018
№218.016.0d88

Способ измерения характеристик аморфных ферромагнитных микропроводов

Изобретение относится к аморфным ферромагнитным микропроводам (АФМ) в тонкой стеклянной оболочке и используется в устройствах измерительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что в способе измерения характеристик аморфных ферромагнитных микропроводов (АФМ) исследуемый АФМ жестко...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632996
Дата охранного документа: 11.10.2017
19.01.2018
№218.016.0d9c

Композиционный материал на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена для комбинированной радио и радиационной защиты, наполненный пентаборидом дивольфрама и техническим углеродом

Изобретение относится к области защиты от ионизирующего и сверхвысокочастотного излучения. Предлагаемый композиционный материал состоит из: сверхвысокомолекулярного полиэтилена - 50-75 масс.%, пентаборида дивольфрама - 20-30 масс.% и технического углерода УМ-76 - 5-20 масс.%. Изобретение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632932
Дата охранного документа: 11.10.2017
20.01.2018
№218.016.157b

Биоинженерная конструкция с антибактериальным покрытием для замещения костно-хрящевых дефектов

Изобретение относится к области медицины, а именно к ортопедии, травматологии и трансплантологии, и предназначено для изготовления протезов, скаффолдов и биоимплантатов для замещения костно-хрящевых дефектов. Биоинженерная многослойная конструкция на основе биосовместимого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634860
Дата охранного документа: 07.11.2017
20.01.2018
№218.016.1710

Способ прошивки в стане винтовой прокатки

Изобретение относится к области обработки металлов давлением и может быть использовано для получения бесшовных труб и полых трубных заготовок винтовой прошивкой. Способ включает прошивку круглой заготовки в стане винтовой прокатки. Уменьшение разностенности и овальности труб и гильз...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635685
Дата охранного документа: 15.11.2017
20.01.2018
№218.016.175e

Способ деформационно-термической обработки для формирования функциональных характеристик медицинского клипирующего устройства из сплава ti-ni с памятью формы

Изобретение относится к металлургии, а именно к термомеханической обработке изделий из сплавов с памятью формы (СПФ) и наведению в них эффекта памяти формы (ЭПФ), в частности клипирующего устройства для создания гемостаза с возможностью восстановления кровотока в трубчатых эластичных структурах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635676
Дата охранного документа: 15.11.2017
20.01.2018
№218.016.17bc

Способ подготовки к работе воздушной фурмы доменной печи

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано при подготовке к работе воздушных фурм доменных печей. Осуществляют очистку наружного стакана и рыльной части металлической дробью, напыление на них алюмосодержащего газотермического покрытия, установление теплоизолирующей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635489
Дата охранного документа: 13.11.2017
20.01.2018
№218.016.186d

Способ получения лигатуры на медно-никелевой основе

Изобретение относится к металлургии и может быть использовано при производстве лигатур на основе меди, никеля, магния и алюминия. При производстве лигатуры шихтовые материалы в виде гранул чистых металлов размером от 1 до 10 мм, таких как никель, медь и магний смешивают в требуемых пропорциях и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635490
Дата охранного документа: 13.11.2017
Showing 161-170 of 194 items.
19.01.2018
№218.016.0ca2

Гибридная пористая конструкция для замещения костно-хрящевых дефектов

Изобретение относится к медицине. Гибридная пористая многослойная конструкция для замещения костно-хрящевых дефектов содержит пористый слой на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена, также содержит сплошной слой на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена поверх пористого слоя с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632785
Дата охранного документа: 09.10.2017
19.01.2018
№218.016.0d0d

Интерметаллический сплав на основе tial

Изобретение относится к области металлургии, в частности легированным сплавам на основе γ-TiAl. Интерметаллический сплав на основе TiAl содержит, ат.%: алюминий 44-46, ниобий 5-7, хром 1-3, цирконий 1-2, бор 0,1-0,5, лантан ≤0,2, титан - остальное. Сплав характеризуется мелкозернистой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633135
Дата охранного документа: 11.10.2017
19.01.2018
№218.016.0d7e

Композиционный материал на полимерной основе для комбинированной защиты гамма, нейтронного и электромагнитного излучения, наполненный нанопорошком вольфрама, нитрида бора и технического углерода

Изобретение относится к области защиты от ионизирующего и сверхвысокочастотного излучения. Предлагаемый композиционный материал состоит из сверхвысокомолекулярного полиэтилена 40-62 мас.%, порошка вольфрама 18-20 мас.%, нитрида бора 15-20 мас.% и технического углерода УМ-76 5-20 мас.%....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632934
Дата охранного документа: 11.10.2017
19.01.2018
№218.016.0d88

Способ измерения характеристик аморфных ферромагнитных микропроводов

Изобретение относится к аморфным ферромагнитным микропроводам (АФМ) в тонкой стеклянной оболочке и используется в устройствах измерительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что в способе измерения характеристик аморфных ферромагнитных микропроводов (АФМ) исследуемый АФМ жестко...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632996
Дата охранного документа: 11.10.2017
19.01.2018
№218.016.0d9c

Композиционный материал на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена для комбинированной радио и радиационной защиты, наполненный пентаборидом дивольфрама и техническим углеродом

Изобретение относится к области защиты от ионизирующего и сверхвысокочастотного излучения. Предлагаемый композиционный материал состоит из: сверхвысокомолекулярного полиэтилена - 50-75 масс.%, пентаборида дивольфрама - 20-30 масс.% и технического углерода УМ-76 - 5-20 масс.%. Изобретение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632932
Дата охранного документа: 11.10.2017
20.01.2018
№218.016.157b

Биоинженерная конструкция с антибактериальным покрытием для замещения костно-хрящевых дефектов

Изобретение относится к области медицины, а именно к ортопедии, травматологии и трансплантологии, и предназначено для изготовления протезов, скаффолдов и биоимплантатов для замещения костно-хрящевых дефектов. Биоинженерная многослойная конструкция на основе биосовместимого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634860
Дата охранного документа: 07.11.2017
20.01.2018
№218.016.1710

Способ прошивки в стане винтовой прокатки

Изобретение относится к области обработки металлов давлением и может быть использовано для получения бесшовных труб и полых трубных заготовок винтовой прошивкой. Способ включает прошивку круглой заготовки в стане винтовой прокатки. Уменьшение разностенности и овальности труб и гильз...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635685
Дата охранного документа: 15.11.2017
20.01.2018
№218.016.175e

Способ деформационно-термической обработки для формирования функциональных характеристик медицинского клипирующего устройства из сплава ti-ni с памятью формы

Изобретение относится к металлургии, а именно к термомеханической обработке изделий из сплавов с памятью формы (СПФ) и наведению в них эффекта памяти формы (ЭПФ), в частности клипирующего устройства для создания гемостаза с возможностью восстановления кровотока в трубчатых эластичных структурах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635676
Дата охранного документа: 15.11.2017
20.01.2018
№218.016.17bc

Способ подготовки к работе воздушной фурмы доменной печи

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано при подготовке к работе воздушных фурм доменных печей. Осуществляют очистку наружного стакана и рыльной части металлической дробью, напыление на них алюмосодержащего газотермического покрытия, установление теплоизолирующей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635489
Дата охранного документа: 13.11.2017
20.01.2018
№218.016.186d

Способ получения лигатуры на медно-никелевой основе

Изобретение относится к металлургии и может быть использовано при производстве лигатур на основе меди, никеля, магния и алюминия. При производстве лигатуры шихтовые материалы в виде гранул чистых металлов размером от 1 до 10 мм, таких как никель, медь и магний смешивают в требуемых пропорциях и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635490
Дата охранного документа: 13.11.2017
+ добавить свой РИД