×
10.08.2015
216.013.69d4

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002558645
Дата охранного документа
10.08.2015
Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике. Способ контроля состава материала при формировании структуры заключается в том, что в процессе формирования слоя осуществляют измерение эллипсометрических параметров Δ и ψ. Предварительно определяют эллипсометрическим методом с использованием лазерного эллипсометра с длиной волны 0,6328 мкм показатель преломления прозрачной подложки n с обратной матовой поверхностью. На полированные поверхности прозрачных подложек наносят металлические пленки, освещают подложки лучом лазера со стороны нанесенной пленки, отбирая образцы, пропускающие луч лазера, на лазерном эллипсометре с длиной волны 0,6328 мкм измеряют эллипсометрические параметры Δ и ψ пленки, не пропускающей луч лазера, рассчитывают для нее с использованием программно-аппаратного средства, связанного с эллипсометром, оптические константы пленки - показателя преломления n и коэффициента экстинкции k и формируют эталонную зависимость в виде функции Δ=f(ψ) с использованием n и показателя преломления пленки n и коэффициента экстинкции k. Экспериментально определяют эллипсометрические параметры Δ и ψ для полупрозрачных пленок, пропускающих луч лазера, результаты экспериментальных значений фиксируют в плоскости для соотнесения с эталонной зависимостью Δ=f(ψ). Технический результат - обеспечение точности определения толщины и качества металлических пленок. 4 ил.
Основные результаты: Способ контроля состава материала при формировании структуры, заключающийся в том, что в процессе формирования слоя осуществляют измерение эллипсометрических параметров Δ и ψ, отличающийся тем, что предварительно определяют эллипсометрическим методом с использованием лазерного эллипсометра с длиной волны 0,6328 мкм показатель преломления прозрачной подложки n с обратной матовой поверхностью, на полированные поверхности прозрачных подложек наносят металлические пленки, освещают подложки лучом лазера со стороны нанесенной пленки, отбирая образцы, пропускающие луч лазера, на лазерном эллипсометре с длиной волны 0,6328 мкм измеряют эллипсометрические параметры Δ и ψ пленки, не пропускающей луч лазера, рассчитывают для нее с использованием программно-аппаратного средства, связанного с эллипсометром, оптические константы пленки - показателя преломления n и коэффициента экстинкции k и формируют эталонную зависимость в виде функции Δ=f(ψ) с использованием n и показателя преломления пленки n и коэффициента экстинкции k, экспериментально определяют эллипсометрические параметры Δ и ψ для полупрозрачных пленок, пропускающих луч лазера, результаты экспериментальных значений фиксируют в плоскости для соотнесения с эталонной зависимостью Δ=f(ψ).

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам оптико-физических измерений, основанных на эллипсометрии, и предназначено для определения толщины и качества тонких металлических пленок, используемых в микроэлектронике.

Известен способ контроля состава материала при формировании структуры (V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, V.N. Ovsyuk, YU.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, M.V. Yakushev, A.L. Aseev «HgCdTe epilayers on GaAs: growth and devices», Opto-electronics review, 11, no. 2, 2003, p.99-111), заключающийся в том, что в процессе формирования слоя осуществляют измерение в непрерывном режиме эллипсометрических параметров Δ и ψ, по результатам измерения эллипсометрических параметров определяют оптические постоянные и, следовательно, состав материала слоя и его толщину. Контроль возможен благодаря зависимости оптических постоянных от состава материала.

Известный способ является сложным и трудоемким.

Кроме того, известен способ определения толщины тонких пленок в процессе формирования структуры слоя путем измерения эллипсометрических параметров Δ и ψ с последующим вычислением производной, при этом в качестве функции выбирают один из эллипсометрических параметров, а в качестве аргумента - другой эллипсометрический параметр, результаты вычисления фиксируют в плоскости производная эллипсометрического параметра-эллипсометрический параметр в виде кривой, по которой определяют оптические постоянные, изменение состава материала слоя, а также его толщину (патент RU 2396545, МКИ G01N 21/17, 2010 год).

Известный способ также является сложным и трудоемким, кроме того, существует большая вероятность получения ошибочных результатов, обусловленная наличием сложных математических операций.

Задачей настоящего изобретения является устранение вышеуказанных недостатков.

Техническим результатом предлагаемого изобретения является обеспечение простоты и надежности способа, а также обеспечение точности определения толщины и качества металлических пленок.

Указанный технический результат достигается тем, что способ контроля состава материала при формировании структуры заключается в том, что в процессе формирования слоя осуществляют измерение эллипсометрических параметров Δ и ψ. Предварительно определяют эллипсометрическим методом с использованием лазерного эллипсометра с длиной волны 0,6328 мкм показатель преломления прозрачной подложки n1 с обратной матовой поверхностью. На полированные поверхности прозрачных подложек наносят металлические пленки, освещают подложки лучом лазера со стороны нанесенной пленки, отбирая образцы, пропускающие луч лазера, на лазерном эллипсометре с длиной волны 0,6328 мкм измеряют эллипсометрические параметры Δ и ψ пленки, не пропускающей луч лазера, рассчитывают для нее с использованием программно-аппаратного средства, связанного с эллипсометром, оптические константы пленки - показателя преломления n и коэффициента экстинкции k и формируют эталонную зависимость в виде функции Δ=f(ψ) с использованием n1 и показателя преломления пленки n и коэффициента экстинкции k. Экспериментально определяют эллипсометрические параметры Δэксп и ψэксп для полупрозрачных пленок, пропускающих луч лазера, результаты экспериментальных значений фиксируют в плоскости для соотнесения с эталонной зависимостью Δ=f(ψ).

Сущность настоящего изобретения поясняется следующими иллюстрациями:

фиг.1 - отображает график эталонной зависимости Δ=f(ψ) в диапазоне толщин пленок титана от 20 до 800 Å;

фиг.2 - отображает график эталонной зависимости Δ=f(ψ) в диапазоне толщин пленок титана 300-500 Å;

фиг.3 - отображает график эталонной зависимости Δ=f(ψ) в диапазоне толщин пленок титана 500-800 Å;

фиг.4 - отображает график эталонной зависимости Δ=f(ψ) и экспериментальные значения.

Способ реализуется следующим образом.

1. Предварительно определяют эллипсометрическим методом при использовании лазерных эллипсометров с длиной волны 0,6328 мкм типа ЛЭМ-2 или L116S300 STOKES ELLIPSOMETER показатель преломления n1 прозрачной подложки (стекло, кварц или сапфир) с обратной матовой поверхностью.

2. На полированную поверхность прозрачной подложки с обратной матовой поверхностью наносят толстую (более 0,1 мкм) металлическую пленку. Освещают подложку лазерным лучом со стороны нанесенной пленки и, наблюдая матовую поверхность подложки, убеждаются, что металлическая пленка не пропускает луч лазера.

3. На лазерном эллипсометре с длиной волны 0,6328 мкм, освещая лучом лазера пленку, измеряют эллипсометрические параметры Δ и ψ указанной пленки и рассчитывают оптические константы пленки - показатель преломления n2 и коэффициент экстинкции k2.

4. Для полученных величин n1, n2, k2, используя имеющуюся программу, рассчитывают эллипсометрические параметры ψ и Δ для пленок разной толщины и строят эталонную зависимость Δ=f(ψ) (см. фиг.1 - сплошная линия). Компьютер, содержащий программно-аппаратный комплекс, соединен с эллипсометром.

5. Для полупрозрачных пленок с разной толщиной определяют экспериментальные эллипсометрические параметры Δэксп и ψэкс и наносят эти экспериментальные значения на плоскость Δ - ψ.

6. Если параметры Δэксп и ψэксп точно совпадают с зависимостью Δ=f(ψ), то точно определяют толщину тонкой пленки и делают вывод о том, что оптические параметры тонкой пленки совпадают с оптическими параметрами толстой пленки.

7. Если параметры полупрозрачной пленки (ψэксп, Δэксп) отклоняются от эталонной зависимости Δ=f(ψ), то по величине этого отклонения судят о свойствах тонкой металлической пленки: чем больше отклонение экспериментальных значений Δэксп и ψэксп от кривой Δ=f(ψ), тем по оценке приведенного метода качество тонкой металлической пленки отличается от качества толстой металлической пленки.

8. При вышеуказанных действиях возможно точно измерять толщину полупрозрачных пленок. Ее ориентировочную величину можно оценить по ближайшим точкам эталонной зависимости Δ=f(ψ).

На фиг.1 представлен график эталонной зависимости Δ=f(ψ) в диапазоне толщин пленок титана от 20 до 800 Å. На фиг.2 представлены графики эталонной зависимости Δ=f(ψ) более детально в диапазоне толщин пленок титана 300-500 Å и 500-800 Å.

На фиг.4 на кривой эталонной зависимости Δ=f(ψ) кружочками обозначены теоретически рассчитанные толщины пленок титана, а крестиками обозначены измеренные экспериментально величины (ψэсп, Δэксп). Видно, что для образцов №1, №2 и №3 экспериментальные значения хорошо совпадают с эталонными значениями (при этом можно определить с точностью до 5 Å и толщины этих пленок); тогда как для образца №4 существует расхождение между рассчитанными по кривой Δ=f(ψ) и измеренными ψэксп и Δэксп параметрами. В этом случае толщину пленки на этом образце можно оценить лишь приблизительно.

Способ контроля состава материала при формировании структуры, заключающийся в том, что в процессе формирования слоя осуществляют измерение эллипсометрических параметров Δ и ψ, отличающийся тем, что предварительно определяют эллипсометрическим методом с использованием лазерного эллипсометра с длиной волны 0,6328 мкм показатель преломления прозрачной подложки n с обратной матовой поверхностью, на полированные поверхности прозрачных подложек наносят металлические пленки, освещают подложки лучом лазера со стороны нанесенной пленки, отбирая образцы, пропускающие луч лазера, на лазерном эллипсометре с длиной волны 0,6328 мкм измеряют эллипсометрические параметры Δ и ψ пленки, не пропускающей луч лазера, рассчитывают для нее с использованием программно-аппаратного средства, связанного с эллипсометром, оптические константы пленки - показателя преломления n и коэффициента экстинкции k и формируют эталонную зависимость в виде функции Δ=f(ψ) с использованием n и показателя преломления пленки n и коэффициента экстинкции k, экспериментально определяют эллипсометрические параметры Δ и ψ для полупрозрачных пленок, пропускающих луч лазера, результаты экспериментальных значений фиксируют в плоскости для соотнесения с эталонной зависимостью Δ=f(ψ).
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-20 of 26 items.
27.11.2014
№216.013.0bda

Способ изготовления мощного свч-транзистора

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Способ изготовления мощного СВЧ-транзистора включает нанесение на фланец слоя припоя, формирование пьедестала, нанесение подслоя, обеспечивающего крепление кристалла транзистора к пьедесталу, формирование на базовой подложке из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534442
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bdf

Псевдоморфный гетеростуктурный модулировано-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534447
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0f1a

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов

Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, высокотемпературным отжигом формируют полицид тугоплавкого металла на поверхности поликремния, методом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535283
Дата охранного документа: 10.12.2014
27.01.2015
№216.013.2072

Модулированно-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике. Модулированно-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. Пьедестал изготовлен из теплопроводящего слоя поликристаллического алмаза. Поверх...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539754
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.04.2015
№216.013.3f00

Интегральная схема задержки включения

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для задержки включения нагрузки. Технический результат заключается в уменьшении площади, занимаемой схемой задержки включения на кристалле, уменьшении потребляемой мощности и расширении диапазона изменения напряжения питания....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547616
Дата охранного документа: 10.04.2015
27.05.2015
№216.013.4f3e

Полосковое устройство квадратурного деления и сложения свч сигналов

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в широкополосных приемных, передающих и измерительных устройствах СВЧ. Технический результат - повышение уровня мощности СВЧ-сигналов и уменьшение потерь. Для этого полосковое устройство квадратурного деления и сложения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002551804
Дата охранного документа: 27.05.2015
27.07.2015
№216.013.6892

Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области получения металлических покрытий на пластинах из алюмонитридной керамики и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности при производстве металлизированных подложек для силовых модулей, теплоотводящих элементов мощных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558323
Дата охранного документа: 27.07.2015
10.08.2015
№216.013.69d8

Органичитель мощности свч

Использование: для изготовления полупроводниковых изделий. Сущность изобретения заключается в том, что ограничитель мощности СВЧ включает электроды и емкостные элементы. Емкостные элементы представляют собой конденсаторы, ограничитель мощности СВЧ включает подложку из сапфира, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558649
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.08.2015
№216.013.6b62

Гибридный фотопреобразователь

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания фотопреобразователей, преобразующих энергию света в электрическую энергию. Гибридный фотопреобразователь содержит диэлектрическую подложку, расположенные на ее лицевой поверхности изолированные друг от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559048
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.08.2015
№216.013.6e51

Способ экспонирования кристаллографических плоскостей монокристаллических пластин и гетероструктур

Использование: для исследования нанометрических несовершенств монокристаллических полупроводниковых пластин и гетероструктур, а также диэлектрических подложек. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют измерение угла дифракции от исследуемой плоскости с помощью рентгеновской...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559799
Дата охранного документа: 10.08.2015
Showing 11-20 of 30 items.
27.11.2014
№216.013.0bda

Способ изготовления мощного свч-транзистора

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Способ изготовления мощного СВЧ-транзистора включает нанесение на фланец слоя припоя, формирование пьедестала, нанесение подслоя, обеспечивающего крепление кристалла транзистора к пьедесталу, формирование на базовой подложке из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534442
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bdf

Псевдоморфный гетеростуктурный модулировано-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534447
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0f1a

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов

Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, высокотемпературным отжигом формируют полицид тугоплавкого металла на поверхности поликремния, методом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535283
Дата охранного документа: 10.12.2014
27.01.2015
№216.013.2072

Модулированно-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике. Модулированно-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. Пьедестал изготовлен из теплопроводящего слоя поликристаллического алмаза. Поверх...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539754
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.04.2015
№216.013.3f00

Интегральная схема задержки включения

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для задержки включения нагрузки. Технический результат заключается в уменьшении площади, занимаемой схемой задержки включения на кристалле, уменьшении потребляемой мощности и расширении диапазона изменения напряжения питания....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547616
Дата охранного документа: 10.04.2015
27.05.2015
№216.013.4f3e

Полосковое устройство квадратурного деления и сложения свч сигналов

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в широкополосных приемных, передающих и измерительных устройствах СВЧ. Технический результат - повышение уровня мощности СВЧ-сигналов и уменьшение потерь. Для этого полосковое устройство квадратурного деления и сложения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002551804
Дата охранного документа: 27.05.2015
27.07.2015
№216.013.6892

Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области получения металлических покрытий на пластинах из алюмонитридной керамики и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности при производстве металлизированных подложек для силовых модулей, теплоотводящих элементов мощных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558323
Дата охранного документа: 27.07.2015
10.08.2015
№216.013.69d8

Органичитель мощности свч

Использование: для изготовления полупроводниковых изделий. Сущность изобретения заключается в том, что ограничитель мощности СВЧ включает электроды и емкостные элементы. Емкостные элементы представляют собой конденсаторы, ограничитель мощности СВЧ включает подложку из сапфира, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558649
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.08.2015
№216.013.6b62

Гибридный фотопреобразователь

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания фотопреобразователей, преобразующих энергию света в электрическую энергию. Гибридный фотопреобразователь содержит диэлектрическую подложку, расположенные на ее лицевой поверхности изолированные друг от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559048
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.08.2015
№216.013.6e51

Способ экспонирования кристаллографических плоскостей монокристаллических пластин и гетероструктур

Использование: для исследования нанометрических несовершенств монокристаллических полупроводниковых пластин и гетероструктур, а также диэлектрических подложек. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют измерение угла дифракции от исследуемой плоскости с помощью рентгеновской...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559799
Дата охранного документа: 10.08.2015
+ добавить свой РИД