×
20.01.2016
216.013.a0c0

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества. Способ заключается в том, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды, постоянным периодом следования и изменяющейся по гармоническому закону длительностью. Импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования греющей мощности. В паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра - прямого напряжения на диоде при малом постоянном измерительном токе и вычисляют временную зависимость температуры кристалла в процессе нагрева транзистора, после чего с помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду основной гармоники температуры кристалла и амплитуду основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса транзистора на частоте модуляции греющей мощности. Затем процесс измерения повторяют на других частотах модуляции, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус мощного МДП-транзистора. 4 ил.
Основные результаты: Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов, заключающийся в том, что через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока, в паузах между ними измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U при измерительном токе I, вычисляют среднюю рассеиваемую мощность при каждом импульсе греющего тока и соответствующие изменения температурочувствительного параметра, отличающийся тем, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды I, постоянным периодом следования Т и изменяющейся по гармоническому закону длительностью τ, импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале мощного МДП-транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на антипараллельном диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования Т греющей мощности , в паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U - прямого напряжения на антипараллельном диоде при измерительном токе I и вычисляют временную зависимость температуры T(t) кристалла в процессе нагрева мощного МДП-транзистора, с помощью Фурье-преобразования временных зависимостей T(t) и вычисляют амплитуду Τ основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса Z мощного МДП-транзистора на частоте модуляции ω греющей мощности, после чего процесс измерения повторяют на других частотах модуляции ω греющей мощности, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса Ζ(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус R мощного МДП-транзистора.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества.

Среди существующих способов измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов известен способ измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении (RU 2240573, МПК G01R 31/26, опубл. 20.11.2004), заключающийся в том, что полупроводниковый кристалл нагревают путем пропускания через него постоянного тока Ι0 заданной амплитуды и в процессе нагревания измеряют значение его температурочувствительного параметра, в качестве которого используют прямое падение напряжения на кристалле Uп и одновременно измеряют температуру основания корпуса Тк прибора в выбранной точке. Запоминают эти значения, получая их зависимости от времени. Прекращают нагрев полупроводникового кристалла при достижении температуры Тк заданного значения и в режиме естественного охлаждения при подаче на кристалл коротких измерительных импульсов тока с амплитудой, равной значению постоянного греющего тока Ι0, и скважностью, не влияющими на тепловое равновесие прибора, измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра и температуры основания корпуса, получая зависимости Uп(t) и Тк(t) на интервале охлаждения. При этом длительность интервала охлаждения выбирают из условия безусловного выполнения t>>3τ, где τ - наибольшая тепловая постоянная конструкция прибора, определяют момент динамического равновесия на интервале нагрева и по полученным зависимостям вычисляют тепловое сопротивление переход-корпус.

Недостатком способа является большая погрешность измерения, обусловленная тем, что зависимость температурочувствительного параметра от температуры кристалла, измеряемая при большом греющем токе, имеет нелинейный характер.

Наиболее близким по технической сущности к заявленному изобретению (прототипом) является способ измерения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением (RU 2516609, МПК G01R 31/26, опубл. 27.08.2013), суть которого заключается в следующем. Прибор нагревают путем пропускания через него импульсов тока произвольной формы в открытом состоянии. В паузах между импульсами греющего тока, пропуская через прибор измерительный ток, измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра, в качестве которого используют падение напряжения между стоком и истоком открытого прибора, и температуры корпуса. Периодически измеряют и запоминают значения греющего тока и вызываемого им падения напряжения на приборе. Вычисляют среднюю мощность, рассеиваемую в приборе при пропускании через него импульса греющего тока. Сравнивают вычисленную среднюю мощность потерь на n-м интервале измерения с предварительно установленной максимально допустимой для прибора рассеиваемой мощностью. Когда значение меньше, равно или больше РМАХ, соответственно увеличивают, оставляют неизменным или уменьшают среднее значение греющего тока. По достижении температурой корпуса прибора заданного максимума полностью прерывают протекание греющего тока. Через прибор пропускают измерительный ток и измеряют и запоминают значение температурочувствительного параметра. В режиме естественного охлаждения по достижении термодинамического равновесия периодически измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра и температуры корпуса прибора, после чего рассчитывают тепловое сопротивление переход-корпус.

Недостатком прототипа является большая погрешность определения средней мощности, рассеиваемой в приборе при пропускании через него импульса греющего тока произвольной формы, и, как следствие, большая погрешность вычисления теплового сопротивления переход-корпус прибора.

Технический результат - повышение точности измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов.

Технический результат достигается тем, что, как и в прототипе, через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока, в паузах между ними измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра UТЧП при измерительном токе Iизм, вычисляют среднюю рассеиваемую мощность при каждом импульсе греющего тока и соответствующие изменения температурочувствительного параметра. В отличие от прототипа, в котором нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют импульсами греющего тока произвольной формы, пропуская их через открытый канал мощного МДП-транзистора, а в качестве температурочувствительного параметра UТЧП используют напряжение между стоком и истоком мощного МДП-транзистора при открытом канале и измерительном токе Iизм, в заявляемом изобретении нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды Ιгр, постоянным периодом следования Тсл и изменяющейся по гармоническому закону длительностью τ, импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале мощного МДП-транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на антипараллельном диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования Тсл греющей мощности , в паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра UТЧП - прямого напряжения на антипараллельном диоде при измерительном токе Iизм и вычисляют временную зависимость температуры T(t) кристалла в процессе нагрева мощного МДП-транзистора, с помощью Фурье-преобразования временных зависимостей T(t) и вычисляют амплитуду T1 основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P1 основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса ΖT мощного МДП-транзистора на частоте модуляции ω греющей мощности, после чего процесс измерения повторяют на других частотах модуляции ω греющей мощности, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса ΖT(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус RТп-к мощного МДП-транзистора.

Сущность способа поясняют фиг. 1-3. На фиг. 1а показана структура мощного n-канального МДП-транзистора, на фиг. 1б - его условное графическое изображение. Особенностью структуры транзистора является наличие антипараллельного диода, образованного p-областью истока и n-областью стока. При замкнутых между собой затворе и истоке мощного МДП-транзистора напряжение UЗИ между ними равно нулю, проводящий канал между истоком и стоком отсутствует и ток между истоком и стоком протекает через антипараллельный диод по пути, показанному на фиг. 1а стрелками.

На фиг. 2а показана временная зависимость тока I через антипараллельный диод мощного МДП-транзистора, представляющая собой последовательность греющих импульсов с постоянным периодом следования Тсл и изменяющейся по гармоническому закону длительностью. Широтно-импульсная модуляция греющего тока Iгр, осуществляемая по гармоническому закону, вызывает соответствующие изменения рассеиваемой в мощном МДП-транзисторе мощности , график которой показан на фиг. 2б. Модуляция греющей мощности вызывает соответствующие изменения температуры T(t) кристалла мощного МДП-транзистора, сдвинутые по фазе относительно мощности (фиг. 2в). Изменение температуры вызывает соответствующие изменения температурочувствительного параметра UТЧП(t) (фиг. 2г), в качестве которого используют прямое напряжение на антипараллельном диоде, измеряемое в паузах между греющими импульсами при измерительном токе Iизм. Прямое напряжение на диоде линейно зависит от температуры, что позволяет на основе измерения UТЧП(t) определить T(t). Отношение основной гармоники Τ1 температуры кристалла и основной гармоники P1 рассеиваемой в мощном МДП-транзисторе мощности определяет модуль теплового импеданса ΖT мощного МДП-транзистора на частоте модуляции греющей мощности ω.

На фиг. 3 представлена частотная зависимость модуля теплового импеданса ΖT(ω) мощного МДП-транзистора, полученная в результате измерений модуля теплового импеданса ΖT при различных частотах ω модуляции греющей мощности. Значение ΖT на пологом участке частотной зависимости определяет тепловое сопротивление переход-корпус RТп-к мощного МДП-транзистора.

Предлагаемый способ может быть реализован с помощью устройства, структурная схема которого показана на фиг. 4. Устройство содержит источник 1 измерительного тока; формирователь 2 греющих импульсов, управляемый микроконтроллером 3; аналого-цифровой преобразователь 4, вход которого соединен с объектом измерения - мощным МДП-транзистором 5, а выход - с микроконтроллером 3. Затвор и исток мощного МДП-транзистора 5 соединены между собой.

Способ осуществляют следующим образом. С выхода формирователя 2 греющих импульсов через объект измерения - мощный МДП-транзистор 5 - пропускают заданное микроконтроллером 3 количество импульсов греющего тока Iгр, период следования Тсл которых поддерживают постоянным, а длительность модулируют по гармоническому закону. Частота модуляции задается микроконтроллером. В паузах между греющими импульсами измеряют температурочувствительный параметр - прямое напряжение UТЧП на антипараллельном диоде мощного МДП-транзистора 5, возникающее при протекании через него измерительного тока Iизм, сформированного источником 1. Напряжение UТЧП с помощью аналого-цифрового преобразователя 4 преобразуют в цифровой код, поступающий в микроконтроллер 3, в результате чего в памяти микроконтроллера 3 формируют массив значений {UТЧП}, который затем преобразуют в массив температур {Т} кристалла. С помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду Τ1 основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P1 основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса ΖT мощного МДП-транзистора на частоте модуляции греющей мощности ω. Затем процесс измерения повторяют при других частотах модуляции греющей мощности ω, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса ΖT(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое равно тепловому сопротивлению переход-корпус RТп-к мощного МДП-транзистора.

Повышение точности измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов в заявляемом способе достигается за счет того, что, в отличие от прототипа, в нем с более высокой точностью определяются средняя мощность, рассеиваемая в объекте измерения при прохождении через него каждого импульса греющего тока, а также амплитуда основной гармоники температуры кристалла, вычисление которой производится с помощью Фурье-преобразования достаточно большого по объему массива данных.

Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов, заключающийся в том, что через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока, в паузах между ними измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U при измерительном токе I, вычисляют среднюю рассеиваемую мощность при каждом импульсе греющего тока и соответствующие изменения температурочувствительного параметра, отличающийся тем, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды I, постоянным периодом следования Т и изменяющейся по гармоническому закону длительностью τ, импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале мощного МДП-транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на антипараллельном диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования Т греющей мощности , в паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U - прямого напряжения на антипараллельном диоде при измерительном токе I и вычисляют временную зависимость температуры T(t) кристалла в процессе нагрева мощного МДП-транзистора, с помощью Фурье-преобразования временных зависимостей T(t) и вычисляют амплитуду Τ основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса Z мощного МДП-транзистора на частоте модуляции ω греющей мощности, после чего процесс измерения повторяют на других частотах модуляции ω греющей мощности, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса Ζ(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус R мощного МДП-транзистора.
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 121-130 of 262 items.
27.07.2015
№216.013.6881

Способ получения износостойкого покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение износостойкого покрытия из нитрида или карбонитрида титана, кремния, алюминия, ниобия и хрома при их соотношении, мас.%:...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558306
Дата охранного документа: 27.07.2015
27.07.2015
№216.013.6882

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента включает вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия, при этом наносят нижний слой из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558307
Дата охранного документа: 27.07.2015
27.07.2015
№216.013.6883

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Способ включает вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия, при этом наносят нижний слой из нитрида соединения титана, циркония и хрома при их...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558308
Дата охранного документа: 27.07.2015
27.07.2015
№216.013.6884

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента включает вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия, при этом наносят нижний слой из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558309
Дата охранного документа: 27.07.2015
27.07.2015
№216.013.6885

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента включает вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия, при этом наносят нижний слой из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558310
Дата охранного документа: 27.07.2015
27.07.2015
№216.013.6886

Способ обработки маложестких заготовок сложнопрофильных деталей

Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано при поверхностном пластическом деформировании маложестких заготовок с криволинейными поверхностями. Устанавливают на опорных шариках в акустических концентраторах напротив друг друга по обе стороны заготовки сферические...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558311
Дата охранного документа: 27.07.2015
27.07.2015
№216.013.6887

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента включает вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия, при этом наносят нижний слой из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558312
Дата охранного документа: 27.07.2015
27.07.2015
№216.013.6888

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида титана. Затем наносят верхний слой из нитрида соединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558313
Дата охранного документа: 27.07.2015
10.08.2015
№216.013.6948

Ремень безопасности для транспортного средства

Изобретение относится к ремню безопасности для транспортного средства. Ремень включает пряжку 1 с прорезью 2, сквозь которую с возможностью скольжения пропущена лямка 3 ремня, и язычковой защелкой 4, вводимой в запирающий пряжку замок 5, укрепленный на боковине 6 кресла 7. Перемычка 8 между...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558505
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.08.2015
№216.013.6972

Узловое соединение стержневых элементов пространственной конструкции

Изобретение относится к области строительства, а именно к узловым соединениям в пространственных конструкциях покрытий. Технический результат изобретения заключается в упрощении монтажа узла за счет возможности соединения стержневых элементов при различных углах наклона к касательной плоскости...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558547
Дата охранного документа: 10.08.2015
Showing 121-130 of 432 items.
20.02.2014
№216.012.a353

Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием полигармонической модуляции греющей мощности

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых диодов. Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов, заключающийся в том, что через полупроводниковый диод пропускают последовательность импульсов греющего тока, период следования которых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507526
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.02.2014
№216.012.a379

Устройство сравнения двоичных чисел

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в цифровых компараторах, ассоциативных процессорах и машинах баз данных. Техническим результатом является упрощение устройства за счет обеспечения однородности аппаратурного состава. Устройство сравнения двоичных чисел...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507564
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.02.2014
№216.012.a418

Устройство для управления электрическим режимом дуговой сталеплавильной печи

Изобретение относится к электротермии, в частности к устройствам управления дуговыми сталеплавильными печами. Технический результат - снижение чувствительности системы управления дуговой сталеплавильной печи к изменяющимся параметрам процесса плавки, повышение стабильности режимов работы,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507723
Дата охранного документа: 20.02.2014
10.03.2014
№216.012.a8ee

Способ получения объемных сложнопрофильных наноструктурных конструкционных и функциональных материалов

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению объемных наноструктурных материалов. Пористую металломатричную основу формируют путем спекания в состоянии свободной засыпки полиморфных порошковых материалов дисперсностью 1-10 мкм. В основу, нагретую до температуры 0,4 от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002508961
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.03.2014
№216.012.a9d4

Устройство для удаления сосулек

Устройство для удаления сосулек относится к строительству крыш жилых и производственных зданий, исключающих опасность схода с крыши снега и льда. Устройство для удаления сосулек 1 с карниза 2 крыши 3 здания 4 содержит гибкие режущие элементы 5, расположенные вдоль карниза параллельно ему....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509191
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.03.2014
№216.012.a9d5

Устройство для сброса сосулек, наледи и снега со свеса кровли

Изобретение относится к области строительства, в частности к устройству для сброса сосулек, наледи и снега со свеса крыши. Технический результат изобретения заключается в повышении эксплуатационной надежности крыши. Устройство для сброса сосулек и наледи и слоя снега со свеса кровли здания...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509192
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.03.2014
№216.012.a9ee

Способ работы тепловой электрической станции

Изобретение относится к области теплоэнергетики и может быть использовано на тепловых электростанциях. Способ работы тепловой электрической станции характеризуется тем, что вырабатываемый в котле пар подают в турбину, паром отборов турбины нагревают сетевую воду в сетевых подогревателях, из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509217
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.03.2014
№216.012.a9f2

Устройство для включения вентилятора

Устройство относится к области машиностроения и может быть использовано для включения и выключения вентилятора охлаждающей системы двигателей внутреннего сгорания. Устройство содержит чувствительный элемент, выполненный из ферромагнитного материала с точкой Кюри, равной критической температуре...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509221
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.03.2014
№216.012.aa03

Торсион для подрессоривания транспортного средства

Изобретение относится к системам подрессоривания транспортных средств. Торсион содержит упругий элемент, выполненный в виде цилиндрической пружины кручения с переменным шагом витков. Пружина размещена в цилиндрическом корпусе. Внутрь цилиндрической пружины помещен усеченный конусный шток....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509238
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.03.2014
№216.012.aa20

Контактный теплоутилизатор

Изобретение относится к теплоэнергетике и может быть использовано для конденсации паров, охлаждения газов водой, нагревания воды газами, охлаждения воды воздухом, мокрой очистки газов. Контактный утилизатор содержит входной патрубок горячих газов; штуцер для отвода нагретой воды; переливной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509267
Дата охранного документа: 10.03.2014
+ добавить свой РИД