×
27.11.2014
216.013.0bca

Результат интеллектуальной деятельности: ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ. Сущность: поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала. Площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на / ее высоты. Поверхность, не покрытая слоем теплоизоляции, выполнена с выступающими шипами в виде треугольной призмы. Съем теплоты с горячих коммутационных пластин, а также с близлежащих к ним областей осуществляется в контейнер с плавящимся рабочим веществом. Съем теплоты с охлажденных коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится за счет прокачивания жидкости в контактирующем с ними жидкостном теплообменнике. 3 ил.
Основные результаты: Термоэлектрическая батарея (ТЭБ), состоящая из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин полупроводниковых термоэлементов, каждый из которых образован двумя ветвями, изготовленными из полупроводника соответственно p- и n-типа, причем ветви p-типа и n-типа контактируют торцевыми поверхностями соответственно с двумя противоположными поверхностями коммутационной пластины, коммутационные пластины имеют несколько большую площадь, чем площадь поперечного сечения ветвей, вследствие чего они выступают за поверхность структуры, образованной ветвями термоэлектрической батареи, отличающаяся тем, что поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, а площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, имеющая профилированную боковую поверхность, выполненную с выступающими шипами в виде треугольной призмы, расположенными в коридорном порядке, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на / ее высоты, при этом съем теплоты с горячих коммутационных пластин, а также с близлежащих к ним областей осуществляется в контейнер с плавящимся рабочим веществом, а съем теплоты с охлажденных коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится за счет прокачивания жидкости в контактирующем с ними жидкостном теплообменнике.

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ).

Прототипом изобретения является ТЭБ, описанная в [1]. ТЭБ состоит из последовательно соединенных в электрическую цепь полупроводниковых термоэлементов, каждый из которых образован двумя ветвями (столбиками, выполненными либо цилиндрическими, либо в виде прямоугольного параллелепипеда), изготовленными из полупроводника соответственно p- и n-типа. Ветви термоэлементов соединяются между собой посредством коммутационных пластин, причем ветви p-типа и n-типа контактируют торцевыми поверхностями соответственно с двумя противоположными поверхностями коммутационной пластины. Коммутационные пластины имеют несколько большую площадь, чем площадь поперечного сечения ветвей, вследствие чего они выступают за поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, причем нечетные коммутационные пластины выступают за одну поверхность структуры, а четные коммутационные пластины - за другую. Соответственно отвод и подвод теплоты осуществляется с выступающих частей коммутационных пластин за счет воздушного или жидкостного теплообмена.

Недостатком известной конструкции является отвод (подвод) теплоты только с поверхности выступающих частей коммутационных пластин, тогда как вследствие теплопроводности имеет место также нагрев (охлаждение) близлежащих к ним областей ветвей термоэлементов.

Целью изобретения является повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ за счет отвода (подвода) теплоты также и с близлежащих к ним областей ветвей термоэлементов.

Цель достигается тем, что поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала. Площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на 1/4 ее высоты. Указанная поверхность, не покрытая слоем теплоизоляции, имеет профилированную боковую поверхность, выполненную с выступающими шипами в виде треугольной призмы, установленными под углом, варьирующимся в пределах 45-135° к плоскости их установки, расположенными в коридорном порядке. Съем теплоты с горячих коммутационных пластин, а также с близлежащих к ним областей осуществляется в контейнер с плавящимся рабочим веществом (например, парафином), а съем теплоты с охлажденных коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится за счет прокачивания жидкости в контактирующем с ними жидкостном теплообменнике.

Конструкция термоэлектрической батареи приведена на фиг.1-3. ТЭБ состоит из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин 1 и 2 чередующихся ветвей, изготовленных соответственно из полупроводника p-типа 3 и n-типа 4. Электрическое соединение ветвей осуществляют посредством контакта ветвь p-типа 3 - коммутационная пластина 1 или 2 - ветвь n-типа 4, где ветвь p-типа 3 контактирует торцевой поверхностью с одной из поверхностей коммутационной пластины, а ветвь n-типа 4 - с другой. Каждая ветвь в ТЭБ контактирует противоположными торцевыми поверхностями с двумя коммутационными пластинами 1 и 2. Коммутационные пластины 1 и 2 имеют площадь, несколько большую, чем площадь поперечного сечения ветвей p- и n-типа 3 и 4, вследствие чего их концы выступают за поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ. Концы нечетных коммутационных пластин 1 выступают за одну поверхность структуры, а концы четных коммутационных пластин 2 - за другую.

Поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин 1 и 2, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала 5. Площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала 5, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на 1/4 ее высоты. Указанная поверхность, не покрытая слоем теплоизоляции, имеет профилированную боковую поверхность, выполненную с выступающими шипами в виде треугольной призмы, установленными под углом, варьирующимся в пределах 45-135° к плоскости их установки, расположенными в коридорном порядке (вид сверху единичного термоэлемента с профилированной поверхностью показан на фиг.2).

Съем теплоты с горячих коммутационных пластин, а также с близлежащих к ним областей осуществляется в контейнер с плавящимся рабочим веществом 7, а съем теплоты с охлажденных коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится за счет прокачивания жидкости в контактирующем с ними жидкостном теплообменнике 8.

ТЭБ функционирует следующим образом.

При прохождении через ТЭБ постоянного электрического тока, подаваемого от источника электрической энергии, между коммутационными пластинами 1 и 2, представляющими собой контакты ветвей p- и n-типа 3 и 4, возникает разность температур, обусловленная выделением и поглощением теплоты Пельтье. При указанной на фиг.1 полярности электрического тока происходит нагрев нечетных коммутационных пластин 1 и охлаждение четных 2. Съем теплоты с горячих коммутационных пластин, а также с близлежащих к ним областей осуществляется в контейнер с плавящимся рабочим веществом 7, а съем теплоты с охлажденных коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится за счет прокачивания жидкости в контактирующем с ними жидкостном теплообменнике 8.

Повышение эффективности отвода теплоты с горячих и холодных контактов ТЭБ осуществляется за счет ее съема также и с близлежащих к коммутационным пластинам областей поверхности структуры, образованной ветвями ТЭБ. Причем за счет профилирования поверхности ветви термоэлемента, с которой осуществляется съем тепла, увеличивается коэффициент теплопередачи от нее к приемникам холода и тепла. Теплоизоляция 5 служит для уменьшения теплопритока из окружающей среды.

Литература

1. Поздняков Б.С., Коптелов Е.А. Термоэлектрическая энергетика. М.: Атомиздат, 1974.

Термоэлектрическая батарея (ТЭБ), состоящая из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин полупроводниковых термоэлементов, каждый из которых образован двумя ветвями, изготовленными из полупроводника соответственно p- и n-типа, причем ветви p-типа и n-типа контактируют торцевыми поверхностями соответственно с двумя противоположными поверхностями коммутационной пластины, коммутационные пластины имеют несколько большую площадь, чем площадь поперечного сечения ветвей, вследствие чего они выступают за поверхность структуры, образованной ветвями термоэлектрической батареи, отличающаяся тем, что поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, а площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, имеющая профилированную боковую поверхность, выполненную с выступающими шипами в виде треугольной призмы, расположенными в коридорном порядке, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на / ее высоты, при этом съем теплоты с горячих коммутационных пластин, а также с близлежащих к ним областей осуществляется в контейнер с плавящимся рабочим веществом, а съем теплоты с охлажденных коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится за счет прокачивания жидкости в контактирующем с ними жидкостном теплообменнике.
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 121-130 of 135 items.
26.08.2017
№217.015.ea8f

Антенна в форме уголкового отражателя сверхвысокочастотного диапазона с p-i-n-диодами для передачи дискретной информации

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к конструкции пассивных антенн сверхвысокочастотного диапазона, предназначенных для отражения электромагнитных колебаний в широком диапазоне частот. Техническим результатом является организация передачи дискретной информации при помощи включения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627983
Дата охранного документа: 14.08.2017
26.08.2017
№217.015.ec1e

Способ производства компота из черешни

Изобретение относится к пищевой промышленности, а именно к консервированию компота из черешни. Способ характеризуется тем, что банки с расфасованными и залитыми сиропом плодами помещают в СВЧ-камеру и в течение 1,5-2,0 мин нагревают СВЧ-энергией частотой 2400±50 МГц до 82-83°С. После чего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628446
Дата охранного документа: 16.08.2017
29.12.2017
№217.015.f9b3

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для контрастной термоодонтометрии с воздушным охлаждением

Изобретение относится к медицинской технике и может быть использовано в стоматологии. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для контрастной термоодонтометрии с воздушным охлаждением содержит воздействующий элемент с термоэлектрической системой изменения температуры воздействия и блок...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639991
Дата охранного документа: 25.12.2017
20.01.2018
№218.016.1350

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634551
Дата охранного документа: 31.10.2017
20.01.2018
№218.016.1464

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634688
Дата охранного документа: 02.11.2017
20.01.2018
№218.016.1467

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634687
Дата охранного документа: 02.11.2017
20.01.2018
№218.016.14f7

Устройство для отвода теплоты от элементов рэа, работающих в режиме повторно-кратковременных тепловыделений

Изобретение относится к области охлаждения элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Технический результат - повышение интенсивности отвода теплоты от плавящегося вещества во время паузы в работе элемента РЭА. Достигается тем, что устройство содержит тонкостенный металлический контейнер,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634928
Дата охранного документа: 08.11.2017
20.01.2018
№218.016.14f8

Устройство для отвода теплоты от элементов рэа, работающих в режиме повторно-кратковременных тепловыделений

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к области охлаждения элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), работающих в режиме повторно-кратковременных тепловыделений. Технический результат - повышение интенсивности отвода теплоты от плавящегося вещества во время паузы в работе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634850
Дата охранного документа: 07.11.2017
20.01.2018
№218.016.1565

Устройство для отвода теплоты от элементов рэа, работающих в режиме повторно-кратковременных тепловыделений

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к области охлаждения элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), работающих в режиме повторно-кратковременных тепловыделений. Технический результат - повышение интенсивности отвода теплоты от плавящегося вещества во время паузы в работе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634927
Дата охранного документа: 08.11.2017
13.02.2018
№218.016.1ecd

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упругодеформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой закреплены...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641066
Дата охранного документа: 15.01.2018
Showing 121-130 of 147 items.
20.10.2015
№216.013.83f1

Метод обработки поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин для формирования активных областей

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к обработке поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин от различных видов загрязнений для формирования активных областей. Изобретение обеспечивает полное удаление органических и механических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002565380
Дата охранного документа: 20.10.2015
20.10.2015
№216.013.8480

Устройство охлаждения на основе нанопленочных термомодулей

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, например, к устройствам для охлаждения электронных компонентов. Техническим результатом является повышение эффективности системы охлаждения. Термоэлектрическое устройство выполнено в виде многослойного термомодуля, в котором в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002565523
Дата охранного документа: 20.10.2015
10.11.2015
№216.013.8bd6

Способ получения истоковой области силового транзистора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и мощных кремниевых транзисторов, в частности к способу формирования истоковой области силового транзистора. Техническим результатом изобретения является оптимизация процесса формирования истоковой области кремниевой транзисторной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567405
Дата охранного документа: 10.11.2015
10.12.2015
№216.013.9678

Состав порошковых материалов для изготовления поршневых колец двигателей внутреннего сгорания

Изобретение относится к области порошковой металлургии, а именно к составам порошковых материалов для изготовления поршневых колец двигателей внутреннего сгорания. Порошковый материал на основе железа для поршневых колец двигателя внутреннего сгорания содержит, масс.%: углерод от 0,3 до менее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002570140
Дата охранного документа: 10.12.2015
10.12.2015
№216.013.9679

Порошковый экономнолегированный материал на основе железа для получения поверхностно-упрочненных износостойких деталей

Изобретение относится к порошковой металлургии. Порошковый экономнолегированный материал на основе железа для получения поверхностно-упрочненных износостойких деталей содержит 0,3-0,5 мас.% углерода, 1,0-2,0 мас.% титана, 2,0-3,0 мас.% молибдена, 2,0-3,0 мас.% вольфрама, 0,5-1,0 мас.% ванадия,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002570141
Дата охранного документа: 10.12.2015
10.12.2015
№216.013.9697

Асинхронный двигатель с герметичным электронасосом

Изобретение относится к области электротехники, а именно к конструкции асинхронного двигателя (АД) с герметичным электронасосом для перекачки жидкости. В АД обычного исполнения ротор с валом выполнен в виде массивного толстостенного цилиндра, торцы которого герметично закрыты торцевыми...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002570171
Дата охранного документа: 10.12.2015
20.02.2016
№216.014.ceab

Термоэлектрическое устройство с тонкопленочными полупроводниковыми ветвями и увеличенной поверхностью теплоотвода

Изобретение относится к термоэлектрическим устройствам теплообмена. Технический результат: повышение эффективности устройства за счет уменьшения кондуктивных паразитных потерь между горячими и холодными спаями. Сущность: полупроводниковые ветви p-типа расположены в одной плоскости, а все ветви...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575618
Дата охранного документа: 20.02.2016
20.02.2016
№216.014.e8b5

Способ формирования активной p- области солнечных элементов

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной p-области солнечных элементов включает процесс диффузии бора с применением жидкого источника - треххлористого бора (BCl). В качестве источника диффузанта используется жидкий источник - треххлористый бор (BCl) при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575613
Дата охранного документа: 20.02.2016
20.06.2016
№217.015.02e6

Способ производства компота из айвы

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способам производства компота из айвы в банках СКО 1-82-3000. Способ характеризуется тем, что плоды после расфасовки в банки заливают на 2-3 мин водой температурой 85°C, повторно заливают на 2-3 мин водой температурой 95°C, после...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587579
Дата охранного документа: 20.06.2016
20.06.2016
№217.015.0340

Способ производства компота из персиков с косточками

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства компота из персиков с косточками. Способ характеризуется тем, что банки с расфасованными в них плодами перед заливкой сиропа обрабатывают СВЧ-полем с частотой 2400±50 МГц в течение 1,0-1,5 мин. Затем заливают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587585
Дата охранного документа: 20.06.2016
+ добавить свой РИД