×
20.01.2016
216.013.a0c0

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества. Способ заключается в том, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды, постоянным периодом следования и изменяющейся по гармоническому закону длительностью. Импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования греющей мощности. В паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра - прямого напряжения на диоде при малом постоянном измерительном токе и вычисляют временную зависимость температуры кристалла в процессе нагрева транзистора, после чего с помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду основной гармоники температуры кристалла и амплитуду основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса транзистора на частоте модуляции греющей мощности. Затем процесс измерения повторяют на других частотах модуляции, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус мощного МДП-транзистора. 4 ил.
Основные результаты: Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов, заключающийся в том, что через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока, в паузах между ними измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U при измерительном токе I, вычисляют среднюю рассеиваемую мощность при каждом импульсе греющего тока и соответствующие изменения температурочувствительного параметра, отличающийся тем, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды I, постоянным периодом следования Т и изменяющейся по гармоническому закону длительностью τ, импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале мощного МДП-транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на антипараллельном диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования Т греющей мощности , в паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U - прямого напряжения на антипараллельном диоде при измерительном токе I и вычисляют временную зависимость температуры T(t) кристалла в процессе нагрева мощного МДП-транзистора, с помощью Фурье-преобразования временных зависимостей T(t) и вычисляют амплитуду Τ основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса Z мощного МДП-транзистора на частоте модуляции ω греющей мощности, после чего процесс измерения повторяют на других частотах модуляции ω греющей мощности, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса Ζ(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус R мощного МДП-транзистора.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества.

Среди существующих способов измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов известен способ измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении (RU 2240573, МПК G01R 31/26, опубл. 20.11.2004), заключающийся в том, что полупроводниковый кристалл нагревают путем пропускания через него постоянного тока Ι0 заданной амплитуды и в процессе нагревания измеряют значение его температурочувствительного параметра, в качестве которого используют прямое падение напряжения на кристалле Uп и одновременно измеряют температуру основания корпуса Тк прибора в выбранной точке. Запоминают эти значения, получая их зависимости от времени. Прекращают нагрев полупроводникового кристалла при достижении температуры Тк заданного значения и в режиме естественного охлаждения при подаче на кристалл коротких измерительных импульсов тока с амплитудой, равной значению постоянного греющего тока Ι0, и скважностью, не влияющими на тепловое равновесие прибора, измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра и температуры основания корпуса, получая зависимости Uп(t) и Тк(t) на интервале охлаждения. При этом длительность интервала охлаждения выбирают из условия безусловного выполнения t>>3τ, где τ - наибольшая тепловая постоянная конструкция прибора, определяют момент динамического равновесия на интервале нагрева и по полученным зависимостям вычисляют тепловое сопротивление переход-корпус.

Недостатком способа является большая погрешность измерения, обусловленная тем, что зависимость температурочувствительного параметра от температуры кристалла, измеряемая при большом греющем токе, имеет нелинейный характер.

Наиболее близким по технической сущности к заявленному изобретению (прототипом) является способ измерения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением (RU 2516609, МПК G01R 31/26, опубл. 27.08.2013), суть которого заключается в следующем. Прибор нагревают путем пропускания через него импульсов тока произвольной формы в открытом состоянии. В паузах между импульсами греющего тока, пропуская через прибор измерительный ток, измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра, в качестве которого используют падение напряжения между стоком и истоком открытого прибора, и температуры корпуса. Периодически измеряют и запоминают значения греющего тока и вызываемого им падения напряжения на приборе. Вычисляют среднюю мощность, рассеиваемую в приборе при пропускании через него импульса греющего тока. Сравнивают вычисленную среднюю мощность потерь на n-м интервале измерения с предварительно установленной максимально допустимой для прибора рассеиваемой мощностью. Когда значение меньше, равно или больше РМАХ, соответственно увеличивают, оставляют неизменным или уменьшают среднее значение греющего тока. По достижении температурой корпуса прибора заданного максимума полностью прерывают протекание греющего тока. Через прибор пропускают измерительный ток и измеряют и запоминают значение температурочувствительного параметра. В режиме естественного охлаждения по достижении термодинамического равновесия периодически измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра и температуры корпуса прибора, после чего рассчитывают тепловое сопротивление переход-корпус.

Недостатком прототипа является большая погрешность определения средней мощности, рассеиваемой в приборе при пропускании через него импульса греющего тока произвольной формы, и, как следствие, большая погрешность вычисления теплового сопротивления переход-корпус прибора.

Технический результат - повышение точности измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов.

Технический результат достигается тем, что, как и в прототипе, через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока, в паузах между ними измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра UТЧП при измерительном токе Iизм, вычисляют среднюю рассеиваемую мощность при каждом импульсе греющего тока и соответствующие изменения температурочувствительного параметра. В отличие от прототипа, в котором нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют импульсами греющего тока произвольной формы, пропуская их через открытый канал мощного МДП-транзистора, а в качестве температурочувствительного параметра UТЧП используют напряжение между стоком и истоком мощного МДП-транзистора при открытом канале и измерительном токе Iизм, в заявляемом изобретении нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды Ιгр, постоянным периодом следования Тсл и изменяющейся по гармоническому закону длительностью τ, импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале мощного МДП-транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на антипараллельном диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования Тсл греющей мощности , в паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра UТЧП - прямого напряжения на антипараллельном диоде при измерительном токе Iизм и вычисляют временную зависимость температуры T(t) кристалла в процессе нагрева мощного МДП-транзистора, с помощью Фурье-преобразования временных зависимостей T(t) и вычисляют амплитуду T1 основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P1 основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса ΖT мощного МДП-транзистора на частоте модуляции ω греющей мощности, после чего процесс измерения повторяют на других частотах модуляции ω греющей мощности, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса ΖT(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус RТп-к мощного МДП-транзистора.

Сущность способа поясняют фиг. 1-3. На фиг. 1а показана структура мощного n-канального МДП-транзистора, на фиг. 1б - его условное графическое изображение. Особенностью структуры транзистора является наличие антипараллельного диода, образованного p-областью истока и n-областью стока. При замкнутых между собой затворе и истоке мощного МДП-транзистора напряжение UЗИ между ними равно нулю, проводящий канал между истоком и стоком отсутствует и ток между истоком и стоком протекает через антипараллельный диод по пути, показанному на фиг. 1а стрелками.

На фиг. 2а показана временная зависимость тока I через антипараллельный диод мощного МДП-транзистора, представляющая собой последовательность греющих импульсов с постоянным периодом следования Тсл и изменяющейся по гармоническому закону длительностью. Широтно-импульсная модуляция греющего тока Iгр, осуществляемая по гармоническому закону, вызывает соответствующие изменения рассеиваемой в мощном МДП-транзисторе мощности , график которой показан на фиг. 2б. Модуляция греющей мощности вызывает соответствующие изменения температуры T(t) кристалла мощного МДП-транзистора, сдвинутые по фазе относительно мощности (фиг. 2в). Изменение температуры вызывает соответствующие изменения температурочувствительного параметра UТЧП(t) (фиг. 2г), в качестве которого используют прямое напряжение на антипараллельном диоде, измеряемое в паузах между греющими импульсами при измерительном токе Iизм. Прямое напряжение на диоде линейно зависит от температуры, что позволяет на основе измерения UТЧП(t) определить T(t). Отношение основной гармоники Τ1 температуры кристалла и основной гармоники P1 рассеиваемой в мощном МДП-транзисторе мощности определяет модуль теплового импеданса ΖT мощного МДП-транзистора на частоте модуляции греющей мощности ω.

На фиг. 3 представлена частотная зависимость модуля теплового импеданса ΖT(ω) мощного МДП-транзистора, полученная в результате измерений модуля теплового импеданса ΖT при различных частотах ω модуляции греющей мощности. Значение ΖT на пологом участке частотной зависимости определяет тепловое сопротивление переход-корпус RТп-к мощного МДП-транзистора.

Предлагаемый способ может быть реализован с помощью устройства, структурная схема которого показана на фиг. 4. Устройство содержит источник 1 измерительного тока; формирователь 2 греющих импульсов, управляемый микроконтроллером 3; аналого-цифровой преобразователь 4, вход которого соединен с объектом измерения - мощным МДП-транзистором 5, а выход - с микроконтроллером 3. Затвор и исток мощного МДП-транзистора 5 соединены между собой.

Способ осуществляют следующим образом. С выхода формирователя 2 греющих импульсов через объект измерения - мощный МДП-транзистор 5 - пропускают заданное микроконтроллером 3 количество импульсов греющего тока Iгр, период следования Тсл которых поддерживают постоянным, а длительность модулируют по гармоническому закону. Частота модуляции задается микроконтроллером. В паузах между греющими импульсами измеряют температурочувствительный параметр - прямое напряжение UТЧП на антипараллельном диоде мощного МДП-транзистора 5, возникающее при протекании через него измерительного тока Iизм, сформированного источником 1. Напряжение UТЧП с помощью аналого-цифрового преобразователя 4 преобразуют в цифровой код, поступающий в микроконтроллер 3, в результате чего в памяти микроконтроллера 3 формируют массив значений {UТЧП}, который затем преобразуют в массив температур {Т} кристалла. С помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду Τ1 основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P1 основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса ΖT мощного МДП-транзистора на частоте модуляции греющей мощности ω. Затем процесс измерения повторяют при других частотах модуляции греющей мощности ω, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса ΖT(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое равно тепловому сопротивлению переход-корпус RТп-к мощного МДП-транзистора.

Повышение точности измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов в заявляемом способе достигается за счет того, что, в отличие от прототипа, в нем с более высокой точностью определяются средняя мощность, рассеиваемая в объекте измерения при прохождении через него каждого импульса греющего тока, а также амплитуда основной гармоники температуры кристалла, вычисление которой производится с помощью Фурье-преобразования достаточно большого по объему массива данных.

Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов, заключающийся в том, что через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока, в паузах между ними измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U при измерительном токе I, вычисляют среднюю рассеиваемую мощность при каждом импульсе греющего тока и соответствующие изменения температурочувствительного параметра, отличающийся тем, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды I, постоянным периодом следования Т и изменяющейся по гармоническому закону длительностью τ, импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале мощного МДП-транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на антипараллельном диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования Т греющей мощности , в паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U - прямого напряжения на антипараллельном диоде при измерительном токе I и вычисляют временную зависимость температуры T(t) кристалла в процессе нагрева мощного МДП-транзистора, с помощью Фурье-преобразования временных зависимостей T(t) и вычисляют амплитуду Τ основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса Z мощного МДП-транзистора на частоте модуляции ω греющей мощности, после чего процесс измерения повторяют на других частотах модуляции ω греющей мощности, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса Ζ(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус R мощного МДП-транзистора.
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 101-110 of 262 items.
20.06.2015
№216.013.56e3

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида ниобия. Затем наносят верхний слой из нитрида соединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002553773
Дата охранного документа: 20.06.2015
20.06.2015
№216.013.56e5

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида соединения титана, алюминия и хрома при их соотношении,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002553775
Дата охранного документа: 20.06.2015
20.06.2015
№216.013.56e7

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида соединения титана, алюминия и хрома при их соотношении,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002553777
Дата охранного документа: 20.06.2015
20.06.2015
№216.013.56e8

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида соединения титана, хрома и ниобия при их соотношении, мас....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002553778
Дата охранного документа: 20.06.2015
20.06.2015
№216.013.56fe

Ограждение автомобильной дороги

Ограждение предназначено для повышения безопасности движения. Ограждение содержит заглубленные в грунт дорожного полотна вертикальные стойки, попарно соединенные привернутыми к ним винтами горизонтальными упругими стальными полосами. Полосы отодвинуты от наружной поверхности стоек и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002553800
Дата охранного документа: 20.06.2015
20.06.2015
№216.013.57d2

Антитравматические качели

Антитравматические качели относятся к оборудованию детских игровых площадок, в частности к изготовлению подвесных качелей с повышенной безопасностью эксплуатации. Качели содержат раму с основанием, механизм горизонтального раскачивания пассажирской платформы, подвешенной на цепях на валу....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554012
Дата охранного документа: 20.06.2015
20.06.2015
№216.013.57d3

Антитравматические качели

Антитравматические качели относятся к оборудованию детских игровых площадок, а именно - к подвесным качелям с повышенной безопасностью эксплуатации. Качели содержат раму, состоящую из двух опорных стоек, связанных между собой в верхней части поперечиной, и жесткое пассажирское сиденье с двумя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554013
Дата охранного документа: 20.06.2015
20.06.2015
№216.013.57d4

Способ работы открытой системы теплоносителя

Изобретение относится к области теплоэнергетики и может быть использовано в системах теплоснабжения. Способ работы открытой системы теплоснабжения, по которому сетевую воду готовят на ТЭЦ и по подающему трубопроводу теплосети через тепловой пункт направляют в трубопроводы систем отопления и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554014
Дата охранного документа: 20.06.2015
27.06.2015
№216.013.58c7

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида соединения титана, хрома и ниобия при их соотношении,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554268
Дата охранного документа: 27.06.2015
27.06.2015
№216.013.5a88

Седельно-сцепное устройство автопоезда

Изобретение относится к транспортному машиностроению. Седельно-сцепное устройство автопоезда включает корпус, закрытый крышкой, жестко прикрепленный к опорной раме полуприцепа. В корпусе установлена втулка, в которую запрессован сцепной шкворень. Между корпусом и втулкой размещены...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554717
Дата охранного документа: 27.06.2015
Showing 101-110 of 432 items.
20.01.2014
№216.012.9811

Устройство для сброса льда и снега с края кровли

Изобретение относится к строительству, в частности к устройству сброса льда и снега с края кровли. Технический результат изобретения заключается в эксплуатационной надежности крыш. Устройство для сброса слоя снега, льда и сосулек с края кровли содержит прикрепленную к краю шарнирно-поворотную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504628
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.9812

Устройство для усиления ребристой железобетонной плиты

Изобретение относится к области строительства, в частности к устройству для усиления ребристой железобетонной плиты. Технический результат изобретения заключается в повышении несущей способности конструкции. Устройство для усиления ребристой железобетонной плиты содержит уголки разгружения,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504629
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.9813

Устройство для укрепления перекрытия с деревянными балками

Изобретение относится к области строительства и может быть применено при ремонте и реконструкции зданий с деревянными перекрытиями без отселения жильцов или пользователей ремонтируемого здания. Технический результат изобретения заключается в повышении несущей способности реконструируемого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504630
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.9856

Способ соединения деталей

Изобретение относится к машино- и приборостроению и используется для соединения деталей из различных материалов, в том числе и хрупких, и направлено для упрощение процесса соединения деталей. Способ соединения деталей через сквозное отверстие в них посредством вставления в это отверстие с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504697
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.985b

Устройство для включения вентилятора

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано для включения и выключения вентилятора охлаждающей системы двигателей внутреннего сгорания. Устройство содержит чувствительный элемент, выполненный из ферромагнитного материала с точкой Кюри, равной критической температуре...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504702
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.9870

Теплообменник типа "труба в трубе"

Изобретение относится к энергетике и может быть использовано в подогревательных системах тепловых электростанций. Теплообменник типа "труба в трубе" содержит две трубы, расположенные с зазором между ними, одна из которых представляет из себя тор, а вторая - полую ленту Мебиуса, причем по ленте...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504723
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.98b6

Способ определения теплового импеданса цифровых кмоп интегральных микросхем

Изобретение предназначено для использования на выходном и входном контроле качества цифровых КМОП интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Сущность: на входы одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы подают последовательность высокочастотных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504793
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.98d6

Устройство сравнения двоичных чисел

Устройство относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения средств автоматики, функциональных узлов систем управления. Техническим результатом является упрощение устройства. Устройство содержит четыре элемента ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ, четыре замыкающих и четыре размыкающих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504825
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.98d7

Логический вычислитель

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в системах цифровой вычислительной техники как средство преобразования кодов. Техническим результатом является уменьшение аппаратурных затрат. Устройство содержит n D-триггеров, n элементов ИЛИ-НЕ, n размыкающих ключей и n...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504826
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.01.2014
№216.012.9909

Распорка для проводов воздушных линий электропередачи

Распорка для проводов воздушных линий электропередачи относится к электроэнергетике и может быть использована для механического удаления гололедных отложений с проводов. Распорка содержит тягу, выполненную в виде пластинки (1), прикрепленной к проводам (2) с помощью отверстий (3) с упругими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504876
Дата охранного документа: 20.01.2014
+ добавить свой РИД