×
20.01.2016
216.013.a0c0

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества. Способ заключается в том, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды, постоянным периодом следования и изменяющейся по гармоническому закону длительностью. Импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования греющей мощности. В паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра - прямого напряжения на диоде при малом постоянном измерительном токе и вычисляют временную зависимость температуры кристалла в процессе нагрева транзистора, после чего с помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду основной гармоники температуры кристалла и амплитуду основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса транзистора на частоте модуляции греющей мощности. Затем процесс измерения повторяют на других частотах модуляции, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус мощного МДП-транзистора. 4 ил.
Основные результаты: Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов, заключающийся в том, что через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока, в паузах между ними измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U при измерительном токе I, вычисляют среднюю рассеиваемую мощность при каждом импульсе греющего тока и соответствующие изменения температурочувствительного параметра, отличающийся тем, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды I, постоянным периодом следования Т и изменяющейся по гармоническому закону длительностью τ, импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале мощного МДП-транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на антипараллельном диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования Т греющей мощности , в паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U - прямого напряжения на антипараллельном диоде при измерительном токе I и вычисляют временную зависимость температуры T(t) кристалла в процессе нагрева мощного МДП-транзистора, с помощью Фурье-преобразования временных зависимостей T(t) и вычисляют амплитуду Τ основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса Z мощного МДП-транзистора на частоте модуляции ω греющей мощности, после чего процесс измерения повторяют на других частотах модуляции ω греющей мощности, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса Ζ(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус R мощного МДП-транзистора.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества.

Среди существующих способов измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов известен способ измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении (RU 2240573, МПК G01R 31/26, опубл. 20.11.2004), заключающийся в том, что полупроводниковый кристалл нагревают путем пропускания через него постоянного тока Ι0 заданной амплитуды и в процессе нагревания измеряют значение его температурочувствительного параметра, в качестве которого используют прямое падение напряжения на кристалле Uп и одновременно измеряют температуру основания корпуса Тк прибора в выбранной точке. Запоминают эти значения, получая их зависимости от времени. Прекращают нагрев полупроводникового кристалла при достижении температуры Тк заданного значения и в режиме естественного охлаждения при подаче на кристалл коротких измерительных импульсов тока с амплитудой, равной значению постоянного греющего тока Ι0, и скважностью, не влияющими на тепловое равновесие прибора, измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра и температуры основания корпуса, получая зависимости Uп(t) и Тк(t) на интервале охлаждения. При этом длительность интервала охлаждения выбирают из условия безусловного выполнения t>>3τ, где τ - наибольшая тепловая постоянная конструкция прибора, определяют момент динамического равновесия на интервале нагрева и по полученным зависимостям вычисляют тепловое сопротивление переход-корпус.

Недостатком способа является большая погрешность измерения, обусловленная тем, что зависимость температурочувствительного параметра от температуры кристалла, измеряемая при большом греющем токе, имеет нелинейный характер.

Наиболее близким по технической сущности к заявленному изобретению (прототипом) является способ измерения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением (RU 2516609, МПК G01R 31/26, опубл. 27.08.2013), суть которого заключается в следующем. Прибор нагревают путем пропускания через него импульсов тока произвольной формы в открытом состоянии. В паузах между импульсами греющего тока, пропуская через прибор измерительный ток, измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра, в качестве которого используют падение напряжения между стоком и истоком открытого прибора, и температуры корпуса. Периодически измеряют и запоминают значения греющего тока и вызываемого им падения напряжения на приборе. Вычисляют среднюю мощность, рассеиваемую в приборе при пропускании через него импульса греющего тока. Сравнивают вычисленную среднюю мощность потерь на n-м интервале измерения с предварительно установленной максимально допустимой для прибора рассеиваемой мощностью. Когда значение меньше, равно или больше РМАХ, соответственно увеличивают, оставляют неизменным или уменьшают среднее значение греющего тока. По достижении температурой корпуса прибора заданного максимума полностью прерывают протекание греющего тока. Через прибор пропускают измерительный ток и измеряют и запоминают значение температурочувствительного параметра. В режиме естественного охлаждения по достижении термодинамического равновесия периодически измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра и температуры корпуса прибора, после чего рассчитывают тепловое сопротивление переход-корпус.

Недостатком прототипа является большая погрешность определения средней мощности, рассеиваемой в приборе при пропускании через него импульса греющего тока произвольной формы, и, как следствие, большая погрешность вычисления теплового сопротивления переход-корпус прибора.

Технический результат - повышение точности измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов.

Технический результат достигается тем, что, как и в прототипе, через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока, в паузах между ними измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра UТЧП при измерительном токе Iизм, вычисляют среднюю рассеиваемую мощность при каждом импульсе греющего тока и соответствующие изменения температурочувствительного параметра. В отличие от прототипа, в котором нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют импульсами греющего тока произвольной формы, пропуская их через открытый канал мощного МДП-транзистора, а в качестве температурочувствительного параметра UТЧП используют напряжение между стоком и истоком мощного МДП-транзистора при открытом канале и измерительном токе Iизм, в заявляемом изобретении нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды Ιгр, постоянным периодом следования Тсл и изменяющейся по гармоническому закону длительностью τ, импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале мощного МДП-транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на антипараллельном диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования Тсл греющей мощности , в паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра UТЧП - прямого напряжения на антипараллельном диоде при измерительном токе Iизм и вычисляют временную зависимость температуры T(t) кристалла в процессе нагрева мощного МДП-транзистора, с помощью Фурье-преобразования временных зависимостей T(t) и вычисляют амплитуду T1 основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P1 основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса ΖT мощного МДП-транзистора на частоте модуляции ω греющей мощности, после чего процесс измерения повторяют на других частотах модуляции ω греющей мощности, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса ΖT(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус RТп-к мощного МДП-транзистора.

Сущность способа поясняют фиг. 1-3. На фиг. 1а показана структура мощного n-канального МДП-транзистора, на фиг. 1б - его условное графическое изображение. Особенностью структуры транзистора является наличие антипараллельного диода, образованного p-областью истока и n-областью стока. При замкнутых между собой затворе и истоке мощного МДП-транзистора напряжение UЗИ между ними равно нулю, проводящий канал между истоком и стоком отсутствует и ток между истоком и стоком протекает через антипараллельный диод по пути, показанному на фиг. 1а стрелками.

На фиг. 2а показана временная зависимость тока I через антипараллельный диод мощного МДП-транзистора, представляющая собой последовательность греющих импульсов с постоянным периодом следования Тсл и изменяющейся по гармоническому закону длительностью. Широтно-импульсная модуляция греющего тока Iгр, осуществляемая по гармоническому закону, вызывает соответствующие изменения рассеиваемой в мощном МДП-транзисторе мощности , график которой показан на фиг. 2б. Модуляция греющей мощности вызывает соответствующие изменения температуры T(t) кристалла мощного МДП-транзистора, сдвинутые по фазе относительно мощности (фиг. 2в). Изменение температуры вызывает соответствующие изменения температурочувствительного параметра UТЧП(t) (фиг. 2г), в качестве которого используют прямое напряжение на антипараллельном диоде, измеряемое в паузах между греющими импульсами при измерительном токе Iизм. Прямое напряжение на диоде линейно зависит от температуры, что позволяет на основе измерения UТЧП(t) определить T(t). Отношение основной гармоники Τ1 температуры кристалла и основной гармоники P1 рассеиваемой в мощном МДП-транзисторе мощности определяет модуль теплового импеданса ΖT мощного МДП-транзистора на частоте модуляции греющей мощности ω.

На фиг. 3 представлена частотная зависимость модуля теплового импеданса ΖT(ω) мощного МДП-транзистора, полученная в результате измерений модуля теплового импеданса ΖT при различных частотах ω модуляции греющей мощности. Значение ΖT на пологом участке частотной зависимости определяет тепловое сопротивление переход-корпус RТп-к мощного МДП-транзистора.

Предлагаемый способ может быть реализован с помощью устройства, структурная схема которого показана на фиг. 4. Устройство содержит источник 1 измерительного тока; формирователь 2 греющих импульсов, управляемый микроконтроллером 3; аналого-цифровой преобразователь 4, вход которого соединен с объектом измерения - мощным МДП-транзистором 5, а выход - с микроконтроллером 3. Затвор и исток мощного МДП-транзистора 5 соединены между собой.

Способ осуществляют следующим образом. С выхода формирователя 2 греющих импульсов через объект измерения - мощный МДП-транзистор 5 - пропускают заданное микроконтроллером 3 количество импульсов греющего тока Iгр, период следования Тсл которых поддерживают постоянным, а длительность модулируют по гармоническому закону. Частота модуляции задается микроконтроллером. В паузах между греющими импульсами измеряют температурочувствительный параметр - прямое напряжение UТЧП на антипараллельном диоде мощного МДП-транзистора 5, возникающее при протекании через него измерительного тока Iизм, сформированного источником 1. Напряжение UТЧП с помощью аналого-цифрового преобразователя 4 преобразуют в цифровой код, поступающий в микроконтроллер 3, в результате чего в памяти микроконтроллера 3 формируют массив значений {UТЧП}, который затем преобразуют в массив температур {Т} кристалла. С помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду Τ1 основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P1 основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса ΖT мощного МДП-транзистора на частоте модуляции греющей мощности ω. Затем процесс измерения повторяют при других частотах модуляции греющей мощности ω, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса ΖT(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое равно тепловому сопротивлению переход-корпус RТп-к мощного МДП-транзистора.

Повышение точности измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов в заявляемом способе достигается за счет того, что, в отличие от прототипа, в нем с более высокой точностью определяются средняя мощность, рассеиваемая в объекте измерения при прохождении через него каждого импульса греющего тока, а также амплитуда основной гармоники температуры кристалла, вычисление которой производится с помощью Фурье-преобразования достаточно большого по объему массива данных.

Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов, заключающийся в том, что через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока, в паузах между ними измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U при измерительном токе I, вычисляют среднюю рассеиваемую мощность при каждом импульсе греющего тока и соответствующие изменения температурочувствительного параметра, отличающийся тем, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды I, постоянным периодом следования Т и изменяющейся по гармоническому закону длительностью τ, импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале мощного МДП-транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на антипараллельном диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования Т греющей мощности , в паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U - прямого напряжения на антипараллельном диоде при измерительном токе I и вычисляют временную зависимость температуры T(t) кристалла в процессе нагрева мощного МДП-транзистора, с помощью Фурье-преобразования временных зависимостей T(t) и вычисляют амплитуду Τ основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса Z мощного МДП-транзистора на частоте модуляции ω греющей мощности, после чего процесс измерения повторяют на других частотах модуляции ω греющей мощности, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса Ζ(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус R мощного МДП-транзистора.
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 111-120 of 262 items.
10.07.2015
№216.013.5c98

Ремень безопасности для транспортного средства

Изобретение относится к ремню безопасности для транспортного средства. Ремень безопасности включает натяжитель ремня 2, установленный на средней стойке кузова с помощью зажимной гайки 5, размещенной на выступающей наружу из корпуса 6 натяжителя ламинированной стальной полосе 7 с фальцами 8....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002555245
Дата охранного документа: 10.07.2015
10.07.2015
№216.013.5c99

Ремень безопасности для транспортного средства

Изобретение относится к ремню безопасности для транспортного средства. Ремень включает пряжку 1 с прорезью 2, сквозь которую с возможностью скольжения пропущена лямка 3 ремня, и язычковой защелкой 4, вводимой в замок 5, укрепленный на боковине 6 сиденья 7. Средняя часть 8 перемычки между...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002555246
Дата охранного документа: 10.07.2015
10.07.2015
№216.013.5e6f

Ограждение автомобильной дороги

Ограждение автомобильной дороги предназначено для повышения безопасности движения. Ограждение содержит упругую подвижную магнитную опору со средствами ее крепления. При этом средства крепления опоры выполнены в виде заглубленных в грунт дорожного полотна вертикальных стоек, попарно соединенных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002555716
Дата охранного документа: 10.07.2015
10.07.2015
№216.013.60c5

Способ измерения теплового импеданса светодиодов

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых изделий и может быть использовано на выходном и входном контроле качества изготовления светодиодов. Способ состоит в том, что через светодиод пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556315
Дата охранного документа: 10.07.2015
27.07.2015
№216.013.667e

Тепловая электрическая станция

Изобретение относится к области теплоэнергетики и может быть использовано на тепловых электрических станциях. Тепловая электрическая станция, содержащая турбину с отопительными отборами пара, подключенными к нижнему и верхнему сетевым подогревателям, включенным по нагреваемой среде между...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002557791
Дата охранного документа: 27.07.2015
27.07.2015
№216.013.6680

Газотурбинный двигатель

Газотурбинный двигатель содержит корпус, герметизирующую вход в корпус крышку, систему подачи электролита, выполненную в виде форсунки с кавитатором, размещенный в корпусе вал компрессора и турбины, электролизер-кавитатор, местное сужение канала с центральным телом. Электролизер-кавитатор...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002557793
Дата охранного документа: 27.07.2015
27.07.2015
№216.013.66c7

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида хрома. Затем наносят верхний слой из нитрида соединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002557864
Дата охранного документа: 27.07.2015
27.07.2015
№216.013.66cb

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида хрома. Затем наносят верхний слой из нитрида соединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002557868
Дата охранного документа: 27.07.2015
27.07.2015
№216.013.66f2

Установка для комплексного физиотерапевтического воздействия

Изобретение относится к медицинской технике. Установка для комплексного физиотерапевтического воздействия на организм человека содержит размещенную на кушетке емкость для помещения в нее пациента. Емкость выполнена в виде двух вставленных друг в друга упругих эластичных мешков. Промежуток между...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002557907
Дата охранного документа: 27.07.2015
27.07.2015
№216.013.67ab

Карниз крыши здания

Изобретение относится к области строительства, в частности к карнизу крыш зданий. Технический результат изобретения заключается в повышении эксплуатационной надежности крыши. Карниз крыши, обеспечивающий автоматический сброс сосулек при действиях порывов ветра, содержит параллельный стене...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558092
Дата охранного документа: 27.07.2015
Showing 111-120 of 432 items.
20.01.2014
№216.012.990a

Распорка для проводов воздушных линий электропередачи

Изобретение относится к электроэнергетике и может быть использовано для механического удаления гололедных отложений. Распорка выполнена в виде плоского шарнирного многозвенного механизма и включает узел соединения тяг и зажимы для крепления тяг к проводам. Узел соединения представляет собой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504877
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.990b

Устройство для сброса гололедных отложений с проводов линий электропередачи

Использование: в области электроэнергетики. Технический результат - повышение эффективности при упрощении конструкции. Устройство для сброса мокрого снега и гололедных отложений (1) с проводов (2) включает элемент (3) для импульсного встряхивания проводов, действующий от веса отложений и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504878
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.990c

Устройство для сброса отложений с проводов линий электропередачи

Использование: в области электроэнергетики. Технический результат - повышение эффективности при упрощении конструкции. Устройство для сброса гололедных отложений (1) с проводов (2) содержит узел импульсного встряхивания проводов, встроенный в механическую цепь подвески провода, состоящую из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504879
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.990d

Устройство для сброса гололедных отложений с проводов линий электропередачи

Использование: в области электроэнергетики. Технический результат - повышение эффективности при упрощении конструкции. Устройство для сброса гололедных отложений (1) с проводов (2) включает элемент (3) для импульсного встряхивания проводов, действующий от веса отложений на нем и встроенный в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504880
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.9921

Аналоговый мультиплексор

Изобретение предназначено для воспроизведения функций многозначной логики и может быть использовано в системах вычислительной техники как средство обработки многозначных данных. Техническим результатом является обеспечение реализации произвольной k-значной логической функции, зависящей от n...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504900
Дата охранного документа: 20.01.2014
10.02.2014
№216.012.9f7a

Способ настройки тензорезисторных датчиков с мостовой измерительной цепью по мультипликативной температурной погрешности с учетом положительной нелинейности температурной характеристики выходного сигнала датчика

Изобретение относится к измерительной технике. Способ заключается в том, что при сопротивлении нагрузки R>500 кОм определяют температурный коэффициент чувствительности (ТКЧ) мостовой цепи и при температуре t, и t, соответствующей верхнему и нижнему пределу рабочего диапазона температур, и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506534
Дата охранного документа: 10.02.2014
20.02.2014
№216.012.a320

Способ настройки тензорезисторных датчиков с мостовой измерительной цепью по мультипликативной температурной погрешности с учетом положительной нелинейности температурной характеристики выходного сигнала датчика

Изобретение относится к измерительной технике. Способ заключается в том, что определяют ТКЧ мостовой цепи α  и α  при температуре t и t, соответствующей верхнему и нижнему пределу рабочего диапазона температур, нелинейность ТКЧ мостовой цепи (Δα=α -α ). Если полученное значение Δα является...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507475
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.02.2014
№216.012.a321

Способ настройки тензорезисторных датчиков с мостовой измерительной цепью по мультипликативной температурной погрешности с учетом положительной нелинейности температурной характеристики выходного сигнала датчика

Изобретение относится к измерительной технике. Способ заключается в том, что определяют температурный коэффициент чувствительности (ТКЧ) мостовой цепи α  и α  при температуре t и t, соответствующей верхнему и нижнему пределу рабочего диапазона температур, нелинейность ТКЧ мостовой цепи (Δα=α -α...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507476
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.02.2014
№216.012.a322

Способ настройки тензорезисторных датчиков с мостовой измерительной цепью по мультипликативной температурной погрешности с учетом положительной нелинейности температурной характеристики выходного сигнала датчика

Изобретение относится к измерительной технике. Способ заключается в том, что при сопротивлении нагрузки R>500кОм определяют температурный коэффициент чувствительности (ТКЧ) мостовой цепи α  и α  при температуре t и t, соответствующей верхнему и нижнему пределу рабочего диапазона температур, и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507477
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.02.2014
№216.012.a34f

Цифровой способ преобразования параметров индуктивных датчиков с использованием временной инверсии сигнала

Изобретение относится к измерительной технике. Способ заключается в возбуждении кратковременным электрическим импульсом в LC-контурах измерительного и опорного плеч датчика колебательных сигналов и аналого-цифровом преобразовании их в числовые массивы данных, временной инверсии путем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507522
Дата охранного документа: 20.02.2014
+ добавить свой РИД