×
10.04.2016
216.015.2e5f

ФАЗОВЫЙ СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОВАЛОВ В ДИАГРАММЕ НАПРАВЛЕННОСТИ ПЛОСКОЙ ФАЗИРОВАННОЙ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к антенной технике. Техническим результатом является формирование провалов в диаграммах направленности (ДН) плоских фазированных антенных решеток (ФАР) в нескольких заданных направлениях, имеющих угловые координаты в сферической системе кординат. Способ формирования провалов в ДН плоской ФАР состоит в оценке уровня исходной диаграммы направленности N-элементной ФАР, выделении в раскрыве двух M-элементных подрешеток и введении фазовых поправок, со знаком минус для элементов одной подрешетки и со знаком плюс для элементов другой подрешетки. Для формирования провалов в ДН плоской ФАР в нескольких заданных направлениях оценку уровня исходной диаграммы направленности N-элементной ФАР осуществляют в К заданных направлениях, которые задают двумя угловыми координатами θ и φ, выбирают К эквивалентных линейных раскрывов, углы которых равны значениям координат К направлений φ, вычисляют возбуждение этих раскрывов, после выделения в каждом эквивалентном линейном раскрыве двух M-элементных подрешеток, расположенных на его краях, величины их фазовых поправок выбирают равными по абсолютному значению из условия заданных глубины, ширины и координаты θ провала. Фазовые поправки, вычисленные для формирования провалов, вносят на элементы ФАР, образующие данный эквивалентный линейный раскрыв, при условии что M-элементные подрешетки К эквивалентных линейных раскрывов формируются несовпадающими элементами ФАР, где θ и φ - заданные направления в сферической системе координат, a θ отсчитывается от нормали к плоскости раскрыва ФАР; i - порядковый номер заданного направления, i=1…К; К - количество заданных направлений. 22 ил.
Основные результаты: Фазовый способ формирования провалов в диаграмме направленности плоской фазированной антенной решетки (ФАР), основанный на оценке уровня исходной диаграммы направленности N-элементной ФАР, выделении в раскрыве двух M-элементных подрешеток и введении фазовых поправок, со знаком минус для элементов одной подрешетки и со знаком плюс для элементов другой подрешетки, отличающийся тем, что оценку уровня исходной диаграммы направленности N-элементной ФАР осуществляют в К заданных направлениях, которые задают двумя угловыми координатами θ и φ, выбирают К эквивалентных линейных раскрывов, углы которых равны значениям координат К направлений φ, вычисляют возбуждение этих раскрывов, после выделения в каждом эквивалентном линейном раскрыве двух M-элементных подрешеток, расположенных на его краях, величины их фазовых поправок выбирают равными по абсолютному значению из условия заданных глубины, ширины и координаты θ провала, фазовые поправки, вычисленные для формирования провалов, вносят на элементы ФАР, образующие данный эквивалентный линейный раскрыв, при условии что M-элементные подрешетки К эквивалентных линейных раскрывов формируются несовпадающими элементами ФАР, гдеθ и φ - заданные направления в сферической системе координат, а θ отсчитывается от нормали к плоскости раскрыва ФАР;i - порядковый номер заданного направления, i=1…К;К - количество заданных направлений.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к антенной технике и может быть использовано для решения задачи формирования провалов в диаграммах направленности (ДН) плоских фазированных антенных решеток (ФАР) путем изменения лишь фаз возбуждений ее элементов.

Известен способ [El-Azhary, M.S.Afifi, and P.S.Excell, A simple algorithm for sidelobe cancellation in a partially adaptive linear array, / IEEE Transactions on Antennas and Propagation, vol. Ap-36, No.10, October 1988, pp.1484-1486], в котором используются крайние элементы решетки для формирования протяженной области подавления боковых лепестков ДН линейной ФАР. Суть этого способа заключается в том, что сигналы, проходящие через крайние элементы, получают фазовые сдвиги, равные по величине, но противоположные по знаку. Максимум ДН, образуемой крайними элементами, смещается так, чтобы он совпал с направлением максимума подавляемого бокового лепестка, угловой диапазон которого охватывает направление прихода сигнала помехи. При этом амплитудная составляющая дополнительной ДН умножается на константу, чтобы дополнительная ДН имела одинаковую амплитуду с подавляемым боковым лепестком ДН всей решетки. Фазовая составляющая дополнительной ДН в области подавляемого бокового лепестка должна отличаться на 180° от фазовой составляющей подавляемого бокового лепестка ДН всей решетки.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому способу является «Способ формирования нуля диаграммы направленности фазированной антенной решетки» [RU 2123743 C1, опубл. 20.12.1998 г.], основанный на оценке уровня ненормированной исходной диаграммы направленности N-элементной ФАР в направлении помехи f(θn), выделении двух адаптивных M-элементных подрешеток, расположенных на краях исходной, с учетом условия 2M≥f(θn), и введении фазовых поправок в элементы адаптивных подрешеток, причем фазовые поправки для m-ой от края пары излучателей (m=1,2,…M) выбираются в соответствии с соотношением

где:

λ, x0 - длина волны и шаг решетки;

θ - угол, отсчитываемый от нормали к раскрыву;

θ0, θп - направление главного максимума и помехи соответственно. Знак минус в соотношении соответствует элементам левой адаптивной подрешетки, а знак плюс - правой.

Недостатком обоих известных способов является то, что с их помощью нельзя сформировать несколько провалов.

Техническим результатом предлагаемого способа является формирование провалов в ДН плоской ФАР в нескольких заданных направлениях, имеющих угловые координаты в сферической системе координат (θнапр i, φнапр i), причем фазы сигналов, проходящих через крайние элементы эквивалентного линейного раскрыва этой ФАР, изменяют на постоянную величину, что позволяет упростить и ускорить процесс формирования нескольких провалов.

Сущность предлагаемого фазового способа формирования провалов в ДН плоской ФАР состоит в оценке уровня исходной диаграммы направленности N-элементной ФАР, выделении в раскрыве двух M-элементных подрешеток и введении фазовых поправок, со знаком минус для элементов одной подрешетки и со знаком плюс для элементов другой подрешетки.

Новым в заявляемом изобретении является то, что оценку уровня исходной диаграммы направленности N-элементной ФАР осуществляют в К заданных направлениях, которые задают двумя угловыми координатами θнапр I и φнапр i, выбирают К эквивалентных линейных раскрывов, углы которых равны значениям координат К направлений φнапр I, вычисляют возбуждение этих раскрывов, после выделения в каждом эквивалентном линейном раскрыве двух M-элементных подрешеток, расположенных на его краях, величины их фазовых поправок выбирают равными по абсолютному значению из условия заданных глубины, ширины и координаты θнапр i провала, фазы элементов ФАР, образующих M-элементные подрешетки К эквивалентных линейных раскрывов, изменяют на величину фазовых поправок этих подрешеток, при условии что M-элементные подрешетки К эквивалентных линейных раскрывов формируются несовпадающими элементами ФАР, где θнапр i и φнапр i - заданные направления в сферической системе координат, a θнапр i, отсчитывается от нормали к плоскости раскрыва ФАР; i - порядковый номер заданного направления, i=1…К; К - количество заданных направлений.

На Фиг.1 показан пример плоской ФАР с вариантами формирования эквивалентных линейных раскрывов при К=3, где К - количество заданных направлений, равное количеству эквивалентных линейных раскрывов; i - порядковый номер заданного направления и соответствующего эквивалентного линейного раскрыва, i=1…К; φнапр 1, 2, 3 - углы эквивалентных линейных раскрывов, М - число элементов в подрешетках эквивалентных линейных раскрывов.

На Фиг.2 приведены:

а) - ФАР с эллиптической формой раскрыва, на которой расположены N=1458 элементов с равномерным фазовым распределением;

б) - пространственная ДН ФАР. Здесь и далее пространственные ДН ФАР приведены в координатах направляющих косинусов u, v, где u=sin(θ)cos(φ), v=sin(θ)sin(φ), прямыми линиями показаны сечения;

в) - ДН ФАР в азимутальном сечении (φ=0°). Здесь и далее, если не указано иное, при отображении ДН в каком-либо сечении по оси абсцисс отложена переменная θ в градусах;

г) - ДН ФАР в угломестном сечении (φ=90°).

На Фиг.3 приведен пример формирования двух провалов в ортогональных сечениях ДН ФАР, где

а) - раскрыв ФАР с фазовым распределением, измененным в соответствии с двумя эквивалентными линейными раскрывами, углы которых равны φнапр 1=0° и φнапр 2=90°, пронумерованные области показывают элементы с измененными фазами для формирования провалов с соответствующими номерами;

б) - пространственная ДН, координаты центров провалов: θнапр 1≈6°, φнапр 1=0° (uнапр 1=0.105, vнапр 1=0), θнапр 2≈16°, φнапр 2=90° (uнапр 2=0, vнапр 2=0.276), здесь и далее: центры окружностей указывают на центры провалов;

в) - ДН в сечении, угол которого равен значению координаты φнапр 1=0° для ФАР с измененным фазовым распределением (жирная линия), здесь и далее: ДН в данном сечении для ФАР с равномерным фазовым распределением показана тонкой линией, стрелка указывает направление центра провала в данном сечении;

г) - ДН в сечении, угол которого равен значению координаты φнапр 2=90°.

На Фиг.4 приведен пример формирования двух провалов в неортогональных сечениях ДН ФАР, где

а) - раскрыв ФАР с фазовым распределением, измененным в соответствии с двумя эквивалентными линейными раскрывами, углы которых равны φнапр 1=0° и φнапр 2=60°;

б) - пространственная ДН, координаты центров провалов: θнапр 1≈6°, φнапр 1=0° (uнапр 1=0.105, vнапр 1=0), θнапр 2≈15°, φнапр 2=60° (uнапр 2=0.129, vнапр 2=0.226);

в) - ДН в сечении, угол которого равен значению координаты φнапр 1=0°;

г) - ДН в сечении, угол которого равен значению координаты φнапр 2=60°

На Фиг.5 приведен пример формирования трех провалов в ДН ФАР, где

а) - раскрыв ФАР с фазовым распределением, измененным в соответствии с тремя эквивалентными линейными раскрывами, углы которых равны φнапр 1=0°, φнапр 2=45°, φнапр 3=90°, пронумерованные области показывают элементы с измененными фазами для формирования провалов с соответствующими номерами;

б) - пространственная ДН, координаты центров провалов: θнапр 1≈14°, φнапр 1=0° (uнапр 1=0.242, vнапр 1=0), θнапр 2≈25°, φнапр 2=45° (uнапр 2=0.299, vнапр 2=0.299); φнапр 3=90° (uнапр 3=0, vнапр 3=0,309);

в) - ДН в сечении, угол которого равен значению координаты φнапр 1=0°;

г) - ДН в сечении, угол которого равен значению координаты φнапр 2=45°;

д) - ДН в сечении, угол которого равен значению координаты φнапр 2=90°.

На Фиг.6 приведен пример формирования двух провалов в ортогональных сечениях ДН ФАР при сканировании, где

а) - пространственная ДН, координаты центров провалов: θнапр 1≈6°, φнапр 1=0° (uнапр 1=0.105, vнапр 1=0), θнапр 2≈15°, φнапр 2=90° (uнапр 2=0, vнапр 2=0.259);

б) - та же пространственная ДН, но после сканирования на угол θ1=30°, φ 1=0° (u 1=0.5, v 1=0);

в) - ДН в сечении v=0, по оси абсцисс отложена переменная и;

г) - ДН в сечении u=0.5, по оси абсцисс отложена переменная v.

Характерной чертой данного метода является неизменность возбуждения основной части элементов ФАР, поскольку возбуждение меняется лишь у тех элементов ФАР, которые образуют крайние элементы эквивалентных линейных раскрывов. При этом угловое положение центров провалов относительно луча ДН в системе координат направляющих косинусов (и, v) и величина подавления в центре каждого провала сохраняются при сканировании.

На Фиг.2а показана ФАР, имеющая раскрыв эллиптической формы, на котором расположены N=1458 элементов. В раскрыве ФАР создано спадающее к краям амплитудное распределение с КИП≈0.9. На Фиг.2б, в, г приведены пространственная ДН ФАР и ДН в главных - азимутальном и угломестном - сечениях. Исходный уровень максимальных боковых лепестков ДН при синфазном распределении составляет ≈-28дБ.

Используя предложенный способ можно одновременно формировать несколько (К) провалов в сечениях ДН, углы которых равны значениям координат φнапр i. Для этого вычисляют возбуждение К соответствующих эквивалентных линейных раскрывов (Фиг.1) и в ДН каждого из них формируют провал в направлении θнапр i - фазовые поправки, вычисленные для формирования провалов, вносят на элементы ФАР, образующие данный эквивалентный линейный раскрыв. Это иллюстрируется примером формирования 2-х провалов (К=2) в ортогональных сечениях (Фиг.3а-г). На Фиг.3а видно, что подрешетки эквивалентных линейных раскрывов образуют несовпадающие элементы раскрыва ФАР. В эквивалентном линейном, обеспечивающем формирование провала в направлении f=i (θнапр 1≈6°), число элементов в каждой из двух подрешеток М=9, в эквивалентном линейном раскрыве (i=2, θнапр 2≈16°)-M=3. В данном примере снижение бокового излучения в центре каждого провала составило более 16дБ. Величина подъема бокового излучения с противоположных относительно луча ДН и формируемого провала сторон составила ≈5-7 дБ. Снижение уровня луча ФАР составляет приблизительно 0.12 дБ.

Провалы могут формироваться не только в ортогональных, но и в других сечениях при условии, что подрешетки эквивалентных линейных раскрывов формируются несовпадающими элементами ФАР. Пример формирования двух провалов (К=2) в азимутальном сечении (φнапр 1=0°) и сечении с углом φнапр 2=60° приведен на Фиг.4а-г. Случай формирования провалов в трех сечениях (К=3) представлен на Фиг.5а-г. Постоянство угловых положений центров провалов относительно луча ДН и величины подавления в центре каждого провала при сканировании подтверждается Фиг.6а-г.

Предлагаемый способ обеспечивает формирование нескольких провалов в ДН плоских ФАР в нескольких заданных направлениях, имеющих угловые координаты (θнапр i, φнапр i) в сферической системе координат. Кроме того, фазы сигналов, проходящих через крайние элементы эквивалентного линейного раскрыва этой ФАР, изменяют на постоянную величину, что позволяет упростить и ускорить процесс формирования провалов.

Фазовый способ формирования провалов в диаграмме направленности плоской фазированной антенной решетки (ФАР), основанный на оценке уровня исходной диаграммы направленности N-элементной ФАР, выделении в раскрыве двух M-элементных подрешеток и введении фазовых поправок, со знаком минус для элементов одной подрешетки и со знаком плюс для элементов другой подрешетки, отличающийся тем, что оценку уровня исходной диаграммы направленности N-элементной ФАР осуществляют в К заданных направлениях, которые задают двумя угловыми координатами θ и φ, выбирают К эквивалентных линейных раскрывов, углы которых равны значениям координат К направлений φ, вычисляют возбуждение этих раскрывов, после выделения в каждом эквивалентном линейном раскрыве двух M-элементных подрешеток, расположенных на его краях, величины их фазовых поправок выбирают равными по абсолютному значению из условия заданных глубины, ширины и координаты θ провала, фазовые поправки, вычисленные для формирования провалов, вносят на элементы ФАР, образующие данный эквивалентный линейный раскрыв, при условии что M-элементные подрешетки К эквивалентных линейных раскрывов формируются несовпадающими элементами ФАР, гдеθ и φ - заданные направления в сферической системе координат, а θ отсчитывается от нормали к плоскости раскрыва ФАР;i - порядковый номер заданного направления, i=1…К;К - количество заданных направлений.
ФАЗОВЫЙ СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОВАЛОВ В ДИАГРАММЕ НАПРАВЛЕННОСТИ ПЛОСКОЙ ФАЗИРОВАННОЙ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ
ФАЗОВЫЙ СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОВАЛОВ В ДИАГРАММЕ НАПРАВЛЕННОСТИ ПЛОСКОЙ ФАЗИРОВАННОЙ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ
ФАЗОВЫЙ СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОВАЛОВ В ДИАГРАММЕ НАПРАВЛЕННОСТИ ПЛОСКОЙ ФАЗИРОВАННОЙ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ
ФАЗОВЫЙ СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОВАЛОВ В ДИАГРАММЕ НАПРАВЛЕННОСТИ ПЛОСКОЙ ФАЗИРОВАННОЙ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ
ФАЗОВЫЙ СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОВАЛОВ В ДИАГРАММЕ НАПРАВЛЕННОСТИ ПЛОСКОЙ ФАЗИРОВАННОЙ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ
ФАЗОВЫЙ СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОВАЛОВ В ДИАГРАММЕ НАПРАВЛЕННОСТИ ПЛОСКОЙ ФАЗИРОВАННОЙ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ
ФАЗОВЫЙ СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОВАЛОВ В ДИАГРАММЕ НАПРАВЛЕННОСТИ ПЛОСКОЙ ФАЗИРОВАННОЙ АНТЕННОЙ РЕШЕТКИ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 46 items.
10.01.2013
№216.012.1902

Способ активирования поверхности титановых сплавов перед нанесением гальванохимических покрытий

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в радиотехнической промышленности, приборостроении, авиационной промышленности. Способ включает обезжиривание, промывку в горячей воде, промывку в холодной проточной воде, активирование и промывку в холодной проточной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002471894
Дата охранного документа: 10.01.2013
10.02.2013
№216.012.2389

Компаунд и способ его получения

Изобретение относится к компаунду для герметизации электрорадиотехнических изделий, содержащих детали, чувствительные к механическим воздействиям, требующим интенсивного теплоотвода, и к способу получения его. Компаунд содержит олигодиенуретанэпоксид, изометилтетрагидрофталевый ангидрид....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474599
Дата охранного документа: 10.02.2013
20.02.2013
№216.012.288f

Фазовый способ управления режимами работы фазированной антенной решетки (фар)

Предлагаемое техническое решение относится к области радиотехники и может использоваться в волноводной СВЧ антенной технике. Достигаемый технический результат - расширение функциональных возможностей ФАР за счет возможного использования, помимо полного раскрыва, отдельных квадрантов раскрыва...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475903
Дата охранного документа: 20.02.2013
10.03.2013
№216.012.2d9c

Бессвинцовый припой

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике, в частности, для пайки и лужения деталей в блоках радиоэлектронной аппаратуры. Бессвинцовый припой содержит висмут и индий в следующем соотношении, вес.%: висмут 69-72, индий 29-32. Указанное соотношение компонентов припоя обеспечивает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002477207
Дата охранного документа: 10.03.2013
27.05.2013
№216.012.45b9

Передатчик свч

Предлагаемое изобретение относится к радиотехнике, в частности к СВЧ передатчикам, и может быть использовано в радиолокации, радионавигации и других областях техники. Достигаемый технический результат - уменьшение фазовых и амплитудных шумов в спектре выходного сигнала в широком диапазоне...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002483426
Дата охранного документа: 27.05.2013
20.07.2013
№216.012.5756

Способ нанесения серебряного покрытия на титановые сплавы

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в радиотехнической промышленности, приборостроении и авиационной промышленности. Способ включает обезжиривание, промывку в горячей проточной воде, промывку в холодной проточной воде, активирование, промывку в холодной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002487966
Дата охранного документа: 20.07.2013
10.10.2013
№216.012.72e4

Полимерная композиция для поглощения высокочастотной энергии

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к получению полимерных композиций, предназначенных для поглощения высокочастотной энергии в СВЧ устройствах, например в усилителях компенсационных каналов радиолокационных станций. Полимерная композиция для поглощения высокочастотной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002495069
Дата охранного документа: 10.10.2013
27.10.2013
№216.012.79b3

Композиция для пенокомпаунда

Изобретение относится к эпоксидным композициям для получения заливочного пенокомпаунда и может быть использовано для заливки изделий радио- и электротехнического назначения, например антенных излучателей, работающих в условиях механических воздействий. Композиция включает (мас.ч.): эпоксидную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002496817
Дата охранного документа: 27.10.2013
10.11.2013
№216.012.7db2

Полимерная композиция для поглощения высокочастотной энергии

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к получению полимерных композиций, предназначенных для поглощения паразитных излучений в замкнутом герметичном объеме СВЧ-устройств, особенно в бортовых микрополосковых СВЧ-устройствах, и для изготовления поглощающих элементов для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497851
Дата охранного документа: 10.11.2013
20.11.2013
№216.012.827e

Раствор для химического серебрения медных сплавов

Изобретение относится к нанесению химических серебреных покрытий на медные сплавы и может быть использовано в приборостроении, а также в радиотехнической и авиационной промышленности. Раствор содержит компоненты при следующем соотношении: серебро азотнокислое 6-8 г/л, триэтаноламин 225-300...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002499082
Дата охранного документа: 20.11.2013
Showing 1-10 of 50 items.
10.01.2013
№216.012.1902

Способ активирования поверхности титановых сплавов перед нанесением гальванохимических покрытий

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в радиотехнической промышленности, приборостроении, авиационной промышленности. Способ включает обезжиривание, промывку в горячей воде, промывку в холодной проточной воде, активирование и промывку в холодной проточной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002471894
Дата охранного документа: 10.01.2013
10.02.2013
№216.012.2389

Компаунд и способ его получения

Изобретение относится к компаунду для герметизации электрорадиотехнических изделий, содержащих детали, чувствительные к механическим воздействиям, требующим интенсивного теплоотвода, и к способу получения его. Компаунд содержит олигодиенуретанэпоксид, изометилтетрагидрофталевый ангидрид....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474599
Дата охранного документа: 10.02.2013
20.02.2013
№216.012.288f

Фазовый способ управления режимами работы фазированной антенной решетки (фар)

Предлагаемое техническое решение относится к области радиотехники и может использоваться в волноводной СВЧ антенной технике. Достигаемый технический результат - расширение функциональных возможностей ФАР за счет возможного использования, помимо полного раскрыва, отдельных квадрантов раскрыва...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475903
Дата охранного документа: 20.02.2013
10.03.2013
№216.012.2d9c

Бессвинцовый припой

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике, в частности, для пайки и лужения деталей в блоках радиоэлектронной аппаратуры. Бессвинцовый припой содержит висмут и индий в следующем соотношении, вес.%: висмут 69-72, индий 29-32. Указанное соотношение компонентов припоя обеспечивает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002477207
Дата охранного документа: 10.03.2013
27.05.2013
№216.012.45b9

Передатчик свч

Предлагаемое изобретение относится к радиотехнике, в частности к СВЧ передатчикам, и может быть использовано в радиолокации, радионавигации и других областях техники. Достигаемый технический результат - уменьшение фазовых и амплитудных шумов в спектре выходного сигнала в широком диапазоне...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002483426
Дата охранного документа: 27.05.2013
20.07.2013
№216.012.5756

Способ нанесения серебряного покрытия на титановые сплавы

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в радиотехнической промышленности, приборостроении и авиационной промышленности. Способ включает обезжиривание, промывку в горячей проточной воде, промывку в холодной проточной воде, активирование, промывку в холодной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002487966
Дата охранного документа: 20.07.2013
10.10.2013
№216.012.72e4

Полимерная композиция для поглощения высокочастотной энергии

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к получению полимерных композиций, предназначенных для поглощения высокочастотной энергии в СВЧ устройствах, например в усилителях компенсационных каналов радиолокационных станций. Полимерная композиция для поглощения высокочастотной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002495069
Дата охранного документа: 10.10.2013
27.10.2013
№216.012.79b3

Композиция для пенокомпаунда

Изобретение относится к эпоксидным композициям для получения заливочного пенокомпаунда и может быть использовано для заливки изделий радио- и электротехнического назначения, например антенных излучателей, работающих в условиях механических воздействий. Композиция включает (мас.ч.): эпоксидную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002496817
Дата охранного документа: 27.10.2013
10.11.2013
№216.012.7db2

Полимерная композиция для поглощения высокочастотной энергии

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к получению полимерных композиций, предназначенных для поглощения паразитных излучений в замкнутом герметичном объеме СВЧ-устройств, особенно в бортовых микрополосковых СВЧ-устройствах, и для изготовления поглощающих элементов для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497851
Дата охранного документа: 10.11.2013
20.11.2013
№216.012.827e

Раствор для химического серебрения медных сплавов

Изобретение относится к нанесению химических серебреных покрытий на медные сплавы и может быть использовано в приборостроении, а также в радиотехнической и авиационной промышленности. Раствор содержит компоненты при следующем соотношении: серебро азотнокислое 6-8 г/л, триэтаноламин 225-300...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002499082
Дата охранного документа: 20.11.2013
+ добавить свой РИД