×
27.07.2014
216.012.e3eb

СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС). Сущность изобретения заключается в том, что химическое травление поверхности полупроводников проводят в травителе, состоящем из следующих компонентов: фтористоводородной (HF), азотной (HNO) и уксусной (CHCOOH) кислот в соотношении 1:6:3. Технический результат: полное удаление образовавшегося оксида на поверхности полупроводников и сокращение времени обработки.
Основные результаты: Способ химического травления полупроводников, включающий обработку поверхности полупроводников, отличающийся тем, что обработку поверхности полупроводников ведут в травителе, состоящем из следующих компонентов: фтористоводородной (HF), азотной (HNO) и уксусной (CHCOOH) кислот в соотношении 1:6:3, время обработки 6 минут, при этом процент выхода годных приборов составил 98%.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к обработке поверхности чистых полупроводников перед технологическими операциями.

Известны способы химического травления поверхности полупроводников, сущность которых состоит в том, что обработку проводят в различных растворах, травителях и т.п. [1].

Недостатками химического травления поверхности полупроводников являются недостаточное удаление образовавшегося оксида и длительность обработки процесса.

Целью изобретения является полное удаление образовавшегося оксида на поверхности полупроводников и сокращение времени обработки.

Поставленная цель достигается использованием травителя, в состав которого входят следующие компоненты: фтористоводородная кислота (HF), азотная кислота (HNO3) и уксусная кислота (CH3COOH) в соотношении 1:6:3.

Сущность способа заключается в том, что химическое травление поверхности полупроводников проводят в травителе, состоящем из следующих компонентов: фтористоводородной (HF), азотной (HNO3) и уксусной (CH3COOH) кислот в соотношении 1:6:3. Время химического травления равно 6 минут.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что химическое травление чистых полупроводников основано на окислении их поверхности и удалении (растворении) образовавшегося оксида. Травители, применяемые для обработки полупроводников, состоят из окислителя и растворителя, а также добавок, которые вызывают ускорение или замедление химических реакций. Большую часть травителей для кремния представляют собой смеси на основе фтористоводородной и азотной кислот. В процессе травления кремний, взаимодействуя с азотной кислотой, образует оксид, который далее растворяется в фтористоводородной кислоте:

Si+2HNO3→SiO2+NO2↑+NO↑+H2O

SiO2+4HF→SiF4+2H2O

Скорость образования оксида кремния должна быть ниже скорости непрерывного удаления окисла SiO2 с поверхности. Для этого в состав травителя вводится замедлитель процесса окисления - уксусная кислота CH3COOH.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки, при соотношении компонентов:

HF:HNO3:CH3COOH

1:7:4

Время травления 9 мин.

Процент выхода годных приборов составил 92%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:

HF:HNO3:CH3COOH 1:7:3,5

Время травления 8 мин.

Процент выхода годных приборов составил 94%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:

HF:HNO3:CH3COOH 1:6:3,5

Время травления 7 мин.

Процент выхода годных приборов составил 96%.

ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:

HF:HNO3:CH3COOH 1:6:3

Время травления 6 мин.

Процент выхода годных приборов составил 98%.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное удаление образовавшегося оксида на поверхности полупроводников и сокращение времени обработки.

Литература

1. Обработка полупроводниковых приборов/ Под редакцией В.П. Запорожский, Б.А. Лапшинов. М., с.183.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 134 items.
20.08.2014
№216.012.e997

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525607
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.08.2014
№216.012.e998

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525608
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.08.2014
№216.012.e99b

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электротехнике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525611
Дата охранного документа: 20.08.2014
27.11.2014
№216.013.0b48

Способ стерилизации абрикосов в абрикосовом соке с мякотью

Изобретение относится к консервной промышленности и может быть использовано при стерилизации фруктовых диетических консервов «Абрикосы в абрикосовом соке с мякотью» в банках 1-82-500. Способ характеризуется тем, что после закатки банки устанавливают в носитель, обеспечивающий механическую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534296
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b9f

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ. Сущность: поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534383
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0ba2

Способ формирования p-области

Изобретение относится к технологии проведения диффузии галлия для формирования р-области при изготовлении полупроводниковых приборов. Изобретение обеспечивает уменьшение разброса значений поверхностной концентрации и получение равномерного легирования по всей поверхности подложек. В способе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534386
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0ba4

Способ очистки карбид-кремниевой трубы

Изготовление относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Изобретение обеспечивает уменьшение длительности и упрощение процесса, полное удаление...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534388
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0ba5

Способ формирования диэлектрической пленки

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам формирования диэлектрических пленок на основе окиси титана. Изобретение позволяет сформировать на поверхности подложки диэлектрическую пленку окиси титана при низких температурах....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534389
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0ba6

Способ защиты поверхности кристаллов p-n переходов на основе алюминия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. Защита поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534390
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bc9

Способ защиты p-n переходов на основе окиси титана

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов. Изобретение обеспечивает сокращение длительности процесса. В способе защиты поверхности р-n переходов процесс ведут в печи вакуумным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534425
Дата охранного документа: 27.11.2014
Showing 21-30 of 147 items.
27.07.2014
№216.012.e3f7

Способ получения стекла из пятиокиси фосфора

Использование: для получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоро-силикатных стекол для формирования p-n переходов. Сущность изобретения заключается в том, что кремниевые пластины загружают в кварцевую лодочку, помещенную в кварцевую трубу, находящуюся внутри...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524149
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f9

Способ диффузии бора для формирования р-области

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых мощных транзисторов, в частности может быть использовано для формирования активной ρ-области. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностных концентраций и получение равномерного легирования по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524151
Дата охранного документа: 27.07.2014
10.08.2014
№216.012.e731

Способ производства компота из груш и айвы

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ производства компота из груш и айвы включает предварительный подогрев плодов горячей водой температурой 85°С в течение 3 мин с последующей стерилизацией в потоке воздуха температурой 150°С и скоростью 3,5 м/с в течение 12 мин с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524978
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e732

Способ пастеризации плодово-ягодных маринадов

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ предусматривает герметизацию банок с плодово-ягодными маринадами самоэксгаустируемыми крышками. Затем банки с консервами подвергают тепловой обработке в автоклаве без создания противодавления по новому режиму и последующему охлаждению в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524979
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e734

Способ стерилизации компота из груш и айвы

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности, а именно для стерилизации компота из груш и айвы в банках СКО 1-82-500. Способ включает процесс нагрева в потоке воздуха температурой 130°С и скоростью 8-9 м/с в течение 18 мин с последующей выдержкой в течение 12-55 мин при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524981
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e736

Способ производства компота из груш и айвы

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности, а именно для стерилизации компота из груш и айвы. Способ включает предварительный подогрев плодов горячей водой температурой 85°С в течение 3 мин с последующей стерилизацией в потоке воздуха температурой 120°С и скоростью 3,5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524983
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e737

Способ производства компота из черной смородины

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ предусматривает расфасовку черной смородины в банки и их заливку горячей водой температурой 85°C на 2-3 минуты. Затем заменяют воду на сироп температурой 98°C и закатывают банки самоэксгаустируемыми крышками. Далее подвергают тепловой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524984
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e738

Способ производства компота из груш и айвы

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности, а именно для стерилизации компота из груш и айвы. Способ включает предварительный подогрев плодов горячей водой температурой 85°С в течение 3 мин с последующей стерилизацией в потоке воздуха температурой 150°С и скоростью 8,5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524985
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e73b

Способ производства компота из ревеня

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ производства компота из ревеня характеризуется тем, что после расфасовки в банки, плоды на 2-3 мин заливают горячей водой температурой 85°C, с последующей заменой воды на сироп температурой 98°C, далее банки закатывают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524988
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e73c

Способ производства компота из черники

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает предварительный нагрев плодов в банках горячей водой температурой 85 °C, замену воды на сироп температурой 98 °C с последующей герметизацией банок самоэксгаустируемыми крышками. Стерилизацию компота проводят без создания...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524989
Дата охранного документа: 10.08.2014
+ добавить свой РИД