×
10.01.2016
216.013.9ecb

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002572288
Дата охранного документа
10.01.2016
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков, таких как датчики давления и акселерометры. Сущность изобретения: в способе изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур на кремниевой пластине создают защитный слой, создают контрастный слой из материала, отличающегося от материала защитного слоя, формируют последовательными операциями фотолитографии и травления структуру заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры, последующем чередованием травления кремния и оставшегося защитного слоя получают в кремнии заданный профиль. Вскрытие кремния в области максимальной глубины структуры проводят после создания защитного слоя, а затем наносят контрастный слой на защитный слой и на вскрытый участок кремния и проводят формирование структуры заданного профиля. Изобретение обеспечивает повышение точности изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур. 10 ил.
Основные результаты: Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур, заключающийся в создании на кремниевой пластине защитного слоя, создании контрастного слоя из материала, отличающегося от материала защитного слоя, формировании последовательными операциями фотолитографии и травления структуры заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры, последующем чередовании травления кремния и оставшегося защитного слоя до получения в кремнии заданного профиля, отличающийся тем, что вскрытие кремния в области максимальной глубины структуры проводят после создания защитного слоя, а затем наносят контрастный слой на защитный слой и на вскрытый участок кремния и проводят формирование структуры заданного профиля.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков, таких как датчики давления и акселерометры.

Известен способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства [Патент RU 2300823, кл. H01L 21/308, опубл. 10.06.2007], заключающийся в окислении плоской пластины из монокристаллического кремния с ориентацией поверхности в плоскости (100), нанесении на нее с двух сторон защитного слоя фоторезиста, предварительном вскрытии окон в слое фоторезиста при помощи двухсторонней фотолитографии, травлении окисла по вскрытым окнам шириной L1 в области формирования упругого элемента и анизотропном травлении пластины до промежуточной глубины h, после травления окисла в месте формирования упругого элемента методом анизотропного травления формируют канавку шириной L1 и длиной Μ до самоторможения, вторично вскрывают окна в окисле для конечного формирования упругого элемента и производят анизотропное травление до получения требуемой толщины упругого элемента Н.

Недостатками данного способа является необходимость формирования канавки до самоторможения и последующего дотравливания до конечной толщины упругого элемента. При этом из-за разнотолщинности исходной кремниевой пластины возможен недотрав канавки до самоторможения, что впоследствии приведет к нарушению геометрии формируемого упругого элемента.

Известен способ изготовления рельефных кремниевых структур [Патент SU 1228720, кл. H01L 21/306, опубл. 27.11.1995], включающий создание на кремниевой пластине защитной пленки окисла кремния, полное удаление пленки и локальное уменьшение ее толщины в областях структур, в которых травление пластины проводится на максимальную глубину и на глубину заданного рельефа, и обработку пластины в травителях для создания заданного профиля в кремнии. Данному способу присущи следующие недостатки:

- необходимость введения технологического припуска на толщину защитной пленки в каждом из формируемых рельефов;

- необходимость ступенчатого травления окисла кремния на величину Δh в каждом из формируемых рельефов, при этом вся имеющаяся на пластине на данный момент травления пленка окисла также уменьшается на величину Δh.

Это усложняет технологический процесс изготовления из-за необходимости контроля травления пленки окисла на указанную величину Δh, недостаточный контроль может приводить к неравномерности вытравливания пленки окисла и таким образом к невоспроизводимости в кремнии заданного профиля.

Прототипом предлагаемого технического решения является способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур [Патент RU 2437181, кл. H01L 21/308, опубл. 20.12.2011], заключающийся в создании на кремниевой пластине защитного слоя, формировании в нем последовательными операциями фотолитографии и травления структуры заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры, последующем чередовании травления кремния и оставшегося защитного слоя получают в кремнии заданный профиль, при этом после создания защитного слоя и перед первой операцией фотолитографии на поверхности защитного слоя создают контрастный слой из материала, отличающегося от материала защитного слоя, а после каждой операции фотолитографии перед травлением защитного слоя стравливают контрастный слой.

Недостатком такого способа является необходимость вытравливания защитного слоя до нужной глубины, что требует точного контроля проводимого процесса, так как недостаточное или избыточное вытравливание защитного слоя приведет к нарушению структуры заданного профиля в защитном слое и, как следствие, к нарушению заданного профиля в кремнии.

Целью изобретения является повышение точности изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур на кремниевой пластине, включающем создание защитного слоя, создание контрастного слоя из материала, отличающегося от материала защитного слоя, формирование последовательными операциями фотолитографии и травления структуры заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры, получение в кремнии заданного профиля путем чередования травления кремния и оставшегося защитного слоя, согласно предлагаемому изобретению вскрытие кремния в области максимальной глубины структуры проводят после создания защитного слоя, а затем наносят контрастный слой на защитный слой и на вскрытый участок кремния и проводят формирование структуры заданного профиля.

Формирование контрастного слоя на поверхности защитного слоя и на вскрытом участке кремния в области максимальной глубины структуры и формирование структуры заданного профиля в защитном и контрастном слое исключает погрешность формирования структуры заданного профиля в защитном слое кремниевой пластины, обусловленной необходимостью вытравливания защитного слоя до нужной глубины, что приводит к неравномерности вытравливания защитного слоя и таким образом к невоспроизводимости геометрических размеров формируемой структуры, приводящей впоследствии к невоспроизводимости в кремнии заданного профиля. В предлагаемом способе вскрывают кремний в области максимальной глубины структуры, вытравливая защитный слой полностью, что исключает неравномерность вытравливания защитного слоя до нужной глубины по кремниевой пластине, приводящей к неравномерности геометрических размеров формируемой структуры и невоспроизводимости в кремнии заданного профиля, что влияет на воспроизводимость параметров микромеханических датчиков. При этом контрастный слой имеет различные электрофизические свойства с защитным слоем, что позволяет использовать их сочетание при формировании структуры заданного профиля, при этом используются травители, селективные по отношению к контрастному и защитному слою, а также к кремнию.

На чертежах фиг. 1-10 показана последовательность операций, применяемых для реализации предложенного способа.

На кремниевой пластине 1 создают защитный слой 2, слой фоторезиста 3 наносят на защитный слой 2 при его травлении до появления кремния в области максимальной глубины структуры 4 и контрастный слой 5 при формировании структуры 6 заданного профиля 7, при этом контрастный слой 5 наносят на поверхность защитного слоя 2 и кремний в области максимальной глубины структуры 4.

Пример реализации предложенного способа описан ниже.

На кремниевой пластине 1 создают защитный слой 2, например, из пленки окисла кремния толщиной 0,8-2,0 мкм (фиг. 1). Проводят операцию фотолитографии, заключающуюся в нанесении фоторезиста 3 (фиг. 2), экспонировании через фотошаблон, проявлении и термообработке фоторезиста 3 и травлении защитного слоя 2 до появления кремния в области максимальной глубины структуры 4 (фиг. 3). Затем удаляют оставшуюся пленку фоторезиста 3 со всей пластины 1 (фиг. 4). После чего на защитный слой 2 и кремний в области максимальной глубины структуры 4 наносят контрастный слой 5, например, из пленки меди толщиной 1,0-12,0 мкм (фиг. 5). Проводят операцию фотолитографии, заключающуюся в нанесении фоторезиста 3 на контрастный слой 5, экспонировании через фотошаблон, проявлении и термообработке фоторезиста 3 и травлении контрастного слоя 5 до появления защитного слоя 2 и кремния в области максимальной глубины структуры 4 (фиг. 6). После чего удаляют фоторезист 3 и формируют структуру заданного профиля 6 в защитном слое 2 и контрастном слое 5 (фиг. 7). В травителях, не реагирующих или плохо реагирующих с защитным слоем 2 и контрастным слоем 5, вытравливают кремний до нужной глубины (фиг. 8).

Затем, чередуя травление защитного слоя 2 до контрастного слоя 5 и кремния получают заданный профиль 7 в кремнии (фиг. 9). После чего удаляют контрастный слой 5 и защитный слой 2 полностью с кремниевой пластины (фиг. 10).

Таким образом, предлагаемое техническое решение позволяет повысить точность изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур.

Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур, заключающийся в создании на кремниевой пластине защитного слоя, создании контрастного слоя из материала, отличающегося от материала защитного слоя, формировании последовательными операциями фотолитографии и травления структуры заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры, последующем чередовании травления кремния и оставшегося защитного слоя до получения в кремнии заданного профиля, отличающийся тем, что вскрытие кремния в области максимальной глубины структуры проводят после создания защитного слоя, а затем наносят контрастный слой на защитный слой и на вскрытый участок кремния и проводят формирование структуры заданного профиля.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 51 items.
27.08.2014
№216.012.ee29

Высокотемпературный полупроводниковый преобразователь давления

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений высокотемпературных сред, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526788
Дата охранного документа: 27.08.2014
27.08.2014
№216.012.ee2a

Чувствительный элемент интегрального акселерометра

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных акселерометров. Чувствительный элемент интегрального акселерометра выполнен из проводящего монокристаллического кремния и содержит маятник 3, соединенный с помощью упругих подвесов 2 с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526789
Дата охранного документа: 27.08.2014
20.09.2014
№216.012.f4f4

Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью. Технический результат: повышение временной стабильности, ресурса, срока службы, уменьшение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528541
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.12.2014
№216.013.1484

Имитатор выходных сигналов тензорезисторов

Изобретение относится к технике метрологии для проверки и аттестации вторичных тензоизмерительных приборов. Технический результат заключается в повышении точности имитации разбаланса измерительного моста за счет использования в качестве источника образцового напряжения умножающего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536676
Дата охранного документа: 27.12.2014
27.12.2014
№216.013.1537

Компенсационный акселерометр

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для высокоточного измерения ускорений в системах коррекции дальности полета реактивных снарядов. Целью предлагаемого изобретения является уменьшение температурной нестабильности коэффициента преобразования акселерометра....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536855
Дата охранного документа: 27.12.2014
10.01.2015
№216.013.179a

Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Датчик давления предназначен для использования при воздействии повышенных виброускорений и широкого диапазона нестационарных температур окружающей и измеряемой среды. Техническим результатом изобретения является уменьшение погрешности датчика давления при воздействии повышенных виброускорений и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537470
Дата охранного документа: 10.01.2015
10.02.2015
№216.013.25aa

Формирователь импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в системах автоматического измерения, управления и аварийной защиты. Достигаемый технический результат - повышение точности формирования импульсов для различных приложений за счет обеспечения перенастройки параметров...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541095
Дата охранного документа: 10.02.2015
27.03.2015
№216.013.3606

Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью. Техническим результатом изобретения является повышение временной стабильности, ресурса, срока...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545314
Дата охранного документа: 27.03.2015
10.04.2015
№216.013.400e

Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС). Техническим результатом изобретения является повышение временной и температурной стабильности, ресурса, срока службы и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547886
Дата охранного документа: 10.04.2015
10.07.2015
№216.013.5c61

Полупроводниковый преобразователь давления

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений высокотемпературных сред, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002555190
Дата охранного документа: 10.07.2015
Showing 21-30 of 51 items.
27.08.2014
№216.012.ee29

Высокотемпературный полупроводниковый преобразователь давления

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений высокотемпературных сред, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526788
Дата охранного документа: 27.08.2014
27.08.2014
№216.012.ee2a

Чувствительный элемент интегрального акселерометра

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных акселерометров. Чувствительный элемент интегрального акселерометра выполнен из проводящего монокристаллического кремния и содержит маятник 3, соединенный с помощью упругих подвесов 2 с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526789
Дата охранного документа: 27.08.2014
20.09.2014
№216.012.f4f4

Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью. Технический результат: повышение временной стабильности, ресурса, срока службы, уменьшение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528541
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.12.2014
№216.013.1484

Имитатор выходных сигналов тензорезисторов

Изобретение относится к технике метрологии для проверки и аттестации вторичных тензоизмерительных приборов. Технический результат заключается в повышении точности имитации разбаланса измерительного моста за счет использования в качестве источника образцового напряжения умножающего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536676
Дата охранного документа: 27.12.2014
27.12.2014
№216.013.1537

Компенсационный акселерометр

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для высокоточного измерения ускорений в системах коррекции дальности полета реактивных снарядов. Целью предлагаемого изобретения является уменьшение температурной нестабильности коэффициента преобразования акселерометра....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536855
Дата охранного документа: 27.12.2014
10.01.2015
№216.013.179a

Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Датчик давления предназначен для использования при воздействии повышенных виброускорений и широкого диапазона нестационарных температур окружающей и измеряемой среды. Техническим результатом изобретения является уменьшение погрешности датчика давления при воздействии повышенных виброускорений и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537470
Дата охранного документа: 10.01.2015
10.02.2015
№216.013.25aa

Формирователь импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в системах автоматического измерения, управления и аварийной защиты. Достигаемый технический результат - повышение точности формирования импульсов для различных приложений за счет обеспечения перенастройки параметров...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541095
Дата охранного документа: 10.02.2015
27.03.2015
№216.013.3606

Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью. Техническим результатом изобретения является повышение временной стабильности, ресурса, срока...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545314
Дата охранного документа: 27.03.2015
10.04.2015
№216.013.400e

Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС). Техническим результатом изобретения является повышение временной и температурной стабильности, ресурса, срока службы и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547886
Дата охранного документа: 10.04.2015
10.07.2015
№216.013.5c61

Полупроводниковый преобразователь давления

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений высокотемпературных сред, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002555190
Дата охранного документа: 10.07.2015
+ добавить свой РИД