СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ОКИСЛА С ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед напылительными процессами, травлении кремния с удалением остатков окисла.

Известны способы обработки кремниевых пластин: в кислотах, щелочных растворах при температуре 90-100°C и др. [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление окислов, высокотемпературная обработка.

Известен способ обработки кремниевых пластин, сущность которого заключается в удалении окисла в травителе, состоящем из плавиковой кислоты (HF) и деионизованной воды (Н₂О), при комнатной температуре раствора [2].

Основным недостатком этих способов является использование агрессивной плавиковой кислоты, длительность процесса обработки.

Целью изобретения является полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин перед напылительными процессами, уменьшение времени обработки кремниевых пластин и снижение стоимости данного процесса.

Поставленная цель достигается тем, что удаление окисла при травлении кремния происходит за счет использования раствора, в состав которого входят бифторид аммония (NH₄HF₂), деионизованная вода (Н₂О) в следующих соотношениях:

NH₄HF₂:Н₂О=1: 26.

Сущность способа заключается в том, что с поверхности подложки происходит полное удаление окисла в травителе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды, при комнатной температуре раствора. Процесс удаления окисла считается законченным в том случае, когда раствор скатывается с поверхности кремниевых пластин. Реакция обработки поверхности кремниевых пластин протекает с большой скоростью, длительность процесса составляет не более 10 секунд. При этом не происходит ухудшения качества поверхности кремния.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

NH₄HF₂:Н₂О=1:35.

Температура раствора комнатная. Время обработки 60 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 94%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

NH₄HF₂:Н₂O=1:30.

Температура раствора комнатная. Время обработки равно 40 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 97%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

NH₄HF₂:H₂O=1:26.

Температура раствора комнатная. Время обработки равно 10 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 99%.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами обеспечивает удаление остатков окисла, способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов - с 94% до 99%.

ЛИТЕРАТУРА

1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М: «Высшая школа», 1986, с. 177-178.

2. Патент №2352021, Н01L 21/306, 10.04.2009.