×
10.11.2014
216.013.05b5

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ИОНИЗАЦИОННОГО СИГНАЛА В ЭМИССИОННЫХ ДЕТЕКТОРАХ ИЗЛУЧЕНИЙ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области низкофоновых экспериментов по поиску редких событий, например взаимодействий темной материи с обычным веществом, и может быть использовано для экспериментов по исследованию взаимодействия нейтрино (антинейтрино) с энергией 1-100 МэВс веществом. Способ регистрации ионизационного сигнала в эмиссионных детекторах излучений включает создание электрического поля в жидком ксеноне, подтягивание электронов ионизации к поверхности раздела жидкость - насыщенный пар, вытягивание (эмиссию) электронов ионизации в газовую фазу и последующую их регистрацию в газовой фазе, при этом в жидком ксеноне растворяют электроотрицательное вещество, обладающее высоким коэффициентом захвата для электронов ионизации, термализованных под поверхностью раздела жидкого и газообразного ксенона, и обладающее одновременно низким коэффициентом захвата для дрейфующих в жидком ксеноне электронов ионизации. Технический результат - существенное уменьшение фона от задержанных подповерхностных электронов, уменьшение энергетического порога регистрации и повышение чувствительности. 1 ил., 1 табл.
Основные результаты: Способ регистрации ионизационного сигнала в эмиссионных детекторах излучений, включающий создание электрического поля в жидком ксеноне, подтягивание электронов ионизации к поверхности раздела жидкость - насыщенный пар, вытягивание (эмиссию) электронов ионизации в газовую фазу и последующую их регистрацию в газовой фазе, отличающийся тем, что в жидком ксеноне растворяют электроотрицательное вещество, обладающее высоким коэффициентом захвата для электронов ионизации, термализованных под поверхностью раздела жидкого и газообразного ксенона и обладающее одновременно низким коэффициентом захвата для дрейфующих в жидком ксеноне электронов ионизации.

Изобретение относится к области низкофоновых экспериментов по поиску редких событий, например взаимодействий темной материи с обычным веществом, и может быть использовано для экспериментов по исследованию взаимодействия нейтрино (антинейтрино) с энергией 1-100 МэВс веществом.

Известен способ регистрации [1] редких событий в эмиссионном детекторе, когда в результате взаимодействия исследуемого излучения с жидком ксеноном создается ионизация (электроны+ионы), под действием внешнего электрического поля электроны дрейфуют в жидком ксеноне к поверхности раздела фаз, вытягиваются в газовую фазу и регистрируются при помощи фотоэлектронных умножителей по интенсивному свечению (электролюминесценции) в электрическом поле.

В наиболее близком к предлагаемому способу по технической сущности и достигаемому результату способе регистрации, реализованном в [2] фиг.1, электроны ионизации дрейфуют в жидком ксеноне с энергией около 1 эВ, подходят к поверхности раздела фаз, эмитируют в газовую фазу и регистрируются затем при помощи фотоэлектронных умножителей по интенсивному свечению (электролюминесценции) в электрическом поле. При этом в известном способе часть электронов ионизации не способна сходу преодолеть поверхность раздела жидкость - газовая фаза, поэтому они остаются под поверхностью, где в упругих соударениях с атомами ксенона сбрасывают свою энергию до величины около 0,02 эВ и далее с течением времени случайным образом эмитируют в газовую фазу. В близком к предлагаемому способе регистрации [2] частота эмиссии в газ подповерхностных электронов составляет около 100 Гц, что связано с ионизацией жидкого ксенона фоновыми гамма-квантами от радиоактивных загрязнений материала корпуса детектора и космическими мюонами.

Известный способ не позволяет регистрировать редкие события при ионизации с малой передачей энергии, когда результатом является образование в жидком ксеноне и эмиссия в газ одного электрона ионизации. Такие события неотличимы от эмиссии одиночных термализованных электронов от фона, задержавшихся под поверхностью жидкого ксенона.

Техническим результатом предложенного способа является существенное уменьшение фона от задержанных подповерхностных электронов, случайным образом эмитирующих в газовую фазу, и, как следствие, уменьшение энергетического порога регистрации способа и повышение чувствительности способа, что делает возможным исследование таких редких процессов с малой передачей энергии, как когерентное рассеяние нейтрино на ядрах - фундаментальный физический процесс, предсказанный в рамках стандартной модели электрослабых взаимодействий, но до сих пор не наблюдавшийся на практике.

Для получения технического результата в жидком ксеноне растворяют вещество, обладающее высоким сечением захвата для электронов с энергией около 0,02 эВ с целью их быстрого захвата и превращения в ионы. Высокое сечение захвата должно обеспечить малое время жизни подповерхностных термализованных электронов. При этом для обеспечения малых потерь электронов в процессе дрейфа к поверхности жидкого ксенона сечение захвата для электронов, обладающих энергиями около 1 эВ, должно быть у выбранного вещества низким.

В качестве такого вещества предложено использовать элегаз (SF6) и хлор (Сl). В Таблице 1 представлены литературные данные по сечениям захвата для двух значений энергии электронов - 0,02 и 1 эВ, оценки концентрации указанных веществ, необходимые для обеспечения длины дрейфа электронов до захвата в жидком ксеноне 10 метров и полученные оценки характерных времен жизни подповерхностных термализованных электронов.

Расчеты были проведены с использованием известных из теории низкоионизированной плазмы формул:

, где λ - длина пробега электронов до захвата, см;

σ - сечение захвата электронов примесью, см2;

N - концентрация примеси, см-3;

где τ - время жизни электрона до захвата, с;

σ - сечение захвата электронов примесью, см2;

N - концентрация примеси, см-3;

υ - тепловая скорость электрона, при энергии 1 эВ - это 6×107 см/с, при энергии 0,02 эВ - это 9×105 см/сек

На фиг.1 изображена схема работы эмиссионного детектора.

Способ осуществляется следующим образом.

В жидком ксеноне растворяют SF6 (Сl) с концентрацией 1015 1/см3 (2,5×1015 1/см3), создают дрейфовое электрическое поле напряженностью около 1 кВ/см. В результате исследуемого взаимодействия, например упругого рассеяния нейтрино на ядре ксенона, происходит ионизация жидкого ксенона с образованием пар (электрон+ион). В приложенном электрическом поле электроны "разогреваются" до энергии около 1 эВ и дрейфуют к поверхности раздела фаз. Длина дрейфа электронов до захвата, составляющая 10 м (см. Табл.1) при указанных концентрациях выбранных газов, практически не ухудшает амплитудные характеристики метода регистрации для характерных используемых размеров дрейфового зазора детектора ~ 10 м. В приложенном электрическом поле электроны проходят (эмитируют) сквозь поверхность раздела фаз и выходят в газовую фазу, где регистрируются с помощью фотоэлектронных умножителей по свечению (электролюминесценции). Часть электронов, не способная эмитировать в газовую фазу, остается под поверхностью жидкого ксенона и в упругих соударениях быстро сбрасывает свою энергию до величины около 0,02 эВ, приходя в тепловое равновесие с окружающими атомами ксенона. При указанных концентрациях растворенных газов характерное время жизни до захвата таких электронов на молекулы растворенного SF6 (Сl) составляет 5×10-7 (1,3×10-6)с.

Техническая эффективность предложенного способа по сравнению с прототипом заключается в сильном подавлении фона от эмиссии подповерхностных электронов из-за их быстрого захвата в жидком ксеноне на молекулы введенных примесей SF6 (Сl). Техническая эффективность предложенного способа по сравнению с прототипом заключается в уменьшении энергетического порога регистрации способа и повышении чувствительности способа. Становится возможным исследовать редкие события при ионизации с такой передачей энергии, когда результатом является образование в жидком ксеноне и эмиссия в газ одного электрона ионизации. Такие события в прототипе не отличимы от эмиссии одиночных термализованных электронов от фона задержавшихся под поверхностью жидкого ксенона. Это делает возможным исследование таких редких процессов с малой передачей энергии, как когерентное рассеяние нейтрино на тяжелых ядрах - неисследованный до настоящего времени фундаментальный физический процесс, предсказанный в рамках стандартной модели.

Источники информации

1.2. М. Hornetal. Nuclear recoil scintillation and ionization yields in liquid xenon from ZEPLIN-III data. Phys. Lett. В 705 (2011) 471-476; arXiv: 106.0694 [physics.ins-det].

2. D. Yu. Akimov, I.S. Aleksandrov, V.A. Belov, A.I. Bolozdynya et al. Measurement of Single-Electron Noise in a Liquid Xenon Emission Detector. Instruments and Experimental Techniques 55(2012)423-28.

3. Hayes T.R., Wetzel R.C. and Freund R.S. "Absolute Electron - impact-ionization Cross sectionmeasuremensotf the Halogen Atoms", Phys. Rev. 35(2), 578-584, 1987.

4. Kouichi Ono, MutumiTuda, Hiroki Ootera, and Tatsuo Oomori, "Electron cyclotron resonance plasma etching ofSiwith C12: plasma chemistry and mechanisms", Pure&Appl. Chem., Vol.66, No. 6, pp.1327-1334, 1994.

Способ регистрации ионизационного сигнала в эмиссионных детекторах излучений, включающий создание электрического поля в жидком ксеноне, подтягивание электронов ионизации к поверхности раздела жидкость - насыщенный пар, вытягивание (эмиссию) электронов ионизации в газовую фазу и последующую их регистрацию в газовой фазе, отличающийся тем, что в жидком ксеноне растворяют электроотрицательное вещество, обладающее высоким коэффициентом захвата для электронов ионизации, термализованных под поверхностью раздела жидкого и газообразного ксенона и обладающее одновременно низким коэффициентом захвата для дрейфующих в жидком ксеноне электронов ионизации.
СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ИОНИЗАЦИОННОГО СИГНАЛА В ЭМИССИОННЫХ ДЕТЕКТОРАХ ИЗЛУЧЕНИЙ
СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ИОНИЗАЦИОННОГО СИГНАЛА В ЭМИССИОННЫХ ДЕТЕКТОРАХ ИЗЛУЧЕНИЙ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-20 of 35 items.
27.07.2014
№216.012.e55f

Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-sic на кремнии монокристаллическом

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей. Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-SiC на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524509
Дата охранного документа: 27.07.2014
20.09.2014
№216.012.f501

Способ формирования высоковольтного карбидокремниевого диода на основе ионно-легированных p-n-структур

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к технологии изготовления высоковольтных карбидокремниевых полупроводниковых приборов на основе p-n-перехода с использованием ионной имплантации. Технический результат, достигаемый при реализации заявленного изобретения, заключается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528554
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.11.2014
№216.013.0a22

Высоковольтный нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов

Изобретение относится к нитрид-галлиевым транзисторам с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT) и в частности к конструкции GaN НЕМТ для высоковольтных применений. Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов выращивается на кремниевой подложке с нанесенной на нее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534002
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.01.2015
№216.013.20fb

Способ осаждения тонких пленок оксида церия

Изобретение относится к технологии тонких пленок, в частности к способу формирования равномерных по толщине пленок оксида церия (CeO) на подложках сложной пространственной конфигурации, и может быть использовано для создания равномерных по толщине пленок оксида церия при решении ряда задач...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539891
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.02.2015
№216.013.2250

Способ формирования мемристора на основе твердотельного сплава si:me и структура мемристора на основе твердотельного сплава si:me

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегрального элемента логики и/или энергонезависимой памяти на основе структур металл-изолятор-металл (МИМ). Задачей данного изобретения является создание мемристора, который отличается отсутствием «формовки»...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540237
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.02.2015
№216.013.2699

Способ изготовления изделий из электропроводных порошковых материалов

Изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности к способам электроимпульсного прессования порошка, и служит для изготовления плотных изделий из электропроводных порошков или частиц. Способ включает засыпку порошка в матрицу, приложение к нему статического давления и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541334
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.02.2015
№216.013.26d5

Синий флип-чип светодиода на нитридных гетероструктурах

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов видимого диапазона с длиной волны 460±5 нм. Указанный синий флип-чип светодиод на нитридных гетероструктурах содержит металлические электроды p-типа, нитридный слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541394
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.04.2015
№216.013.3f09

Многовходовой сумматор

Изобретение относится к вычислительной технике, предназначено для суммирования двоичных чисел и может быть использовано в системах передачи и обработки информации для цифровой обработки сигналов, при решении комбинаторных задач. Техническим результатом являются уменьшение аппаратных затрат и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547625
Дата охранного документа: 10.04.2015
20.04.2015
№216.013.4114

Способ получения и детектирования ионов изотопов торий-229 и торий-232 с различной кратностью заряда

Изобретение относится к области метрологии и может быть использовано для определения частоты и времени, в частности при создании атомных стандартов частоты и атомных часов. В заявленном способе получения и детектирования ионов изотопов торий-229 и торий-232 с различной кратностью заряда...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548158
Дата охранного документа: 20.04.2015
10.05.2015
№216.013.49b7

Способ высокочувствительного контроля долгоживущего глобального радионуклида с в газовой фазе технологического процесса переработки отработавшего ядерного топлива в режиме реального времени

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в атомной энергетике, охране окружающей среды для высокочувствительного контроля долгоживущего глобального радионуклида C в газовой фазе технологического процесса переработки отработавшего ядерного топлива в режиме реального...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550378
Дата охранного документа: 10.05.2015
Showing 11-20 of 34 items.
27.07.2014
№216.012.e55f

Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-sic на кремнии монокристаллическом

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей. Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-SiC на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524509
Дата охранного документа: 27.07.2014
20.09.2014
№216.012.f501

Способ формирования высоковольтного карбидокремниевого диода на основе ионно-легированных p-n-структур

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к технологии изготовления высоковольтных карбидокремниевых полупроводниковых приборов на основе p-n-перехода с использованием ионной имплантации. Технический результат, достигаемый при реализации заявленного изобретения, заключается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528554
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.11.2014
№216.013.0a22

Высоковольтный нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов

Изобретение относится к нитрид-галлиевым транзисторам с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT) и в частности к конструкции GaN НЕМТ для высоковольтных применений. Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов выращивается на кремниевой подложке с нанесенной на нее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534002
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.01.2015
№216.013.20fb

Способ осаждения тонких пленок оксида церия

Изобретение относится к технологии тонких пленок, в частности к способу формирования равномерных по толщине пленок оксида церия (CeO) на подложках сложной пространственной конфигурации, и может быть использовано для создания равномерных по толщине пленок оксида церия при решении ряда задач...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539891
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.02.2015
№216.013.2250

Способ формирования мемристора на основе твердотельного сплава si:me и структура мемристора на основе твердотельного сплава si:me

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегрального элемента логики и/или энергонезависимой памяти на основе структур металл-изолятор-металл (МИМ). Задачей данного изобретения является создание мемристора, который отличается отсутствием «формовки»...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540237
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.02.2015
№216.013.2699

Способ изготовления изделий из электропроводных порошковых материалов

Изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности к способам электроимпульсного прессования порошка, и служит для изготовления плотных изделий из электропроводных порошков или частиц. Способ включает засыпку порошка в матрицу, приложение к нему статического давления и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541334
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.02.2015
№216.013.26d5

Синий флип-чип светодиода на нитридных гетероструктурах

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов видимого диапазона с длиной волны 460±5 нм. Указанный синий флип-чип светодиод на нитридных гетероструктурах содержит металлические электроды p-типа, нитридный слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541394
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.04.2015
№216.013.3f09

Многовходовой сумматор

Изобретение относится к вычислительной технике, предназначено для суммирования двоичных чисел и может быть использовано в системах передачи и обработки информации для цифровой обработки сигналов, при решении комбинаторных задач. Техническим результатом являются уменьшение аппаратных затрат и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547625
Дата охранного документа: 10.04.2015
20.04.2015
№216.013.4114

Способ получения и детектирования ионов изотопов торий-229 и торий-232 с различной кратностью заряда

Изобретение относится к области метрологии и может быть использовано для определения частоты и времени, в частности при создании атомных стандартов частоты и атомных часов. В заявленном способе получения и детектирования ионов изотопов торий-229 и торий-232 с различной кратностью заряда...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548158
Дата охранного документа: 20.04.2015
10.05.2015
№216.013.49b7

Способ высокочувствительного контроля долгоживущего глобального радионуклида с в газовой фазе технологического процесса переработки отработавшего ядерного топлива в режиме реального времени

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в атомной энергетике, охране окружающей среды для высокочувствительного контроля долгоживущего глобального радионуклида C в газовой фазе технологического процесса переработки отработавшего ядерного топлива в режиме реального...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550378
Дата охранного документа: 10.05.2015
+ добавить свой РИД