×
10.03.2016
216.014.c143

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ФИЛЬТРУЮЩЕГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ АГРЕССИВНЫХ ЖИДКОСТЕЙ И ГАЗОВ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002576439
Дата охранного документа
10.03.2016
Аннотация: Изобретение относится к области химической технологии. Способ изготовления включает пропитку углеродных волокон расплавленным кремнием с удалением избыточного кремния растворением в смеси плавиковой и азотной кислот. Полученный фильтрующий материал образован нитями карбида кремния в текстильной форме сетчатой ткани. Изобретение обеспечивает получение высокотемпературного фильтрующего материала в форме пластин, инертного по отношению к кислым и щелочным средам. 1 ил.
Основные результаты: Способ изготовления высокотемпературного фильтрующего материала для агрессивных жидкостей и газов, включающий пропитку исходных волокон в форме нитей связующим и удаление избытка связующего, отличающийся тем, что в качестве связующего используют расплавленный кремний, проводят направленную пропитку им перемещаемой в горизонтальной плоскости натянутой ленты из углеродной сетчатой ткани, нарезание полученной силицированной ленты на мерные пластины и химическое удаление избыточного кремния в смеси плавиковой и азотной кислот.

Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для изготовления фильтров, способных применяться для очистки агрессивных жидкостей и газов от инородных включений при высоких температурах эксплуатации.

Предложенный фильтрующий материал образован нитями карбида кремния в текстильной форме сетчатой ткани.

Известен способ получения керамического фильтра, содержащего углеродное покрытие (Патент РФ №2456056, МПК B01D 39/20, С04В 38/00, опубл. 20.07.2012 г.) [1]. Способ включает прессование изделия из пористого материала с открытыми порами и связующих из кремния в штампе, затем прокалывание полученной заготовки насквозь множеством игл или стержней с получением малых пор в поперечном сечении изделия. Недостатком известного способа является высокая трудоемкость изготовления фильтра путем прокалывания иглами или стержнями. Известен фильтрующий материал для очистки высокотемпературных газов от мелкодисперсных частиц в газогенераторах на твердых топливах (Патент РФ №2429898, МПК B01D 39/20, опубл. 27.09.2011 г.) [2]. Материал включает фенолформальдегидную смолу, уротропин и природный речной песок фракции 0,2-0,5 мм. Недостатком этого материала является низкая предельная температура эксплуатации фильтра - 420°С.

Известны химически стойкий фильтр для очистки жидкостей и газов и способ его изготовления (Патент РФ №2417817, МПК С04В 38/00, С04В 35/622, В01D 39/20, опубл. 10.05.2011 г.) [3]. Керамический фильтр включает блок пористых керамических пластин прямоугольной формы со сквозными каналами. Для изготовления фильтра проводят замешивание ряда оксидов на органическом связующем: парафин с полиэтиленом, промежуточные отжиги, прессования и окончательный отжиг при температуре от 700°С до 1300°С. Недостатками способа [3] являются сложность и энергоемкость приготовления фильтрующего материала, а также определенные сомнения в его экологической безопасности. В описании патента указано: «Одновременно этот фильтр может использоваться для очистки воды, масел, соков, молока и др.». Последнее исключено, поскольку в состав материала заявленного фильтра входят химические соединения Ва, Be, Cd, Sr, токсичность которых хорошо известна.

Известен способ получения керамического волокнистого высокотемпературного газового фильтра (Патент РФ №2163833, МПК B01D 39/20, B32B 18/00, С04В 35/76, опубл. 10.03.2001 г.) [4]. Способ [4] наиболее близок по технической сущности к заявляемому изобретению и принят за прототип.

Способ [4] имеет целью получение трубчатых материалов для высокотемпературных газовых фильтров. Поставленная цель достигается тем, что изготавливается композитный фильтр, имеющий распределение непрерывного керамического волокна и штапелированных керамических волокон по толщине стенки фильтра. Изобретение относится к керамической волокнистой композитной структуре и к способу ее получения, в частности к керамическому волокнистому композитному фильтру, пригодному для очистки высокотемпературного газа. Керамическую волокнистую композитную структуру или фильтр получают способом, в котором непрерывное керамическое волокно в виде нити наматывают на пористую вакуумную оправку при одновременном нанесении на нее разбавленной суспензии штапелированных керамических волокон. При этом получают керамическую волокнистую композитную заготовку, в которой непрерывное керамическое волокно плотно окружено штапелированными керамическими волокнами. Заготовку пропитывают различными керамическими связующими, удаляя избыток керамического связующего. Далее проводят сушку и обжиг заготовки с образованием связующей фазы в точках контактного взаимодействия с волокнами.

Общими с заявляемым способом признаками являются наличие непрерывного керамического волокна, пропитка связующим и удаление избытка связующего.

Недостатками способа-прототипа являются высокая трудоемкость намотки хрупкого керамического волокна на вакуумную пористую оправку при одновременном нанесении на нее суспензии керамических волокон. Данные о применяемых керамических волокнах в патенте [4] не приводятся. Другим недостатком является то обстоятельство, что геометрическая форма фильтра ограничивается формой трубы. Не ясно, каким образом создается связующая фаза в точках контактного взаимодействия штапелированных волокон с непрерывной керамической нитью при обжиге заготовки. Кроме того, керамические нити (волокна) являются дорогостоящим продуктом.

Задачей заявляемого способа является получение высокотемпературного фильтрующего материала в форме пластин большой площади с одновременным снижением себестоимости материала.

Поставленная задача достигается за счет того, что в предлагаемом способе, включающем направленную пропитку перемещаемой в горизонтальной плоскости натянутой ленты из углеродной сетчатой ткани расплавленным кремнием, нарезание полученной силицированной ленты на мерные пластины и химическое удаление свободного кремния в смеси плавиковой и азотной кислот.

В результате силицирования углерод исходной сетчатой ткани превращается в карбид кремния с сохранением структуры ткани. За счет неизбежного увеличения удельного объема углеродных волокон при переходе в карбид кремния площадь просвета пластин фильтрующего материала снижается в 2 раза. Связка продольных нитей основы и поперечных нитей утка обеспечивается при силицировании ткани естественным образом. Углеродная сетчатая ткань является недорогим и освоенным в массовом производстве ряда стран материалом. Получаемый материал (сетка из карбида кремния) инертен по отношению к кислотным и щелочным средам и может использоваться на воздухе при температуре до 1900°С.

Для достижения этого технического результата процесс перемещения ленты из углеродной сетчатой ткани проводят в горизонтальной плоскости в среде вакуума с подачей к ее поверхности расплавленного кремния. Данная схема необходима в связи с тем, что для обеспечения плоскостности получаемого материала исходная лента ткани должна быть натянута. Функцию связующего в заявляемом способе выполняет кремний.

Затем нарезанные алмазным инструментом пластины материала подвергают обработке в смеси плавиковой и азотной кислот с целью удаления избыточного кремния как для вскрытия окон в материале, так и для увеличения температурного диапазона его использования. После отмывки и сушки материал может быть использован в качестве фильтрующего как в виде отдельных пластин, так и в виде пакетов из них.

Пример

В водоохлаждаемую герметичную камеру установили бобину с намотанной на нее лентой из углеродной сетчатой ткани СКТ-А длиной 1 м и шириной 100 мм. Ленту привели в зацепление с вращаемой аналогичной приемной бобиной. После вакуумирования камеры до уровня 10-1 Торр капиллярный питатель, содержащий дробленый кремний, нагрели до температуры 1500°С и включили механизм перемещения ленты ткани. Скорость перемещения поддерживали в пределах 3-5 см/мин. После охлаждения участок ленты силицированной ткани длиной 0,45 м извлекли из камеры и нарезали алмазным диском на 4 пластины размерами 100 мм × 100 мм каждая. Далее пластины разместили в кювете из тефлона, залили их смесью концентрированных кислот 1HF/3HNO3, извлекли из кюветы, отмыли проточной водой и высушили.

Структура исходной углеродной сетчатой подложки СКТ-А иллюстрируется микрофотографиями Фиг. 1 (а, в). Удельная площадь ее просвета, оцененная при помощи метода гистограмм в графическом редакторе Photoshop 6.0, составляет 19%.

Структура сетчатой подложки после ее силицирования и химического удаления свободного кремния приведена на Фиг. 1 (б, г). При этом удельная площадь ее просвета снижается до 10%.

Микрофотографии структуры фильтрующего материала представлены на фиг. 1, где «а» - исходная сетчатая ткань, «б» - та же ткань после силицирования и химического удаления свободного кремния, «в» и «г» - поперечные сечения композиционного материала по линии основы ткани в той же последовательности. Нити утка нормальны к плоскости микрофотографий.

Способ изготовления высокотемпературного фильтрующего материала для агрессивных жидкостей и газов, включающий пропитку исходных волокон в форме нитей связующим и удаление избытка связующего, отличающийся тем, что в качестве связующего используют расплавленный кремний, проводят направленную пропитку им перемещаемой в горизонтальной плоскости натянутой ленты из углеродной сетчатой ткани, нарезание полученной силицированной ленты на мерные пластины и химическое удаление избыточного кремния в смеси плавиковой и азотной кислот.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ФИЛЬТРУЮЩЕГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ АГРЕССИВНЫХ ЖИДКОСТЕЙ И ГАЗОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 71-80 of 92 items.
31.05.2020
№220.018.22bb

Сапфировый роликовый аппликатор для криохирургии и криотерапии

Изобретение относится к криогенной технике, а именно криоаппликаторам иммерсионного типа, и может использоваться в криомедицине и ветеринарии. Криоаппликатор содержит ролик и ручку, ролик выполнен из сапфира в виде шлифованного или полированного шара или цилиндра с углублениями на торцах, в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722352
Дата охранного документа: 29.05.2020
09.06.2020
№220.018.25bc

Структура с резистивным переключением

Изобретение предназначено для применения в электронике для нейроморфных вычислений и хранения информации. Структура с резистивным переключением включает два металлических алюминиевых контакта, нанесенных на поверхность тонкой пленки аморфной сурьмы. Изобретение обеспечивает получение структуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002723073
Дата охранного документа: 08.06.2020
03.07.2020
№220.018.2dda

Способ получения timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения TiMnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725229
Дата охранного документа: 30.06.2020
06.07.2020
№220.018.2fb7

Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электрометаллургии для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725610
Дата охранного документа: 03.07.2020
09.07.2020
№220.018.3097

Устройство для выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетового диапазона

Изобретение относится к области роста кристаллов, в частности, к выращиванию смешанных монокристаллов K(Со,Ni)(SO)x6HO (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров. Устройство для выращивания смешанных кристаллов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725924
Дата охранного документа: 07.07.2020
20.04.2023
№223.018.4c95

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751059
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4c96

Высокотемпературный слоисто-волокнистый композит, армированный оксидными волокнами, и способ его получения

Изобретение относится к высокотемпературным конструкционным композитным материалам с металлической матрицей и способам их получения. Высокотемпературный слоисто-волокнистый композит, с матрицей на основе Nb, твердого раствора Nb(Al), а также интерметаллидов NbAl и NbAl содержит слои Мо,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751062
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4cda

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755023
Дата охранного документа: 09.09.2021
20.04.2023
№223.018.4d09

Устройство для измерения малых токов инжектированных зарядов в конденсированных средах

Устройство для измерения малых токов инжектированных зарядов в конденсированных средах предназначено для измерения малых токов ~ 10 А и регистрации их изменения во времени, а также записи результатов измерения на электронный носитель. Устройство содержит преобразователь ток-напряжение,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754201
Дата охранного документа: 30.08.2021
20.04.2023
№223.018.4d26

Устройство для получения наночастиц из газов и паров жидкостей при сверхнизких температурах

Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно предлагаемое устройство позволяет получать частицы малых размеров (наночастицы) из материалов, которые существуют при комнатных температурах в виде газов или паров. Устройство для получения наночастиц из материалов, существующих при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002756051
Дата охранного документа: 24.09.2021
Showing 41-44 of 44 items.
29.05.2020
№220.018.217a

Способ выращивания слоев алмаза на подложке монокристаллического кремния

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения слоев алмаза большой площади на подложках из монокристаллического кремния. Способ выращивания слоев алмаза, включающий нагрев в вакуумной среде в диапазоне температур от 910°С до 1150°С порошка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722136
Дата охранного документа: 26.05.2020
20.04.2023
№223.018.4a6f

Способ выращивания легированных бором полупроводниковых пленок алмаза

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения легированных бором пленок алмаза на подложках из кремния. Технический результат заключается в создании способа выращивания пленок алмаза акцепторного типа проводимости со значением удельного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002780375
Дата охранного документа: 22.09.2022
20.04.2023
№223.018.4a7d

Способ получения водорода

Изобретение может быть использовано для получения газообразного чистого водорода в установках, связанных с системами транспортировки газа. Способ получения водорода из природного газа включает нагрев лент из углеродной фольги в герметичной водоохлаждаемой камере прямым пропусканием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002786070
Дата охранного документа: 16.12.2022
20.04.2023
№223.018.4b41

Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения пленок алмаза большой площади на подложках из кремния. Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза включает нагрев порошка алмаза 5 в графитовом контейнере в среде вакуума с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002773320
Дата охранного документа: 01.06.2022
+ добавить свой РИД