×
10.04.2016
216.015.2e96

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА РАСТР

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к конструкции матричных полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Сборка фоточувствительного модуля на растр заключается в том, что приклейку криостойким клеем фоточувствительного модуля осуществляют с помощью многоконтактной зондовой головки с симметричным расположением 2n (n=1, 2…) зондов (обычно из нержавеющей стали), которые находятся точно на контактных площадках БИС считывания, предназначенных для вывода сигналов посредством сварки (обычно золотых) выводов на растр. Поскольку давить на утоньшенный фоточувствительный элемент недопустимо, а осуществлять давление по всей периферийной области небезопасно, так как в этой области находится схема БИС считывания, которую можно повредить, то нагрузку необходимо осуществлять на наиболее защищенные от повреждения области, которыми являются контактные площадки, предназначенные для тестирования БИС считывания и сварки выводов на растр. При типичном количестве контактных площадок (~30 шт.) на БИС считывания приклейку криостойким клеем фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на растр осуществляют с помощью штатного контактного устройства с фиксированным расположением зондов (типично из вольфрама), предназначенного для контроля кристаллов БИС считывания, которое позволяет осуществлять равномерную нагрузку на фоточувствительный модуль с величиной, необходимой для уменьшения клеевого слоя до толщины 3-5 мкм, обеспечивающей прочное соединение криостойким клеем при охлаждении до рабочей температуры жидкого азота. Изобретение позволяет бездефектно и качественно проводить сборку фоточувствительного модуля на растр во время приклейки криостойким клеем. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к конструкции матричных полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения.

Известен способ изготовления матричного фотоприемника, описанный в патенте RU 2343590 C1, в котором утоньшенный фоточувствительный элемент, приклеенный криостойким клеем к толстой несущей подложке из кремния, гибридизировался холодной сваркой с помощью индиевых микроконтактов к кремниевой БИС считывания. Полученный фоточувствительный модуль приклеивался криостойким клеем на растр (типично из сапфира) обычным способом, как показано на фиг. 2. Фоточувствительный модуль с толстой кремниевой пластиной (2), гибридизированный с БИС считывания (1), приклеивался криостойким клеем к растру (3). При этом, для обеспечения растекания клея до толщины 3-5 мкм, необходимой для надежного соединения при охлаждении до температуры жидкого азота, осуществлялась нагрузка (более 1 кг/см2) через прозрачный толстый диск из сапфира (5) (толщиной 1 мм) посредством зондовой головки (4) (типично из латуни или нержавеющей стали) давящей в центр сапфирового диска (5). Достаточно толстый диск из сапфира требуется для более равномерного распределения нагрузки по площади фоточувствительного модуля при давлении точечного зонда в центр. Одновременно происходит фиксация фоточувствительного модуля относительно растра после подстройки ориентации фоточувствительного модуля относительно растра, которая проводится под инструментальным микроскопом по меткам совмещения, расположенным на растре (3) и БИС считывания (1). Такой способ сборки фоточувствительного модуля на растр допустим, так как давление осуществляется на толстую кремниевую подложку (толщиной более 300 мкм) и на индиевые микроконтакты, которые выдерживают гораздо большее давление при гибридизации фоточувствительного элемента и БИС считывания (более 15 кг/см2).

Однако такой способ сборки фоточувствительного модуля на растр недопустим в случае сборки фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент (как правило, до толщины 8-12 мкм из InSb), так как при такой толщине полупроводиковые ориентированные кристаллы становятся чрезвычайно хрупкими и ломкими даже при незначительном механическом воздействии. Такой способ изготовления матричного фотоприемника (варианты) описан в патенте RU 2460174 C1, а серийные характеристики исследованых МФПУ - в [1].

Задача предложенного изобретения заключается в создании технологичного и бездефектного способа сборки фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на растр.

Сущность изобретения поясняется чертежами:

На фиг. 1 показан рисунок, поясняющий способ сборки на растр фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент.

На фиг. 2 показан рисунок, поясняющий обычный способ сборки на растр фоточувствительного модуля, содержащего толстый фоточувствительный элемент.

На фиг. 3 показан рисунок, поясняющий способ сборки на растр фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, при помощи шести симметрично расположенных зондовых головок.

На фиг. 4 показана фотография, поясняющая способ сборки на растр фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, с помощью контактного устройства с фиксированным расположением зондов (УКФ), предназначенного для контроля кристаллов БИС считывания.

Технический результат достигается тем, что сборка (фиг. 1) фоточувствительного модуля (1), содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент (2) (типично до толщины 8-12 мкм из InSb), на растр (3) отличается тем, что приклейку криостойким клеем на растр фоточувствительного модуля осуществляют с помощью многоконтактной зондовой головки с симметричным расположением 2n (n=1, 2…) зондов (обычно из латуни или нержавеющей стали), которые находятся точно на контактных площадках БИС считывания, предназначенных для вывода сигналов посредством сварки (обычно золотых) выводов на растр. Поскольку давить на утоньшенный фоточувствительный элемент недопустимо, то остается периферийная область шириной обычно не более 500 мкм под действие прижима. Однако осуществлять давление по всей периферийной области небезопасно, так как в этой области находится схема БИС считывания, которую можно повредить. Поэтому нагрузку необходимо осуществлять на наиболее защищенные от повреждения области, которыми являются контактные площадки, предназначенные для тестирования БИС считывания и разварки на растр. На фиг. 1 показан способ сборки фоточувствительного модуля на растр при помощи двух симметрично расположенных зондов. Однако для более равномерного распределения давления на БИС считывания используют, например, конструкцию из шести симметрично расположенных зондов, как показано на фиг. 3. В общем случае нагрузку осуществляют с помощью многоконтактной зондовой головки с симметричным расположением 2n (n=1, 2…) зондов, где число зондов n ограничено размерами зондовых головок. При типичном количестве контактных площадок (~16 шт.) на одну сторону БИС считывания приклейку криостойким клеем фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на растр в одном из способов осуществляют с помощью УКФ, предназначенного для контроля кристаллов БИС считывания. Такие контактные устройства хорошо известны и описаны в многочисленных патентах (см. ссылки, например, в патенте US 8410806 В2). Наиболее подходящими для сборки фоточувствительного модуля на растр из этих контактных устройств являются контактные устройства с фиксированным расположением зондов, которые выпускаются многочисленными фирмами [2-5]. Такие устройства используют достаточно жесткие зонды из вольфрама с давлением 0.06 г/мкм2, что обеспечивает в среднем давление порядка 1 кг/см2 при типичном количестве контактных площадок порядка 30 шт. на кристалл БИС считывания, что позволяет осуществлять нагрузку на фоточувствительный модуль с величиной, необходимой для уменьшения клеевого слоя до толщины 3-5 мкм, обеспечивающей прочное соединение криостойким клеем при охлаждении фоточувствительного модуля до рабочей температуры жидкого азота. Таким образом, предложенные способы сборки на растр фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, позволяют бездефектно и качественно проводить сборку фоточувствительного модуля на растр во время приклейки криостойким клеем.

Предлагаемый способ сборки фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на растр был опробован на предприятии - изготовителе при создании экспериментальных и опытных образцов матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия. Однако предлагаемый способ сборки применим и к матричным фотоприемным устройствам на основе других полупроводниковых материалов.

Пример способа сборки фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на растр показан на фиг. 1.

На растр из лейкосапфира диаметром 16,6 мм с разводкой из золотых дорожек и напылением с тыльной стороны молибдена наклеивался при помощи криостойкого клея марки «УК-1» матричный фоточувствительный элемент на основе антимонида индия, утоньшенный до толщины 12 мкм. Фоточувствительный элемент имел формат 640×512 с количеством элементов 327680 и шагом 15 мкм. В качестве прижима при приклейке использовалось симметричное двухзондовое приспособление. Метки совмещения, расположенные на растре и на БИС считывания, использовались для их совместной ориентации, которая проводилась под инструментальным микроскопом типа МИ ИМЦ 100×50. Благодаря двум зондам из латуни технологично и бездефектно осуществлялась нагрузка величиной ~1 кг на фоточувствительный модуль для уменьшения толщины клеевого слоя до 3-5 мкм, обеспечивающей прочное соединение при охлаждении фоточувствительного модуля до рабочей температуры жидкого азота.

Литература

1. Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин Α.Α., Полунеев В.В., Рябова А.А. Характеристики серийных матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия формата 320×256. Успехи прикладной физики, 2013, №6, том 1, с. 733-738.

2. Автомат зондового контроля ЭМ-6290 компании ПЛАНАР-СО, ОАО, Минск (Беларусь).

http://planar-so.all.biz/m/avtomat-zondovogo-kontrolya-em-6290-g176176

3. Устройство контактное с фиксированным расположением зондов - УКФ, КБТЭМ-СО, УП, Минск (Беларусь).

http://belarus.oborudunion.ru/companv.php?comp=2461065

4. Устройства для зондового контроля полупроводниковых приборов, НП ООО СПЕКТРИН, Минская область, г. Держинск (Беларусь).

http://www.spektrin.com/ru/about/

5. Устройства контактные с фиксированной топологией зондов УКФ, УП «Аранэй», Минская область, Минский район, район деревни Боровая 1 (Беларусь).

http://araney.com/ru/production/probe_cards/


СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА РАСТР
СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА РАСТР
СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА РАСТР
СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА РАСТР
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 30 items.
25.08.2017
№217.015.b386

Способ повышения прочности стыковки кристаллов

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. В способе повышения прочности стыковки индиевых микроконтактов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613617
Дата охранного документа: 21.03.2017
25.08.2017
№217.015.c90c

Способ сборки кристаллов мфпу

Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств (МФПУ). Одной из основных операций при изготовлении МФПУ является сборка кристаллов в корпус с последующим соединением контактных площадок кристалла БИС с внешними выводами корпуса МФПУ. Такая электрическая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619362
Дата охранного документа: 15.05.2017
26.08.2017
№217.015.dd2a

Открытая зондовая установка тестирования матричных фотоприёмников и способ ускоренного тестирования матричных фотоприемников

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться при создании матричных фотоприемников. Заявляемые зондовая установка и способ позволяют проводить межоперационный контроль матричных фотоприемников при температуре жидкого азота и различных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624623
Дата охранного документа: 04.07.2017
26.08.2017
№217.015.ec23

Способ изготовления многоэлементного ик фотоприемника

Изобретение относится к способу изготовления многоэлементных или матричных фотоприемников на основе антимонида индия. Многоэлементный фотоприемник на основе антимонида индия включает матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с антиотражающим покрытием на освещаемой стороне фоточувствительных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628449
Дата охранного документа: 16.08.2017
20.01.2018
№218.016.1006

Способ изготовления матричного фчэ на основе gaas

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводникового фотоприемника (ФП) и может быть использовано при создании матричных ФП различного назначения. Способ изготовления матричного ФЧЭ на основе GaAs, в котором согласно изобретению базовую область МФЧЭ после гибридизации с БИС...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633656
Дата охранного документа: 16.10.2017
20.01.2018
№218.016.12c4

Сканирующее матричное фотоприемное устройство

Изобретение относится к сканирующим матричным фотоприемным устройствам (МФПУ) - устройствам, преобразующим входное оптическое изображение, формируемое объективом, в заданный спектральный диапазон, а затем в выходной электрический видеосигнал с помощью сканирования изображения. МФПУ включает N...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634376
Дата охранного документа: 26.10.2017
20.02.2019
№219.016.bfde

Аэродинамическая модель летательного аппарата с интегрированным воздушно-реактивным двигателем

Изобретение относится к области аэродинамических испытаний для измерения аэродинамических сил, действующих на уменьшенную в масштабе модель летательного аппарата в аэродинамической трубе в процессе экспериментального определения летно-технических и тягово-экономических характеристик летательных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002370744
Дата охранного документа: 20.10.2009
24.05.2019
№219.017.602a

Устройство для воспроизведения угловой скорости (мера угловой скорости) на основе многозначной голографической меры плоского угла

Изобретение относится к метрологии, в частности к устройствам для воспроизведения угловой скорости (мерам угловой скорости). Изобретение основано на использовании многозначной голографической меры плоского угла - голографической призмы, которая представляет собой кристалл с записанной в нем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002429490
Дата охранного документа: 20.09.2011
19.06.2019
№219.017.85f5

Устройство для испытания колец

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для экспериментального определения окружной прочности кольцевых элементов конструкций. Устройство для испытания колец содержит секторные элементы, расположенные внутри испытуемого кольца, причем оно выполнено из n секторных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002392599
Дата охранного документа: 20.06.2010
19.06.2019
№219.017.875c

Способ испытаний корпуса ротора лопаточных машин на непробиваемость и устройство для его осуществления

Изобретение относится к области машиностроения, а именно к испытаниям корпусов роторов лопаточных машин на непробиваемость и исследованиям ударных воздействий на них. Способ заключается в том, что перед проведением испытаний на одной из лопаток, установленных на роторе, который расположен...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002371692
Дата охранного документа: 27.10.2009
Showing 31-40 of 42 items.
31.01.2019
№219.016.b54c

Способ изготовления двухспектрального матричного фотоприемника

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа изготовления многоэлементного двухспектрального матричного фотоприемника. Фотоприемник включает в себя корпус с входным окном, матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с тонким поглощающим слоем из однородного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678519
Дата охранного документа: 29.01.2019
20.02.2019
№219.016.c096

Способ сборки фотоприемного устройства

Изобретение относится к технологии сборки фотоприемных устройств ИК-диапазона и кремниевой БИС считывания, где актуальной проблемой является получение надежного гальванического соединения элементов фотоприемной матрицы и матрицы считывания. Сущность изобретения: в способе сборки фотоприемного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002308787
Дата охранного документа: 20.10.2007
11.03.2019
№219.016.d92c

Способ обнаружения скрытых дефектов матричных или линейных моп мультиплексоров

Изобретение относится к области тестирования МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых дефектов матричных или линейных МОП мультиплексоров на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрываются окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002388110
Дата охранного документа: 27.04.2010
19.04.2019
№219.017.2f71

Способ изготовления индиевых столбиков

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков для микросборок интегральных схем или ИК-фотодиодных матриц методом перевернутого кристалла. Сущность изобретения: для изготовления индиевых столбиков на временную кремниевую подложку наносят слой фоторезиста и слой индия. Проводят...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002371808
Дата охранного документа: 27.10.2009
08.05.2019
№219.017.48f7

Способ повышения точности контроля качества стыковки

Изобретение может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств (МФПУ) методом перевернутого монтажа. Способ повышения точности контроля качества стыковки БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) включает установку состыкованного модуля в держатель под...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002686882
Дата охранного документа: 06.05.2019
18.05.2019
№219.017.55d8

Способ изготовления матричного фотоприемника

Изобретение относится к технологии изготовления матриц фоточувствительных элементов с p-n-переходами для микрофотоэлектроники инфракрасного диапазона. Способ изготовления матрицы фотодиодных элементов с n-р-переходами на основе теллурида кадмия-ртути включает пассивацию поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002340981
Дата охранного документа: 10.12.2008
18.05.2019
№219.017.5ba3

Способ изготовления матричного фотоприемника (варианты)

Изобретения относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и могут использоваться для создания матричных фотоприемников различного назначения. Способ изготовления матричного фотоприемника заключается в том, что фоточувствительный элемент гибридизируют с БИС мультиплексора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002460174
Дата охранного документа: 27.08.2012
19.06.2019
№219.017.8631

Способ испытания безотказности ик многоэлементного фотоприемного устройства

Изобретение предназначено для испытания безотказности инфракрасных многоэлементных фотоприемных устройств (ИК МФПУ), в которых матрица фоточувствительных элементов установлена внутри герметизированного корпуса, стыкуется с мультиплексором или растром с помощью проводящих индиевых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002399987
Дата охранного документа: 20.09.2010
29.06.2019
№219.017.a1c5

Способ изготовления индиевых столбиков

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией. Способ позволяет формировать индиевые столбики как на кремниевой (Si) БИС считывания, так и на инфракрасной фотодиодной матрице, кристалл которой выполнен из узкозонного полупроводника, например из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002468469
Дата охранного документа: 27.11.2012
19.10.2019
№219.017.d846

Многоэлементный фотоприемник

Многоэлементный фотоприемник с тонкой фоточувствительной базой, включающий матрицу фоточувствительных элементов из одного из полупроводниковых материалов CdHgTe, InSb, InGaAs, QWIP, соединенную со схемой считывания индиевыми микроконтактами, с антиотражающим покрытием, обеспечивающим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002703497
Дата охранного документа: 17.10.2019
+ добавить свой РИД