×
10.11.2015
216.013.8bd6

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИСТОКОВОЙ ОБЛАСТИ СИЛОВОГО ТРАНЗИСТОРА

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и мощных кремниевых транзисторов, в частности к способу формирования истоковой области силового транзистора. Техническим результатом изобретения является оптимизация процесса формирования истоковой области кремниевой транзисторной структуры, уменьшение температуры и времени проведения процесса, обеспечение точного регулирования глубины легируемого слоя и повышение процента выхода годных изделий. В способе формирования истоковой области силового транзистора диффузию проводят с использованием твердого планарного источника фосфора на этапе загонки фосфора при температуре T 1125°C и времени 40 мин при следующем соотношении компонентов: O 40±0,5 л/ч, N 750 л/ч, H 8 л/ч, и на этапе разгонки фосфора при температуре 1250°C при расходах кислорода O 40±0,5 л/ч и азота N 750 л/ч и времени 72 ч.
Основные результаты: Способ получения истоковой области силового транзистора, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 1125°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: О 40±0,5 л/ч; N 750 л/ч; Н 8 л/ч, и времени, равном 40 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1250°C при следующем расходе газов: О 40±0,5 л/ч; N 750 л/ч и времени разгонки, равном 72 ч.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к способу формирования истоковой области силового транзистора, включающему глубокую диффузию фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур. Способ получения истоковой области силового транзистора включает формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора. Процесс проводят при температуре 1125°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; Н2=8 л/ч, и времени, равном 40 минут; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1250°C при следующем расходе газов: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч. и времени разгонки, равном 72 ч. Техническим результатом изобретения является уменьшение температуры и времени проведения процесса, обеспечение точного регулирования глубины диффузионного слоя, получение глубины 180±10 мкм и повышение процента выхода годных изделий.

Известны способы диффузии фосфора из жидких источников: оксихлорид фосфора (POCL3) и трихлорид фосфора (PCL3), при которых глубина диффузии фосфора незначительна при длительностях процесса 150-170 ч. [1].

Известен способ диффузии фосфора из твердого планарного источника, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора, процесс проводят при температуре 1000°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: О2=37,8±0,5 л/ч; N2=740 л/ч; Н2=7,5 л/ч и времени, равном 60 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1150°C при следующем расходе газов: О2=37,8±0,5 л/ч; N2=740 л/ч и времени разгонки, равном 160 ч. [2]

Недостатком этих способов являются высокие температуры, свыше 1000°C (на этапе разгонки), и длительные временные режимы, при которых нарушается поверхность пластин, не обеспечивается точное регулирование глубины диффузии, появляются различные примеси, влияющие на качество процесса.

Техническим результатом изобретения является уменьшение температуры и времени проведения процесса, обеспечение точного регулирования глубины диффузионного слоя и повышение процента выхода годных изделий.

Технический результат достигается проведением процесса с использованием твердого планарного источника фосфора (ТПДФ) при следующем соотношении компонентов: N2-750 л/ч, O2-40±0,5 л/ч, Н2-8 л/ч, при температуре процесса 1125°C на этапе загонки, при расходах кислорода О2=40±0,5 л/ч и азота N2=750 л/ч, при температуре Т=1250°C на этапе разгонки фосфора.

Сущность способа заключается в том, что на поверхности кремниевой подложки образуется слой фосфоросиликатного стекла при температуре 1125°C за счет реакций между твердым планарным источником фосфора с кислородом и азотом, далее проводят процесс разгонки в карбидкремниевой трубе при температуре 1250°C, при расходах кислорода О2=40±0,5 л/ч и азота N2=750 л/ч. Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления на установке FPP-5000 и определения глубины диффузионного слоя методом косого шлифа [1]. Поверхностное сопротивление для диффузионных кремниевых структур должно быть равным RS=0,6 Ом/см.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; Н2=8 л/ч, и с твердого планарного источника, времени загонки фосфора - 30 минут при температуре 900°C, поверхностное сопротивление RS=0,3±0,1 Ом/см.

На этапе разгонки фосфора процесс проводят при температуре Т=1050°C, при расходах газов: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч, и времени разгонки 50 ч.

Контроль проводят на установке FPP-5000 и глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,105±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии XJ=144 мкм.

ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; Н2=8 л/ч, и с твердого планарного источника. Время загонки фосфора 30 мин при температуре 925°C, поверхностное сопротивления RS=0,41±0,1 Ом/см.

На этапе разгонки фосфора процесс проводят при температуре 1000°C при расходах газов: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч, и времени разгонки 60 ч.

Контроль проводят на установке FPP-5000, а глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,18±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии - 153 мкм.

ПРИМЕР 3: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки стадии: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; Н2=8 л/ч, и с твердого планарного источника (ТПДФ-100). Время загонки фосфора 50 мин при температуре 980°C, поверхностное сопротивление RS=0,48±0,1 Ом/см.

На этапе разгонки фосфора процесс проводят при температуре 1100°C при расходах газов: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч, и времени разгонки 70 ч.

Контроль проводят на установке FPP-5000 и глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,20±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии - 168 мкм.

ПРИМЕР 4: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; Н2=8 л/ч, и с твердого планарного источника (ТПДФ-100). Время загонки фосфора 40 мин при температуре 1125°C, поверхностное сопротивления RS=0,6±0,1 Ом/см.

На этапе разгонки фосфора процесс проводят при температуре 1250°C при расходах газов: О2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч, и времени разгонки 72 ч.

Контроль проводят на установке FPP-5000 и глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,25±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии - 185 мкм.

Оптимальное расстояние между твердым планарным источником и кремниевыми структурами равно 4 мм.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет проводить процесс разгонки при температуре 1250°C, при этом не нарушается поверхность пластин, практически отсутствуют примеси, обеспечивается точное регулирование глубины диффузионного слоя и получение глубины 180±10 мкм за меньшее время - 72 ч.

Литература

1. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. М., «Радио и связь, 1991 г., стр. 128.

2. Патент №2359355, H01L 21/225, 20.06.2009.

Способ получения истоковой области силового транзистора, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 1125°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: О 40±0,5 л/ч; N 750 л/ч; Н 8 л/ч, и времени, равном 40 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1250°C при следующем расходе газов: О 40±0,5 л/ч; N 750 л/ч и времени разгонки, равном 72 ч.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 51-60 of 176 items.
27.11.2014
№216.013.0bd7

Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения. В способе присоединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534439
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd8

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534440
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd9

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534441
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bdc

Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед процессом напыления. Изобретение обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин, уменьшение времени...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534444
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bde

Способ очистки кварцевой трубы

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Изобретение обеспечивает полное удаление различных загрязнений с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534446
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0be1

Способ формирования контакта к коллекторной области кремниевого транзистора

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает уменьшение температуры посадки кристалла на основание корпуса, повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и применение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534449
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0c1c

Конденсационный шкаф рэа

Изобретение относится к системам отвода тепла от компьютерного оборудования, смонтированного внутри серверных или монтажных шкафов, в частности к конденсационному шкафу. Технический результат - обеспечение эффективности отвода тепла из объема шкафа. Достигается тем, что в конденсационном шкафу,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534508
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0c53

Способ нанесения стекла

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности кристаллов p-n переходов от различных внешних воздействий. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и снижение проникновения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534563
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0dac

Турбина для геотермальной электростанции

Изобретение относится к теплоэнергетике, в частности к установкам, использующим теплоту геотермальных источников в виде газопароводяной смеси с повышенным солесодержанием. Предлагается турбина, в которой корпус, вал и рабочие лопатки выполнены полыми и сообщающимися между собой. При этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534917
Дата охранного документа: 10.12.2014
10.12.2014
№216.013.0dd1

Устройство для охлаждения компьютерного процессора с применением возгонки

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться для нормализации температуры процессоров современных компьютеров. Техническим результатом является повышение эффективности охлаждения компьютерного процессора. Устройство содержит систему отвода тепла от компьютерного процессора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534954
Дата охранного документа: 10.12.2014
Showing 51-60 of 223 items.
20.09.2014
№216.012.f5df

Способ очистки теплообменника от карбонатных отложений

Изобретение относится к геотермальной энергетике и может быть использовано для очистки геотермального оборудования от карбонатных отложений. Предложен способ очистки теплообменника от карбонатных отложений, включающий подвод геотермальной воды с концентрацией углекислого газа выше равновесного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528776
Дата охранного документа: 20.09.2014
20.11.2014
№216.013.0986

Аппарат для электростимуляции желудочно-кишечного тракта

Изобретение относится к области медицинской техники, а именно к гастроэнтеростимуляторам для восстановлении моторных функций желудочно-кишечного тракта в раннем послеоперационном периоде. Аппарат для электростимуляции желудочно-кишечного тракта содержит понижающий трансформатор с электрической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533839
Дата охранного документа: 20.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b2e

Способ стерилизации компота из яблок

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает последовательный нагрев компота в потоке воздуха температурой 120°С и скоростью 8-9 м/с в течение 18 мин, душевание водой с температурой 100°С в течение 18 мин и ступенчатое охлаждение в ваннах с водой температурой 80°С в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534270
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b2f

Способ стерилизации компота из яблок

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает последовательный нагрев компота в потоке воздуха температурой 120°С и скоростью 8-9 м/с в течение 18 мин, душевание водой с температурой 100°С в течение 18 мин и ступенчатое охлаждение в ваннах с водой температурой 80°С в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534271
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b30

Способ производства консервированного пюре из зеленого горошка

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства консервированного пюре из зеленого горошка в банках 1-58-200. Способ включает четырехступенчатый нагрев консервов в воде температурами 80, 100 и в растворе хлористого кальция температурами 120 и 140°C в течение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534272
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b33

Устройство для фасовки стерильного жидкого и пюреобразного продукта в стерильную тару в стерильных условиях

Устройство выполнено в виде четырехугольной камеры, внутри которой установлено коромысло, на концах которого закреплены ролики для вертикального перемещения коромысла внутри камеры по ее дорожкам, и два захвата, соединенные шарнирно с коромыслом. Концы захватов выполнены в виде полукруга для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534275
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b45

Способ производства компота из яблок

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает предварительный нагрев плодов в банках горячей водой температурой 85°С и замену воды на сироп температурой 98°С с последующей герметизацией банок самоэксгаустируемыми крышками и стерилизацией без создания противодавления в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534293
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b48

Способ стерилизации абрикосов в абрикосовом соке с мякотью

Изобретение относится к консервной промышленности и может быть использовано при стерилизации фруктовых диетических консервов «Абрикосы в абрикосовом соке с мякотью» в банках 1-82-500. Способ характеризуется тем, что после закатки банки устанавливают в носитель, обеспечивающий механическую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534296
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b4a

Способ производства компота из груш и айвы

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ производства компота из груш и айвы характеризуется тем, что после предварительной подготовки и расфасовки в банки плоды заливают на 3 мин горячей водой с температурой 85°С, после чего воду заменяют сиропом с температурой 98°С. Далее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534298
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b9f

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ. Сущность: поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534383
Дата охранного документа: 27.11.2014
+ добавить свой РИД