×
27.07.2014
216.012.e55f

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей. Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-SiC на кремнии монокристаллическом включает распыление керамической мишени SiC путем сканирования по ее поверхности лазерным лучом в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов на нагретую подложку. Распыление осуществляют лазером с длиной волны излучения λ=1,06 мкм и выходной энергией излучения 0,1÷0,3 Дж при остаточном давлении в ростовой камере 10-10 Па и при температуре подложки 950÷1000°C. Обеспечивается получение эпитаксиальных слоев карбида кремния кубической модификации (β-SiC) на подложках кремния монокристаллического (Si) кристаллографической ориентации (111) и (100). 4 ил.
Основные результаты: Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-SiC на монокристаллическом кремнии, включающий распыление керамической мишени SiC путем сканирования по ее поверхности лазерным лучом в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов на нагретую подложку, отличающийся тем, что распыление осуществляют лазером с длиной волны излучения λ=1,06 мкм и выходной энергией излучения 0,1÷0,3 Дж, при остаточном давлении в ростовой камере 10-10 Па и при температуре подложки 950÷1000°C.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3C-SiC, ИК-микроизлучателей.

В настоящее время наиболее распространенным методом получения тонких эпитаксиальных слоев карбида кремния является метод CVD из газовых смесей силана и углеводородов, а также из различных кремнийорганических соединений, например метилтрихлорсилана (KR 20050019572), гексаметилдисилазана (JP 2006176811, JP 2006147866) в потоке водорода или аргона. Недостатком метода является использование токсичных летучих кремнийорганических соединений, высокие температуры. Рост производства приборов на основе карбида кремния стимулирует поиск более экономичных и экологически чистых технологий формирования слоев SiC. Одним из таких методов может стать получение пленок путем импульсного лазерного осаждения.

Известен способ получения тонких пленок 2Н α-SiC методом импульсной лазерной абляции (US 5529949 (A), US 5723880 (А)). В данном случае набор подложек, представляющих собой пластины монокристаллического кремния или карбида кремния политипа 6Н (0001), обрабатывался в ацетоне и метаноле с целью удаления органических загрязнений, затем в растворе плавиковой кислоты с целью удаления естественного окисла перед осуществлением процесса эпитаксии. Обработанные таким образом подложки помещались в молибденовый держатель подложек вакуумной камеры, который располагался параллельно мишени в 5-6 сантиметрах от нее. Мишень представляла собой поликристаллическую пластину SiC, изготовленную методом CVD. Мишень подвергалась воздействию излучения эксимерного лазера с длиной волны 248 нм с плотностью энергии около 2,5 Дж/см2 и частотой 2 импульса в секунду. Скорость осаждения при этом составляла около 0,5 А/импульс. Температура подложки поддерживалась на уровне от 960 до 1270°С. Отличие данного способа от предлагаемого заключается в том, что он направлен на получение гексагонального карбида кремния α-SiC. Кроме того, авторы (US 5529949 (A), US 5723880 (А)) используют эксимерный лазер и поликристаллическую мишень.

В работе JP 10081598 (А) описан метод синтеза нанокристаллического карбида кремния политипа 6Н на кремниевой подложке, погруженной в органический растворитель (бензол) под действием сфокусированного излучения лазера с плотностью энергии 20-40 Дж/см2. Длительность импульса лазера 30 нс, энергия порядка 1 Дж2. Отличие предлагаемого способа от JP 10081598 (А) заключается в сущности метода вакуумного лазерного испарения (процесс протекает в вакууме за счет испарения керамической мишени) и возможности синтеза монокристаллических эпитаксиальных пленок карбида кремния политипа 3C.

В работе JP 200528596 4(А) описан метод получения кристаллических и эпитаксиальных тонких пленок SiC n- и р-типа проводимости методом импульсного лазерного осаждения из паровой фазы. Сущность предложенного метода заключается в одновременном лазерном испарении из двух мишеней, содержащих SiC и легирующую примесь III или V группы для получения n- и р-типа проводимости (Si3N4 и Al4C3 соответственно). Предлагаемый метод направлен на получение чистого карбида кремния политипа 3C.

Также известен способ получения кристаллических пленок карбида кремния методом лазерного напыления углерода на кремний (US 5406906). Пленки кристаллического карбида кремния выращивают на нагретой подложке из кристаллического кремния методом лазерной абляции чистого углерода. Температура подложки во время осаждения превышает 1000°С. В результате пленка SiC является эпитаксиально ориентированной по отношению к подложке. Толщина пленки составляет величину около 4000 ангстрем. Основное отличие данного способа от предлагаемого заключается в том, что мишенью для вакуумной лазерной абляции в US 5406906 является углерод. Это ограничивает толщину получаемого слоя карбида кремния.

Известен способ изготовления гетероэпитаксиальных тонких пленок α-SiC (JP2003095795). Данный способ предусматривает получение гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния α-SiC методом вакуумного лазерного напыления. Пленки получают при высоких температурах подложки (800-1300°С). В качестве подложечного материала используют пластины монокристаллического Si, сапфира и MgO. Отличие данного способа от предлагаемого заключается в том, что метод (JP 2003095795) направлен на получение гексагонального карбида кремния α-SiC. Кроме того, недостатком метода (JP 2003095795) является и сложность системы крепления мишеней, которая должна обеспечивать вращение мишеней вокруг своей оси во избежание образования глубокого кратера на распыляемой поверхности.

Известен способ получения аморфных и эпитаксиальных пленок карбида кремния политипов 3C-SiC, 2H-SiC, 4H-S1C и 15R-S1C (CN 102051589 (А)). Рост пленки карбида кремния осуществляется методом магнетронного распыления или вакуумного лазерного испарения материала мишени. Частота следования импульсов лазерного излучения 1-10 Гц, длина волны лазера 265 нм. Метод состоит из следующих операций: выбор подложки и материала мишени, очистка поверхности мишени и подложки, получение пленки карбида кремния методом магнетронного распыления или импульсного лазерного испарения материала мишени, отжига полученной тонкопленочной структуры в атмосфере защитного газа. Основное отличие данного способа состоит в использовании фотокатализа для активации поверхности подложки в процессе роста. Недостатком метода (CN 102051589 (А)) является отсутствие системы сканирования лазерного луча по поверхности мишени.

Ближайшим техническим решением к заявленному является способ получения тонких пленок карбида кремния методом вакуумной лазерной абляции (RU 2350686). Способ включает распыление керамической мишени лазерным лучом в условиях высокого вакуума на нагретую подложку без добавок газообразных реагентов. Мишень располагают на расстоянии 100 мм от подложки. Подложку нагревают до температуры 350°С. Распыление осуществляют в течение 20 мин с помощью YAG:Nb (λ=532 нм) лазера с энергией накачки 15-20 Дж и при сканировании лазерного луча по поверхности керамической мишени. Недостатком прототипа являются низкие температуры роста пленок (температура подложки), ограничивающие возможности применения данного метода для получения эпитаксиальных слоев, то есть ориентационно-упорядоченной структуры.

Основной задачей, на решение которой направлен заявленный способ, является получение эпитаксиальных слоев карбида кремния кубической модификации (β-SiC) на подложках кремния монокристаллического (Si) кристаллографической ориентации (111) и (100) путем импульсного лазерного испарения материала керамической мишени состава, близкого к стехиометрическому, и осаждения испаряемого вещества на подложку, нагретую до температур 950-1000°С в условиях высокого вакуума.

Указанный технический результат достигается тем, что процесс распыления карбида кремния проводят с применением твердотельного лазера на основе алюмоиттриевого граната, активированного неодимом (YAG:Nd), с длиной волны излучения 1064 нм и системы сканирования лазерного луча по поверхности мишени в условиях высокого вакуума (до ~10-6 Па). Таким образом, процесс напыления проводят в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов. Температура подложки 950-1000°C.

Блок-схема технологической установки для осуществления процесса осаждения тонких эпитаксиальных слоев карбида кремния по заявленному способу представлена на фиг.1. Здесь: 1 - сверхвысоковакуумная камера; 2 - карусель с держателями образцов, мишеней; 3 - держатель мишеней; 4 - нагреватель с подложкой; 5 - сменное защитное стекло; 6 - шлюзовая камера для ввода/вывода образцов, мишеней; 7 - ионизационный датчик вакуума; 8 - ввод вращения карусели; 9 - смотровое окно; 10 - окно ввода лазерного излучения; 11 - YAG:Nd лазер; 12 - оптическая система сканирования луча; 13 - система фокусировки. На фиг.2 приведена схема сканирования лазерного луча по поверхности мишени (1 - керамическая мишень SiC, 2 - лазерное излучение).

Способ получения тонких пленок SiC методом вакуумной лазерной абляции заключается в следующем. Для распыления материала мишени использовалось сфокусированное излучение AYG:Nd-лазера (длина волны излучения 1064 нм), работающего в режиме модуляции добротности. Излучение мощного лазерного импульса проходит через оптическое окно вакуумной камеры и фокусируется на поверхности мишени. Мишенью для лазерного осаждения служит керамический SiC стехиометрического состава. Мишень поглощает энергию падающих импульсов. При определенной плотности мощности лазерного излучения материал с поверхности мишени начинает испаряться. На траектории разлета плазменного факела устанавливается подложка, на поверхности которой происходит конденсация и рост пленки. В качестве подложек для формирования структур используются монокристаллические подложки кремния с ориентацией (001) и (111), нагретые до температуры 950÷1000°C. Очистка поверхности кремневых подложек от загрязнений производится непосредственно перед их загрузкой в шлюзовую вакуумную камеру смесью пропанола-1 и ацетона в ультразвуковой ванне. После этого подложки травятся в 5%-ном растворе плавиковой кислоты для удаления слоя естественного оксида, отмываются деионизованной водой и сушатся.

Температурный диапазон осаждения выбран на основании экспериментальных данных по зависимости структуры растущего слоя от температуры подложки. Экспериментально установлено, что пленки карбида кремния, выращенные предлагаемым способом на подложках Si(001) и Si(111), при температуре t<500°C имеют аморфную структуру. Пленки SiC, выращенные в температурном диапазоне 500°C÷700°C, имеют нанокристаллическую структуру, для эпитаксиального роста пленок β-SiC на подложках кремния температура подложки должна быть в диапазоне 950÷1000°C.

Значение остаточного давления в ростовой камере на уровне ~10-6 Па выбран на основании возможностей установки для обеспечения роста качественных эпитаксиальных слоев. Высокий уровень вакуума в рабочем объеме камеры достигается благодаря использованию двухступенчатой системы откачки с применением турбомолекулярного и ионного насосов, а также благодаря наличию предварительной камеры, смежной с основной камерой роста и имеющей возможность герметично отсекаться от нее, что позволяет непрерывно поддерживать уровень вакуума в рабочей камере не ниже Р~10-4 Па.

Используемый в установке YAG:Nd лазер с длиной волны излучения λ=1,06 мкм и выходной энергией излучения 0,1-0,3 Дж позволяет испарять карбид кремния. Использованная оптическая схема резонатора, вращающая пятно генерации на 90° при каждом проходе резонатора, обеспечивает отсутствие «горячих точек» в лазерном пятне и, благодаря этому, однородность параметров испарения на мишени. Однородное распределение плотности энергии по пятну позволяет также снизить образование капель в испаренном потоке.

Включение системы перемещения лазерного луча в технологическую установку позволяет предотвратить образование глубокого кратера на поверхности мишени, обеспечивает постоянную скорость напыления, более экономичный расход материала мишени и высокую воспроизводимость результатов. Система управляется с помощью ЭВМ, что дает возможность точного контроля параметров технологического процесса. Тем самым повышается качество эпитаксиальных слоев.

Подбор оптимальной для каждого материала плотности мощности лазерного излучения на мишени осуществляется путем варьирования фокусного расстояния линзы, закрепленной в автоматической системе фокусировки (пределы изменения плотности мощности составляют 4·108 Вт·см-2<Р<2·109 Вт·см-2).

Операция очистки подложек выполняется с целью удаления с их поверхности органических загрязнений (смесью пропанола-1 и ацетона) и естественного окисла (путем травления в 5%-ном растворе плавиковой кислоты). В последнем случае также протекает пассивация поверхности кремния атомами водорода.

В результате методом вакуумного лазерного испарения керамической мишени получены тонкие субмикронные эпитаксиальные пленки (β-SiC) на монокристаллическом кремнии с ориентацией (100) и (111).

На фиг.3а представлено РЭМ изображение поверхности образца, полученного при температуре 950°C на подложке (100) Si (увеличение 300000 раз), на фиг.3б - светлопольное ПЭМ изображение его поперечного среза. На поверхности образца хорошо видны образования, имеющие ростовой характер и свидетельствующие об ориентированном росте пленки SiC относительно структуры подложки. Это предположение подтверждается данными просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. На фиг.4 приведено изображение области гетерограницы Si/SiC и данные микродифракции электронов, указывающие на формирование эпитаксиального слоя β-SiC. Качество гетерограницы, а также наблюдаемая точечная микродифрактограмма наглядно свидетельствуют о наследовании материалом пленки кристаллической структуры кремния.

В отличие от образца, полученного на кремниевой подложке с ориентацией (100), пленка, выращенная на кремнии (111), при той же температуре имеет выраженную зернистую структуру с размером кристаллитов 50-100 нм (фиг.4а). На фиг.4б также приведено светлопольное изображение поперечного среза тонкопленочной структуры, полученное с помощью просвечивающего электронного микроскопа.

Таким образом, при температурах выше 500°C на Si (111) и (100) начинает формироваться кристаллическая фаза β-SiC. Данные просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения и микроэлектронограммы от образцов указывают на формирование текстурированных гетероэпитаксиальных пленок 3C-SiC при температурах подложки 950-1000°C.

Способ получения тонких эпитаксиальных слоев β-SiC на монокристаллическом кремнии, включающий распыление керамической мишени SiC путем сканирования по ее поверхности лазерным лучом в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов на нагретую подложку, отличающийся тем, что распыление осуществляют лазером с длиной волны излучения λ=1,06 мкм и выходной энергией излучения 0,1÷0,3 Дж, при остаточном давлении в ростовой камере 10-10 Па и при температуре подложки 950÷1000°C.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ β-SIC НА КРЕМНИИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 47 items.
10.04.2013
№216.012.34aa

Устройство для моделирования трехфазного многообмоточного трансформатора

Изобретение относится к моделированию трансформатора. Технический результат заключается в повышении точности моделирования трансформатора и в расширении функциональных возможностей устройств моделирования трансформатора за счет обеспечения автоматизированного изменения параметров моделируемого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002479025
Дата охранного документа: 10.04.2013
20.05.2013
№216.012.406d

Способ получения фотонно-кристаллических структур на основе металлооксидных материалов

Изобретение относится к технологии опто- и микроэлектроники и может быть использовано для получения опалоподобных структур. Способ получения фотонно-кристаллических структур на основе металлооксидных материалов включает заполнение темплата, состоящего из монодисперсных микросфер полистирола,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002482063
Дата охранного документа: 20.05.2013
20.09.2013
№216.012.6bef

Способ изготовления стали с упрочняющими наночастицами

Изобретение относится к порошковой металлургии, а именно к способу получения стали, содержащей наноразмерные частицы боридов, оксидов, нитридов. Может использоваться для изготовления элементов деталей для хранения отработавшего ядерного топлива, чехлов тепловыделяющих сборок (ТВС) ядерных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002493282
Дата охранного документа: 20.09.2013
20.09.2013
№216.012.6d05

Система контроля кислорода и водорода в газовых средах

Изобретение относится к устройствам для контроля параметров газовых сред, в частности к контролю газовых смесей, содержащих кислород и водород, и может быть использовано в атомной энергетике, транспортном, химическом машиностроении и других отраслях техники, например, для контроля водородной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002493560
Дата охранного документа: 20.09.2013
27.09.2013
№216.012.7086

Устройство для моделирования статического синхронного компенсатора

Изобретение относится к области моделирования объектов электрических систем. Техническим результатом является обеспечение всережимного моделирования в реальном времени и на неограниченном интервале процессов, протекающих в статическом синхронном компенсаторе. Устройство для моделирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494457
Дата охранного документа: 27.09.2013
10.10.2013
№216.012.729f

Плавленолитой хромсодержащий огнеупорный материал

Изобретение относится к огнеупорной промышленности и может быть использовано для изготовления хромсодержащих огнеупорных материалов для футеровки стекловаренных печей при утилизации радиоактивных отходов. Плавленолитой хромсодержащий огнеупорный материал содержит компоненты в следующем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002495000
Дата охранного документа: 10.10.2013
10.10.2013
№216.012.7339

Способ нанесения на металлическую деталь комплексного покрытия для защиты детали от водородной коррозии, состоящего из множества микрослоев

Изобретение относится к области атомного и химического машиностроения, а именно к способам нанесения покрытий для защиты деталей от водородной коррозии. Технический результат - повышение работоспособности, надежности и увеличение долговечности деталей с покрытием. Способ включает обезжиривание...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002495154
Дата охранного документа: 10.10.2013
20.10.2013
№216.012.7578

Способ получения консолидированных порошковых материалов

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к технологии получения объемных ультрадисперсных и наноматериалов путем электроимпульсной консолидации порошков. Может использоваться при изготовлении изделий с высокими прочностными характеристиками. Предварительную очистку порошка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002495732
Дата охранного документа: 20.10.2013
27.11.2013
№216.012.862e

Устройство для моделирования объединенного регулятора потока мощности

Изобретение относится к области моделирования объектов электрических систем и может быть использовано для воспроизведения в реальном времени непрерывного спектра нормальных и анормальных процессов в объединенном регуляторе потока мощности в специализированных многопроцессорных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002500028
Дата охранного документа: 27.11.2013
10.01.2014
№216.012.959c

Способ нелинейного трехмерного многораундового преобразования данных dozen

Изобретение относится к вычислительной технике и электросвязи, предназначено для решения задач защиты компьютерной информации, может использоваться при построении генераторов псевдослучайных чисел, а также криптографических примитивов хеширования, блочного и поточного шифрования. Достигаемый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002503994
Дата охранного документа: 10.01.2014
Showing 1-10 of 49 items.
20.09.2013
№216.012.6bef

Способ изготовления стали с упрочняющими наночастицами

Изобретение относится к порошковой металлургии, а именно к способу получения стали, содержащей наноразмерные частицы боридов, оксидов, нитридов. Может использоваться для изготовления элементов деталей для хранения отработавшего ядерного топлива, чехлов тепловыделяющих сборок (ТВС) ядерных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002493282
Дата охранного документа: 20.09.2013
20.09.2013
№216.012.6d05

Система контроля кислорода и водорода в газовых средах

Изобретение относится к устройствам для контроля параметров газовых сред, в частности к контролю газовых смесей, содержащих кислород и водород, и может быть использовано в атомной энергетике, транспортном, химическом машиностроении и других отраслях техники, например, для контроля водородной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002493560
Дата охранного документа: 20.09.2013
10.10.2013
№216.012.729f

Плавленолитой хромсодержащий огнеупорный материал

Изобретение относится к огнеупорной промышленности и может быть использовано для изготовления хромсодержащих огнеупорных материалов для футеровки стекловаренных печей при утилизации радиоактивных отходов. Плавленолитой хромсодержащий огнеупорный материал содержит компоненты в следующем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002495000
Дата охранного документа: 10.10.2013
10.10.2013
№216.012.7339

Способ нанесения на металлическую деталь комплексного покрытия для защиты детали от водородной коррозии, состоящего из множества микрослоев

Изобретение относится к области атомного и химического машиностроения, а именно к способам нанесения покрытий для защиты деталей от водородной коррозии. Технический результат - повышение работоспособности, надежности и увеличение долговечности деталей с покрытием. Способ включает обезжиривание...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002495154
Дата охранного документа: 10.10.2013
20.10.2013
№216.012.7578

Способ получения консолидированных порошковых материалов

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к технологии получения объемных ультрадисперсных и наноматериалов путем электроимпульсной консолидации порошков. Может использоваться при изготовлении изделий с высокими прочностными характеристиками. Предварительную очистку порошка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002495732
Дата охранного документа: 20.10.2013
10.01.2014
№216.012.959c

Способ нелинейного трехмерного многораундового преобразования данных dozen

Изобретение относится к вычислительной технике и электросвязи, предназначено для решения задач защиты компьютерной информации, может использоваться при построении генераторов псевдослучайных чисел, а также криптографических примитивов хеширования, блочного и поточного шифрования. Достигаемый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002503994
Дата охранного документа: 10.01.2014
10.01.2014
№216.012.95c2

Способ изготовления керамических топливных таблеток с выгорающим поглотителем для ядерных реакторов

Изобретение относится к области ядерной энергетики и может быть использовано в технологии производства спеченных керамических топливных таблеток с выгорающим поглотителем для ядерных реакторов. Для прессования таблеток используют смесь порошка диоксида урана, приготовленного по одной из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504032
Дата охранного документа: 10.01.2014
20.01.2014
№216.012.992c

Способ итеративного криптографического преобразования данных

Изобретение относится к вычислительной технике и электросвязи, предназначено для решения задач защиты компьютерной информации. Наиболее предпочтительной областью использования изобретения является построение генераторов псевдослучайных чисел (ГПСЧ), а также криптографических примитивов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504911
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.07.2014
№216.012.df01

Устройство для определения количества единиц в упорядоченном двоичном числе

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к устройствам обработки данных, и может быть использовано для построения средств автоматики, функциональных узлов систем управления. Техническим результатом является упрощение устройства за счет использования однотипных элементов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522875
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.07.2014
№216.012.df42

Способ изготовления токоснимающей фольги и токоснимающая фольга суперконденсаторов

Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу изготовления токоснимающей фольги суперконденсатора с двойным электрическим слоем (КДЭС). Техническим результатом изобретения является повышение мощности суперконденсатора за счет снижения паразитного контактного сопротивления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522940
Дата охранного документа: 20.07.2014
+ добавить свой РИД