×
27.11.2014
216.013.0bdc

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ОКИСЛА С ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед процессом напыления. Изобретение обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин, уменьшение времени обработки и снижение стоимости процесса. В способе обработки кремниевых пластин перед напылением удаление окисла с поверхности кремниевых пластин проводят в растворе, содержащем бифторид аммония (NHHF) и деионизованную воду (HO) в соотношении NHHF:НO=1:26, время обработки составляет не более 10 секунд при комнатной температуре.
Основные результаты: Способ обработки кремниевых пластин перед напылением, включающий травление кремния с полным удалением остатков окисла с поверхности кремниевых пластин перед напылением обратной стороны, отличающийся тем, что в качестве травителя используется раствор, в состав которого входят бифторид аммония и деионизованная вода, компоненты раствора выбираются в следующем соотношении:NHHF:HO = 1:26,время обработки остатков окисла с кремниевых пластин при этом составляет не более 10 секунд при комнатной температуре.

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед напылительными процессами, травлении кремния с удалением остатков окисла.

Известны способы обработки кремниевых пластин: в кислотах, щелочных растворах при температуре 90-100°C и др. [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление окислов, высокотемпературная обработка.

Известен способ обработки кремниевых пластин, сущность которого заключается в удалении окисла в травителе, состоящем из плавиковой кислоты (HF) и деионизованной воды (Н2О), при комнатной температуре раствора [2].

Основным недостатком этих способов является использование агрессивной плавиковой кислоты, длительность процесса обработки.

Целью изобретения является полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин перед напылительными процессами, уменьшение времени обработки кремниевых пластин и снижение стоимости данного процесса.

Поставленная цель достигается тем, что удаление окисла при травлении кремния происходит за счет использования раствора, в состав которого входят бифторид аммония (NH4HF2), деионизованная вода (Н2О) в следующих соотношениях:

NH4HF22О=1: 26.

Сущность способа заключается в том, что с поверхности подложки происходит полное удаление окисла в травителе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды, при комнатной температуре раствора. Процесс удаления окисла считается законченным в том случае, когда раствор скатывается с поверхности кремниевых пластин. Реакция обработки поверхности кремниевых пластин протекает с большой скоростью, длительность процесса составляет не более 10 секунд. При этом не происходит ухудшения качества поверхности кремния.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

NH4HF22О=1:35.

Температура раствора комнатная. Время обработки 60 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 94%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

NH4HF22O=1:30.

Температура раствора комнатная. Время обработки равно 40 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 97%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

NH4HF2:H2O=1:26.

Температура раствора комнатная. Время обработки равно 10 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 99%.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами обеспечивает удаление остатков окисла, способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов - с 94% до 99%.

ЛИТЕРАТУРА

1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М: «Высшая школа», 1986, с. 177-178.

2. Патент №2352021, Н01L 21/306, 10.04.2009.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 171-176 of 176 items.
13.02.2018
№218.016.1ecd

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упругодеформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой закреплены...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641066
Дата охранного документа: 15.01.2018
13.02.2018
№218.016.214a

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641850
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.2163

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641847
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.21e8

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641849
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.21ff

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упругодеформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой закреплены...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641848
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.2404

Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки

Изобретение относится к системам радиолокации. Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки, содержащей линии задержки, причем линии задержки в антенне настраиваются таким образом, что прием и передача осуществляются электромагнитным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642515
Дата охранного документа: 25.01.2018
Showing 211-220 of 223 items.
20.04.2023
№223.018.4df8

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицине и предназначено для комбинированного воздействия на шейно-воротниковую зону человека. Устройство содержит гибкое упругодеформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны, выполненное в виде эластичной прослойки, содержащей игольчатые...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793216
Дата охранного документа: 30.03.2023
21.04.2023
№223.018.4f40

Способ защиты кристаллов на основе стекла

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла, с целью защиты поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий. Сущность способа заключается в том, что на чистую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002792924
Дата охранного документа: 28.03.2023
21.04.2023
№223.018.4f75

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицине и предназначено для комбинированного воздействия на шейно-воротниковую зону человека. Устройство содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны, выполненное в виде эластичной прослойки, на которой закреплены...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002792918
Дата охранного документа: 28.03.2023
17.06.2023
№223.018.7de2

Термоэлектрическое устройство для проведения тепловых косметологических процедур

Изобретение относится к медицине. Технический результат заключается в обеспечении одновременного теплового воздействия и механического массажа лица. Устройство содержит основание, выполненное в виде маски, повторяющей контуры лица человека, с отверстиями в области глаз, носа и рта. Основание...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002787840
Дата охранного документа: 12.01.2023
17.06.2023
№223.018.7dea

Термоэлектрическое устройство для отвода теплоты от элементов рэа

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002788038
Дата охранного документа: 16.01.2023
17.06.2023
№223.018.7deb

Термоэлектрическое устройство для отвода теплоты от элементов рэа

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002788992
Дата охранного документа: 26.01.2023
17.06.2023
№223.018.7dee

Термоэлектрическое устройство для отвода теплоты от элементов рэа

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002788036
Дата охранного документа: 16.01.2023
17.06.2023
№223.018.7def

Термоэлектрическое устройство для отвода теплоты от элементов рэа

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002788110
Дата охранного документа: 16.01.2023
17.06.2023
№223.018.7df1

Термоэлектрическое устройство для отвода теплоты от элементов рэа

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002788108
Дата охранного документа: 16.01.2023
17.06.2023
№223.018.7df7

Термоэлектрическое устройство для отвода теплоты от элементов рэа

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для обеспечения требуемых температурных режимов элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение технологичности изготовления устройства за счет использования термоэлементов, идентичных по своим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002788037
Дата охранного документа: 16.01.2023
+ добавить свой РИД