×
20.06.2016
217.015.039d

ТОНКОПЛЕНОЧНОЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО СО СБАЛАНСИРОВАННЫМИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ р- И n-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЕТВЕЙ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, в частности к устройствам для охлаждения компьютерных процессоров. Техническим результатом является повышение эффективности системы охлаждения. Тонкопленочное термоэлектрическое устройство со сбалансированными электрофизическими параметрами p- и n-полупроводниковых ветвей выполнено в виде термоэлектрического устройства, причем полупроводниковые ветви p- и n- типа изготавливаются в виде параллелепипедов с различными геометрическими размерами, а сам термомодуль изготовлен в виде тонкой пленки на обратной стороне кристалла компьютерного процессора для интенсификации процесса теплопереноса через подложку на теплоотвод, в результате чего джоулевые тепловыделения становятся практически несущественными, а также достигается идентичность сопротивлений полупроводниковых ветвей. 1 ил.
Основные результаты: Тонкопленочное термоэлектрическое устройство со сбалансированными электрофизическими параметрами p- и n-полупроводниковых ветвей, выполненное в виде термоэлектрического устройства, отличающееся тем, что полупроводниковые ветви p- и n-типа изготавливаются в виде параллелепипедов с различными геометрическими размерами, а сам термомодуль изготовлен в виде тонкой пленки на обратной стороне кристалла компьютерного процессора для интенсификации процесса теплопереноса через подложку на теплоотвод, в результате чего джоулевые тепловыделения становятся практически несущественными, а также достигается идентичность сопротивлений полупроводниковых ветвей.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, например к устройствам для охлаждения компьютерных процессоров.

Известен способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов [1], в котором используются полупроводниковые ветви p- и n-типа с одинаковыми геометрическими размерами. Однако электрические параметры полупроводников различного типа отличаются и это приводит к различным значениям падения напряжения на ветвях различного типа проводимости. В свою очередь это приводит к тому, что полупроводниковые ветви различного типа не могут достичь оптимальных параметров одновременно, что ухудшает параметры термоэлектрического устройства в целом.

Цель изобретения - повышение эффективности системы охлаждения.

Это достигается тем, что полупроводниковые ветви p- и n-типа изготавливаются в виде параллелепипедов с различными геометрическими размерами.

На фиг.1 представлена конструкция термоэлектрического устройства со сбалансированными электрофизическими параметрами p- и n-полупроводниковых ветвей.

На подложке 1 расположены холодные спаи 2, соединяющиеся с горячими спаями 3 через полупроводники p-типа 4 и n-типа 5. Высота тонкопленочных ветвей и ширина одинакова для полупроводников p- и n-типа, а длина отличается на величину, обратно пропорциональную удельному сопротивлению полупроводниковых материалов различного типа. Топология размещения ветвей зеркальна в четных и нечетных рядах термоэлектрического устройства.

Изготовление термоэлектрического устройства в виде тонкой пленки позволяет значительно уменьшить сопротивление полупроводниковых пленок за счет уменьшения толщины, что приводит к тому, что джоулевые тепловыделения становятся практически несущественными, при этом термоэлектрические явления полностью сохраняются. Кроме того, тепло от источника беспрепятственно кондуктивно проходит в окружающую среду за счет малой толщины пленки и ее высокой теплопроводности. В этих условиях особенно ценно достижение идентичности сопротивлений полупроводниковых ветвей p- и n-типа.

Использование представленного устройства позволит повысить эффективность теплопередачи и значительно уменьшить габариты системы теплоотвода, а также тем самым увеличить интенсивность работы систем охлаждения. Целесообразно размещать тонкопленочное термоэлектрическое устройство со сбалансированными электрофизическими параметрами p- и n-полупроводниковых ветвей между полупроводниковым кристаллом компьютерного процессора и подложкой для интенсификации процесса теплопереноса от нагретых компонентов через подложку и корпус на теплоотвод.

Литература

1. Исмаилов Т.А. Термоэлектрические полупроводниковые устройства и интенсификаторы теплопередачи. - СПб.: Политехника, 2005.

Тонкопленочное термоэлектрическое устройство со сбалансированными электрофизическими параметрами p- и n-полупроводниковых ветвей, выполненное в виде термоэлектрического устройства, отличающееся тем, что полупроводниковые ветви p- и n-типа изготавливаются в виде параллелепипедов с различными геометрическими размерами, а сам термомодуль изготовлен в виде тонкой пленки на обратной стороне кристалла компьютерного процессора для интенсификации процесса теплопереноса через подложку на теплоотвод, в результате чего джоулевые тепловыделения становятся практически несущественными, а также достигается идентичность сопротивлений полупроводниковых ветвей.
ТОНКОПЛЕНОЧНОЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО СО СБАЛАНСИРОВАННЫМИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ р- И n-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЕТВЕЙ
ТОНКОПЛЕНОЧНОЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО СО СБАЛАНСИРОВАННЫМИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ р- И n-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЕТВЕЙ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 31-40 of 135 items.
27.11.2014
№216.013.0bc9

Способ защиты p-n переходов на основе окиси титана

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов. Изобретение обеспечивает сокращение длительности процесса. В способе защиты поверхности р-n переходов процесс ведут в печи вакуумным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534425
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bca

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ. Сущность: поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534426
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd1

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности теплоотдачи коммутационных пластин ТЭБ. Сущность: ветви термоэлементов установлены наклонно в одной из координатных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534433
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd2

Способ выявления дефектов на полупроводниковой пластине

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к процессам обработки поверхности подложек для выявления дефектов линий скольжения. Изобретение позволяет получить однородную и ненарушенную поверхность подложек, снизить температуру и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534434
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd4

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534436
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd6

Способ защиты поверхности p-n переходов на основе ванадия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты поверхности p-n...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534438
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd7

Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения. В способе присоединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534439
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd8

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534440
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd9

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534441
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bdc

Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед процессом напыления. Изобретение обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин, уменьшение времени...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534444
Дата охранного документа: 27.11.2014
Showing 31-40 of 144 items.
10.09.2015
№216.013.78c8

Термоэлектрическое устройство для косметологических процедур на лицо человека

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для косметологических процедур на лицо человека содержит теплоконтактную пластину, систему теплоотвода и термоэлементы, подключенные к управляемому источнику постоянного тока. Теплоконтактная пластина выполнена в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562509
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.78c9

Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека содержит температурный раздражитель. Термоэлектрические модули температурного раздражителя встроены в гибкое эластичное основание с отверстиями для их установки и подключены к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562510
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.78cb

Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека содержит температурный раздражитель. Термоэлектрические модули температурного раздражителя встроены в гибкое эластичное основание с отверстиями для их установки и подключены к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562512
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.78cc

Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека содержит температурный раздражитель. Термоэлектрические модули температурного раздражителя встроены в гибкое эластичное основание с отверстиями для их установки и подключены к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562513
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.79af

Способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки

Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки включает обработку поверхности кремниевых подложек, поверхность подложки подвергается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562740
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.79b1

Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов на основе применения полупроводниковых лазеров

Использование: для охлаждения и теплоотвода, например охлаждения компонентов компьютерной техники. Сущность изобретения заключается в том, что способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов на основе применения полупроводниковых лазеров заключается в применении термомодуля,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562742
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.79b3

Светотиристор

Изобретение относится к активным электронным компонентам. Согласно изобретению в отличие от обычного светотранзистора с одним излучающим p-n-переходом в светотиристоре в открытом состоянии два перехода являются излучающими, а один переход поглощает тепловую энергию. При этом происходит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562744
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.79b5

Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде электромагнитной энергии на основе туннельных диодов

Изобретение относится к способам охлаждения и теплоотвода от тепловыделяющих электронных компонентов. В способе отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов использовано термоэлектрическое устройство, состоящее из термомодуля, примыкающего холодными спаями к электронному компоненту,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562746
Дата охранного документа: 10.09.2015
20.10.2015
№216.013.83f1

Метод обработки поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин для формирования активных областей

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к обработке поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин от различных видов загрязнений для формирования активных областей. Изобретение обеспечивает полное удаление органических и механических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002565380
Дата охранного документа: 20.10.2015
20.10.2015
№216.013.8480

Устройство охлаждения на основе нанопленочных термомодулей

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, например, к устройствам для охлаждения электронных компонентов. Техническим результатом является повышение эффективности системы охлаждения. Термоэлектрическое устройство выполнено в виде многослойного термомодуля, в котором в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002565523
Дата охранного документа: 20.10.2015
+ добавить свой РИД