СПОСОБ ЗАЩИТЫ p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ БЕРИЛЛИЯ

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам защиты поверхности p-n-переходов.

Известен способ защиты поверхности p-n-переходов на основе окислов металлов: циркония, титана, алюминия и др. [1].

Основным недостатком этого способа является неравномерность, высокая температура и длительность процесса.

Целью изобретения является достижение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса.

Поставленная цель достигается использованием защитной пленки на основе пленки окиси бериллия.

Предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить пленку для защиты поверхности p-n-переходов на основе окиси бериллия в виде порошка при температуре 1000°C и при этом достигается равномерность поверхности и уменьшение длительности процесса.

Сущность способа заключается в том, что защита поверхности p-n-переходов осуществляется на основе пленки окиси бериллия вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1000°C, температура кристалла 600°C. Окись бериллия в виде порошка, а в качестве несущего агента используется галоген HBr.

Поставленная цель достигается путем пропускания в кварцевую трубу инертного газа, при котором устанавливается перепад температур между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом. Расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом равно 12 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс защиты поверхности p-n-переходов из окиси бериллия осуществляется вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре рабочей зоны -900°C, температура полупроводникового кристалла 600°C. Затем источник окиси бериллия в виде порошка загружают в кварцевую трубу, а в качестве несущего агента используется галоген HBr. Расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом 8 см. Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси бериллия δ=0,6±0,1 мкм.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1.

Температура рабочей зоны 950°C.

Расстояние между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом 10 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси бериллия δ=0,7±0,1 мкм.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Температура рабочей зоны 1000°C.

Расстояние между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом 12 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить пленку для защиты поверхности p-n-переходов на основе окиси бериллия при температуре 1000°C и при этом достигается равномерность поверхности и уменьшение длительности процесса.

ЛИТЕРАТУРА

1. А.И.Курносов, В.В.Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. - М.: «Высшая школа», 1974, 400 с.