×
10.08.2016
216.015.5500

СВЕТОТРАНЗИСТОР С ДВУМЯ ИЗЛУЧАЮЩИМИ ПЕРЕХОДАМИ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Использование: для отвода тепла от электронных компонентов. Сущность изобретения заключается в том, что светотранзистор с двумя излучающими переходами выполнен в виде биполярного транзистора с р-n-р или n-p-n-структурой, где оба перехода сформированы в виде светоизлучающих, а сам транзистор включается по схеме с общей базой, причем оба источника питания для базы - эмиттера и базы - коллектора подключаются таким образом, что оба р-n-перехода могут быть одновременно открыты или закрыты, причем в транзисторе возникает дополнительное усиление за счет повышения проводимости полупроводниковых материалов при поглощении фотонов, излучаемых р-n-переходами. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения тепловыделений биполярных транзисторов. 1 ил.
Основные результаты: Светотранзистор с двумя излучающими переходами, выполненный в виде биполярного транзистора с р-n-р или n-p-n-структурой, отличающийся тем, что в отличие от обычного светотранзистора с одним излучающим р-n-переходом, оба перехода сформированы в виде светоизлучающих, а сам транзистор включается по схеме с общей базой, причем оба источника питания для базы - эмиттера и базы - коллектора подключаются таким образом, что оба р-n-перехода могут быть одновременно открыты или закрыты, причем в транзисторе возникает дополнительное усиление за счет повышения проводимости полупроводниковых материалов при поглощении фотонов, излучаемых р-n-переходами.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем.

Известен способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения [1], в котором используется светотранзистор с одним излучающим переходом, предназначенным для преобразования в излучение избыточной энергии электронов при прохождении р-n-переходов.

Цель изобретения - уменьшение тепловыделений биполярных транзисторов.

Это достигается тем, что в отличие от обычного светотранзистора с одним излучающим р-n-переходом, оба перехода сформированы в виде светоизлучающих, а сам транзистор включается по схеме с общей базой, причем оба источника питания для базы - эмиттера и базы - коллектора подключаются таким образом, что оба p-n-перехода могут быть одновременно открыты или закрыты. Если электрон проходит через р-n-переход с уменьшением энергии, то эта энергия выделится в виде излучения, а если с увеличением энергии, то теплота поглощается на этом переходе. При открывании p-n-переходов и генерации фотонов, возникает также и обратный эффект с поглощением фотонов в полупроводниковых материалах p-n-переходов и увеличением проводимости за счет генерации электронов и дырок, что в свою очередь приводит к дополнительному усилению тока в транзисторе, причем быстродействие процесса соразмерно скорости света.

На фиг.1 изображены биполярные транзисторы с p-n-р- и n-p-n-структурами, в которых оба перехода являются излучающими. На фиг.1, а светотранзистор излучает фотоны с обоих р-n-переходов, т.к. источники питания подключены таким образом, что оба перехода открыты и происходит испускание фотонов с частичным их поглощением в полупроводниковых материалах и усилением тока базы за счет увеличения проводимости. На фиг. 1, b приведена работа светотранзистора при подаче на базу запирающего потенциала большего, чем на коллекторе или эмиттере и возникновение охлаждающего эффекта Пельтье с поглощением тепла на обоих p-n-переходах.

На фиг. 1, с и d приведены аналогичные режимы для n-p-n-транзисторов. Таким образом, в открытом состоянии светотранзистор с двумя излучающими переходами с усилением передает цифровую информацию с высоким быстродействием по оптическому каналу. А в закрытом состоянии осуществляет охлаждение, позволяющее в конечном итоге увеличить степень интеграции сверхбольших интегральных схем и повысить энергосбережение за счет исключения дополнительных внешних систем теплоотвода.

Светотранзистор изготавливается из фосфида галлия (GaP), нитрида галлия (GaN), карбида кремния (SiC) или других подобных материалов.

Разработанный светотранзистор с двумя излучающими переходами позволяет повысить производительность цифровой техники при одновременном снижении энергетических затрат.

Литература

1. Светотранзистор: пат. 2487436 Рос. Федерация: МПК H01L 23/38; H01L 29/70 / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А.; заявитель и патентообладатель ГОУ ВПО «Дагестанский государственный технический университет». - №2012103813/28; заявл. 03.02.2012, опубл. 10.07.2013, Бюл. №19.

Светотранзистор с двумя излучающими переходами, выполненный в виде биполярного транзистора с р-n-р или n-p-n-структурой, отличающийся тем, что в отличие от обычного светотранзистора с одним излучающим р-n-переходом, оба перехода сформированы в виде светоизлучающих, а сам транзистор включается по схеме с общей базой, причем оба источника питания для базы - эмиттера и базы - коллектора подключаются таким образом, что оба р-n-перехода могут быть одновременно открыты или закрыты, причем в транзисторе возникает дополнительное усиление за счет повышения проводимости полупроводниковых материалов при поглощении фотонов, излучаемых р-n-переходами.
СВЕТОТРАНЗИСТОР С ДВУМЯ ИЗЛУЧАЮЩИМИ ПЕРЕХОДАМИ
СВЕТОТРАНЗИСТОР С ДВУМЯ ИЗЛУЧАЮЩИМИ ПЕРЕХОДАМИ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 41-50 of 135 items.
27.11.2014
№216.013.0bde

Способ очистки кварцевой трубы

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Изобретение обеспечивает полное удаление различных загрязнений с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534446
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0be1

Способ формирования контакта к коллекторной области кремниевого транзистора

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает уменьшение температуры посадки кристалла на основание корпуса, повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и применение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534449
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0c1c

Конденсационный шкаф рэа

Изобретение относится к системам отвода тепла от компьютерного оборудования, смонтированного внутри серверных или монтажных шкафов, в частности к конденсационному шкафу. Технический результат - обеспечение эффективности отвода тепла из объема шкафа. Достигается тем, что в конденсационном шкафу,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534508
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0c53

Способ нанесения стекла

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности кристаллов p-n переходов от различных внешних воздействий. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и снижение проникновения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534563
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0dd1

Устройство для охлаждения компьютерного процессора с применением возгонки

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться для нормализации температуры процессоров современных компьютеров. Техническим результатом является повышение эффективности охлаждения компьютерного процессора. Устройство содержит систему отвода тепла от компьютерного процессора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534954
Дата охранного документа: 10.12.2014
20.12.2014
№216.013.104f

Способ интенсификации теплообмена в тепловой трубе

Изобретение относится к методам отвода тепла от компонентов радиоэлектроники с высокой мощностью тепловыделений, в частности к охлаждению с применением тепловой трубы, и может использоваться в различных областях электронной промышленности. Согласно изобретению, в способе, состоящем в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535597
Дата охранного документа: 20.12.2014
27.01.2015
№216.013.2105

Термоэлектрический массажер

Изобретение относится к медицине, в частности к терапевтическим устройствам, предназначенным для стимуляции роста волос и лечения заболеваний кожи волосистой части головы. Термоэлектрический массажер состоит из алюминиевого корпуса с ручкой, в которой выполнены полость для размещения источника...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539901
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.02.2015
№216.013.21cc

Способ стерилизации персиков в персиковом соке с мякотью

Изобретение относится к пищевой промышленности. Способ включает трехступенчатый нагрев консервов в воде температурой 60, 80 и 100°C соответственно 5, 5 и 15-20 мин с последующим трехступенчатым охлаждением в воде в течение 5, 5 и 7 мин, при этом нагрев и охлаждение при температурах воды 60 и 80...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540105
Дата охранного документа: 10.02.2015
20.02.2015
№216.013.2b7e

Способ формирования эмиттерной области транзистора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и, в частности, может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур. Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника включает формирование диффузионных кремниевых структур...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542591
Дата охранного документа: 20.02.2015
20.02.2015
№216.013.2b7f

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542592
Дата охранного документа: 20.02.2015
Showing 41-50 of 144 items.
10.11.2015
№216.013.8bd6

Способ получения истоковой области силового транзистора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и мощных кремниевых транзисторов, в частности к способу формирования истоковой области силового транзистора. Техническим результатом изобретения является оптимизация процесса формирования истоковой области кремниевой транзисторной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567405
Дата охранного документа: 10.11.2015
27.12.2016
№216.013.9e6a

Термоэлектрическое устройство для проведения косметических процедур на лице

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к термоэлектрическим устройствам для проведения косметических процедур на лице. Устройство содержит теплоконтактную пластину, систему теплоотвода, термоэлементы и управляемый источник постоянного тока, подключенный к термоэлементам, при этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002572184
Дата охранного документа: 27.12.2015
27.03.2016
№216.014.c7c6

Термоэлектрическое устройство для проведения косметических процедур на лице

Изобретение относится к медицине и медицинской технике, а именно к термоэлектрическим устройствам для проведения косметических процедур на лице. Устройство содержит теплоконтактную пластину, систему теплоотвода, термоэлементы и управляемый источник постоянного тока, подключенный к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002578815
Дата охранного документа: 27.03.2016
27.03.2016
№216.014.c945

Термоэлектрическое устройство для проведения косметических процедур на лице

Изобретение относится к медицине и предназначено для проведения косметических процедур. Термоэлектрическое устройство для проведения косметических процедур на лице содержит теплоконтактную пластину, систему теплоотвода, термоэлементы и управляемый источник постоянного тока, подключенный к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002578808
Дата охранного документа: 27.03.2016
20.02.2016
№216.014.ce4f

Термоэлектрический генератор с высоким градиентом температур между спаями

Изобретение относится к области термоэлектричества и может быть использовано в термоэлектрических генераторах. Технический результат: повышение эффективности за счет уменьшения кондуктивных паразитных потерь между горячими и холодными спаями, уменьшением паразитных джоулевых тепловыделений и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575614
Дата охранного документа: 20.02.2016
20.02.2016
№216.014.ceab

Термоэлектрическое устройство с тонкопленочными полупроводниковыми ветвями и увеличенной поверхностью теплоотвода

Изобретение относится к термоэлектрическим устройствам теплообмена. Технический результат: повышение эффективности устройства за счет уменьшения кондуктивных паразитных потерь между горячими и холодными спаями. Сущность: полупроводниковые ветви p-типа расположены в одной плоскости, а все ветви...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575618
Дата охранного документа: 20.02.2016
20.02.2016
№216.014.e83c

Способ опреснения морской воды при помощи тонкопленочного полупроводникового термоэлектрического теплового насоса цилиндрической формы

Изобретение относится к способам опреснения морской воды. Способ опреснения морской воды при помощи тонкопленочного полупроводникового термоэлектрического теплового насоса цилиндрической формы включает использование предварительного теплообмена для подогрева морской воды, предназначенной для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575650
Дата охранного документа: 20.02.2016
20.02.2016
№216.014.e8b5

Способ формирования активной p- области солнечных элементов

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной p-области солнечных элементов включает процесс диффузии бора с применением жидкого источника - треххлористого бора (BCl). В качестве источника диффузанта используется жидкий источник - треххлористый бор (BCl) при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575613
Дата охранного документа: 20.02.2016
20.06.2016
№217.015.02e6

Способ производства компота из айвы

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способам производства компота из айвы в банках СКО 1-82-3000. Способ характеризуется тем, что плоды после расфасовки в банки заливают на 2-3 мин водой температурой 85°C, повторно заливают на 2-3 мин водой температурой 95°C, после...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587579
Дата охранного документа: 20.06.2016
20.06.2016
№217.015.0340

Способ производства компота из персиков с косточками

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства компота из персиков с косточками. Способ характеризуется тем, что банки с расфасованными в них плодами перед заливкой сиропа обрабатывают СВЧ-полем с частотой 2400±50 МГц в течение 1,0-1,5 мин. Затем заливают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587585
Дата охранного документа: 20.06.2016
+ добавить свой РИД