×
27.11.2014
216.013.0ba5

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам формирования диэлектрических пленок на основе окиси титана. Изобретение позволяет сформировать на поверхности подложки диэлектрическую пленку окиси титана при низких температурах. В способе формирования диэлектрической пленки для защиты поверхности р-n-переходов формирование диэлектрической пленки окиси титана осуществляется на поверхности подложек в печи вакуумным катодным распылением при температуре 800°С и температуре подложки 500°С. В качестве несущего агента служит галоген НВr. Расстояние между источником окиси титана и подложкой 9 см. Толщина формируемой диэлектрической пленки окиси титана 0,7±0,1 мкм.
Основные результаты: Способ формирования диэлектрической пленки, включающий защиту поверхности р-n-переходов, отличающийся тем, что процесс ведут в печи вакуумным катодным распылением при температуре 800°С на основе окиси титана в виде порошка и температуры кристалла 500°С, а в качестве несущего агента служит галоген HBr, расстояние между источником окиси титана и кристалла 9 см, причем толщина пленки равна δ=0,7±0,1 мкм.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам формирования диэлектрических пленок, в частности, на основе окиси титана.

Известны способы защиты поверхности полупроводниковых кристаллов, сущность которых состоит в том, что поверхность р-n-переходов защищают различными диэлектрическими пленками на основе окислов металлов: циркония, титана, бериллия и др. [1].

Основным недостатком этих способов является высокая температура. Целью изобретения является формирование на поверхности подложки диэлектрической пленки окиси титана при низких температурах.

Поставленная цель достигается тем, что на поверхности подложки формируют диэлектрический слой пленки на основе окиси титана.

Сущность способа заключается в том, что формирование диэлектрической пленки окиси титана осуществляется на поверхности подложек вакуумным катодным распылением. Затем источник окиси титана загружают в кварцевую трубу, несущим агентом служит галоген НВr. Создание диэлектрической пленки проводится в печи при температуре 800°С, а температура подложки 500°С. Расстояние между источником окиси титана и подложкой 9 см.

Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что формирование диэлектрической пленки на поверхности р-n-переходов проводят с помощью порошка окиси титана. Затем через рабочую камеру пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником окиси титана и полупроводниковой подложкой, при увеличении разницы температур скорость реакции повышается.

Контроль толщины диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина диэлектрической пленки окиси титана δ=0,7±0,1 мкм.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Формирование диэлектрической пленки на поверхности подложек осуществляется вакуумным катодным распылением. Создание диэлектрической пленки проводится в печи при температуре рабочей зоны - 1000°С, температура полупроводниковой подложки 500°С. Затем источник окиси титана в виде порошка загружают в кварцевую трубу, несущим агентом служит галоген НВr. Расстояние между источником окиси титана и подложкой 5 см. По окончании процесса кварцевую лодочку с порошком окиси титана медленно выдвигают из печи.

Контроль толщины диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина диэлектрической пленки окиси титана δ=0,9±0,1 мкм.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения диэлектрической пленки - 900°С.

Температура полупроводниковой подложки 500°С. Расстояние между источником окиси титана и подложкой 5 см.

Контроль толщины диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина диэлектрической пленки δ=0,8±0,1 мкм.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения диэлектрической пленки - 800°С.

Температура полупроводниковой подложки 600°С. Расстояние между источником окиси титана и подложкой 7 см.

Контроль толщины диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина диэлектрической пленки δ=0,7±0,1 мкм.

ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения диэлектрической пленки - 800°С.

Температура полупроводниковой подложки 500°С. Расстояние между источником окиси титана и кристаллом 9 см.

Контроль толщины диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина диэлектрической пленки δ=0,7±0,1 мкм.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить диэлектрическую пленку для защиты поверхности р-n-переходов на основе порошка окиси титана, где через рабочую камеру пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником окиси титана и полупроводниковой подложкой.

Литература

1. А.И. Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа. 1980. 327 с.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 134 items.
10.07.2013
№216.012.5549

Светотранзистор

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. В отличие от обычного биполярного транзистора, согласно изобретению, один p-n-переход транзистора сформирован в виде светоизлучающего. Для р-n-р-транзистора излучающим переходом является переход база-эмиттер, а для n-p-n-транзистора -...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002487436
Дата охранного документа: 10.07.2013
10.10.2013
№216.012.7182

Реанимационный комплекс для новорожденных

Изобретение относится к медицине, в частности к неонатологии, и предназначено для проведения мероприятий по восстановлению жизненно важных функций новорожденных. Техническим результатом является повышение эффективности проведения восстановительных процедур новорожденного за счет обеспечения его...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494715
Дата охранного документа: 10.10.2013
27.01.2014
№216.012.9ccb

Способ изготовления линз для стоматологических очков

Изобретение может быть использовано для создания очков, используемых при работе с ультрафиолетовым излучением и обеспечивающих одновременную защиту от механических и ультрафиолетовых воздействий. Способ включает послойное напыление на линзы металлов. Проводят последовательное магнетронное...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002505845
Дата охранного документа: 27.01.2014
20.02.2014
№216.012.a104

Термоэлектрическое устройство для лечения кисти

Изобретение относится к медицине и медицинской технике и предназначено для температурного воздействия при лечении гнойно-воспалительных и послетравматических заболеваний пальцев кисти. Устройство содержит корпус с выточенными по бокам отверстиями для прохождения потоков воздуха. В корпусе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506935
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.02.2014
№216.012.a1e2

Устройство для получения талой воды

Изобретение относится к устройствам для получения талой воды, в частности для получения талой воды из морской методом вымораживания. Устройство включает корпус, в котором размещены термостатированная рабочая емкость с крышкой и отверстием для слива воды, внутри рабочей емкости находится сетка с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507157
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.02.2014
№216.012.a3a9

Конденсационный термоэлектрический шкаф

Изобретение относится к системе охлаждения для компьютерного оборудования и систем питания. Технический результат - предотвращение выхода из строя дорогостроящего оборудования путем поддержания оптимальной температуры. Достигается тем, что в устройстве, состоящем из плотно упакованного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507612
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.02.2014
№216.012.a3aa

Каскадное светоизлучающее термоэлектрическое устройство

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, например к устройствам для охлаждения компьютерного процессора. Технический результат - получение сверхнизких температур в процессе охлаждения и теплоотвода. Это достигается тем, что применяются светоизлучающие термомодули....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507613
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.02.2014
№216.012.a3bd

Светотранзистор с высоким быстродействием

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Светотранзистор с высоким быстродействием, выполненный в виде биполярного транзистора с p-n-p или n-p-n-структурой, согласно изобретению в нем p-n-переход, на котором электроны переходят из p зоны в n зону, сформирован в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507632
Дата охранного документа: 20.02.2014
27.07.2014
№216.012.e3eb

Способ химического травления полупроводников

Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС). Сущность изобретения заключается в том, что химическое травление поверхности полупроводников проводят в травителе, состоящем из следующих компонентов: фтористоводородной (HF), азотной (HNO) и уксусной (CHCOOH)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524137
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3ee

Диффузия фосфора из нитрида фосфора (pn)

Изобретение относится к технологии получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоросиликатного стекла для формирования p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерного значения поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524140
Дата охранного документа: 27.07.2014
Showing 1-10 of 147 items.
20.09.2013
№216.012.6c07

Способ протравного крашения шерстяной ткани растительным красителем чертополоха поникающего

Изобретение относится к красильному производству, в частности к способу протравного крашения шерстяной ткани растительным красителем чертополоха поникающего. Способ включает обработку шерстяной ткани в красильной ванне на основе комплексообразователя из группы, включающей соль алюминия, меди,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002493306
Дата охранного документа: 20.09.2013
10.10.2013
№216.012.7182

Реанимационный комплекс для новорожденных

Изобретение относится к медицине, в частности к неонатологии, и предназначено для проведения мероприятий по восстановлению жизненно важных функций новорожденных. Техническим результатом является повышение эффективности проведения восстановительных процедур новорожденного за счет обеспечения его...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494715
Дата охранного документа: 10.10.2013
27.01.2014
№216.012.9a71

Способ получения купажированного сублимированного сока из овощей

Изобретение относится к консервной и овощесушильной промышленности и может быть применено при получении диетического купажированного сока из белокочанной капусты, столовой свеклы и моркови. Способ заключается в том, что капусту, свеклу и морковь после сортировки, инспекции, мойки, очистки,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002505243
Дата охранного документа: 27.01.2014
27.01.2014
№216.012.9bc8

Малотоннажная установка по утилизации ресурсов малых месторождений природного газа

Изобретение относится к технологиям малотоннажной утилизации непромышленных газов в газовой промышленности. Изобретение касается малотоннажной установки по утилизации ресурсов малых месторождений природного газа, состоящей из последовательно соединенных очистительного модуля, теплообменника...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002505586
Дата охранного документа: 27.01.2014
27.01.2014
№216.012.9ccb

Способ изготовления линз для стоматологических очков

Изобретение может быть использовано для создания очков, используемых при работе с ультрафиолетовым излучением и обеспечивающих одновременную защиту от механических и ультрафиолетовых воздействий. Способ включает послойное напыление на линзы металлов. Проводят последовательное магнетронное...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002505845
Дата охранного документа: 27.01.2014
27.01.2014
№216.012.9d0b

Конструкция статора трехфазного асинхронного двигателя малой мощности

Изобретение относится к области электротехники, в частности к конструкции статора трехфазного асинхронного двигателя (АД) малой мощности с круговым магнитным полем. Технический результат - улучшение электрических и магнитных свойств статора АД и повышение за счет этого его энергетических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002505909
Дата охранного документа: 27.01.2014
20.02.2014
№216.012.a1e2

Устройство для получения талой воды

Изобретение относится к устройствам для получения талой воды, в частности для получения талой воды из морской методом вымораживания. Устройство включает корпус, в котором размещены термостатированная рабочая емкость с крышкой и отверстием для слива воды, внутри рабочей емкости находится сетка с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507157
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.02.2014
№216.012.a23e

Наливка "рубин дагестана"

Наливка, для получения 1000 дал которой используют в л: вишневый морс 1 и 2 слива - 2500-2550, вишневый спиртованный сок - 2500-2550, вишневый сброженно-спиртованный сок, полученный с использованием штамма дрожжей Saccharomyces cerevisiae ВКПМ Y-3587 - 950-1150, ароматный спирт персиков -...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507249
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.02.2014
№216.012.a23f

Наливка "пурпурная фантазия"

Наливка, для получения 1000 дал которой используют в л: земляничный морс 1 и 2 слива - 1250-1260, малиновый морс 1 и 2 слива - 1250-1260, земляничный спиртованный сок - 1250-1260, малиновый спиртованный сок - 1250-1260, земляничный сброженно-спиртованный сок, полученный с использованием штамма...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507250
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.02.2014
№216.012.a3a9

Конденсационный термоэлектрический шкаф

Изобретение относится к системе охлаждения для компьютерного оборудования и систем питания. Технический результат - предотвращение выхода из строя дорогостроящего оборудования путем поддержания оптимальной температуры. Достигается тем, что в устройстве, состоящем из плотно упакованного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507612
Дата охранного документа: 20.02.2014
+ добавить свой РИД