×
20.02.2015
216.013.2b7e

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭМИТТЕРНОЙ ОБЛАСТИ ТРАНЗИСТОРА

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и, в частности, может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур. Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника включает формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора. Процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: O=40±0,5 л/ч; N=750 л/ч; H=8 л/ч, и времени, равном 40 минут, на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1000°C при следующем расходе газов: O=40±0,5 л/ч; N=750 л/ч, и времени разгонки, равном 75 часов. Техническим результатом изобретения является уменьшение температуры и времени проведения процесса, обеспечение точного регулирования глубины диффузионного слоя, получение глубины 180±10 мкм и повышение процента выхода годных изделий.
Основные результаты: Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: O=40±0,5 л/ч; N=750 л/ч; H=8 л/ч, и времени, равном 40 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1000°C при следующем расходе газов: O=40±0,5 л/ч; N=750 л/ч, и времени разгонки, равном 75 ч.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и, в частности, может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур. Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника включает формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора. Процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; H2=8 л/ч, и времени, равном 40 минут; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1000°C при следующем расходе газов: O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч, и времени разгонки, равном 75 часов. Техническим результатом изобретения является уменьшение температуры и времени проведения процесса, обеспечение точного регулирования глубины диффузионного слоя, получение глубины 180±10 мкм и повышение процента выхода годных изделий.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и мощных кремниевых транзисторов, в частности глубокой диффузии фосфора, для формирования диффузионных кремниевых структур.

Известны способы диффузии фосфора из жидких источников: оксихлорид фосфора (POCL3) и трихлорид фосфора (PCL3), при которых глубина диффузии фосфора незначительна при длительностях процесса 150-170 часов [1].

Известен способ диффузии фосфора из твердого планарного источника, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора, процесс проводят при температуре 1000°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: O2=37,8±0,5 л/ч; N2=740 л/ч; H2=7,5 л/ч, и времени, равном 60 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1150°C при следующем расходе газов: O2=37,8±0,5 л/ч; N2=740 л/ч, и времени разгонки, равном 160 ч [2].

Недостатком этих способов являются высокие температуры, свыше 1000°C (на этапе разгонки), и длительные временные режимы, при которых нарушается поверхность пластин, не обеспечивается точное регулирование глубины диффузии, появляются различные примеси, влияющие на качество процесса.

Целью изобретения является уменьшение температуры и времени проведения процесса, обеспечение точного регулирования глубины диффузионного слоя и повышение процента выхода годных изделий.

Поставленная цель достигается проведением процесса с использованием твердого планарного источника фосфора (ТПДФ), при следующем соотношении компонентов: N2 - 750 л/ч, O2 - 40±0,5 л/ч, H2 - 8 л/ч, при температуре процесса 900°C на этапе загонки, при расходах кислорода O2=40±0,5 л/ч и азота N2=750 л/ч, при температуре T=1000°C на этапе разгонки фосфора.

Сущность способа заключается в том, что на поверхности кремниевой подложки образуется слой фосфоросиликатного стекла при температуре 1000°C за счет реакций между твердым планарным источником фосфора с кислородом и азотом, далее проводят процесс разгонки в карбидкремниевой трубе при температуре 1000°C, при расходах: кислорода O2=40±0,5 л/ч и азота N2=750 л/ч. Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления на установке FPP-5000 и определение глубины диффузионного слоя методом косого шлифа [1]. Поверхностное сопротивление для диффузионных кремниевых структур должно быть равным RS=0,6 Ом/см.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки:

O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; H2=8 л/ч, и с твердого планарного источника, времени загонки фосфора - 30 минут при температуре 900°C, поверхностное сопротивление RS=0,3±0,1 Ом/см.

На этапе разгонки фосфора процесс проводят при температуре T=1050°C, при расходах газов: O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч, и времени разгонки 50 часов.

Контроль проводят на установке FPP-5000 и глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,105±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии xJ=144 мкм.

ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки:

O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; H2=8 л/ч, и с твердого планарного источника. Время загонки фосфора 30 минут при температуре 925°C, поверхностное сопротивления RS=0,41±0,1 Ом/см.

На этапе разгонки фосфора процесс проводят при температуре 1000°C при расходах газов: O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч, и времени разгонки 60 часов.

Контроль проводят на установке FPP-5000, а глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,18±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии - 153 мкм.

ПРИМЕР 3: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки стадии: O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; H2=8 л/ч, и с твердого планарного источника (ТПДФ-100). Время загонки фосфора 50 минут при температуре 980°C, поверхностное сопротивления RS=0,48±0,1 Ом/см.

На этапе разгонки фосфора процесс проводят при температуре 1100°C при расходах газов: O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч, и времени разгонки 70 часов.

Контроль проводят на установке FPP-5000 и глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,20±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии - 168 мкм.

ПРИМЕР 4: Способ осуществляют аналогично условию примера 1.

Процесс проводят при следующем расходе газов на этапе загонки:

O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч; H2=8 л/ч, и с твердого планарного источника (ТПДФ-100). Время загонки фосфора 40 минут при температуре 900°C, поверхностное сопротивления RS=0,6±0,1 Ом/см.

На этапе разгонки фосфора процесс проводят при температуре 1000°C при расходах газов: O2=40±0,5 л/ч; N2=750 л/ч, и времени разгонки 75 часов.

Контроль проводят на установке FPP-5000 и глубину диффузионного шлифа определяют методом косого шлифа:

- поверхностное сопротивление RS=0,25±0,05 Ом/см;

- глубина диффузии - 185 мкм.

Оптимальное расстояние между твердым планарным источником и кремниевыми структурами равно 4 мм.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет проводить процесс разгонки при температуре 1000°C, при этом не нарушается поверхность пластин, практически отсутствуют примеси, обеспечивается точное регулирование глубины диффузионного слоя и получение глубины 180±10 мкм за меньшее время - 75 часов.

Литература

1. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. Москва, Радио и связь, 1991 г., с.128.

2. Патент №2359355, H01L 21/225, 20.06.2009.

Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: O=40±0,5 л/ч; N=750 л/ч; H=8 л/ч, и времени, равном 40 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1000°C при следующем расходе газов: O=40±0,5 л/ч; N=750 л/ч, и времени разгонки, равном 75 ч.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 31-40 of 176 items.
20.08.2014
№216.012.e993

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525603
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.08.2014
№216.012.e997

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525607
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.08.2014
№216.012.e998

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525608
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.08.2014
№216.012.e99b

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электротехнике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525611
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.09.2014
№216.012.f5df

Способ очистки теплообменника от карбонатных отложений

Изобретение относится к геотермальной энергетике и может быть использовано для очистки геотермального оборудования от карбонатных отложений. Предложен способ очистки теплообменника от карбонатных отложений, включающий подвод геотермальной воды с концентрацией углекислого газа выше равновесного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528776
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.11.2014
№216.013.0b2e

Способ стерилизации компота из яблок

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает последовательный нагрев компота в потоке воздуха температурой 120°С и скоростью 8-9 м/с в течение 18 мин, душевание водой с температурой 100°С в течение 18 мин и ступенчатое охлаждение в ваннах с водой температурой 80°С в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534270
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b2f

Способ стерилизации компота из яблок

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает последовательный нагрев компота в потоке воздуха температурой 120°С и скоростью 8-9 м/с в течение 18 мин, душевание водой с температурой 100°С в течение 18 мин и ступенчатое охлаждение в ваннах с водой температурой 80°С в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534271
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b30

Способ производства консервированного пюре из зеленого горошка

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства консервированного пюре из зеленого горошка в банках 1-58-200. Способ включает четырехступенчатый нагрев консервов в воде температурами 80, 100 и в растворе хлористого кальция температурами 120 и 140°C в течение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534272
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b48

Способ стерилизации абрикосов в абрикосовом соке с мякотью

Изобретение относится к консервной промышленности и может быть использовано при стерилизации фруктовых диетических консервов «Абрикосы в абрикосовом соке с мякотью» в банках 1-82-500. Способ характеризуется тем, что после закатки банки устанавливают в носитель, обеспечивающий механическую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534296
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b9f

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ. Сущность: поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534383
Дата охранного документа: 27.11.2014
Showing 31-40 of 223 items.
10.08.2014
№216.012.e738

Способ производства компота из груш и айвы

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности, а именно для стерилизации компота из груш и айвы. Способ включает предварительный подогрев плодов горячей водой температурой 85°С в течение 3 мин с последующей стерилизацией в потоке воздуха температурой 150°С и скоростью 8,5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524985
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e73b

Способ производства компота из ревеня

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ производства компота из ревеня характеризуется тем, что после расфасовки в банки, плоды на 2-3 мин заливают горячей водой температурой 85°C, с последующей заменой воды на сироп температурой 98°C, далее банки закатывают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524988
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e73c

Способ производства компота из черники

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает предварительный нагрев плодов в банках горячей водой температурой 85 °C, замену воды на сироп температурой 98 °C с последующей герметизацией банок самоэксгаустируемыми крышками. Стерилизацию компота проводят без создания...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524989
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e73e

Способ производства компота из земляники

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ характеризуется тем, что включает предварительный нагрев плодов в банках горячей водой температурой 85°C, заменой воды на сироп температурой 98°C с последующей герметизацией банок самоэксгаустируемыми крышками и стерилизацией без...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524991
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e741

Способ стерилизации компота из груш и айвы

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ стерилизации компота из груш и айвы включает нагрев компота в потоке воздуха температурой 130°C и скоростью 3,5-4 м/с в течение 22 мин при одновременном прерывистом 2-3-х минутном вращении банки с «донышка на крышку» с частотой 0,133 с с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524994
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e742

Способ стерилизации компота из груш и айвы

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности, а именно для стерилизации компота из груш и айвы в банках СКО 1-82-500. Способ включает процесс нагрева в потоке воздуха температурой 130°С и скоростью 6-7 м/с в течение 20 мин с последующей выдержкой в течение 15-20 мин при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524995
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e744

Способ стерилизации компота из груш и айвы

Изобретение относится к консервной промышленности, в частности к стерилизации компота из груш и айвы. Способ включает установку банок в носитель, обеспечивающий герметичность и процессы нагрева, выдержки и охлаждения. Нагрев компота осуществляют в потоке воздуха температурой 130°C и скоростью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524997
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e747

Способ стерилизации компота из груш и айвы

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ стерилизации компота из груш и айвы в банках СКО 1-82-500 включает процесс нагрева в потоке воздуха температурой 130 °C и скоростью 3,5-4 м/с в течение 23 мин с последующей выдержкой в течение 12-15 мин при температуре нагретого воздуха...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525000
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7e8

Способ производства компота из дыни

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности при производстве компота из дыни. Способ характеризуется тем, что включает предварительный нагрев плодов в банках горячей водой температурой 85°С, замену воды на сироп температурой 98°С с последующей герметизацией банок...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525161
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7ef

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525168
Дата охранного документа: 10.08.2014
+ добавить свой РИД