×
20.08.2016
216.015.4b43

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАТВОРНОЙ ОБЛАСТИ СИЛОВОГО ТРАНЗИСТОРА

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к способу формирования затворной области силового транзистора, включающему диффузию бора из твердого планарного источника. Сущность способа заключается в том, что формируют диффузионную кремниевую структуру с использованием твердого планарного источника бора, процесс проводят на этапе загонки при температуре 900°C при соотношении компонентов О=70±0,5 л/ч, N=950 л/ч, H=10 л/ч и времени, равном 6 минут, и на этапе разгонки при температуре 1250°C при расходах газов О=70±0,5 л/ч и N=950 л/ч и времени разгонки, равном 4 часа. Изобретение обеспечивает уменьшение температуры и времени проведения процесса получения затворной области силового транзистора, точное регулирование глубины диффузионного слоя и получение глубины слоя 7 мкм.
Основные результаты: Способ формирования затворной области силового транзистора, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника бора, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: О=70±0,5 л/ч; N=950 л/ч; Н=10 л/ч и времени, равном 6 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1250°C при следующем расходе газов: О=70±0,5 л/ч; N=950 л/ч и времени разгонки, равном 4 ч.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к способу формирования затворной области силового транзистора, включающему диффузию бора из твердого планарного источника. Способ диффузии бора из твердого планарного источника включает формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника бора. Процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: О2=70±0,5 л/ч; N2=950 л/ч; Н2=10 л/ч и времени, равном 6 минутам; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1250°C при следующем расходе газов: O2=70±0,5 л/ч; N2=950 л/ч и времени разгонки, равном 4 часам.

Известны способы диффузии бора из жидких источников: трехбромистый бор (BBr3) и трихлорид бора (BCl3), при которых глубина диффузии бора незначительна при длительностях процесса 150-170 часов [1].

Известен способ диффузии бора из твердого планарного источника, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника бора. Процесс проводят при температуре 1000°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: О2=37,8±0,5 л/ч; N2=740 л/ч; Н2=7,5 л/ч и времени, равном 60 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1150°C при следующем расходе газов: О2=37,8±0,5 л/ч; N2=740 л/ч и времени разгонки, равном 160 ч [2].

Недостатком этих способов являются длительные временные режимы, при которых нарушается поверхность пластин, не обеспечивается точное регулирование глубины диффузии, появляются различные примеси, влияющие на качество процесса.

Техническим результатом изобретения является уменьшение температуры и времени проведения процесса получения затворной области силового транзистора, обеспечение точного регулирования глубины диффузионного слоя, получение глубины 7 мкм.

Технический результат достигается проведением процесса с использованием твердого планарного источника бора (ТПИ), при следующем соотношении компонентов: О2=70±0,5 л/ч; N2=950 л/ч; Н2=10 л/ч и времени, равном 6 минутам, при температуре процесса 900°C на этапе загонки, при расходах газов О2=70±0,5 л/ч и N2=950 л/ч, и времени разгонки, равном 4 часам, при температуре Т=1250°C на этапе разгонки бора.

Сущность способа заключается в том, что на поверхности кремниевой подложки образуется слой боросиликатного стекла при температуре 1000°C, за счет реакций между твердым планарным источником бора с кислородом и азотом, далее проводят процесс разгонки в карбидкремниевой трубе при температуре 1000°C, при расходах: кислорода О2=70±0,5 л/ч и азота N2=950 л/ч. Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления на установке FPP-5000 и определения глубины диффузионного слоя методом косого шлифа [1]. Поверхностное сопротивление для диффузионных кремниевых структур должно быть равным RS=0,6 Ом/см.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; Н2=8 л/ч и с твердого планарного источника, времени загонки бора - 30 минут при температуре 900°C, поверхностное сопротивление RS=0,3±0,l Ом/см.

На этапе разгонки бора процесс проводят при температуре Т=1050°C, при расходах газов: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч и времени разгонки 50 часов.

Контроль проводят на установке FPP-5000, и глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,105±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии xJ=28 мкм.

ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; Н2=8 л/ч и с твердого планарного источника. Время загонки бора 50 минут при температуре 980°C, поверхностное сопротивление RS=0,48±0,l Ом/см.

На этапе разгонки бора процесс проводят при температуре 1100°C при расходах газов: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч и времени разгонки 70 часов.

Контроль проводят на установке FPP-5000, а глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,20±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии - 68 мкм.

ПРИМЕР 3: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки стадии: О2=70±0,5 л/ч; N2=950 л/ч; Н2=10 л/ч и с твердого планарного источника (ТЛИ). Время загонки бора 6 минут при температуре 900°C, поверхностное сопротивления RS=0,6±0,l Ом/см.

На этапе разгонки бора процесс проводят при температуре 1250°C при расходах газов: О2=70±0,5 л/ч; N2=950 л/ч и времени разгонки 4 часа.

Контроль проводят на установке FPP-5000, и глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,6±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии - 7 мкм.

Оптимальное расстояние между твердым планарным источником и кремниевыми структурами равно 230 мкм.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет проводить процесс разгонки при температуре 1250°C, при этом не нарушается поверхность пластин, практически отсутствуют примеси, обеспечивается точное регулирование глубины диффузионного слоя и получение глубины 7 мкм за меньшее время - 4 часа.

Литература

1. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. Москва, «Радио и связь», 1991 г., стр. 128.

2. Патент №2359355, H01L 21/225, 20.06.2009.

Способ формирования затворной области силового транзистора, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника бора, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: О=70±0,5 л/ч; N=950 л/ч; Н=10 л/ч и времени, равном 6 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1250°C при следующем расходе газов: О=70±0,5 л/ч; N=950 л/ч и времени разгонки, равном 4 ч.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 176 items.
27.07.2014
№216.012.e3f0

Способ защиты p-n-переходов на основе окиси бериллия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты p-n-переходов на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524142
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f3

Способ изготовления бсит-транзистора с охранными кольцами

Использование: для изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют формирование в полупроводниковой подложке на эпитаксиальном обедненном слое первый тип проводимости, формирование защитного фоторезистивного слоя, формирование карманов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524145
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f5

Способ защиты поверхности кристаллов p-n переходов

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты кристаллов p-n-переходов. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524147
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f7

Способ получения стекла из пятиокиси фосфора

Использование: для получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоро-силикатных стекол для формирования p-n переходов. Сущность изобретения заключается в том, что кремниевые пластины загружают в кварцевую лодочку, помещенную в кварцевую трубу, находящуюся внутри...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524149
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f9

Способ диффузии бора для формирования р-области

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых мощных транзисторов, в частности может быть использовано для формирования активной ρ-области. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностных концентраций и получение равномерного легирования по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524151
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e542

Тепловая труба с применением трубчатых оптоволоконных структур

Изобретение относится к устройствам для отвода тепла от компонентов радиоэлектроники с высокой мощностью тепловыделений, в частности к тепловым трубам, и может использоваться в различных областях электронной промышленности. Тепловая труба с применением трубчатых оптоволоконных структур,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524480
Дата охранного документа: 27.07.2014
10.08.2014
№216.012.e7ef

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525168
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7f0

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525169
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7f1

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525170
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7f2

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525171
Дата охранного документа: 10.08.2014
Showing 21-30 of 223 items.
27.07.2014
№216.012.e3f3

Способ изготовления бсит-транзистора с охранными кольцами

Использование: для изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют формирование в полупроводниковой подложке на эпитаксиальном обедненном слое первый тип проводимости, формирование защитного фоторезистивного слоя, формирование карманов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524145
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f5

Способ защиты поверхности кристаллов p-n переходов

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты кристаллов p-n-переходов. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524147
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f7

Способ получения стекла из пятиокиси фосфора

Использование: для получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоро-силикатных стекол для формирования p-n переходов. Сущность изобретения заключается в том, что кремниевые пластины загружают в кварцевую лодочку, помещенную в кварцевую трубу, находящуюся внутри...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524149
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f9

Способ диффузии бора для формирования р-области

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых мощных транзисторов, в частности может быть использовано для формирования активной ρ-области. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностных концентраций и получение равномерного легирования по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524151
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e542

Тепловая труба с применением трубчатых оптоволоконных структур

Изобретение относится к устройствам для отвода тепла от компонентов радиоэлектроники с высокой мощностью тепловыделений, в частности к тепловым трубам, и может использоваться в различных областях электронной промышленности. Тепловая труба с применением трубчатых оптоволоконных структур,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524480
Дата охранного документа: 27.07.2014
10.08.2014
№216.012.e731

Способ производства компота из груш и айвы

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ производства компота из груш и айвы включает предварительный подогрев плодов горячей водой температурой 85°С в течение 3 мин с последующей стерилизацией в потоке воздуха температурой 150°С и скоростью 3,5 м/с в течение 12 мин с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524978
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e732

Способ пастеризации плодово-ягодных маринадов

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ предусматривает герметизацию банок с плодово-ягодными маринадами самоэксгаустируемыми крышками. Затем банки с консервами подвергают тепловой обработке в автоклаве без создания противодавления по новому режиму и последующему охлаждению в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524979
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e734

Способ стерилизации компота из груш и айвы

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности, а именно для стерилизации компота из груш и айвы в банках СКО 1-82-500. Способ включает процесс нагрева в потоке воздуха температурой 130°С и скоростью 8-9 м/с в течение 18 мин с последующей выдержкой в течение 12-55 мин при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524981
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e736

Способ производства компота из груш и айвы

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности, а именно для стерилизации компота из груш и айвы. Способ включает предварительный подогрев плодов горячей водой температурой 85°С в течение 3 мин с последующей стерилизацией в потоке воздуха температурой 120°С и скоростью 3,5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524983
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e737

Способ производства компота из черной смородины

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ предусматривает расфасовку черной смородины в банки и их заливку горячей водой температурой 85°C на 2-3 минуты. Затем заменяют воду на сироп температурой 98°C и закатывают банки самоэксгаустируемыми крышками. Далее подвергают тепловой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524984
Дата охранного документа: 10.08.2014
+ добавить свой РИД