×
20.12.2015
216.013.9a8a

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОКАТОДА

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Использование: для изготовления фотокатодов, предназначенных для работы при низком уровне освещенности. Сущность изобретения заключается в том, что на подложку наносят слой нещелочного металла, очувствляют его как минимум одним щелочным металлом, после этого, с целью увеличения квантового выхода, последовательно напыляют и очувствляют не менее 20 слоев нещелочного металла до прекращения роста максимума фототока при очувствлении. Технический результат: обеспечение возможности повышения квантового выхода и чувствительности фотокатода. 6 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к способам изготовления фотокатодов, предназначенных для работы при низком уровне освещенности. Данные фотокатоды используются для фотоэлектронных приборов, применяемых в исследовательских целях, в промышленности, для специальных назначений и пр.

Известны патенты GB №3006786 от 31.10.1961 «Фотоэмиссионные поверхности» (патентообладатель EMI Ltd., (GB)), и US №4196257 от 01.04.1980 «Бищелочной фотокатод на основе теллура» (пат. RCA Corp., N.Y.), в которых описан способ создания фотокатода, заключающийся в нанесении теллура, который затем обрабатывают парами щелочных металлов, таким образом, происходит очувствление фотокатода. При этом используют как минимум два различных щелочных металла для повышения квантового выхода фотокатода. Недостаток данных технических решений заключается в том, что чувствительность данных фотокатодов имеет предел, не достаточный для современного уровня техники.

Известно а.с. на изобретение №424255 (Кокина Н.Г. и др. от 29.09.72) «Способ изготовления фотокатода для ультрафиолетовой области спектра». Способ заключается в нанесении на стеклянную подложку слоев чистых нещелочных металлов с последующей активацией щелочным металлом, а затем напылением нещелочного металла, используемого для создания фотокатода, с целью уменьшения чувствительности в видимой области спектра. Данное техническое решение принято за прототип. Недостаток данного технического решения заключается в том, что при напылении слоя нещелочного металла чувствительность фотокатода в других областях спектра также снижается.

Задача данного изобретения заключается в создании фотокатода, предназначенного для работы при низком уровне освещенности. Технический результат заключается в повышении квантового выхода, и, соответственно, чувствительности фотокатода.

Это достигается за счет того, что способ создания фотокатода, заключающийся в том, что на подложку наносят слой нещелочного металла, очувствляют его как минимум одним щелочным металлом, отличается тем, что после этого с целью увеличения квантового выхода напыляют и очувствляют не менее 20 слоев нещелочного металла до прекращения роста максимума фототока при очувствлении. Дополнительно, в процессе напыления и очувствления слоев постепенно уменьшают температуру со средней скоростью 1-2ºС на слой. Дополнительно, при прекращении роста максимума фототока при очувствлении напыляют и очувствляют еще один слой нещелочного металла с целью обеспечить стабилизацию фототока на заданном уровне. При этом, для изготовления фотокатода, предназначенного для ультрафиолетовой области спектра, в качестве нещелочного металла используют теллур, а в качестве щелочного металла используют цезий или рубидий.

Способ заключается в следующем. На внутреннюю поверхность светопрозрачного входного окна вакуумным испарением наносят металлическую подложку из хрома или молибдена до потери прозрачности на 8-10%. Затем на получившуюся подложку напыляют слой нещелочного металла, например, теллура (Те), в интервале 10-30% потери прозрачности в видимом свете. Далее производят нагревание слоя нещелочного металла до определенной температуры, например, для Те температура составляет Т=140±5ºС. Затем слой нещелочного металла очувствляют как минимум одним щелочным металлом, например, цезием (Cs), при этом контролируют рост фототока с очувствляемого слоя. В другом варианте слой нещелочного металла (Те) очувствляют двумя щелочными металлами, например цезием (Cs) и рубидием (Rb), или цезием (Cs) и калием (К).

После достижении максимума фототока напыляют следующий слой нещелочного металла (Те). Процесс напыления Те прекращают при снижении фототока на 5-10% от предыдущего максимума. Очувствление (активировку) слоя продолжают до достижения следующего максимума фототока. Циклы послойного напыления и очувствления нещелочного металла повторяют многократно до достижения условия, что максимум фототока последующего слоя при очувствлении не превосходит максимума фототока предыдущего слоя при очувствлении. При этом постепенно уменьшают температуру со средней скоростью 1-2ºС на слой. Дополнительно, чтобы обеспечить стабилизацию фототока на заданном уровне, напыляют и очувствляют еще один слой нещелочного металла, т.е. условие на максимум фототока выполняют два цикла подряд. В процессе активировки производится постепенное уменьшение температуры процесса до Т=110±5ºС.

Из экспериментальных данных получено, что для достижения квантового выхода в 20% и более необходимо не менее 20 циклов напыления и очувствления слоев. Благодаря этому, достигается увеличение квантового выхода, и, следовательно, чувствительности фотокатода.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-17 of 17 items.
27.04.2016
№216.015.3964

Способ финишного химико-механического полирования пластин inas

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для финишного химико-механического полирования (ХМП) полупроводниковых структур арсенида индия InAs. Технический результат заключается в улучшении качества полирования, упрощении процесса ХМП, уменьшении количества...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582904
Дата охранного документа: 27.04.2016
27.04.2016
№216.015.39c5

Способ индикации резонансных частот

Изобретение относится к области измерительной техники. Заявленный способ индикации резонансных частот включает следующие этапы: закрепляют объект контроля на подвижной части вибростенда, которая приводится в колебательное движение с переменной частотой, и направляют на него излучение от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582902
Дата охранного документа: 27.04.2016
25.08.2017
№217.015.ab3f

Устройство крепления, позиционирования и маскирования кристаллов в технологии химического утонения кремния

Изобретение используется в технологии химического утонения кремния при производстве формирователей видеосигналов для приборов с зарядовой связью, освещаемых с обратной стороны. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности многократного применения конструкции, а также...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002612296
Дата охранного документа: 06.03.2017
25.08.2017
№217.015.b9f9

Состав селективного травителя для химических процессов утонения кремниевых пластин

Изобретение относится к составам селективных полирующих травителей, используемых в процессах химического утонения эпитаксиальных кремниевых пластин при производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Технический результат заключается в достижении высокой стабильности процесса...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615596
Дата охранного документа: 05.04.2017
25.08.2017
№217.015.c5fe

Установка для отмывки пластин

Изобретение относится к оборудованию для производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для операции обезжиривания и отмывки пластин. Технический результат выражается в снижении себестоимости и трудоемкости процесса отмывки за счет того, что установка для отмывки пластин...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618492
Дата охранного документа: 03.05.2017
25.08.2017
№217.015.d126

Способ крепления деталей внутри вакуумных приборов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов для крепления деталей внутри вакуумного корпуса, например, для крепления полупроводниковых структур фотокатодов на подложке к входному окну прибора. Технический результат -...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622050
Дата охранного документа: 09.06.2017
26.08.2017
№217.015.d3e2

Высоковольтный гибридный фоточувствительный прибор для регистрации излучения малой интенсивности

Изобретение относится к гибридным фоточувствительным приборам, предназначенным для регистрации излучения малой интенсивности. Технический результат - обеспечение функции стробирования гибридного фоточувствительного прибора при больших напряжениях. Технический результат достигается за счет того,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622397
Дата охранного документа: 15.06.2017
Showing 11-18 of 18 items.
27.04.2016
№216.015.3964

Способ финишного химико-механического полирования пластин inas

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для финишного химико-механического полирования (ХМП) полупроводниковых структур арсенида индия InAs. Технический результат заключается в улучшении качества полирования, упрощении процесса ХМП, уменьшении количества...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582904
Дата охранного документа: 27.04.2016
27.04.2016
№216.015.39c5

Способ индикации резонансных частот

Изобретение относится к области измерительной техники. Заявленный способ индикации резонансных частот включает следующие этапы: закрепляют объект контроля на подвижной части вибростенда, которая приводится в колебательное движение с переменной частотой, и направляют на него излучение от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002582902
Дата охранного документа: 27.04.2016
25.08.2017
№217.015.ab3f

Устройство крепления, позиционирования и маскирования кристаллов в технологии химического утонения кремния

Изобретение используется в технологии химического утонения кремния при производстве формирователей видеосигналов для приборов с зарядовой связью, освещаемых с обратной стороны. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности многократного применения конструкции, а также...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002612296
Дата охранного документа: 06.03.2017
25.08.2017
№217.015.b9f9

Состав селективного травителя для химических процессов утонения кремниевых пластин

Изобретение относится к составам селективных полирующих травителей, используемых в процессах химического утонения эпитаксиальных кремниевых пластин при производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Технический результат заключается в достижении высокой стабильности процесса...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615596
Дата охранного документа: 05.04.2017
25.08.2017
№217.015.c5fe

Установка для отмывки пластин

Изобретение относится к оборудованию для производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для операции обезжиривания и отмывки пластин. Технический результат выражается в снижении себестоимости и трудоемкости процесса отмывки за счет того, что установка для отмывки пластин...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002618492
Дата охранного документа: 03.05.2017
25.08.2017
№217.015.d126

Способ крепления деталей внутри вакуумных приборов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов для крепления деталей внутри вакуумного корпуса, например, для крепления полупроводниковых структур фотокатодов на подложке к входному окну прибора. Технический результат -...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622050
Дата охранного документа: 09.06.2017
26.08.2017
№217.015.d3e2

Высоковольтный гибридный фоточувствительный прибор для регистрации излучения малой интенсивности

Изобретение относится к гибридным фоточувствительным приборам, предназначенным для регистрации излучения малой интенсивности. Технический результат - обеспечение функции стробирования гибридного фоточувствительного прибора при больших напряжениях. Технический результат достигается за счет того,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622397
Дата охранного документа: 15.06.2017
23.04.2019
№219.017.36e7

Фотокатод повышенной чувствительности и способ его изготовления

Изобретение относится к конструкциям и способам изготовления фотокатодов повышенной чувствительности, предназначенных для работы при низком уровне освещенности. Данные фотокатоды используются для фотоэлектронных приборов, применяемых в исследовательских целях, в промышленности, для специальных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002685541
Дата охранного документа: 22.04.2019
+ добавить свой РИД