×
10.02.2015
216.013.2699

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ ЭЛЕКТРОПРОВОДНЫХ ПОРОШКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности к способам электроимпульсного прессования порошка, и служит для изготовления плотных изделий из электропроводных порошков или частиц. Способ включает засыпку порошка в матрицу, приложение к нему статического давления и пропускание через него импульса тока, причем во время приложения давления и пропускания импульса тока осуществляют вибрацию матрицы с частотой 10-10 Гц и амплитудой 10-5·10 м. При вибрации керамической матрицы уменьшается взаимодействие ее боковой поверхности с материалом образца, что повышает долговечность керамической матрицы, улучшает извлечение образца, в результате получаются изделия с гладкой и ровной боковой поверхностью. 1 пр., 1 ил.
Основные результаты: Способ изготовления изделий из электропроводных порошковых материалов, включающий засыпку порошка в керамическую матрицу, приложение к нему статического давления и пропускание через него импульса тока, отличающийся тем, что во время приложения давления и пропускания импульса тока осуществляют вибрацию матрицы с частотой 10-10 Гц и амплитудой 10-5·10 м.

Изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности к способам электроимпульсного прессования порошка, и служит для изготовления плотных изделий из электропроводных порошков или частиц.

Известен способ изготовления изделий из электропроводных порошкообразных материалов [Авт. св. №976558 от 15.06.1978 г.], заключающийся в том, что порошкообразный материал засыпают в керамическую матрицу из изолирующего материала, зажатую в металлическую обойму, с торцов вставляют электроды, которые подсоединяют к импульсному источнику тока, например батарее конденсаторов. Через них к засыпке прикладывают давление 0,5-5 т/см2, которое поддерживают и во время пропускания импульса тока. Конденсаторы заряжают до напряжения, определяющего величину тока в интервале 104-107 А/см2. Затем конденсаторы разряжают через порошок, в результате чего получают плотные изделия.

При прохождении импульса разрядного тока от батареи конденсаторов через поджатый порошок он разогревается. В результате приложенного статического давления и импульсного нагрева порошка происходит его уплотнение. Полученные по этому способу образцы часто имеют низкое качество боковой поверхности, из-за припекания керамической матрицы к образцу.

Решением, наиболее близким, предложенному по технической сущности и достигаемому эффекту, является способ изготовления изделий из металлического порошка [Авт. св. 1257934 от 25.01.1984], заключающийся в том, что металлический порошок засыпают в матрицу из нитрида кремния плотностью 91-99%. Порошок уплотняют приложением статического давления 50-500 МПа с одновременном пропусканием импульса электрического тока напряжением 1,0-4,6 кВ. Однако при компактировании высокотемпературных материалов, таких как карбиды и нитриды металлов (TiC, TiN, Wc), из-за того, что образец достаточно сильно разогревается, а матрица становится неподвижной, возможно его взаимодействие со стенками матрицы. Происходит схватывание получаемого изделия с материалом матрицы, что значительно затрудняет его извлечение. Матрица становится непригодной для дальнейшей работы.

В связи с этим, важнейшей задачей является разработка нового способа электроимпульсного прессования порошка, повышающего долговечность керамической матрицы, улучшающего извлечение образца и повышающего качество его боковой поверхности.

Техническим результатом заявленного способа является создание новой технологии, обеспечивающей с помощью электроимпульсного прессования получение образцов с более повышенными характеристиками, чем у прототипа и увеличивающей срок службы матрицы.

Технический результат достигается тем, что в способе изготовления изделий из электропроводных порошковых материалов, включающем засыпку порошка в матрицу, приложение к нему статического давления и пропускание через него импульса тока, во время приложения давления и пропускания импульса тока осуществляют вибрацию матрицы с частотой 102-104 Гц и амплитудой 10-4-5·10-3 м.

Сущность изобретения поясняется фиг. 1, на которой показано устройство для электроимпульсного прессования порошка. Оно включает высоковольтный трансформатор 1, выпрямитель 2, конденсаторную батарею 3, электрический разрядник 4, выполняющий роль ключа для замыкания электрической цепи, который управляется специальной системой поджига 5, систему управления 6, служащую для управления зарядкой и разрядкой батареи конденсаторов, верхний подвижный пуансон 7 и нижний неподвижный пуансон 8. Нижний пуансон 8 помещен на основание 9.

Верхний подвижный пуансон 7 электрически изолирован от нижнего пуансона 8 изолирующими втулками 10, надетыми на крепление стойки 11. Давление P к верхнему пуансону 7 прикладывается от нагружающего устройства (на чертеже не показано) через шток 12. Электропроводный порошок 13 помещают в матрицу 14 из электроизолирующего материала, зажатую в металлическую обойму 15. На основании 9 установлены двое направляющих 16 и 17 с пружинами 18 и 19, на которые надеты втулки 20 и 21, соединенные с пластиной 22. Эта пластина соединена с обоймой 15 и двумя стержнями 23 и 24, нижние концы которых соединены с фланцем 25, на котором закреплен вибратор 26.

Пример конкретной реализации способа. Порошок электропроводного материала 13, заключенный в керамическую матрицу 14 и зажатую в металлическую обойму 15, поджимается пуансонами 7 и 8. Давление P к верхнему пуансону 7 прикладывается от нагружающего устройства через шток 12. С помощью системы управления 6 включается высоковольтный трансформатор 1 и через выпрямитель 2 осуществляется зарядка конденсаторной батареи 3. По достижении на батарее необходимого напряжения, величина которого определяется размером засыпки и видом уплотняемого порошка, отключают высоковольтный трансформатор. Затем включают вибратор 26, который обеспечивает вибрационную нагрузку частотой 102-104 Гц и амплитудой 10-4-5·10-3 м и от системы поджига 5 запускают электрический разрядник 4, при этом происходит замыкание электрической цепи. Импульс разрядного тока от батареи конденсаторов 3, протекая через поджатый порошок, разогревает его, при этом высота засыпки порошка уменьшается. В этот промежуток времени верхний подвижный пуансон 7, являющийся продолжением штока 12 нагружающего устройства, совершает перемещение вниз. Обойма 15 вместе с матрицей 14 и засыпкой порошка 13 также начинают двигаться вниз, происходит уплотнение порошка. Кроме того, от вибратора 26 вибрационная нагрузка через фланец 25, стержни 23 и 24, пластину 25 передается обойме 15 с матрицей 14. Эта матрица по втулкам 20, 21 совершает колебательные движения вверх-вниз вдоль направляющих 16, 17 с пружинами 18, 19, в результате чего схватывание боковой поверхности керамической матрицы с материалом образца существенно уменьшается.

При осуществлении способа с вибрацией матрицы частотой ниже 102 Гц (100 колебаний в секунду) и амплитудой меньше 10-4 м (0,1 мм) не обеспечивается эффективного смещения стенок матрицы относительно порошка, происходило частичное взаимодействие матрицы с образцом.

При увеличении частоты и амплитуды вибрации выше 104 Гц (10000 колебаний в секунду) и амплитудой 5·10-3 м (5 мм) не приводило к существенному улучшению характеристик получаемых изделий. Кроме того, начинает наблюдаться разрушение матрицы.

Проведенное электроимпульсное прессование порошка TiC указанным способом в керамической матрице из нитрида кремния с вибрацией матрицы частотой 2·103 Гц, амплитудой 10-3 м, 7·105 А/см2 и давлением 450 МПа позволило получить изделия с плотностью 98-99,5% от теоретической. Керамическая матрица пригодна для дальнейшего использования и ее стойкость выросла в 1,6 раза.

Таким образом, использование описанного способа для электроимпульсного прессования порошковых материалов повышает качество изделий и способствует экономии материалов, используемых при изготовлении матрицы.

Способ изготовления изделий из электропроводных порошковых материалов, включающий засыпку порошка в керамическую матрицу, приложение к нему статического давления и пропускание через него импульса тока, отличающийся тем, что во время приложения давления и пропускания импульса тока осуществляют вибрацию матрицы с частотой 10-10 Гц и амплитудой 10-5·10 м.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ ЭЛЕКТРОПРОВОДНЫХ ПОРОШКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-20 of 36 items.
27.07.2014
№216.012.e55f

Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-sic на кремнии монокристаллическом

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей. Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-SiC на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524509
Дата охранного документа: 27.07.2014
20.09.2014
№216.012.f501

Способ формирования высоковольтного карбидокремниевого диода на основе ионно-легированных p-n-структур

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к технологии изготовления высоковольтных карбидокремниевых полупроводниковых приборов на основе p-n-перехода с использованием ионной имплантации. Технический результат, достигаемый при реализации заявленного изобретения, заключается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528554
Дата охранного документа: 20.09.2014
10.11.2014
№216.013.05b5

Способ регистрации ионизационного сигнала в эмиссионных детекторах излучений

Изобретение относится к области низкофоновых экспериментов по поиску редких событий, например взаимодействий темной материи с обычным веществом, и может быть использовано для экспериментов по исследованию взаимодействия нейтрино (антинейтрино) с энергией 1-100 МэВс веществом. Способ регистрации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532859
Дата охранного документа: 10.11.2014
27.11.2014
№216.013.0a22

Высоковольтный нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов

Изобретение относится к нитрид-галлиевым транзисторам с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT) и в частности к конструкции GaN НЕМТ для высоковольтных применений. Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов выращивается на кремниевой подложке с нанесенной на нее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534002
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.01.2015
№216.013.20fb

Способ осаждения тонких пленок оксида церия

Изобретение относится к технологии тонких пленок, в частности к способу формирования равномерных по толщине пленок оксида церия (CeO) на подложках сложной пространственной конфигурации, и может быть использовано для создания равномерных по толщине пленок оксида церия при решении ряда задач...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539891
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.02.2015
№216.013.2250

Способ формирования мемристора на основе твердотельного сплава si:me и структура мемристора на основе твердотельного сплава si:me

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегрального элемента логики и/или энергонезависимой памяти на основе структур металл-изолятор-металл (МИМ). Задачей данного изобретения является создание мемристора, который отличается отсутствием «формовки»...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540237
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.02.2015
№216.013.26d5

Синий флип-чип светодиода на нитридных гетероструктурах

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов видимого диапазона с длиной волны 460±5 нм. Указанный синий флип-чип светодиод на нитридных гетероструктурах содержит металлические электроды p-типа, нитридный слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541394
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.04.2015
№216.013.3f09

Многовходовой сумматор

Изобретение относится к вычислительной технике, предназначено для суммирования двоичных чисел и может быть использовано в системах передачи и обработки информации для цифровой обработки сигналов, при решении комбинаторных задач. Техническим результатом являются уменьшение аппаратных затрат и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547625
Дата охранного документа: 10.04.2015
20.04.2015
№216.013.4114

Способ получения и детектирования ионов изотопов торий-229 и торий-232 с различной кратностью заряда

Изобретение относится к области метрологии и может быть использовано для определения частоты и времени, в частности при создании атомных стандартов частоты и атомных часов. В заявленном способе получения и детектирования ионов изотопов торий-229 и торий-232 с различной кратностью заряда...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548158
Дата охранного документа: 20.04.2015
10.05.2015
№216.013.49b7

Способ высокочувствительного контроля долгоживущего глобального радионуклида с в газовой фазе технологического процесса переработки отработавшего ядерного топлива в режиме реального времени

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в атомной энергетике, охране окружающей среды для высокочувствительного контроля долгоживущего глобального радионуклида C в газовой фазе технологического процесса переработки отработавшего ядерного топлива в режиме реального...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550378
Дата охранного документа: 10.05.2015
Showing 11-20 of 39 items.
27.07.2014
№216.012.e55f

Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-sic на кремнии монокристаллическом

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей. Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-SiC на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524509
Дата охранного документа: 27.07.2014
20.09.2014
№216.012.f501

Способ формирования высоковольтного карбидокремниевого диода на основе ионно-легированных p-n-структур

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к технологии изготовления высоковольтных карбидокремниевых полупроводниковых приборов на основе p-n-перехода с использованием ионной имплантации. Технический результат, достигаемый при реализации заявленного изобретения, заключается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528554
Дата охранного документа: 20.09.2014
10.11.2014
№216.013.05b5

Способ регистрации ионизационного сигнала в эмиссионных детекторах излучений

Изобретение относится к области низкофоновых экспериментов по поиску редких событий, например взаимодействий темной материи с обычным веществом, и может быть использовано для экспериментов по исследованию взаимодействия нейтрино (антинейтрино) с энергией 1-100 МэВс веществом. Способ регистрации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532859
Дата охранного документа: 10.11.2014
27.11.2014
№216.013.0a22

Высоковольтный нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов

Изобретение относится к нитрид-галлиевым транзисторам с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT) и в частности к конструкции GaN НЕМТ для высоковольтных применений. Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов выращивается на кремниевой подложке с нанесенной на нее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534002
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.01.2015
№216.013.20fb

Способ осаждения тонких пленок оксида церия

Изобретение относится к технологии тонких пленок, в частности к способу формирования равномерных по толщине пленок оксида церия (CeO) на подложках сложной пространственной конфигурации, и может быть использовано для создания равномерных по толщине пленок оксида церия при решении ряда задач...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539891
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.02.2015
№216.013.2250

Способ формирования мемристора на основе твердотельного сплава si:me и структура мемристора на основе твердотельного сплава si:me

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегрального элемента логики и/или энергонезависимой памяти на основе структур металл-изолятор-металл (МИМ). Задачей данного изобретения является создание мемристора, который отличается отсутствием «формовки»...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540237
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.02.2015
№216.013.26d5

Синий флип-чип светодиода на нитридных гетероструктурах

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов видимого диапазона с длиной волны 460±5 нм. Указанный синий флип-чип светодиод на нитридных гетероструктурах содержит металлические электроды p-типа, нитридный слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541394
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.04.2015
№216.013.3f09

Многовходовой сумматор

Изобретение относится к вычислительной технике, предназначено для суммирования двоичных чисел и может быть использовано в системах передачи и обработки информации для цифровой обработки сигналов, при решении комбинаторных задач. Техническим результатом являются уменьшение аппаратных затрат и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547625
Дата охранного документа: 10.04.2015
20.04.2015
№216.013.4114

Способ получения и детектирования ионов изотопов торий-229 и торий-232 с различной кратностью заряда

Изобретение относится к области метрологии и может быть использовано для определения частоты и времени, в частности при создании атомных стандартов частоты и атомных часов. В заявленном способе получения и детектирования ионов изотопов торий-229 и торий-232 с различной кратностью заряда...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548158
Дата охранного документа: 20.04.2015
10.05.2015
№216.013.49b7

Способ высокочувствительного контроля долгоживущего глобального радионуклида с в газовой фазе технологического процесса переработки отработавшего ядерного топлива в режиме реального времени

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в атомной энергетике, охране окружающей среды для высокочувствительного контроля долгоживущего глобального радионуклида C в газовой фазе технологического процесса переработки отработавшего ядерного топлива в режиме реального...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550378
Дата охранного документа: 10.05.2015
+ добавить свой РИД