×
27.07.2014
216.012.e3f0

СПОСОБ ЗАЩИТЫ p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ БЕРИЛЛИЯ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты p-n-переходов на основе окиси бериллия защита поверхности p-n-переходов осуществляется на основе пленки окиси бериллия вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1000°C, температура кристалла 600°С. Окись бериллия в виде порошка, а в качестве несущего агента используется галоген HBr. Устанавливается перепад температур между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом. Расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом равно 12 см. Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.
Основные результаты: Способ защиты p-n-переходов на основе окиси бериллия, включающий защиту поверхности p-n-переходов, отличающийся тем, что защиту p-n-переходов ведут на основе пленки окиси бериллия в виде порошка при температуре 1000°C, температура кристалла 600°C, а в качестве несущего агента используется галоген HBr, при котором устанавливается перепад температур между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом, расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом 12 см, причем толщина пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам защиты поверхности p-n-переходов.

Известен способ защиты поверхности p-n-переходов на основе окислов металлов: циркония, титана, алюминия и др. [1].

Основным недостатком этого способа является неравномерность, высокая температура и длительность процесса.

Целью изобретения является достижение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса.

Поставленная цель достигается использованием защитной пленки на основе пленки окиси бериллия.

Предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить пленку для защиты поверхности p-n-переходов на основе окиси бериллия в виде порошка при температуре 1000°C и при этом достигается равномерность поверхности и уменьшение длительности процесса.

Сущность способа заключается в том, что защита поверхности p-n-переходов осуществляется на основе пленки окиси бериллия вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1000°C, температура кристалла 600°C. Окись бериллия в виде порошка, а в качестве несущего агента используется галоген HBr.

Поставленная цель достигается путем пропускания в кварцевую трубу инертного газа, при котором устанавливается перепад температур между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом. Расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом равно 12 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс защиты поверхности p-n-переходов из окиси бериллия осуществляется вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре рабочей зоны -900°C, температура полупроводникового кристалла 600°C. Затем источник окиси бериллия в виде порошка загружают в кварцевую трубу, а в качестве несущего агента используется галоген HBr. Расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом 8 см. Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси бериллия δ=0,6±0,1 мкм.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1.

Температура рабочей зоны 950°C.

Расстояние между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом 10 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси бериллия δ=0,7±0,1 мкм.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Температура рабочей зоны 1000°C.

Расстояние между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом 12 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить пленку для защиты поверхности p-n-переходов на основе окиси бериллия при температуре 1000°C и при этом достигается равномерность поверхности и уменьшение длительности процесса.

ЛИТЕРАТУРА

1. А.И.Курносов, В.В.Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. - М.: «Высшая школа», 1974, 400 с.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 134 items.
20.08.2014
№216.012.e997

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525607
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.08.2014
№216.012.e998

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525608
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.08.2014
№216.012.e99b

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электротехнике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525611
Дата охранного документа: 20.08.2014
27.11.2014
№216.013.0b48

Способ стерилизации абрикосов в абрикосовом соке с мякотью

Изобретение относится к консервной промышленности и может быть использовано при стерилизации фруктовых диетических консервов «Абрикосы в абрикосовом соке с мякотью» в банках 1-82-500. Способ характеризуется тем, что после закатки банки устанавливают в носитель, обеспечивающий механическую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534296
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b9f

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ. Сущность: поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534383
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0ba2

Способ формирования p-области

Изобретение относится к технологии проведения диффузии галлия для формирования р-области при изготовлении полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает уменьшение разброса значений поверхностной концентрации и получение равномерного легирования по всей поверхности подложек. В способе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534386
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0ba4

Способ очистки карбид-кремниевой трубы

Изготовление относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Изобретение обеспечивает уменьшение длительности и упрощение процесса, полное удаление...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534388
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0ba5

Способ формирования диэлектрической пленки

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам формирования диэлектрических пленок на основе окиси титана. Изобретение позволяет сформировать на поверхности подложки диэлектрическую пленку окиси титана при низких температурах....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534389
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0ba6

Способ защиты поверхности кристаллов p-n переходов на основе алюминия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. Защита поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534390
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bc9

Способ защиты p-n переходов на основе окиси титана

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов. Изобретение обеспечивает сокращение длительности процесса. В способе защиты поверхности р-n переходов процесс ведут в печи вакуумным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534425
Дата охранного документа: 27.11.2014
Showing 21-30 of 147 items.
27.07.2014
№216.012.e3f7

Способ получения стекла из пятиокиси фосфора

Использование: для получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоро-силикатных стекол для формирования p-n переходов. Сущность изобретения заключается в том, что кремниевые пластины загружают в кварцевую лодочку, помещенную в кварцевую трубу, находящуюся внутри...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524149
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f9

Способ диффузии бора для формирования р-области

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых мощных транзисторов, в частности может быть использовано для формирования активной ρ-области. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностных концентраций и получение равномерного легирования по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524151
Дата охранного документа: 27.07.2014
10.08.2014
№216.012.e731

Способ производства компота из груш и айвы

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ производства компота из груш и айвы включает предварительный подогрев плодов горячей водой температурой 85°С в течение 3 мин с последующей стерилизацией в потоке воздуха температурой 150°С и скоростью 3,5 м/с в течение 12 мин с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524978
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e732

Способ пастеризации плодово-ягодных маринадов

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ предусматривает герметизацию банок с плодово-ягодными маринадами самоэксгаустируемыми крышками. Затем банки с консервами подвергают тепловой обработке в автоклаве без создания противодавления по новому режиму и последующему охлаждению в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524979
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e734

Способ стерилизации компота из груш и айвы

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности, а именно для стерилизации компота из груш и айвы в банках СКО 1-82-500. Способ включает процесс нагрева в потоке воздуха температурой 130°С и скоростью 8-9 м/с в течение 18 мин с последующей выдержкой в течение 12-55 мин при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524981
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e736

Способ производства компота из груш и айвы

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности, а именно для стерилизации компота из груш и айвы. Способ включает предварительный подогрев плодов горячей водой температурой 85°С в течение 3 мин с последующей стерилизацией в потоке воздуха температурой 120°С и скоростью 3,5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524983
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e737

Способ производства компота из черной смородины

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ предусматривает расфасовку черной смородины в банки и их заливку горячей водой температурой 85°C на 2-3 минуты. Затем заменяют воду на сироп температурой 98°C и закатывают банки самоэксгаустируемыми крышками. Далее подвергают тепловой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524984
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e738

Способ производства компота из груш и айвы

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности, а именно для стерилизации компота из груш и айвы. Способ включает предварительный подогрев плодов горячей водой температурой 85°С в течение 3 мин с последующей стерилизацией в потоке воздуха температурой 150°С и скоростью 8,5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524985
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e73b

Способ производства компота из ревеня

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ производства компота из ревеня характеризуется тем, что после расфасовки в банки, плоды на 2-3 мин заливают горячей водой температурой 85°C, с последующей заменой воды на сироп температурой 98°C, далее банки закатывают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524988
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e73c

Способ производства компота из черники

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает предварительный нагрев плодов в банках горячей водой температурой 85 °C, замену воды на сироп температурой 98 °C с последующей герметизацией банок самоэксгаустируемыми крышками. Стерилизацию компота проводят без создания...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524989
Дата охранного документа: 10.08.2014
+ добавить свой РИД