×
13.01.2017
217.015.6bc0

ФЛАКСОННЫЙ БАЛЛИСТИЧЕСКИЙ ДЕТЕКТОР

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002592735
Дата охранного документа
27.07.2016
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Использование: для измерения слабых магнитных потоков. Сущность изобретения заключается в том, что флаксонный баллистический детектор включает генератор одноквантовых импульсов, приемник одноквантовых импульсов со схемой сравнения, две джозефсоновские передающие линии, соединяющие генератор и приемник, соединенные сверхпроводящей перемычкой, связанной магнитным образом с объектом исследования. Технический результат: обеспечение возможности реализации измерения сверхслабых сигналов. 6 з.п. ф-лы, 6 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к криогенной электронике и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах (в том числе и квантовых) для измерения слабых магнитных потоков (менее 0,1 кванта магнитного потока).

Устройства с джозефсоновскими контактами давно используются для детектирования слабых магнитных полей. Особенно активно для этих целей используются системы на основе сверхпроводящих квантовых интерферометров (СКВИД), которые имеют высокую чувствительность и обладают низкой шумовой температурой, совместимы с другими сверхпроводниковыми устройствами. СКВИД представляет собой сверхпроводящее кольцо, содержащее один или два джозефсоновских контакта, имеет согласующие и измерительные устройства.

Развитие современных технологий поставило задачу по созданию на основе СКВИД-структур детекторов, способных фиксировать магнитные поля от наноразмерных объектов и крупных молекул. Описан магнетометр для детектирования таких сигналов на основе СКВИДа с двумя сверхпроводящими кольцами (US 7863892 В2 7.10.2005 Gavin W. Morley, Ling Нао, John С. Mcfarlane) для увеличения чувствительности при работе с объектами исследования малых размеров. Также описан метод создания наноразмерного СКВИДа (US 20100097056 Al, 25.08.2006). Недостатком таких систем является ее сильное обратное влияние на объект исследования и невозможность реализации «быстрых» и неразрушающих измерений состояний квантовых объектов.

Описаны различные конструкции и схемотехнические решения сверхпроводниковых усилителей СВЧ-диапазона, использующих преобразование магнитного сигнала в отклик напряжения. В частности, описана схема согласованного усилителя на СКВИДе с нагрузкой для диапазона до 0,1 ГГЦ (JP S60247311, Noguchi, 07.12.1985). Усилитель/преобразователь, использующий этот принцип, на частоте 100 МГц продемонстрировал коэффициент усиления порядка 20 дБ с шумовой температурой 1±0,4 К при использовании входного устройства, выполненного на коаксиальном кабеле (см. US 4585999, Hilbert et al., 29.04.1986).

Принципы согласования входных и выходных цепей усилителя на СКВИД с нагрузкой подробно исследованы для диапазона до 0,1 ГГЦ (JP 60247311, Noguchi, оп. 07.12.1985). В изобретении (JP 1245605, Takami et al., 29.09.1989) описан усилитель-преобразователь магнитного сигнала на СКВИДе постоянного тока, в котором для электрической подстройки согласования интерферометра с охлаждаемым предусилителем используется второй СКВИД как регулируемый индуктивный элемент согласующей цепи. В другом устройстве на низкотемпературном (4,2 К) СКВИДе реализован магниторезистивный принцип усиления на выходе СКВИДа, обеспечивающий измерение малых токов, напряжений или магнитных полей, без систем обратной связи и шумоподавления, но в описании отсутствуют указания на возможность использования в интересующем диапазоне частот (DE 4003060, Berthel et al., 08.08.1991).

Однако как рабочий диапазон частот, так и линейность преобразования магнитного сигнала в напряжения для устройств на одиночном низкотемпературном СКВИДе недостаточны для современных высокочастотных приложений (причем нужно помнить, что рабочий диапазон частот измерительной системы связан с доступным временным разрешением устройства). Существующий уровень диссипации энергии и обратного влияния на исследуемый объект в процессе функционирования делают невозможным использование таких устройств в системах считывания в квантовых устройствах обработки информации.

В изобретении (US 2005231196, Tarutani, Yoshunobu) описан усилитель на последовательной цепочке СКВИДов, позволяющий использовать в качестве источника питания источник постоянного тока и занимающий малую площадь. Подобные усилители могут использоваться, например, в чувствительных системах для парамагнитно-резонансной томографии (US 8179135, 15.05.2012, Hahn I. et al.), a также в качестве входного блока сверхпроводниковых аналого-цифровых преобразователей (US 7928875, Kirichenko, 19.04.2011). Однако такое устройство усилителя позволяет достичь лишь относительно малую линейность усиления сигнала.

Для увеличения линейности вольт-потокового преобразования систем на основе СКВИДов в изобретении (KR 100774615 (В1), 2007.11.12, патент-аналог US 7453263 (В2), Jin-Mok Kim et al.) предложена специальная схема обратной связи, содержащая дополнительный джозефсоновский переход, однако предложенный метод увеличения усилителя на основе СКВИДа существенно ограничивает максимальную рабочую частоту и, соответственно, уменьшает временное разрешение для использующего этот принцип детектора.

Возможно также использование СКВИДа в качестве перестраиваемого элемента колебательного контура параметрического усилителя (JP 2009225213 (А), 2009.10.01, NEC CORP). Однако характерная рабочая частота такого усилителя будет определяться параметрами колебательного контура, т.е. будет заметно меньше 1 ГГц. Также необходимо отметить такой недостаток, как невозможность реализации на основе такого принципа «краткодействующих» минимально-возмущающих измерений магнитного момента квантовых систем, представляющих на сегодняшний день серьезный практический интерес.

Были предложены усилители-драйверы для гигагерцового диапазона (до десятков ГГц) на основе цепочек СКВИДов, разделенных на изолированные от земли пары, для уменьшения паразитных емкостей в системе (US 6486756, 27.03.20006 Tarutani), однако такие усилители пригодны лишь для цифровых применений и не могут быть использованы для усиления аналогового сигнала.

Еще одним примером усилителя сигналов быстрой одноквантовой (БОК) логики, преобразующего их на выходе в импульсы напряжения достаточной для использования полупроводниковой электроникой величины, является изобретение (US 6917216, 11.04.2003, Herr Quentin), работающее на разделении и переотражении выходного БОК-импульса для получения достаточных значений выходных импульсов напряжения. Но это предложение опять же рассчитано исключительно на применения в цифровых устройствах и требует для использования в детекторах сверхслабых сигналов сопряжения с качественным аналоговым «приемным устройством».

В заявке (WO 2012123642 (A1), Pertti Hakonen и др., 20.09.2012) описан низкошумящий усилитель с чувствительностью, близкой к квантовому пределу. В основу принципа работы этого усилителя положено использование одного джозефсоновского перехода, шунтированного за счет параллельно соединенного с ним реактивного импеданса. Недостатком такого подхода является слабое усиление, невысокая линейность, низкая температура насыщения получившегося усилителя, который, к тому же, крайне сложно сделать достаточно миниатюрным.

Следует обратить внимание на публикации, посвященные изложению теоретических подходов к описанию принципов функционирования джозефсоновских баллистических детекторов, применимых в том числе и в квантовых системах обработки информации. В частности, описано экспериментальное измерение поворота примерно 1000 электронных спинов при помощи СКВИДа с размером сверхпроводящей петли менее 1 мкм (Jamet M., Wernsdorfer W., Thirion C. et al. // Physical Review Letters 2001. 86. P. 4676).

Схема баллистического детектора, предложенного в работах ряда авторов (Averin D.V., Rabenstein К., and Semenov V.К. // Phys. Rev. В. 2006.73, P. 094504; Herr Α., Fedorov Α., Shnirman A. et al. // Supercond. Sci. Technol. 2007. 20, P. 450), схожа с оптическим интерферометром, одно плечо которого слабо взаимодействует с измеряемым объектом (например, квантовой системой). «Плечами» интерферометра являются две джозефсоновские передающие линии (ДПЛ), которые представляют собой распределенные джозефсоновские переходы, по каждому из которых распространяется флаксон. Взаимодействие с измеряемым объектом приводит к ускорению или замедлению флаксона в одной из ДПЛ. Таким образом, информация о состоянии квантовой системы переводится во временную задержку между выходами флаксонов из ДПЛ детектора, которая затем считывается. Недостатком предложенной ранее схемы баллистического детектора с точки зрения максимизации SNR является использование дополнительной референсной линии, приводящее к увеличению внутренних шумов детектора. Также к недостаткам можно отнести противоположное влияние полюсов токового диполя на флаксон. Это взаимообратное влияние приводит к существенному уменьшению сигнала. В качестве модификации схемы можно предложить эффективное расщепление диполя на монополи, для реализации которого ДПЛ проводится от генератора одноквантовых импульсов к середине диполя и разветвляется на 2 ветви, каждая из которых продолжается в сторону одного из монополей. В этом случае изначальный одноквантовый импульс генерирует два импульса в точке ветвления по одному в каждую ветвь. Образовавшиеся синхронно импульсы взаимодействуют каждый с одним из монополей, ускоряясь или замедляясь в соответствии с его направлением, после чего взаимная временная задержка детектируется на схеме сравнения.

В экспериментах (Fedorov К.G., Shcherbakova Α.V., Schaefer R. et al. // Applied Physics Letters 2013, 102, P. 132602) использовалась одиночная кольцевая ДПЛ и измерялось отклонение циклической частоты вращения флаксона. К недостаткам этого подхода необходимо отнести невозможность осуществления «краткодействующих» минимально-возмущающих измерений магнитного момента квантовых систем, а также то, что продемонстрированное в измерениях отсутствие зависимости отклонения частоты детектора от знака измеряемого поля (полярности индуцированного токового диполя) приводит к невозможности различения квантовых состояний объекта исследований.

Заявляемое изобретение лишено указанных недостатков и позволяет реализовать измерение сверхслабых сигналов за счет воздействия магнитного поля от объекта исследования на баллистическую динамику флаксона одновременно в двух джозефсоновских передающих линиях.

Заявляемый флаксонный баллистический детектор включает генератор одноквантовых импульсов, приемник одноквантовых импульсов со схемой сравнения, две джозефсоновские передающие линии, соединяющие генератор и приемник, соединенные сверхпроводящей перемычкой, связанной магнитным образом с объектом исследования.

Отличие от известных ранее джозефсоновских баллистических детекторов состоит в том, что джозефсоновские передающие линии выполнены каждая в виде слоистой тонкопленочной структуры, содержащей: нанесенный на подложку нижний сверхпроводящий электрод, нанесенный на нижний сверхпроводящий электрод слой изолятора, верхний сверхпроводящий электрод с токоподводами, нанесенный на слой изолятора, причем обе джозефсоновские передающие линии соединены как общей «землей», так и связанной магнитным образом с объектом исследования сверхпроводящей перемычкой.

Детектор может характеризоваться еще и тем, что джозефсоновские передающие линии выполнены каждая в виде цепочки соединенных сверхпроводящими соединительными линиями слоистых тонкопленочных структур, содержащих: нанесенный на подложку нижний сверхпроводящий электрод, нанесенный на нижний сверхпроводящий электрод слой изолятора, верхний сверхпроводящий электрод с токоподводами, нанесенный на слой изолятора.

Детектор может характеризоваться еще и тем, что в качестве материала сверхпроводящей перемычки, нижнего и верхнего сверхпроводящего электрода, сверхпроводящих соединительных линий использован ниобий, алюминий или сплав на основе этих металлов.

Детектор может характеризоваться еще и тем, что в качестве материала слоя изолятора использован оксид алюминия Al2O3.

Детектор может характеризоваться еще и тем, что толщина нижнего сверхпроводящего электрода и верхнего сверхпроводящего электрода составляет 50-500 нм, толщина слоя изолятора составляет 1-20 нм.

Технический результат изобретения состоит в увеличении соотношения сигнал/шум по сравнению с предыдущими топологиями джозефсоновского баллистического детектора. Дополнительный технический результат состоит в уменьшении обратного влияния детектора на объект исследований, что особенно важно для применения в устройствах обработки квантовой информации.

Изобретение поясняется чертежами.

На фиг. 1 изображена интерферометрическая симметризованная схема детектора. Квадрат G обозначает генератор одноквантовых импульсов (флаксонов), Q - объект исследований (в том числе имеющий квантовую природу), С - приемник одноквантовых импульсов со схемой сравнения (компаратором).

На фиг. 2 представлена схема поперечного сечения двух длинных (размер больше джозефсоновской длины λJ джозефсоновских переходов (используемых в качестве двух ДПЛ, образующих интерферометрическую схему), связанных с объектом исследований предложенным симметричным образом, причем S здесь обозначает сверхпроводник, I - изолятор, черные стрелки показывают направление течения тока, индуцированного магнитным полем объекта исследования, красные стрелки - направления распространения флаксонов.

На фиг. 3 изображена джозефсоновская передающая линия, выполненная в виде цепочки из слоистых тонкопленочных структур, связанных сверхпроводящими соединительными линиями, при этом тонкопленочная структура содержит нанесенный на подложку нижний сверхпроводящий электрод, слой изолятора, верхний сверхпроводящий электрод с токоподводами.

На фиг. 4 представлена зависимость разницы между моментами выхода флаксонов из ДПЛ в приемник одноквантовых импульсов со схемой сравнения (компаратором) как функция нормированной величины тока задания рабочей точки, подводимого к верхним электродам джозефсоновских передающих линий для патентуемого флаксонного баллистического детектора (результаты аналитического и численного расчета 101 и 102) и предложенной ранее интерферометрической схемы без дополнительной симметризации (положительная и отрицательная полярности поля от объекта исследования 103 и 104).

На фиг. 5 изображена зависимость отношения сигнал-шум как функция нормированной величины тока задания рабочей точки, подводимого к верхним электродам джозефсоновских передающих линий для патентуемого флаксонного баллистического детектора (результаты аналитического и численного расчета 101 и 102) и предложенной ранее интерферометрической схемы без дополнительной симметризации (положительная и отрицательная полярности поля от объекта исследования 103 и 104).

На фиг. 6 приведена зависимость от времени магнитного потока, оказывающего обратное влияние на объект измерений, для патентуемого флаксонного баллистического детектора (107) и предложенной ранее интерферометрической схемы без дополнительной симметризации (отрицательная и положительная полярности поля от объекта исследования 105 и 106).

Позициями на чертежах обозначены: 1 - генератор одноквантовых импульсов; 2 и 3 - джозефсоновские передающие линии; 4 - объект исследования; 5 - сверхпроводящая перемычка; 6 - область пространства, в которой локализованы поля, реализующие магнитную связь, между объектом исследования и сверхпроводящей перемычкой детектора; 7 - приемник одноквантовых импульсов со схемой сравнения, 8 - нижний сверхпроводящий электрод; 9 - слой изолятора; 10 - верхний сверхпроводящий электрод; 11 - слоистая тонкопленочная джозефсоновская структура; 12 - токоподводы; 13 - сверхпроводящие соединительные линии.

Осуществление изобретения.

Детектор (см. фиг. 1 и фиг. 2) содержит две джозефсоновские передающие линии (2 и 3), образующие два параллельных пути, по которым джозефсоновские вихри (флаксоны), одновременно выходя из генератора одноквантовых импульсов (1), двигаются к приемнику одноквантовых импульсов со схемой сравнения (7). Рассеяние каждого из флаксонов на токовом диполе, индуцированном магнитным полем объекта исследований (4), создает измеряемую временную задержку между моментами выхода флаксонов из джозефсоновских передающих линий. Измеренная задержка дает информацию о состоянии объекта исследований. Эти измерения могут быть сделаны практически неразрушающими состояние квантовой системы, выступающей в качестве объекта исследований, если согласовать частоту измерений с собственной частотой объекта исследований (в случае использования детектора в квантовых системах обработки информации). Идея заявляемой симметризации схемы заключается в том, что оба флаксона рассеиваются на токовых неоднородностях и при этом каждый флаксон рассеивается только на одном полюсе диполя. Это может быть обеспечено путем присоединения петли связи к обеим джозефсоновским линиям детектора, как показано на фиг. 1 и 2.

На фиг. 3 показано, как может быть выполнена джозефсоновская передающая линия на основе цепочки сосредоточенных (размер много меньше джозефсоновской длины λJ) элементов, что должно упростить сопряжение этой линии с генератором и приемником одноквантовых импульсов.

На фиг. 4 и 5 продемонстрировано, как сигнал на выходе детектора и соотношение сигнал-шум для устройства зависят от нормированной величины тока задания рабочей точки; показано, что для заявляемого флаксонного баллистического детектора соотношение сигнал-шум в несколько раз больше, чем для предложенной ранее интерферометрической схемы без дополнительной симметризации.

На фиг. 5 представлена зависимость от времени магнитного потока, оказывающего обратное влияние на объект измерений, которая рассчитывалась как свертка магнитного потока джозефсновского вихря (флаксона) и функций, описывающих геометрию магнитной связи объекта измерений с детектором. Показано, что величина обратного влияния для заявляемого флаксонного баллистического детектора в несколько раз меньше, чем для предложенной ранее интерферометрической схемы, в которой объект исследования взаимодействует только с одной джозефсоновской передающей линией.

Приведенные выше источники подтверждают обоснованность и актуальность подхода к реализации сверхпроводниковых детекторов. Технологическая применимость: для реализации заявляемого устройства могут быть использованы материалы, применяемые в криоэлектронной технике и известные специалистам. В качестве подложки, на которой расположены все элементы детектора, могут быть использованы любые стандартные подложки (кремний, сапфир и пр.). В качестве материала для слоя изолятора - оксид алюминия. В качестве материала для сверхпроводящих электродов - ниобий, нитрид ниобия, ванадий, индий, олово, свинец. Типичные толщины слоев для патентуемой топологии находятся в диапазоне технологически осуществимых для тонкопленочной электроники. В качестве генератора и приемника одноквантовых импульсов можно использовать устройства быстрой одноквантовой логики (К.К. Likharev, V.K. Semenov // IEEE Trans. Appl. Supercond. 1991, 1. P. 3), хорошо известные из уровня техники и позволяющие генерировать с нужной надежностью флаксоны, а также фиксировать с нужной точностью разницу между временами прохождения флаксонов по джозефсоновской передающей линии (Terai H., Yamashita T., Miki S., et al. // Opt. Express. 2012. 20, N. 18, P. 20115).


ФЛАКСОННЫЙ БАЛЛИСТИЧЕСКИЙ ДЕТЕКТОР
ФЛАКСОННЫЙ БАЛЛИСТИЧЕСКИЙ ДЕТЕКТОР
ФЛАКСОННЫЙ БАЛЛИСТИЧЕСКИЙ ДЕТЕКТОР
ФЛАКСОННЫЙ БАЛЛИСТИЧЕСКИЙ ДЕТЕКТОР
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-9 of 9 items.
10.01.2014
№216.012.95d3

Сверхпроводящий прибор джозефсона и способ его изготовления

Использование: при производстве сверхпроводниковых интегральных схем (СПИС) различного назначения. Сущность изобретения: СПД на основе многослойной тонкопленочной гетероструктуры содержит два слоя сверхпроводника, образующих электроды, и прослойку с металлической проводимостью между ними из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504049
Дата охранного документа: 10.01.2014
27.01.2014
№216.012.9cb5

Кантилевер с одноэлектронным транзистором для целей зондовой микроскопии

Зонд для сканирующего зондового микроскопа включает размещенный на острие кантилевера зарядовый сенсор в виде одноэлектронного транзистора, выполненного в слое кремния, допированном примесью до состояния вырождения, структуры кремний-на-изоляторе (КНИ) на подложке. Транзистор имеет два...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002505823
Дата охранного документа: 27.01.2014
13.01.2017
№217.015.829a

Джозефсоновский магнитный поворотный вентиль

Использование: для создания джозефсоновского магнитного поворотного вентиля. Сущность изобретения заключается в том, что джозефсоновский магнитный поворотный вентиль включает два сверхпроводящих электрода с токоподводами и область слабой связи между ними в виде тонкопленочной слоистой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601775
Дата охранного документа: 10.11.2016
25.08.2017
№217.015.cab9

Джозефсоновский фазовый доменный вентиль (варианты)

Использование: для создания элементов быстрой криогенной памяти. Сущность изобретения заключается в том, что джозефсоновский фазовый доменный вентиль включает два расположенных на подложке друг под другом сверхпроводящих электрода с токоподводами и область слабой связи между ними в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620027
Дата охранного документа: 22.05.2017
25.08.2017
№217.015.cd2c

Способ изготовления элементов с наноструктурами для локальных зондовых систем

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для изготовления функциональных элементов наноэлектроники. Техническим результатом является возможность совмещения острия зонда с выполняемой на нем наноструктурой на предопределенных расстояниях 0-50 нм от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619811
Дата охранного документа: 18.05.2017
25.08.2017
№217.015.ce43

Сверхпроводящая квантовая решетка на основе скиф-структур

Изобретение относится к криогенной радиоэлектронике, в том числе к активным широкополосным устройствам, и может быть использовано для приема и усиления электромагнитных сигналов в диапазоне частот от единиц герц до 10 ГГц. Сверхпроводящая квантовая решетка на основе СКИФ-структур содержит две...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620760
Дата охранного документа: 29.05.2017
20.11.2017
№217.015.efd8

Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на кварцевой подложке

Изобретение относится к криогенной технике и может быть использовано для изготовления высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) проводов нового поколения. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на аморфной кварцевой подложке...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629136
Дата охранного документа: 24.08.2017
29.12.2017
№217.015.f061

Способ сухой электронно-лучевой литографии

Использование: для формирования резистных масок. Сущность изобретения заключается в том, что наносят слой резиста, в качестве которого выбирают низкомолекулярный полистирол, на подложку методом термического вакуумного напыления, при этом температура подложки во время напыления не более 30°C;...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629135
Дата охранного документа: 24.08.2017
13.02.2018
№218.016.1f7d

Высокотемпературная сверхпроводящая пленка на кристаллической кварцевой подложке и способ ее получения

Изобретение относится к криогенной технике и может быть использовано в технологии высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) проводов нового поколения (с использованием гибких диэлектрических носителей) с применениями как в сильноточной сверхпроводниковой технике (например, сверхпроводящие...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641099
Дата охранного документа: 16.01.2018
Showing 1-10 of 160 items.
10.01.2014
№216.012.95d3

Сверхпроводящий прибор джозефсона и способ его изготовления

Использование: при производстве сверхпроводниковых интегральных схем (СПИС) различного назначения. Сущность изобретения: СПД на основе многослойной тонкопленочной гетероструктуры содержит два слоя сверхпроводника, образующих электроды, и прослойку с металлической проводимостью между ними из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504049
Дата охранного документа: 10.01.2014
27.01.2014
№216.012.9cb5

Кантилевер с одноэлектронным транзистором для целей зондовой микроскопии

Зонд для сканирующего зондового микроскопа включает размещенный на острие кантилевера зарядовый сенсор в виде одноэлектронного транзистора, выполненного в слое кремния, допированном примесью до состояния вырождения, структуры кремний-на-изоляторе (КНИ) на подложке. Транзистор имеет два...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002505823
Дата охранного документа: 27.01.2014
10.05.2015
№216.013.4a8b

Способ определения следовых компонентов методом лазерно-искровой эмиссионной спектроскопии

Изобретение относится к аналитической атомной спектрометрии и может быть использовано в спектральном анализе для экспрессного способа определения элементного состава вещества. Способ основан на действии двух последовательных коллинеарных лазерных импульсов, направленных в одну точку поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550590
Дата охранного документа: 10.05.2015
20.05.2015
№216.013.4b9f

Способ синтеза сополимеров акрилонитрила с акриловой кислотой

Изобретение относится к получению сополимеров акрилонитрила, которые широко используются в производстве углеродного волокна. Способ синтеза сополимеров, содержащих мономерные звенья акрилонитрила и акриловой кислоты, включает смешение мономеров в среде растворителя с добавлением инициатора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550873
Дата охранного документа: 20.05.2015
10.06.2015
№216.013.5153

Наночастицы антиоксидантного фермента супероксиддисмутазы в виде полиэлектролитного комплекса состава фермент-поликатион-полианион и способ их получения

Изобретение относится к химической энзимологии, в частности к созданию наночастиц антиоксидантного фермента супероксиддисмутазы для медицинского применения в виде полиэлектролитного комплекса типа фермент/поликатион/полианион, характеризующихся тем, что фермент покрыт внутренней оболочкой из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002552340
Дата охранного документа: 10.06.2015
20.06.2015
№216.013.55a7

Катализатор паровой конверсии углеводородов и способ его получения

Изобретение относится к области химии и химической технологии, а именно, к процессам переработки газообразного углеводородного сырья и получения технического водорода для химической, металлургической, автомобильной, авиационной и прочих отраслей промышленности, научных исследований, точного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002553457
Дата охранного документа: 20.06.2015
20.06.2015
№216.013.55aa

Катодные материалы для твердооксидных топливных элементов на основе никельсодержащих слоистых перовскитоподобных оксидов

Изобретение относится к катодному материалу для твердооксидного топливного элемента (ТОТЭ) на основе никельсодержащих перовскитоподобных слоистых оксидов. При этом в качестве перовскитоподобного оксида взято соединение с общей формулой PrSrNiCoO, где 0.0
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002553460
Дата охранного документа: 20.06.2015
27.06.2015
№216.013.5810

Способ нагрева электродов и создания самостоятельного дугового разряда с поджигом от тонкой металлической проволочки в свободном пространстве в магнитном поле

Изобретение относится к области исследования физических свойств вещества, в частности к исследованию процессов в газоразрядных приборах и плазме. Технический результат - возможность зажигания самостоятельного дугового разряда в открытом свободном пространстве. Между электродами при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554085
Дата охранного документа: 27.06.2015
27.06.2015
№216.013.59ae

Способ определения катехоламинов и их метаболитов с использованием твердофазного флуоресцентного биосенсора

Изобретение относится к области медицины и может быть применено для определения катехоламинов их метаболитов в объектах на основе матриц сложного состава, в том числе нерастворимых в воде, без их дополнительной пробоподготовки. Способ осуществляют путем изменения принципиальной схемы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554499
Дата охранного документа: 27.06.2015
27.06.2015
№216.013.59af

Способ лечения ишемического инсульта

Группа изобретений относится к медицине, а именно к неврологии, и касается лечения ишемического инсульта. Для этого осуществляют инъекционное, преимущественно внутривенное, введение убидекаренона. Такое введение препарата обеспечивает уменьшение зоны поражения ткани мозга и уменьшение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554500
Дата охранного документа: 27.06.2015
+ добавить свой РИД