×
27.03.2016
216.014.c5f3

ПЛАНАРНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к антенной технике КВЧ диапазона. Заявленный планарный диэлектрический излучатель состоит из возбуждающего одномодового прямоугольного диэлектрического волновода, диэлектрического плоского клина и диэлектрической пластины с двумя щелями, торец которой является апертурой излучателя, клин соединен со стороны вершины с возбуждающим его одномодовым прямоугольным диэлектрическим волноводом с поляризацией электрического поля вдоль широкой стороны поперечного сечения, с другой стороны к клину присоединена пластина с двумя щелями, формат (отношение сторон) поперечного сечения Ф которой выбирается из условия Ф≤Ф≤Ф, где Ф и Ф - критические значения формата поперечного сечения прямоугольного диэлектрического волновода для волн HΕ и HЕ соответственно, угол при вершине клина должен быть не более пятнадцати градусов, толщины клина и пластины равны узкой стороне сечения возбуждающего волновода, щели в пластине расположены симметрично и параллельно ее оси и могут иметь произвольную форму. Техническим результатом является возможность получения излучения с амплитудным распределением, описываемым по одной из поперечных пространственных координат функцией Гаусса-Эрмита нулевого порядка. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к антенной технике КВЧ диапазона, может быть использовано в зондирующих устройствах диагностического оборудования, в возбудителях квазиоптических линий передач миллиметрового диапазона длин волн и предназначено для формирования локализованного излучения в виде волнового пучка Гаусса-Эрмита нулевого порядка, сохраняющего пучковые свойства на расстояниях до десятков длин волн.

Известны диэлектрические излучатели в виде торца регулярного одномодового диэлектрического волновода (ДВ) или ДВ, плавно сужающегося или расширяющегося на конце [1].

Недостатком таких излучателей является формирование быстро расходящегося волнового пучка, сохраняющего пучковые свойства излучения на расстояниях не более 5 длин волн от торца излучателя.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению является планарный излучатель, выбранный за прототип, состоящий из возбуждающего одномодового диэлектрического волновода и присоединенного к нему своей вершиной плоского клина, переходящего в пластину, торец которой является апертурой излучателя [2].

Излучатель, выбранный за прототип, обеспечивает распределение поля излучения по одной из поперечных координат, близкое к пучкам Гаусса-Эрмита, на расстояниях до десятков длин волн от апертуры излучателя.

Однако для ряда применений, в частности, задач многоканальной диагностики для повышения точности измерений и возможности аналитического описания поля излучения необходимо формирование амплитудного распределения, в максимальной степени аппроксимируемого пучком Гаусса-Эрмита нулевого порядка.

Недостатками излучателя, выбранного за прототип, являются ограниченные возможности формирования волнового пучка Гаусса-Эрмита нулевого порядка в связи с малой величиной амплитуд волн высших типов, возбуждаемых на входе пластины. Возможности управления амплитудами высших типов волн в прототипе излучателя ограничены только выбором угла при вершине клина и его длиной.

Техническим результатом предложенного изобретения является возможность получения излучения с амплитудным распределением, описываемым по одной из поперечных пространственных координат функцией Гаусса-Эрмита нулевого порядка.

Технический результат достигается тем, что в планарном диэлектрическом излучателе, состоящем из возбуждающего одномодового прямоугольного диэлектрического волновода с поляризацией электрического поля вдоль широкой стороны поперечного сечения и диэлектрического плоского клина, выполненного из того же материала, с углом при вершине, не превышающем пятнадцати градусов, переходящего в диэлектрическую пластину шириной b, торец которой является апертурой излучателя, а толщина пластины а равна толщине клина и узкой стороне поперечного сечения возбуждающего волновода, пластина имеет формат поперечного сечения Ф=b/a, который выбирается из условия Фкр15≤Φ≤Φкр17, где Фкр15 и Фкр17 - критические значения формата поперечного сечения прямоугольного диэлектрического волновода для волн ΗΕ15 и НЕ17 соответственно, в месте перехода клина в пластину выполнены две щели, расположенные симметрично и параллельно оси пластины, размеры которых выбираются из условия преобразования волны НЕ11 в волны ΗΕ13 и НЕ15 с соотношением амплитуд 1:0,3:0,1, а длина пластины выбирается из условия фазового синхронизма волн НЕ11, НЕ13 и ΗΕ15 на ее торце.

Планарный диэлектрический излучатель может характеризоваться тем, что щели имеют форму шестиугольника, вытянутого вдоль оси, проходящей через диаметрально противоположные вершины, с углом при этих вершинах не более пятнадцати градусов, а расстояния d от оси каждой щели до оси пластины и L от концов щелей до апертуры излучателя выбраны из условий 0,6λ/≤d≤0,8λ/ и 19,7λ/≤L≤22,2λ/, где λ - длина волны излучения, ε - диэлектрическая проницаемость излучателя, которая должна быть в пределах от 2,1 до 2,3, размеры щелей - ширина δ и площадь S удовлетворяют соотношениям 0,18λ/≤δ≤0,27λ/ и 0,3(λ/)2≤S≤0,5(λ/)2.

На фиг. 1 представлен предложенный планарный диэлектрический излучатель.

На фиг. 2 представлен планарный диэлектрический излучатель со щелями, имеющими форму вытянутого шестиугольника.

На фиг. 3 представлены зависимости амплитуд возбуждаемых волн от длины щелей.

На фиг. 4 представлены результаты теоретического расчета и измерения амплитудного распределения излучения на расстоянии от апертуры излучателя, равном 6λ.

На фиг. 1 и фиг. 2 показан планарный диэлектрический излучатель, состоящий из возбуждающего одномодового диэлектрического волновода 1 прямоугольного сечения (а×b1), соединенного в сечении I с клином 2 с углом при вершине α≤15°. Клин 2 в сечении II переходит в пластину 3 с двумя щелями 4, торец которой является апертурой излучателя. Электрическое поле Ε основной волны волновода 1 поляризовано вдоль широкой стороны b1 поперечного сечения волновода 1 и сохраняется в клине 2 и в пластине 3 вдоль их широких сторон b(z) и b соответственно. Широкая сторона b(z) поперечного сечения клина 2 увеличивается по линейному закону. Толщины клина 2 и пластины 3 одинаковы и равны узкой стороне а поперечного сечения волновода 1.

Формат поперечного сечения пластины 3 Ф=b/а, равный формату поперечного сечения клина 2 в сечении II, выбирается из условия

Фкр15≤Φ≤Фкр17,

где Φкр15 и Φкр17 - критические значения формата поперечного сечения прямоугольного диэлектрического волновода для волн НЕ15 и НЕ17 соответственно.

Волновод 1, клин 2 и пластина 3 выполнены из одного материала с диэлектрической проницаемостью ε в пределах от 2,1 до 2,3.

Щели 4 выполнены в месте перехода клина 2 в пластину 3 и расположены симметрично и параллельно оси пластины 3. В общем случае щели 4 могут иметь произвольную форму, в частности - прямоугольную, шестиугольную, форму зерна чечевицы и т.д.

На фиг. 2 изображен планарный диэлектрический излучатель со щелями, имеющими форму шестиугольника, вытянутого вдоль оси, проходящей через диаметрально противоположные вершины. Угол при этих вершинах выбран не более 15°. Расстояния d от оси каждой щели до оси пластины и L от концов щелей до апертуры излучателя, а также размеры щелей - ширина δ и площадь S выбираются из условий

0,6λ/≤d≤0,8λ/;

19,7λ/≤L≤22,2λ/;

0,18λ/≤δ≤0,27λ/;

0,3(λ/)2≤S≤0,5(λ/)2,

где λ - длина волны излучения.

На фиг. 3 приведены зависимости модулей комплексных амплитуд волн от продольной координаты z/λ щели, имеющей форму прямоугольника: 5 - для волны НЕ11, 6 - для волны НЕ13, 7 - для волны ΗΕ15, 8 - суммарная мощность указанных волн.

Планарный диэлектрический излучатель работает следующим образом.

В одномодовом прямоугольном диэлектрическом волноводе 1 (фиг. 1) возбуждается основная волна НЕ11 с поляризацией электрического поля Ε вдоль широкой стороны поперечного сечения. Клин 2 выполняет роль плавного перехода от одномодового волновода 1 с малым форматом поперечного сечения к пластине 3 большего формата, обеспечивающего возможность возбуждения в последней волн высших типов.

Для минимизации потерь энергии, связанных с отражением и излучением на нерегулярностях волноведущей структуры излучателя (сечения I и II), угол при вершине клина не должен превышать 15° [2].

В пластине 3, представляющей собой отрезок многомодового прямоугольного ДВ, из-за наличия в структуре излучателя нерегулярностей наряду с основной волной НЕ11 возбуждаются поверхностные волны высших типов HE1,2m+1, где m=1, 2, 3, …, количество которых определяется величиной формата Ф=b/а поперечного сечения пластины.

Расчеты показывают, что для формирования волнового пучка с амплитудным распределением излучения по координате у в виде функции Гаусса-Эрмита нулевого порядка в пластине 3 достаточно возбудить три поверхностные волны НЕ11, НЕ13 и HE15 с соотношением амплитуд 1:0,3:0,1. Вкладом волн более высоких типов НЕ17, НЕ19 и т.д. можно пренебречь.

Таким образом, формат Φ поперечного сечения пластины 3 следует выбирать из условия

Фкр15≤Φ≤Фкр17,

где Φкр15 - критическое значение формата поперечного сечения прямоугольного диэлектрического волновода (ПДВ) для волны НЕ15, Φкр17 - критическое значение формата поперечного сечения ПДВ для волны НЕ17.

Указанные значения формата могут быть выбраны из дисперсионных зависимостей волн ΗΕ15 и НЕ17 ПДВ [3].

Поскольку имеющиеся в структуре излучателя нерегулярности являются слабыми, то амплитуды волн высших типов НЕ13 и ΗΕ15, возбуждаемых в месте перехода клина 2 в пластину 3 (сечение II), оказываются недостаточными для формирования требуемого распределения излучения. Для получения необходимого соотношения амплитуд волн НЕ11, НЕ13 и НЕ15 в пластину 3 вводятся неоднородности в виде двух щелей 4, которые могут иметь произвольную форму. Щели 4 располагаются симметрично и параллельно оси пластины 3.

Рассматривая щели 4 как локальные неоднородности в виде возмущения диэлектрических свойств ПДВ, в соответствии с теорией связанных волн [4] из численного решения уравнений связанных мод определяется связь между волнами НЕ11, НЕ13 и HE15 в зависимости от параметров щелей и расположения щелей в пластине 3.

В качестве примера для случая, когда щели имеют прямоугольную форму, на фиг. 3 приведены зависимости модулей комплексных амплитуд волн от продольной координаты щели для волн НЕ11 (5), НЕ13 (6) и ΗΕ15 (7), а также суммарная мощность указанных волн (8).

Расчет проведен для ПДВ сечением 4λ×0,3125λ. Из фиг. 3 видно, что при длине щели, равной 1,328λ, амплитуды возбужденных в пластине волн НЕ11, НЕ13 и ΗΕ15 обеспечивают необходимые соотношения между ними для получения амплитудного распределения поля по координате у, близкого к распределению Гаусса-Эрмита нулевого порядка.

Распределение поля по второй из поперечных координат (координате х) будет близко к распределению поля волны НЕ11 в связи с выбором толщины клина 2 и пластины 3, равной толщине одномодового возбуждающего волновода 1.

Для формирования требуемого распределения излучения в пучке, кроме обеспечения заданного соотношения амплитуд, необходимо также обеспечить синфазность указанных волн, что достигается выбором расстояния L от концов щелей до апертуры излучателя.

Расстояние L может быть определено из системы уравнений

где U11, U13 и U15 - коэффициенты замедления волн НЕ11, НЕ13 и ΗΕ15 соответственно, в пластине 3; φ11 φ13 и φ15 - фазы волн на границе участка с неоднородностями; k=0, 1, 2, …; n=0, 1, 2, … В качестве р000000асстояния L целесообразно выбирать наименьшее решение указанной системы.

Таким образом, при введении щелей в предложенном планарном диэлектрическом излучателе при выборе формата пластины, параметров щелей и их расположения в пластине из вышеперечисленных условий амплитудное распределение излучаемого волнового пучка может быть аналитически описано функцией Гаусса-Эрмита нулевого порядка по координате y поперечного сечения, а амплитудное распределение по координате x - распределением основной волны НЕ11 прямоугольного ДВ.

Выбор формы щелей определяется технологическими возможностями изготовления и требованиями к излучателю в конкретной прикладной задаче - требованиями к уровню отражения, точности аппроксимации излучаемого волнового пучка функцией Гаусса-Эрмита нулевого порядка.

Для минимизации уровня отражений и обеспечения минимально возможного среднеквадратичного отклонения амплитудного распределения излучаемого пучка от распределения Гаусса-Эрмита нулевого порядка предложен планарный диэлектрический излучатель со щелями в форме шестиугольника, вытянутого вдоль оси, проходящей через диаметрально противоположные вершины, приведенный на фиг. 2. Экспериментально установлено, что для минимизации отражения от щелей этот угол должен быть не более 15°.

Задача определения размеров щелей, их расположения в пластине излучателя является многофакторной. В силу приближенности теоретических моделей, заложенных в решения уравнений связанных мод для определения размеров и местоположения щелей, неучета на неоднородностях (щелях) вытекающих волн, квазипериодического характера зависимостей модулей комплексных амплитуд возбужденных волн (фиг. 3), фазовых соотношений между модами строгое точное решение затруднено.

Для планарного диэлектрического излучателя со щелями в форме шестиугольника (фиг. 2) определены основные соотношения для выбора расстояния d от оси каждой щели 4 до оси пластины 3, размеров щелей (ширины δ и площади S) и расстояния L от концов щелей до апертуры излучателя.

При выборе указанных параметров щелей обеспечено среднеквадратичное отклонение излучаемого пучка от распределения Гаусса-Эрмита нулевого порядка не хуже 5·10-3.

Был изготовлен и экспериментально проверен образец планарного диэлектрического излучателя со щелями, имеющими форму вытянутого шестиугольника (фиг. 2), с углом при вершине клина α=10°, форматом поперечного сечения пластины Φ=13,1, углом β=15°, расстоянием от оси щели до оси пластины d=1,52 мм, расстоянием от концов щелей до апертуры излучателя L=45,2 мм, шириной щели δ=0,45 мм, площадью щели S=1,7 мм2. Образец излучателя изготовлен из фторопласта (ε=2,1), длина волны λ=3,2 мм, сечение возбуждающего волновода а=1,0 мм, b1=2,2 мм.

Полученное экспериментально амплитудное распределение излучения вдоль поперечной координаты у на расстоянии от апертуры излучателя, равном 6λ, практически совпадает с распределением Гаусса-Эрмита нулевого порядка (фиг. 4).

Литература

1. Орехов Ю.И. Открытые волноводные и резонансные КВЧ устройства бесконтактной диагностики быстропротекающих процессов в многокомпонентных средах: дисс.… докт. техн. наук. М., 2007. 314 с.

2. Планарный излучатель: пат. 2447552 РФ. №2010142590/07; заявл. 18.10.10; опубл. 10.04.12, бюл. №10. 2 с.

3. Гайнулина Е.Ю., Штыков В.В. Многомодовый режим диэлектрических планарных волноводно-пучковых преобразователей // Изв. вузов. Физика. 2012. Т. 55. №8/3. С. 5-10.

4. Миллер С. Теория связанных волн и ее применение к волноводам // Волноводные линии передач с малыми потерями / Пер. под ред. Б.В. Штейншлейгера. М.: Изд-во иностр. лит., 1960. С. 139.


ПЛАНАРНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ
ПЛАНАРНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ
ПЛАНАРНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ
ПЛАНАРНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ
ПЛАНАРНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ
ПЛАНАРНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ
ПЛАНАРНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ
ПЛАНАРНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 582 items.
20.01.2013
№216.012.1cd2

Гальванопластический способ изготовления сложно-рельефных элементов антенно-фидерных устройств

Изобретение относится к гальванопластике и может быть использовано для изготовления элементов антенно-фидерных устройств повышенной сложности. Гальванопластический способ включает использование форм из алюминия или его сплавов и гальваническое нанесение на формы никеля с последующим их...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472872
Дата охранного документа: 20.01.2013
20.01.2013
№216.012.1d92

Пневматическая установка для испытаний

Изобретение относится к области испытательной техники, а именно к установкам для испытаний на ударные воздействия конструкций различного назначения. Пневматическая установка для испытаний содержит ресивер со сжатым газом, полость которого отделена от внешнего пространства диафрагмой, средство...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473064
Дата охранного документа: 20.01.2013
20.01.2013
№216.012.1d9b

Шланговый гамма-дефектоскоп

Использование: для радиографического контроля промышленных изделий. Сущность: заключается в том, что шланговый гамма-дефектоскоп для радиографического контроля промышленных изделий содержит оснащенную ампулопроводом радиационную головку с корпусом, систему блокировок с замком и блоком защиты из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473073
Дата охранного документа: 20.01.2013
20.01.2013
№216.012.1de3

Способ переработки жидких радиоактивных отходов от применения дезактивирующих растворов

Изобретение относится к радиохимической технологии, конкретно к очистке жидких радиоактивных отходов. Способ переработки жидких радиоактивных отходов от применения дезактивирующих растворов включает сорбцию радионуклидов, обработку реагентами при комнатной температуре, осаждение осадка при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473145
Дата охранного документа: 20.01.2013
27.01.2013
№216.012.20c9

Ультразвуковой способ контроля плотности в процессе эксплуатации деталей из высоконаполненных композитных материалов на основе октогена

Использование: для ультразвукового контроля плотности в процессе эксплуатации деталей из высоконаполненных композитных материалов на основе октогена. Сущность: заключается в том, что возбуждают ультразвуковые волны в заданной зоне исследуемой детали с известной начальной плотностью ρ, измеряют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473894
Дата охранного документа: 27.01.2013
27.01.2013
№216.012.2137

Способ изготовления многоуровневых тонкопленочных микросхем

Изобретение относится к области изготовления микросхем и может быть использовано для изготовления многоуровневых тонкопленочных гибридных интегральных схем и анизотропных магниторезистивных преобразователей. Технический результат - упрощение технологии изготовления микросхем и повышение их...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474004
Дата охранного документа: 27.01.2013
27.01.2013
№216.012.218e

Способ герметизации трубчатых электронагревателей

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при изготовлении трубчатых электронагревателей. Технический результат изобретения заключается в увеличении надежности герметизации и срока службы ТЭН, а также снижении трудоемкости и ускорении процесса герметизации. В способе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474091
Дата охранного документа: 27.01.2013
10.02.2013
№216.012.2360

Способ получения керамических блочно-ячеистых фильтров-сорбентов для улавливания газообразных радиоактивных и вредных веществ

Настоящее изобретение относится к области химической технологии высокопористых керамических материалов и предназначено для использования непосредственно для фильтрации и адсорбции газообразных радиоактивных и вредных веществ в условиях высоких температур (свыше 1000°С) и химически агрессивных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474558
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.02.2013
№216.012.245f

Широкополосный спектрометр мягкого рентгеновского излучения

Использование: для определения пространственно-спектральных характеристик рентгеновского излучения. Сущность: заключается в том, что широкополосный спектрометр мягкого рентгеновского излучения включает герметичный корпус, в котором расположены каналы регистрации, каждый из которых включает в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474813
Дата охранного документа: 10.02.2013
20.02.2013
№216.012.288d

Способ герметизации волноводных свч-устройств

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для герметизации антенных, волноводных, невзаимных и прочих СВЧ-систем. В способе герметизации волноводных СВЧ-устройств весь внутренний объем устройств после монтажа внутренних элементов заполняют гранулами пенополистирола,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475901
Дата охранного документа: 20.02.2013
Showing 1-10 of 428 items.
20.01.2013
№216.012.1cd2

Гальванопластический способ изготовления сложно-рельефных элементов антенно-фидерных устройств

Изобретение относится к гальванопластике и может быть использовано для изготовления элементов антенно-фидерных устройств повышенной сложности. Гальванопластический способ включает использование форм из алюминия или его сплавов и гальваническое нанесение на формы никеля с последующим их...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472872
Дата охранного документа: 20.01.2013
20.01.2013
№216.012.1d92

Пневматическая установка для испытаний

Изобретение относится к области испытательной техники, а именно к установкам для испытаний на ударные воздействия конструкций различного назначения. Пневматическая установка для испытаний содержит ресивер со сжатым газом, полость которого отделена от внешнего пространства диафрагмой, средство...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473064
Дата охранного документа: 20.01.2013
20.01.2013
№216.012.1d9b

Шланговый гамма-дефектоскоп

Использование: для радиографического контроля промышленных изделий. Сущность: заключается в том, что шланговый гамма-дефектоскоп для радиографического контроля промышленных изделий содержит оснащенную ампулопроводом радиационную головку с корпусом, систему блокировок с замком и блоком защиты из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473073
Дата охранного документа: 20.01.2013
20.01.2013
№216.012.1de3

Способ переработки жидких радиоактивных отходов от применения дезактивирующих растворов

Изобретение относится к радиохимической технологии, конкретно к очистке жидких радиоактивных отходов. Способ переработки жидких радиоактивных отходов от применения дезактивирующих растворов включает сорбцию радионуклидов, обработку реагентами при комнатной температуре, осаждение осадка при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473145
Дата охранного документа: 20.01.2013
27.01.2013
№216.012.20c9

Ультразвуковой способ контроля плотности в процессе эксплуатации деталей из высоконаполненных композитных материалов на основе октогена

Использование: для ультразвукового контроля плотности в процессе эксплуатации деталей из высоконаполненных композитных материалов на основе октогена. Сущность: заключается в том, что возбуждают ультразвуковые волны в заданной зоне исследуемой детали с известной начальной плотностью ρ, измеряют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473894
Дата охранного документа: 27.01.2013
27.01.2013
№216.012.2137

Способ изготовления многоуровневых тонкопленочных микросхем

Изобретение относится к области изготовления микросхем и может быть использовано для изготовления многоуровневых тонкопленочных гибридных интегральных схем и анизотропных магниторезистивных преобразователей. Технический результат - упрощение технологии изготовления микросхем и повышение их...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474004
Дата охранного документа: 27.01.2013
27.01.2013
№216.012.218e

Способ герметизации трубчатых электронагревателей

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при изготовлении трубчатых электронагревателей. Технический результат изобретения заключается в увеличении надежности герметизации и срока службы ТЭН, а также снижении трудоемкости и ускорении процесса герметизации. В способе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474091
Дата охранного документа: 27.01.2013
10.02.2013
№216.012.2360

Способ получения керамических блочно-ячеистых фильтров-сорбентов для улавливания газообразных радиоактивных и вредных веществ

Настоящее изобретение относится к области химической технологии высокопористых керамических материалов и предназначено для использования непосредственно для фильтрации и адсорбции газообразных радиоактивных и вредных веществ в условиях высоких температур (свыше 1000°С) и химически агрессивных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474558
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.02.2013
№216.012.245f

Широкополосный спектрометр мягкого рентгеновского излучения

Использование: для определения пространственно-спектральных характеристик рентгеновского излучения. Сущность: заключается в том, что широкополосный спектрометр мягкого рентгеновского излучения включает герметичный корпус, в котором расположены каналы регистрации, каждый из которых включает в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474813
Дата охранного документа: 10.02.2013
20.02.2013
№216.012.288d

Способ герметизации волноводных свч-устройств

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для герметизации антенных, волноводных, невзаимных и прочих СВЧ-систем. В способе герметизации волноводных СВЧ-устройств весь внутренний объем устройств после монтажа внутренних элементов заполняют гранулами пенополистирола,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475901
Дата охранного документа: 20.02.2013
+ добавить свой РИД