×
27.11.2014
216.013.0bd7

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТА К СТОКОВОЙ ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения. В способе присоединения полупроводникового кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора на посадочную поверхность кристалла напыляют последовательно в едином технологическом цикле два металла: титан-германий. Разделяют пластину на кристаллы и производят пайку кристаллов к основанию корпуса при температуре 250-280°С в течение 2-3 секунд. Данное сочетание напыляемых металлов обеспечивает получение надежного контакта кристалла с основанием корпуса, 100% распределение припоя по поверхности кристалла, отсутствие пор в припое, улучшение выходных характеристик прибора.
Основные результаты: Способ присоединения полупроводникового кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, включающий последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металла и пайку кристалла к кристаллодержателю, отличающийся тем,что проводят последовательное напыление двух металлов хром-германий, а пайку кристалла к кристаллодержателю проводят при 250-280°С.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Известен способ соединения полупроводникового кристалла с кристаллодержетелем [1]. Сущность изобретения заключается в том, что на соединяемые поверхности кристалла и кристаллодержателя наносят слои металла: на кристалл - магний, на основание - алюминий, между ними размещают припойную прокладку из алюминий-магниевого сплава электрического состава, нагревают детали до 450-750°С, при которой образуется жидкая прослойка, выдерживают и охлаждают до формирования паяного соединения.

Недостатком способа является сложная технология, высокие температуры, низкая производительность процесса.

Известен способ соединения полупроводникового кристалла с кристаллодержателем [2]. Сущность способа заключается в напылении на обратную сторону пластин слоя металлов хром-никель (Cr-Ni), между поверхностями кристалла и основания размещают припойную прокладку оловянно-свинцовую, нагревают детали до формирования паяного соединения.

Недостатком способа является ненадежность контактного соединения.

Целью изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.

Сущность способа заключается в том, что на обратную сторону кремниевой пластины наносят последовательно в едином технологическом цикле два металла: хром-германий. Разделяют пластину на кристаллы и производят пайку кристаллов к основанию корпуса при температуре 250-280°С в течение 2-3 с. Данное сочетание напыляемых металлов обеспечивает получение надежного контакта кристалла с кристаллодержателем, равномерное распределение припоя по поверхности кристалла, отсутствие пор в припое, улучшение выходных характеристик прибора.

Качество посадки контролируется методом отрыва с определенным усилием и визуально под микроскопом. При проведении контроля посадки кристалла с двухслойной металлизацией кристалл не отрывается от основания корпуса при приложении соответствующего усилия, а при приложении большего усилия разламывается сам кремний. Это объясняет то, что посадка кристалла качественная. При визуальном контроле под микроскопом со всех сторон кристалла по периметру проступает припой на 0,3-1,0 мм от края, что показывает удовлетворительное распределение припоя по всей площади кристалла. Кроме того, контроль площади распределения припоя по основанию кристалла с помощью рентгеновского микроскопа показал равномерное распределение припойного слоя по площади кристалла без пор, что улучшает тепловые свойства прибора.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят в установке вакуумного напыления, в которой размещены полупроводниковые пластины. Задают режимы напыления металлов: хром-германий. Процесс проводят в едином технологическом цикле, на поверхности полупроводника формируется тонкая металлическая пленка. Процент выхода годных на операции «Посадка кристалла» составляет 96-98%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Задают режимы напыления металлов: хром-германий. Процент выхода годных на операции «Посадка кристалла» составляет 99-100%.

Использование данного способа позволяет повысить надежность контакта кристалла с кристаллодержателем при проведении процесса напыления слоя металлов: хром-германий в едином технологическом цикле.

ЛИТЕРАТУРА

1. АС СССР №1674293, Н01L 21/58, 30.08.91.

2. Мазель Е.З., Пресс Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия, 1974, с.318-321.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 131-134 of 134 items.
13.02.2018
№218.016.2163

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641847
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.21e8

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641849
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.21ff

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упругодеформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой закреплены...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641848
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.2404

Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки

Изобретение относится к системам радиолокации. Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки, содержащей линии задержки, причем линии задержки в антенне настраиваются таким образом, что прием и передача осуществляются электромагнитным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642515
Дата охранного документа: 25.01.2018
Showing 131-140 of 147 items.
20.06.2016
№217.015.04ff

Способ производства компота из персиков с косточками

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства компота из персиков с косточками. Плоды после расфасовки в банки заливают на 2-3 мин водой с температурой 85°C, затем повторно заливают на 2-3 мин водой с температурой 95°C. После чего заменяют воду сиропом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587576
Дата охранного документа: 20.06.2016
20.06.2016
№217.015.0504

Способ производства компота из персиков с косточками

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства компота из персиков с косточками. Способ характеризуется тем, что банки с расфасованными в них плодами перед заливкой сиропа обрабатывают СВЧ-полем с частотой 2400±50 МГц в течение 1,5-2,0 мин. Затем заливают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587583
Дата охранного документа: 20.06.2016
10.06.2016
№216.015.447b

Способ формирования активной n-области солнечных элементов

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной n- области солнечных элементов включает процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности полупроводниковой пластины из газовой фазы, при этом в качестве источника диффузанта используется жидкий источник...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586267
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.4542

Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов

Изобретение относится к технологии обработки поверхности полупроводниковых пластин, в частности к процессам очистки поверхности пластин между технологическими операциями, для изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что с поверхности пластин происходит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586266
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.4667

Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов

Изобретение относится к технологии изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что на поверхности подложки формируют тонкий слой пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота при расходе газов: N=450 л/ч;...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586265
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.46fe

Способ колорирования шерстяной ткани растительным красителем коры мушмулы свч обработкой

Изобретение относится к способу колорирования шерстяной ткани натуральным красителем - водным экстрактом коры мушмулы. Способ включает обработку шерстяной ткани в красильной ванне на основе комплексообразователя бихромата калия и красителя - водного экстракта коры мушмулы при 75-80°C, pH 5-6 и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586137
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.4a45

Способ обработки поверхности кремниевой подложки

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способу обработки обратной стороны кремниевых подложек перед напылительными процессами. Техническим результатом изобретения является получение поверхности с хорошей адгезией к напыляемым металлам,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587096
Дата охранного документа: 10.06.2016
20.08.2016
№216.015.4b43

Способ формирования затворной области силового транзистора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к способу формирования затворной области силового транзистора, включающему диффузию бора из твердого планарного источника. Сущность способа заключается в том, что формируют диффузионную кремниевую структуру с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594652
Дата охранного документа: 20.08.2016
20.08.2016
№216.015.4b4d

Термоэлектрическое устройство для остановки кровотечения

Изобретение относится к медицинской технике, в частности к средствам для остановки кровотечения. Устройство содержит источник холода, приведенный в тепловой контакт с областью кровотечения, состоящий из термоэлектрической батареи, питаемой источником электрической энергии, рабочей поверхностью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594820
Дата охранного документа: 20.08.2016
20.08.2016
№216.015.4c0b

Термоэлектрическое устройство для проведения тепловых косметологических процедур на лицо человека

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для проведения тепловых косметологических процедур на лицо человека содержит теплоконтактную пластину, систему теплоотвода, термоэлементы и подключенный к термоэлементам управляемый источник постоянного тока....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594819
Дата охранного документа: 20.08.2016
+ добавить свой РИД