×
27.11.2014
216.013.0bdc

СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ОКИСЛА С ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед процессом напыления. Изобретение обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин, уменьшение времени обработки и снижение стоимости процесса. В способе обработки кремниевых пластин перед напылением удаление окисла с поверхности кремниевых пластин проводят в растворе, содержащем бифторид аммония (NHHF) и деионизованную воду (HO) в соотношении NHHF:НO=1:26, время обработки составляет не более 10 секунд при комнатной температуре.
Основные результаты: Способ обработки кремниевых пластин перед напылением, включающий травление кремния с полным удалением остатков окисла с поверхности кремниевых пластин перед напылением обратной стороны, отличающийся тем, что в качестве травителя используется раствор, в состав которого входят бифторид аммония и деионизованная вода, компоненты раствора выбираются в следующем соотношении:NHHF:HO = 1:26,время обработки остатков окисла с кремниевых пластин при этом составляет не более 10 секунд при комнатной температуре.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед напылительными процессами, травлении кремния с удалением остатков окисла.

Известны способы обработки кремниевых пластин: в кислотах, щелочных растворах при температуре 90-100°C и др. [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление окислов, высокотемпературная обработка.

Известен способ обработки кремниевых пластин, сущность которого заключается в удалении окисла в травителе, состоящем из плавиковой кислоты (HF) и деионизованной воды (Н2О), при комнатной температуре раствора [2].

Основным недостатком этих способов является использование агрессивной плавиковой кислоты, длительность процесса обработки.

Целью изобретения является полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин перед напылительными процессами, уменьшение времени обработки кремниевых пластин и снижение стоимости данного процесса.

Поставленная цель достигается тем, что удаление окисла при травлении кремния происходит за счет использования раствора, в состав которого входят бифторид аммония (NH4HF2), деионизованная вода (Н2О) в следующих соотношениях:

NH4HF22О=1: 26.

Сущность способа заключается в том, что с поверхности подложки происходит полное удаление окисла в травителе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды, при комнатной температуре раствора. Процесс удаления окисла считается законченным в том случае, когда раствор скатывается с поверхности кремниевых пластин. Реакция обработки поверхности кремниевых пластин протекает с большой скоростью, длительность процесса составляет не более 10 секунд. При этом не происходит ухудшения качества поверхности кремния.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

NH4HF22О=1:35.

Температура раствора комнатная. Время обработки 60 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 94%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

NH4HF22O=1:30.

Температура раствора комнатная. Время обработки равно 40 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 97%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

NH4HF2:H2O=1:26.

Температура раствора комнатная. Время обработки равно 10 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 99%.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами обеспечивает удаление остатков окисла, способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов - с 94% до 99%.

ЛИТЕРАТУРА

1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М: «Высшая школа», 1986, с. 177-178.

2. Патент №2352021, Н01L 21/306, 10.04.2009.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 61-70 of 176 items.
20.12.2014
№216.013.104f

Способ интенсификации теплообмена в тепловой трубе

Изобретение относится к методам отвода тепла от компонентов радиоэлектроники с высокой мощностью тепловыделений, в частности к охлаждению с применением тепловой трубы, и может использоваться в различных областях электронной промышленности. Согласно изобретению, в способе, состоящем в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535597
Дата охранного документа: 20.12.2014
20.12.2014
№216.013.116b

Способ стерилизации компота из яблок

Изобретение относится к консервной промышленности, в частности к способам стерилизации компота из яблок в банках СКО 1-82-1000. Способ включает последовательный нагрев банок с компотом в потоке воздуха температурой 120°С и скоростью 1,5 м/с в течение 35 мин, душевание водой с температурой 100°С...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535882
Дата охранного документа: 20.12.2014
27.01.2015
№216.013.2105

Термоэлектрический массажер

Изобретение относится к медицине, в частности к терапевтическим устройствам, предназначенным для стимуляции роста волос и лечения заболеваний кожи волосистой части головы. Термоэлектрический массажер состоит из алюминиевого корпуса с ручкой, в которой выполнены полость для размещения источника...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539901
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.2132

Способ стерилизации компота из яблок

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ стерилизации компота из яблок в банках СКО 1-82-1000 включает последовательный нагрев в потоке воздуха температурой 120°C и скоростью 5-6 м/с в течение 22 мин, душевание водой с температурой 100°C в течение 15 мин и ступенчатое...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539946
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.2134

Способ стерилизации консервов "томаты протертые"

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ стерилизации консервов «Томаты протертые» включает четырехступенчатый нагрев консервов в ваннах с водой температурами 80°C, 100°C и в ваннах с раствором хлористого кальция с температурами 120°C и 140°C в течение 5, 5, 5 и 20 мин с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539948
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.2138

Способ стерилизации перца сладкого натурального

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ стерилизации перца сладкого натурального включает процессы нагрева в потоке нагретого воздуха температурой 140°C и скоростью 1,75-2 м/с в течение 30 мин и охлаждения в потоке атмосферного воздуха температурой 20-22°C и скоростью 7-8 м/с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539952
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.2139

Способ стерилизации консервированного пюре из моркови

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает четырехступенчатый нагрев консервов в воде температурой 80, 100 и растворе хлористого кальция температурой 120 и 140°С в течение соответственно 5, 5, 5 и 25 мин с последующим четырехступенчатым охлаждением в растворе хлористого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539953
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.213b

Способ стерилизации пюре из тыквы

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способам стерилизации консервов «Пюре из тыквы» в банках 1-58-200. Способ включает четырехступенчатый нагрев консервов в воде температурой 80°C, 100°C и растворе хлористого кальция температурой 120°C и 140°C соответственно 5, 5, 5 и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539955
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.213e

Способ стерилизации компота грушевого с ксилитом

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ стерилизации компота из груш с ксилитом включает трехступенчатый нагрев банок с компотом в воде температурой 60°C, 80°C и 100°C соответственно 4, 4 и 18-25 мин с последующим трехступенчатым охлаждением в воде в течение 4, 4 и 5 мин. При...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539958
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.217f

Штамм дрожжей saccharomyces cerevisiae вкпм y-3973 для получения плодово-ягодных вин

Изобретение относится к винодельческой промышленности. Штамм дрожжей Saccharomyces cerevisiae «Айвовый-Д» депонирован во Всероссийской Коллекции Промышленных Микроорганизмов (ВКПМ), ФГУП ГосНИИГенетика под регистрационным номером Y-3973. Штамм Y-3973 обладает способностью к спорообразованию,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540023
Дата охранного документа: 27.01.2015
Showing 61-70 of 223 items.
27.11.2014
№216.013.0ba2

Способ формирования p-области

Изобретение относится к технологии проведения диффузии галлия для формирования р-области при изготовлении полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает уменьшение разброса значений поверхностной концентрации и получение равномерного легирования по всей поверхности подложек. В способе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534386
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0ba4

Способ очистки карбид-кремниевой трубы

Изготовление относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Изобретение обеспечивает уменьшение длительности и упрощение процесса, полное удаление...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534388
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0ba5

Способ формирования диэлектрической пленки

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам формирования диэлектрических пленок на основе окиси титана. Изобретение позволяет сформировать на поверхности подложки диэлектрическую пленку окиси титана при низких температурах....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534389
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0ba6

Способ защиты поверхности кристаллов p-n переходов на основе алюминия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. Защита поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534390
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bc9

Способ защиты p-n переходов на основе окиси титана

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов. Изобретение обеспечивает сокращение длительности процесса. В способе защиты поверхности р-n переходов процесс ведут в печи вакуумным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534425
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bca

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ. Сущность: поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534426
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd1

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности теплоотдачи коммутационных пластин ТЭБ. Сущность: ветви термоэлементов установлены наклонно в одной из координатных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534433
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd2

Способ выявления дефектов на полупроводниковой пластине

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к процессам обработки поверхности подложек для выявления дефектов линий скольжения. Изобретение позволяет получить однородную и ненарушенную поверхность подложек, снизить температуру и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534434
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd4

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534436
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd6

Способ защиты поверхности p-n переходов на основе ванадия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты поверхности p-n...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534438
Дата охранного документа: 27.11.2014
+ добавить свой РИД