×
27.07.2014
216.012.e3f5

СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n ПЕРЕХОДОВ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты кристаллов p-n-переходов. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты поверхности кристаллов p-n переходов на поверхность кристалла наносят слой защитного стекла, состоящего из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят: 60% окиси кремния - SiOи 28% окиси бора - BO. После термообработки в вакууме при температуре 280±10°C в течение 18±2 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 0,45±0,5 мкм. Далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 600°C.
Основные результаты: Способ защиты поверхности кристаллов p-n-переходов, включающий защиту поверхности кристаллов p-n переходов, отличающийся тем, что на поверхность кристалла наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят 60% окиси кремния - SiO; 28% окиси бора - BO, после термообработки в вакууме при температуре 280±10°C в течение 18±2 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 0,45±0,5 мкм, далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 600°C.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам защиты слоем стекла с целью защиты поверхности кристаллов p-n-переходов от различных внешних воздействий.

Известны способы защиты поверхности кристаллов, сущность которых состоят в том, что поверхность полупроводниковых приборов защищают различными методами: окисления (химическое, термическое, пиролитическое), защиты пленками окислов металлов и др. [1].

Основными недостатками этих способов являются нестабильность, высокая температура и длительность процесса.

Целью изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса.

Поставленная цель достигается использованием пленки стекла, состоящего из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят: 60% окиси кремния - SiO2; 28% окиси бора - B2O3.

Сущность способа заключается в том, что на чистую полупроводниковую поверхность кристалла с p-n-переходом наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят 60% окиси кремния - SiO2; 28% окиси бора - B2O3. После термообработки в вакууме при температуре 280±1°C в течение 18±2 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 0,45±0,5 мкм. Далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 600°C.

Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что слой стекла, нанесенный на поверхность кристалла, связывает мигрирующие ионы, способствует улучшению стабильности приборов и его надежности. Далее этот слой стекла герметизирует активный элемент (p-n-переходов) от внешних воздействий.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят с предварительной очисткой поверхности кристаллов. На чистую полупроводниковую поверхность кристалла с p-n-переходом наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят 60% окиси кремния - SiO2; 28% окиси бора - B2O3. Процесс термообработки в вакууме ведут при температуре 300±10°C, а длительность процесса равна 25±2 минут. Температура сплавления стекла - 800°C.

Толщина стеклообразной пленки - 0,65±0,5 мкм.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующих режимах.

Температура термообработки в вакууме - 280±10°C в течение 20±2 минут.

Температура сплавления стекла - 700°C.

Толщина слоя стекла - 0,55±0,5 мкм.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующих режимах.

Температура термообработки в вакууме - 280±10°C в течение 18±2 минут.

Температура сплавления стекла - 600°C.

Толщина слоя стекла - 0,45±0,5 мкм.

Таким образом, предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что слой стекла, нанесенный на поверхность кристалла, связывает мигрирующие ионы, способствует улучшению стабильности приборов и его надежности, а также герметизирует активный элемент (p-n-переходов) от внешних воздействий.

ЛИТЕРАТУРА

1. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа. 1980. 327 с.

Способ защиты поверхности кристаллов p-n-переходов, включающий защиту поверхности кристаллов p-n переходов, отличающийся тем, что на поверхность кристалла наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят 60% окиси кремния - SiO; 28% окиси бора - BO, после термообработки в вакууме при температуре 280±10°C в течение 18±2 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 0,45±0,5 мкм, далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 600°C.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 51-60 of 176 items.
27.11.2014
№216.013.0bd8

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534440
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd9

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534441
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bdc

Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед процессом напыления. Изобретение обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин, уменьшение времени...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534444
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bde

Способ очистки кварцевой трубы

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Изобретение обеспечивает полное удаление различных загрязнений с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534446
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0be1

Способ формирования контакта к коллекторной области кремниевого транзистора

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает уменьшение температуры посадки кристалла на основание корпуса, повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и применение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534449
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0c1c

Конденсационный шкаф рэа

Изобретение относится к системам отвода тепла от компьютерного оборудования, смонтированного внутри серверных или монтажных шкафов, в частности к конденсационному шкафу. Технический результат - обеспечение эффективности отвода тепла из объема шкафа. Достигается тем, что в конденсационном шкафу,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534508
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0c53

Способ нанесения стекла

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности кристаллов p-n переходов от различных внешних воздействий. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и снижение проникновения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534563
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0dac

Турбина для геотермальной электростанции

Изобретение относится к теплоэнергетике, в частности к установкам, использующим теплоту геотермальных источников в виде газопароводяной смеси с повышенным солесодержанием. Предлагается турбина, в которой корпус, вал и рабочие лопатки выполнены полыми и сообщающимися между собой. При этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534917
Дата охранного документа: 10.12.2014
10.12.2014
№216.013.0dd1

Устройство для охлаждения компьютерного процессора с применением возгонки

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться для нормализации температуры процессоров современных компьютеров. Техническим результатом является повышение эффективности охлаждения компьютерного процессора. Устройство содержит систему отвода тепла от компьютерного процессора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534954
Дата охранного документа: 10.12.2014
10.12.2014
№216.013.0f57

Способ производства компота из груш и айвы

Изобретение относится к консервной промышленности, в частности к способу производства компота из груш и айвы в банках СКО 1-82-300. Способ включает предварительную подготовку и расфасовку плодов в банки, после чего осуществляют подогрев плодов горячей водой температурой 85°C в течение 3 мин....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535344
Дата охранного документа: 10.12.2014
Showing 51-60 of 223 items.
20.11.2014
№216.013.0986

Аппарат для электростимуляции желудочно-кишечного тракта

Изобретение относится к области медицинской техники, а именно к гастроэнтеростимуляторам для восстановлении моторных функций желудочно-кишечного тракта в раннем послеоперационном периоде. Аппарат для электростимуляции желудочно-кишечного тракта содержит понижающий трансформатор с электрической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533839
Дата охранного документа: 20.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b2e

Способ стерилизации компота из яблок

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает последовательный нагрев компота в потоке воздуха температурой 120°С и скоростью 8-9 м/с в течение 18 мин, душевание водой с температурой 100°С в течение 18 мин и ступенчатое охлаждение в ваннах с водой температурой 80°С в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534270
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b2f

Способ стерилизации компота из яблок

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает последовательный нагрев компота в потоке воздуха температурой 120°С и скоростью 8-9 м/с в течение 18 мин, душевание водой с температурой 100°С в течение 18 мин и ступенчатое охлаждение в ваннах с водой температурой 80°С в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534271
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b30

Способ производства консервированного пюре из зеленого горошка

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства консервированного пюре из зеленого горошка в банках 1-58-200. Способ включает четырехступенчатый нагрев консервов в воде температурами 80, 100 и в растворе хлористого кальция температурами 120 и 140°C в течение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534272
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b33

Устройство для фасовки стерильного жидкого и пюреобразного продукта в стерильную тару в стерильных условиях

Устройство выполнено в виде четырехугольной камеры, внутри которой установлено коромысло, на концах которого закреплены ролики для вертикального перемещения коромысла внутри камеры по ее дорожкам, и два захвата, соединенные шарнирно с коромыслом. Концы захватов выполнены в виде полукруга для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534275
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b45

Способ производства компота из яблок

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает предварительный нагрев плодов в банках горячей водой температурой 85°С и замену воды на сироп температурой 98°С с последующей герметизацией банок самоэксгаустируемыми крышками и стерилизацией без создания противодавления в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534293
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b48

Способ стерилизации абрикосов в абрикосовом соке с мякотью

Изобретение относится к консервной промышленности и может быть использовано при стерилизации фруктовых диетических консервов «Абрикосы в абрикосовом соке с мякотью» в банках 1-82-500. Способ характеризуется тем, что после закатки банки устанавливают в носитель, обеспечивающий механическую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534296
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b4a

Способ производства компота из груш и айвы

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ производства компота из груш и айвы характеризуется тем, что после предварительной подготовки и расфасовки в банки плоды заливают на 3 мин горячей водой с температурой 85°С, после чего воду заменяют сиропом с температурой 98°С. Далее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534298
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b9f

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ. Сущность: поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534383
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0ba2

Способ формирования p-области

Изобретение относится к технологии проведения диффузии галлия для формирования р-области при изготовлении полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает уменьшение разброса значений поверхностной концентрации и получение равномерного легирования по всей поверхности подложек. В способе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534386
Дата охранного документа: 27.11.2014
+ добавить свой РИД