×
20.08.2016
216.015.4b43

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАТВОРНОЙ ОБЛАСТИ СИЛОВОГО ТРАНЗИСТОРА

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к способу формирования затворной области силового транзистора, включающему диффузию бора из твердого планарного источника. Сущность способа заключается в том, что формируют диффузионную кремниевую структуру с использованием твердого планарного источника бора, процесс проводят на этапе загонки при температуре 900°C при соотношении компонентов О=70±0,5 л/ч, N=950 л/ч, H=10 л/ч и времени, равном 6 минут, и на этапе разгонки при температуре 1250°C при расходах газов О=70±0,5 л/ч и N=950 л/ч и времени разгонки, равном 4 часа. Изобретение обеспечивает уменьшение температуры и времени проведения процесса получения затворной области силового транзистора, точное регулирование глубины диффузионного слоя и получение глубины слоя 7 мкм.
Основные результаты: Способ формирования затворной области силового транзистора, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника бора, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: О=70±0,5 л/ч; N=950 л/ч; Н=10 л/ч и времени, равном 6 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1250°C при следующем расходе газов: О=70±0,5 л/ч; N=950 л/ч и времени разгонки, равном 4 ч.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к способу формирования затворной области силового транзистора, включающему диффузию бора из твердого планарного источника. Способ диффузии бора из твердого планарного источника включает формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника бора. Процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: О2=70±0,5 л/ч; N2=950 л/ч; Н2=10 л/ч и времени, равном 6 минутам; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1250°C при следующем расходе газов: O2=70±0,5 л/ч; N2=950 л/ч и времени разгонки, равном 4 часам.

Известны способы диффузии бора из жидких источников: трехбромистый бор (BBr3) и трихлорид бора (BCl3), при которых глубина диффузии бора незначительна при длительностях процесса 150-170 часов [1].

Известен способ диффузии бора из твердого планарного источника, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника бора. Процесс проводят при температуре 1000°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: О2=37,8±0,5 л/ч; N2=740 л/ч; Н2=7,5 л/ч и времени, равном 60 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1150°C при следующем расходе газов: О2=37,8±0,5 л/ч; N2=740 л/ч и времени разгонки, равном 160 ч [2].

Недостатком этих способов являются длительные временные режимы, при которых нарушается поверхность пластин, не обеспечивается точное регулирование глубины диффузии, появляются различные примеси, влияющие на качество процесса.

Техническим результатом изобретения является уменьшение температуры и времени проведения процесса получения затворной области силового транзистора, обеспечение точного регулирования глубины диффузионного слоя, получение глубины 7 мкм.

Технический результат достигается проведением процесса с использованием твердого планарного источника бора (ТПИ), при следующем соотношении компонентов: О2=70±0,5 л/ч; N2=950 л/ч; Н2=10 л/ч и времени, равном 6 минутам, при температуре процесса 900°C на этапе загонки, при расходах газов О2=70±0,5 л/ч и N2=950 л/ч, и времени разгонки, равном 4 часам, при температуре Т=1250°C на этапе разгонки бора.

Сущность способа заключается в том, что на поверхности кремниевой подложки образуется слой боросиликатного стекла при температуре 1000°C, за счет реакций между твердым планарным источником бора с кислородом и азотом, далее проводят процесс разгонки в карбидкремниевой трубе при температуре 1000°C, при расходах: кислорода О2=70±0,5 л/ч и азота N2=950 л/ч. Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления на установке FPP-5000 и определения глубины диффузионного слоя методом косого шлифа [1]. Поверхностное сопротивление для диффузионных кремниевых структур должно быть равным RS=0,6 Ом/см.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; Н2=8 л/ч и с твердого планарного источника, времени загонки бора - 30 минут при температуре 900°C, поверхностное сопротивление RS=0,3±0,l Ом/см.

На этапе разгонки бора процесс проводят при температуре Т=1050°C, при расходах газов: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч и времени разгонки 50 часов.

Контроль проводят на установке FPP-5000, и глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,105±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии xJ=28 мкм.

ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; Н2=8 л/ч и с твердого планарного источника. Время загонки бора 50 минут при температуре 980°C, поверхностное сопротивление RS=0,48±0,l Ом/см.

На этапе разгонки бора процесс проводят при температуре 1100°C при расходах газов: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч и времени разгонки 70 часов.

Контроль проводят на установке FPP-5000, а глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,20±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии - 68 мкм.

ПРИМЕР 3: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки стадии: О2=70±0,5 л/ч; N2=950 л/ч; Н2=10 л/ч и с твердого планарного источника (ТЛИ). Время загонки бора 6 минут при температуре 900°C, поверхностное сопротивления RS=0,6±0,l Ом/см.

На этапе разгонки бора процесс проводят при температуре 1250°C при расходах газов: О2=70±0,5 л/ч; N2=950 л/ч и времени разгонки 4 часа.

Контроль проводят на установке FPP-5000, и глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,6±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии - 7 мкм.

Оптимальное расстояние между твердым планарным источником и кремниевыми структурами равно 230 мкм.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет проводить процесс разгонки при температуре 1250°C, при этом не нарушается поверхность пластин, практически отсутствуют примеси, обеспечивается точное регулирование глубины диффузионного слоя и получение глубины 7 мкм за меньшее время - 4 часа.

Литература

1. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. Москва, «Радио и связь», 1991 г., стр. 128.

2. Патент №2359355, H01L 21/225, 20.06.2009.

Способ формирования затворной области силового транзистора, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника бора, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: О=70±0,5 л/ч; N=950 л/ч; Н=10 л/ч и времени, равном 6 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1250°C при следующем расходе газов: О=70±0,5 л/ч; N=950 л/ч и времени разгонки, равном 4 ч.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 71-80 of 176 items.
27.01.2015
№216.013.217f

Штамм дрожжей saccharomyces cerevisiae вкпм y-3973 для получения плодово-ягодных вин

Изобретение относится к винодельческой промышленности. Штамм дрожжей Saccharomyces cerevisiae «Айвовый-Д» депонирован во Всероссийской Коллекции Промышленных Микроорганизмов (ВКПМ), ФГУП ГосНИИГенетика под регистрационным номером Y-3973. Штамм Y-3973 обладает способностью к спорообразованию,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540023
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.02.2015
№216.013.21ca

Способ производства компота из мандаринов

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства компота из мандаринов в банках СКО 1-82-350. Способ включает предварительный подогрев плодов горячей водой с температурой 80°C в течение 2 мин с последующей заменой воды на сироп с температурой 95°C, герметизацию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540103
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.02.2015
№216.013.21cc

Способ стерилизации персиков в персиковом соке с мякотью

Изобретение относится к пищевой промышленности. Способ включает трехступенчатый нагрев консервов в воде температурой 60, 80 и 100°C соответственно 5, 5 и 15-20 мин с последующим трехступенчатым охлаждением в воде в течение 5, 5 и 7 мин, при этом нагрев и охлаждение при температурах воды 60 и 80...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540105
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.02.2015
№216.013.25d1

Способ получения сухого растительного экстракта зверобоя продырявленного

Изобретение относится к фармацевтической и легкой промышленности при получении сухих растительных экстрактов, применяющихся для дальнейшего колорирования этим экстрактом текстиля. Способ получения сухого растительного экстракта зверобоя продырявленного, включающий в себя измельчение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541134
Дата охранного документа: 10.02.2015
20.02.2015
№216.013.29b7

Способ стерилизации яблок в яблочном соке

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способам стерилизации фруктовых диетических консервов «Яблоки в яблочном соке» в банках 1-82-500. Способ включает трехступенчатый нагрев консервов в воде температурой 60, 80 и 100°C соответственно 4, 4 и 12-15 мин с последующим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542136
Дата охранного документа: 20.02.2015
20.02.2015
№216.013.29b9

Способ стерилизации компота вишневого с ксилитом

Способ включает трехступенчатый нагрев консервов в воде температурой 60, 80 и 100°C соответственно 4, 4 и 6-12 мин с последующим трехступенчатым охлаждением в воде в течение 4, 4 и 5 мин, при этом нагрев и охлаждение при температурах воды 60 и 80°C осуществляются в одних и тех же ваннах. В...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542138
Дата охранного документа: 20.02.2015
20.02.2015
№216.013.2a08

Метчик

Изобретение относится к области металлообработки, а именно к нарезанию внутренних резьб. Метчик содержит перья и стружечные канавки. По меньшей мере одна стружечная канавка выполнена с угловым сдвигом, обеспечивающим увеличение ширины по меньшей мере одного пера. В результате обеспечивается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542217
Дата охранного документа: 20.02.2015
20.02.2015
№216.013.2b39

Способ стерилизации компота вишневого с сорбитом

Способ включает трехступенчатый нагрев консервов в воде температурой 60, 80 и 100°C соответственно 5, 5 и 10-15 мин с последующим трехступенчатым охлаждением в воде в течение 5, 5 и 7 мин, при этом нагрев и охлаждение при температурах воды 60 и 80 осуществляются в одних и тех же ваннах. В...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542522
Дата охранного документа: 20.02.2015
20.02.2015
№216.013.2b40

Способ стерилизации перца сладкого натурального

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ стерилизации перца сладкого натурального в банках СКО-1-82-1000 предусматривает процесс нагрева в потоке воздуха температурой 150°C и скоростью 1,75-2 м/с в течение 25 мин с последующим охлаждением в потоке атмосферного воздуха...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542529
Дата охранного документа: 20.02.2015
20.02.2015
№216.013.2b7e

Способ формирования эмиттерной области транзистора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и, в частности, может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур. Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника включает формирование диффузионных кремниевых структур...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542591
Дата охранного документа: 20.02.2015
Showing 71-80 of 223 items.
27.11.2014
№216.013.0bd7

Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения. В способе присоединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534439
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd8

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534440
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd9

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534441
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bdc

Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед процессом напыления. Изобретение обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин, уменьшение времени...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534444
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bde

Способ очистки кварцевой трубы

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Изобретение обеспечивает полное удаление различных загрязнений с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534446
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0be1

Способ формирования контакта к коллекторной области кремниевого транзистора

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает уменьшение температуры посадки кристалла на основание корпуса, повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и применение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534449
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0c1c

Конденсационный шкаф рэа

Изобретение относится к системам отвода тепла от компьютерного оборудования, смонтированного внутри серверных или монтажных шкафов, в частности к конденсационному шкафу. Технический результат - обеспечение эффективности отвода тепла из объема шкафа. Достигается тем, что в конденсационном шкафу,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534508
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0c53

Способ нанесения стекла

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности кристаллов p-n переходов от различных внешних воздействий. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и снижение проникновения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534563
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0dac

Турбина для геотермальной электростанции

Изобретение относится к теплоэнергетике, в частности к установкам, использующим теплоту геотермальных источников в виде газопароводяной смеси с повышенным солесодержанием. Предлагается турбина, в которой корпус, вал и рабочие лопатки выполнены полыми и сообщающимися между собой. При этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534917
Дата охранного документа: 10.12.2014
10.12.2014
№216.013.0f57

Способ производства компота из груш и айвы

Изобретение относится к консервной промышленности, в частности к способу производства компота из груш и айвы в банках СКО 1-82-300. Способ включает предварительную подготовку и расфасовку плодов в банки, после чего осуществляют подогрев плодов горячей водой температурой 85°C в течение 3 мин....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535344
Дата охранного документа: 10.12.2014
+ добавить свой РИД