×
27.07.2014
216.012.e3f0

СПОСОБ ЗАЩИТЫ p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ БЕРИЛЛИЯ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты p-n-переходов на основе окиси бериллия защита поверхности p-n-переходов осуществляется на основе пленки окиси бериллия вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1000°C, температура кристалла 600°С. Окись бериллия в виде порошка, а в качестве несущего агента используется галоген HBr. Устанавливается перепад температур между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом. Расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом равно 12 см. Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.
Основные результаты: Способ защиты p-n-переходов на основе окиси бериллия, включающий защиту поверхности p-n-переходов, отличающийся тем, что защиту p-n-переходов ведут на основе пленки окиси бериллия в виде порошка при температуре 1000°C, температура кристалла 600°C, а в качестве несущего агента используется галоген HBr, при котором устанавливается перепад температур между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом, расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом 12 см, причем толщина пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам защиты поверхности p-n-переходов.

Известен способ защиты поверхности p-n-переходов на основе окислов металлов: циркония, титана, алюминия и др. [1].

Основным недостатком этого способа является неравномерность, высокая температура и длительность процесса.

Целью изобретения является достижение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса.

Поставленная цель достигается использованием защитной пленки на основе пленки окиси бериллия.

Предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить пленку для защиты поверхности p-n-переходов на основе окиси бериллия в виде порошка при температуре 1000°C и при этом достигается равномерность поверхности и уменьшение длительности процесса.

Сущность способа заключается в том, что защита поверхности p-n-переходов осуществляется на основе пленки окиси бериллия вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1000°C, температура кристалла 600°C. Окись бериллия в виде порошка, а в качестве несущего агента используется галоген HBr.

Поставленная цель достигается путем пропускания в кварцевую трубу инертного газа, при котором устанавливается перепад температур между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом. Расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом равно 12 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс защиты поверхности p-n-переходов из окиси бериллия осуществляется вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре рабочей зоны -900°C, температура полупроводникового кристалла 600°C. Затем источник окиси бериллия в виде порошка загружают в кварцевую трубу, а в качестве несущего агента используется галоген HBr. Расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом 8 см. Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси бериллия δ=0,6±0,1 мкм.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1.

Температура рабочей зоны 950°C.

Расстояние между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом 10 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси бериллия δ=0,7±0,1 мкм.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Температура рабочей зоны 1000°C.

Расстояние между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом 12 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить пленку для защиты поверхности p-n-переходов на основе окиси бериллия при температуре 1000°C и при этом достигается равномерность поверхности и уменьшение длительности процесса.

ЛИТЕРАТУРА

1. А.И.Курносов, В.В.Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. - М.: «Высшая школа», 1974, 400 с.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 41-50 of 134 items.
27.11.2014
№216.013.0be1

Способ формирования контакта к коллекторной области кремниевого транзистора

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает уменьшение температуры посадки кристалла на основание корпуса, повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и применение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534449
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0c1c

Конденсационный шкаф рэа

Изобретение относится к системам отвода тепла от компьютерного оборудования, смонтированного внутри серверных или монтажных шкафов, в частности к конденсационному шкафу. Технический результат - обеспечение эффективности отвода тепла из объема шкафа. Достигается тем, что в конденсационном шкафу,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534508
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0c53

Способ нанесения стекла

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности кристаллов p-n переходов от различных внешних воздействий. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и снижение проникновения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534563
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0dd1

Устройство для охлаждения компьютерного процессора с применением возгонки

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться для нормализации температуры процессоров современных компьютеров. Техническим результатом является повышение эффективности охлаждения компьютерного процессора. Устройство содержит систему отвода тепла от компьютерного процессора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534954
Дата охранного документа: 10.12.2014
20.12.2014
№216.013.104f

Способ интенсификации теплообмена в тепловой трубе

Изобретение относится к методам отвода тепла от компонентов радиоэлектроники с высокой мощностью тепловыделений, в частности к охлаждению с применением тепловой трубы, и может использоваться в различных областях электронной промышленности. Согласно изобретению, в способе, состоящем в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535597
Дата охранного документа: 20.12.2014
27.01.2015
№216.013.2105

Термоэлектрический массажер

Изобретение относится к медицине, в частности к терапевтическим устройствам, предназначенным для стимуляции роста волос и лечения заболеваний кожи волосистой части головы. Термоэлектрический массажер состоит из алюминиевого корпуса с ручкой, в которой выполнены полость для размещения источника...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539901
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.02.2015
№216.013.21cc

Способ стерилизации персиков в персиковом соке с мякотью

Изобретение относится к пищевой промышленности. Способ включает трехступенчатый нагрев консервов в воде температурой 60, 80 и 100°C соответственно 5, 5 и 15-20 мин с последующим трехступенчатым охлаждением в воде в течение 5, 5 и 7 мин, при этом нагрев и охлаждение при температурах воды 60 и 80...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540105
Дата охранного документа: 10.02.2015
20.02.2015
№216.013.2b7e

Способ формирования эмиттерной области транзистора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и, в частности, может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур. Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника включает формирование диффузионных кремниевых структур...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542591
Дата охранного документа: 20.02.2015
20.02.2015
№216.013.2b7f

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542592
Дата охранного документа: 20.02.2015
20.02.2015
№216.013.2b8d

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542606
Дата охранного документа: 20.02.2015
Showing 41-50 of 147 items.
10.08.2014
№216.012.e810

Способ пастеризации плодово-ягодных маринадов

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ пастеризации плодово-ягодных маринадов характеризуется тем, что банки закатывают самоэксгаустируемыми крышками и подвергают тепловой обработке без создания противодавления по режиму , предусматривающему охлаждение воды в автоклаве до...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525201
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e840

Способ пастеризации плодово-ягодных маринадов

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ характеризуется тем, что банки после расфасовки в них продукта закатывают самоэксгаустируемыми крышками и подвергают тепловой обработке без создания противодавления в аппарате по режиму , предусматривающему охлаждение воды в автоклаве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525249
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e841

Способ пастеризации плодово-ягодных маринадов

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности при производстве плодово-ягодных маринадов. Способ характеризуется тем, что банки закатывают самоэксгаустируемыми крышками, а пастеризацию и охлаждение осуществляют по определенным режимам. Обеспечивается упрощение процесса...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525250
Дата охранного документа: 10.08.2014
20.08.2014
№216.012.e993

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525603
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.08.2014
№216.012.e997

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525607
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.08.2014
№216.012.e998

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525608
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.08.2014
№216.012.e99b

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электротехнике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525611
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.09.2014
№216.012.f5df

Способ очистки теплообменника от карбонатных отложений

Изобретение относится к геотермальной энергетике и может быть использовано для очистки геотермального оборудования от карбонатных отложений. Предложен способ очистки теплообменника от карбонатных отложений, включающий подвод геотермальной воды с концентрацией углекислого газа выше равновесного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528776
Дата охранного документа: 20.09.2014
20.11.2014
№216.013.0986

Аппарат для электростимуляции желудочно-кишечного тракта

Изобретение относится к области медицинской техники, а именно к гастроэнтеростимуляторам для восстановлении моторных функций желудочно-кишечного тракта в раннем послеоперационном периоде. Аппарат для электростимуляции желудочно-кишечного тракта содержит понижающий трансформатор с электрической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533839
Дата охранного документа: 20.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b2e

Способ стерилизации компота из яблок

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает последовательный нагрев компота в потоке воздуха температурой 120°С и скоростью 8-9 м/с в течение 18 мин, душевание водой с температурой 100°С в течение 18 мин и ступенчатое охлаждение в ваннах с водой температурой 80°С в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534270
Дата охранного документа: 27.11.2014
+ добавить свой РИД