×
20.08.2013
216.012.61c1

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к измерительной технике. Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества КМОП цифровых интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Выбранный в качестве источника тепла логический элемент микросхемы нагревают проходящим греющим током через p-n-переход, образованный сильнолегированной p+областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и n-подложкой p-МОП транзисторов, электрически соединенной с выводом питания микросхемы в первом случае, или через p-n-переход, образованный сильнолегированной n+областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и p-карманом n-МОП транзисторов, электрически соединенным с общим выводом питания микросхемы во втором случае. Напряжение температурочувствительного параметра измеряют на p-n-переходе другого логического элемента при протекании прямого измерительного тока и p-n-переход образован сильнолегированной n+областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и p-карманом n-МОП транзисторов, электрически соединенным с общим выводом питания микросхемы в первом случае, или сильнолегированной p+областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и n-подложкой p-МОП транзисторов, электрически соединенной с выводом питания микросхемы во втором случае. Выводы питания микросхемы при измерении соединяют между собой. Изменение электрической греющей мощности определяют как произведение проходящего греющего тока через p-n-переход на падение напряжения на нем. Тепловое сопротивлении определяют как отношение изменения напряжения температурочувствительного параметра к изменению электрической греющей мощности и известному температурному коэффициенту напряжения температурочувствительного параметра. Изобретение обеспечивает уменьшение погрешности измерения. 4 ил.
Основные результаты: Способ определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем, включающий нагрев и измерение изменения электрической греющей мощности одного логического элемента, выбранного в качестве источника тепла, измерение изменения температурочувствительного параметра другого логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры, определение теплового сопротивления как отношение изменения температурочувствительного параметра к изменению электрической греющей мощности и известному температурному коэффициенту температурочувствительного параметра, отличающийся тем, что нагрев осуществляют путем пропускания тока через p-n-переход логического элемента, выбранного в качестве источника тепла, образованный или сильнолегированной p областью, электрически соединенной с выходом микросхемы и n подложкой p-МОП транзисторов, электрически соединенной с выводом питания микросхемы, при этом измеряют изменение температурочувствительного параметра p-n-перехода логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры, образованного сильнолегированной n областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и p-карманом n-МОП-транзисторов, электрически соединенным с общим выводом питания микросхемы; или сильнолегированной n областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и p-карманом n-МОП-транзисторов, электрически соединенным с общим выводом питания микросхемы, при этом измеряют изменение температурочувствительного параметра p-n-перехода логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры, образованном сильнолегированной p областью, электрически соединенной с выходом микросхемы и n подложкой p-МОП-транзисторов, электрически соединенной с выводом питания микросхемы, причем в обоих случаях выводы питания микросхемы соединяют между собой, а в качестве температурочувствительного параметра выбирают прямое падение напряжения на соответствующих p-n-переходах при протекании прямого измерительного тока, и изменение электрической греющей мощности определяют как произведение проходящего греющего тока через p-n-переход на падение напряжения на нем.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля качества цифровых интегральных микросхем с КМОП логическими элементами (ЛЭ) и оценки их температурных запасов.

Известен способ определения теплового сопротивления RT КМОП цифровых интегральных микросхем, в котором нагревают путем подачи последовательности переключающих импульсов один или несколько ЛЭ, выбранных в качестве источника тепла, измеряют изменение температурочувствительного параметра ЛЭ, выбранного в качестве датчика температуры и определяют тепловое сопротивление по измеренному изменению температурочувствительного параметра и греющей мощности (см., например, а.с. 1310754 СССР, МКИ4 G01R 31/28. Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем / В.А. Сергеев, Г.Ф. Афанасьев, Б.Н. Романов, В.В. Юдин. - №912623/24-21; заявл. 17.06.85; опубл. 15.05.87, Бюл. №18.).

Недостатком известного способа является то, что известным способом возможно измерение теплового сопротивления только у микросхем, содержащих набор отдельных базовых ЛЭ. Для функционально сложных микросхем бывает невозможным обеспечить нагрев выходного ЛЭ, выбранного в качестве источника тепла, непрерывной последовательностью высокочастотных импульсов.

Наиболее близким способом того же назначения к заявленному изобретению по совокупности признаков является способ определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем, в котором нагревают путем подачи последовательности переключающих импульсов один или несколько ЛЭ, выбранных в качестве источника тепла, измеряют изменение температурочувствительного параметра ЛЭ, выбранного в качестве датчика температуры, и определяют тепловое сопротивление по измеренному изменению температурочувствительного параметра, греющей мощности и известному температурному коэффициенту температурочувствительного параметра (см. патент №2327177, МПК G01R 31/317. Способ определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем / В.В. Юдин, В.А. Сергеев. - №2007100859/28; заявл. 09.01.2007; опубл. 20.06.2008, Бюл. №17) и принятый за прототип.

Недостатком известного способа, принятого за прототип, является то, что известным способом возможно определение теплового сопротивления RT цифровых интегральных микросхем только с транзисторно-транзисторной логикой (ТТЛ). У микросхем с ЛЭ на основе комплементарных металл-окисел-полупроводник (КМОП) транзисторов токи нагрузки выходных ЛЭ намного меньше токов нагрузки микросхем с ТТЛ ЛЭ. Поэтому незначительный нагрев током нагрузки приводит к малому изменению температурочувствительного параметра датчика температуры и, в конечном счете, к большой погрешности измерения. Устранение влияния паразитных сопротивлений на напряжение температурочувствительного параметра осуществляется только при периодическом изменении логического состояния выходного ЛЭ с длительностью импульса, равному половине периода следования импульсов, что усложняет аппаратную реализацию определения теплового сопротивления некоторых сложных в функциональном отношении микросхем.

Технический результат заключается в уменьшении погрешности измерения за счет увеличения мощности нагрева КМОП цифровых интегральных микросхем греющим током и устранения влияния паразитных сопротивлений в цепи питания микросхемы на температурочувствительный параметр.

Указанный технический результат достигается тем, что в известном способе определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем, включающий нагрев и измерение изменения электрической греющей мощности одного логического элемента, выбранного в качестве источника тепла, измерение изменения температурочувствительного параметра другого логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры, определение теплового сопротивления как отношение изменения температурочувствительного параметра к изменению электрической греющей мощности и известному температурному коэффициенту температурочувствительного параметра, особенность заключается в том, что нагрев осуществляют путем пропускания тока через p-n-переход логического элемента, выбранного в качестве источника тепла, образованный или сильнолегированной p+областью, электрически соединенной с выходом микросхемы и n-подложкой p-МОП транзисторов, электрически соединенной с выводом питания микросхемы, и при этом измеряют изменение температурочувствительного параметра p-n-перехода логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры, образованного сильнолегированной n+областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и p-карманом n-МОП транзисторов, электрически соединенным с общим выводом питания микросхемы; или сильнолегированной n+областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и p-карманом n-МОП транзисторов, электрически соединенным с общим выводом питания микросхемы, и при этом измеряют изменение температурочувствительного параметра p-n-перехода логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры, образованном сильнолегированной p+областью, электрически соединенной с выходом микросхемы и n-подложкой p-МОП транзисторов, электрически соединенной с выводом питания микросхемы; причем в обоих случаях выводы питания микросхемы соединяют между собой, а в качестве температурочувствительного параметра выбирают прямое падение напряжения на соответствующих p-n-переходах при протекании прямого измерительного тока, и изменение электрической греющей мощности определяют как произведение проходящего греющего тока через p-n-переход на падение напряжения на нем.

Сущность изобретения заключается в следующем. Тепловое сопротивление RT переход-корпус цифровых интегральных микросхем определяется как отношение измеренного изменения напряжения ΔUТЧП температурочувствительного параметра к изменению электрической греющей мощности ΔP и известному температурному коэффициенту КТ напряжения температурочувствительного параметра:

где ΔT - приращение температуры нагрева микросхемы. Наиболее чувствительным к изменению температуры является напряжение логической единицы (см., например, Закс, Д.И. Параметры теплового режима полупроводниковых микросхем / Д.И. Закс. - М.: Радио и связь, 1983. С.30-31).

Типовое значение выходного тока нагрузки, используемого в качестве греющего тока Iгр цифровых интегральных микросхем, для КМОП микросхем составляет 2 мА (см., например, Тилл, У. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление: пер. с англ. / У. Тилл, Дж. Лаксон. - М.: Мир, 1985. - С.481, 435). Соответственно, электрическая мощность нагрева ЛЭ, выбранного в качестве источника тепла, мала и не будет превышать 1 мВт при падении напряжения на канале МОП транзистора 0,2 В.

Цифровые интегральные микросхемы с КМОП ЛЭ содержат p-МОП и n-МОП транзисторы (см., например, Строгонов А.В. Проектирование технологии КМОП заказных БИС / А.В. Строгонов // Компоненты и технологии. - 2007. - №4. - С.206-209). МОП транзистор является четырех портовым прибором с выводами затвор, исток, сток и подложка. Сущность изобретения рассмотрим на примере микросхемы, содержащей два выходных ЛЭ 2И-НЕ, как показано на фиг.1. Подложка p-МОП транзисторов соединена с выводом питания микросхемы. Подложка n-МОП транзисторов соединены с общим выводом питания микросхемы. На фиг.1 показаны внутренние паразитные сопротивления Rn1 и Rn2 коммутационных проводников микросхемы в цепи питания со стороны вывода питания и общего вывода питания.

Подложка (p-карман) с сильнолегированной n+ диффузионной областью стока n-МОП транзистора VT3, и подложка n-типа с сильнолегированной областью p+ стоков p-МОП транзисторов VT1 и VT2 образуют p-n-переходы, показанные на фиг.2 как диоды VDn и VDp.

Эквивалентная схема двух ЛЭ при измерении теплового сопротивления показана на фиг.3. На этой схеме вывод питания микросхемы электрически соединен с общим выводом питания и имеет нулевой потенциал. Будем нагревать, например, ЛЭ1, выбранный в качестве источника тепла, током Iгр от положительного полюса источника питания +E1, соединенного с выходом ЛЭ1 (фиг.3а). Ток нагрева пройдет через диод VDp ЛЭ1 и паразитное сопротивление Rn1. Изменение электрической греющей мощности составит , где UD - падение напряжения на диоде при протекании греющего тока Iгр. При Iгр=20÷25 мА и Rn1<1 Ом, и ΔP≈IгрUD. В качестве температурочувствительного параметра датчика температуры выберем прямое падения напряжения на диоде VDn ЛЭ2 при протекании малого измерительного тока Iизм. Для этого к выходу ЛЭ2 подключим отрицательный полюс источника тока. Ток источника тока Iизм<<Iгр и не создает дополнительного нагрева диода VDn ЛЭ2. Источник тепла ЛЭ1 с диодом VDp и датчик температуры ЛЭ2 с диодом VDn электрически развязаны и имеют только тепловую связь, что полностью исключает влияние паразитных сопротивлений Rn1 на результат измерения теплового сопротивления. Тепловое сопротивление определяется по формуле:

Аналогично, поменяв полярность источника питания E1 на отрицательную, а источника тока Iизм на положительную, источником тепла будет диод VDn ЛЭ1, а датчиком температуры будет диод VDp ЛЭ2 (фиг.3б). В этом случае паразитное сопротивление Rn2 не оказывает влияние на измеренную величину напряжения UТЧП.

Величина греющего тока Iгр диода с площадью p-n-перехода, соизмеримой с площадью p-n-перехода транзистора в выходном каскаде ЛЭ ТТЛ, составляет 20-25 мА. Электрическая мощность нагрева достигает при этом 15-20 мВт. Отсюда, использование диодов (p-n-переходов) микросхем с КМОП ЛЭ дает увеличение в мощности нагрева, превышающей в 15-20 раз мощность нагрева, полученную за счет прохождения тока нагрева через канал МОП транзистора.

На фиг.1 представлен фрагмент электрической схемы микросхемы, содержащей два ЛЭ, один из которых (по выбору) является источником тепла, а второй датчиком температуры.

На фиг.2 представлено условно сечение кристалла микросхемы для пояснения образования p-n-переходов (диодов VDn и VDp) сильнолегированными диффузионными областями и подложками n- и p-МОП транзисторов.

На фиг.3 представлена электрическая схема соединения двух ЛЭ микросхемы для измерения теплового сопротивления и состоящая из диодов VDn и VDp.

На фиг.4 представлена функциональная схема, реализующая способ определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем.

Схема содержит исследуемую микросхему 1, двухполярный источник питания 2, двухполярный источник тока 3, амперметр 4, первый вольтметр 5, второй вольтметр 6, ограничительное сопротивление 7, первый коммутатор 8, второй коммутатор 9.

Сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения с получением вышеуказанного технического результата, приводятся в следующей последовательности. Выводы питания исследуемой КМОП микросхемы 1 подключают к средней точке двухполярного источника питания 2 и источника тока 3 с нулевым потенциалом. Положительный полюс источника питания 2 через замкнутый верхний неподвижный и подвижный контакты первого коммутатора 8, амперметр 4 и ограничительное сопротивление Rогр 7 соединяют с выходом ЛЭ1. Амперметром 4 измеряют греющий ток Iгр ЛЭ1, первым вольтметром 5 измеряют падение напряжения UD на диоде VDp ЛЭ1, выбранного в качестве источника тепла (см. фиг.3а). Ограничительное сопротивление 7 защищает цепь тока нагрева от перегрузок в случае пробоя диода VDp. Определяют приращение электрической мощности нагрева по формуле Р=ΔР=Iгр·UD. За счет тепловой связи при нагреве диода VDp ЛЭ1 начинают нагреваться другие элементы кристалла, в том числе и диоды VDp и VDn.

Выберем в качестве датчика температуры диод VDn ЛЭ2. Для измерения напряжения UТЧП температурочувствительного параметра отрицательный полюс источника тока 3 через замкнутые нижние неподвижный и подвижный контакты второго коммутатора 9 подсоединяют к выходу ЛЭ2. В ЛЭ2 протекает измерительный ток Iизм по цепи от вывода питания через диод VDn ЛЭ2 (см. фиг.3 а), через коммутатор 9 на отрицательный полюс источника тока 3. Измерительный ток создает на диоде VDn ЛЭ2 падение напряжения UТЧП, которое измеряется вторым вольтметром 6. Температура нагрева диода VDn ЛЭ2 определяется как ΔT=UТЧП/KTn, где KTn - известный температурный коэффициент напряжения диода VDn. Тепловое сопротивление определяется по формуле (2).

При переключении подвижного контакта первого коммутатора 8 в нижнее положение (к отрицательному полюсу источника питания 2), а подвижного контакта второго коммутатора 9 в верхнее положение (к положительному полюсу источника тока 3), будет нагреваться диод VDn ЛЭ1, а напряжение UТЧП температурочувствительного параметра измеряться на диоде VDp ЛЭ2 (фиг.3б). Тепловое сопротивление определяется аналогично формуле (2). Температурный коэффициент напряжения KТр диода VDp ЛЭ2 из-за разных физических характеристик p-n-переходов будет отличаться от KTn.

Способ определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем, включающий нагрев и измерение изменения электрической греющей мощности одного логического элемента, выбранного в качестве источника тепла, измерение изменения температурочувствительного параметра другого логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры, определение теплового сопротивления как отношение изменения температурочувствительного параметра к изменению электрической греющей мощности и известному температурному коэффициенту температурочувствительного параметра, отличающийся тем, что нагрев осуществляют путем пропускания тока через p-n-переход логического элемента, выбранного в качестве источника тепла, образованный или сильнолегированной p областью, электрически соединенной с выходом микросхемы и n подложкой p-МОП транзисторов, электрически соединенной с выводом питания микросхемы, при этом измеряют изменение температурочувствительного параметра p-n-перехода логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры, образованного сильнолегированной n областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и p-карманом n-МОП-транзисторов, электрически соединенным с общим выводом питания микросхемы; или сильнолегированной n областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и p-карманом n-МОП-транзисторов, электрически соединенным с общим выводом питания микросхемы, при этом измеряют изменение температурочувствительного параметра p-n-перехода логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры, образованном сильнолегированной p областью, электрически соединенной с выходом микросхемы и n подложкой p-МОП-транзисторов, электрически соединенной с выводом питания микросхемы, причем в обоих случаях выводы питания микросхемы соединяют между собой, а в качестве температурочувствительного параметра выбирают прямое падение напряжения на соответствующих p-n-переходах при протекании прямого измерительного тока, и изменение электрической греющей мощности определяют как произведение проходящего греющего тока через p-n-переход на падение напряжения на нем.
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 30 items.
10.02.2013
№216.012.2492

Стабилизатор переменного напряжения

Изобретение относится к электротехнике и может найти применение в устройствах электропитания аппаратуры различного назначения. Технический результат заключается в уменьшении погрешности стабилизации. Такой результат достигается тем, что в стабилизатор переменного напряжения, содержащий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474864
Дата охранного документа: 10.02.2013
20.09.2013
№216.012.6a98

Ультрафиолетовый светодиодный облучатель

Изобретение предназначено для отверждения ультрафиолетовым излучением полимерных материалов и может быть использовано, в частности, при изготовлении изделий цилиндрической формы и при ремонте поврежденных участков трубопроводов. Изобретение обеспечивает отверждение цилиндрических изделий из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492939
Дата охранного документа: 20.09.2013
27.09.2013
№216.012.7071

Регулятор переменного напряжения

Изобретение относится к области электротехники и может найти применение в системах прецизионного регулирования технологических параметров, в частности в регуляторах температуры. Технический результат - повышение стабильности действующего значения напряжения на выходе регулятора. Регулятор...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494436
Дата охранного документа: 27.09.2013
10.12.2013
№216.012.8a90

Стабилизатор переменного напряжения

Изобретение относится к электротехнике и может найти применение в устройствах электропитания аппаратуры различного назначения. Техническим результатом предлагаемого изобретения является уменьшение погрешности стабилизации. Cтабилизатор переменного напряжения содержит регулирующий орган...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002501154
Дата охранного документа: 10.12.2013
20.01.2014
№216.012.98b6

Способ определения теплового импеданса цифровых кмоп интегральных микросхем

Изобретение предназначено для использования на выходном и входном контроле качества цифровых КМОП интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Сущность: на входы одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы подают последовательность высокочастотных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504793
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.02.2014
№216.012.a353

Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов с использованием полигармонической модуляции греющей мощности

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых диодов. Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов, заключающийся в том, что через полупроводниковый диод пропускают последовательность импульсов греющего тока, период следования которых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507526
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.05.2014
№216.012.c448

Приемник оптических излучений

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в оптических системах передачи информации, датчиках оптических излучений малой интенсивности, измерителях оптических сигналов в физике высоких энергий и т.п. Технический результат - повышение быстродействия...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002516007
Дата охранного документа: 20.05.2014
20.05.2014
№216.012.c4f8

Способ обработки давлением длинномерных заготовок

Изобретение относится к обработке металлов давлением и может быть использовано в производстве проволоки, полос, труб, прутков круглого и фасонного сечений прессованием, волочением, редуцированием. Осуществляют подачу заготовки в контейнер, который устанавливают на входе в матрицу, создают в нем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002516183
Дата охранного документа: 20.05.2014
10.07.2014
№216.012.dacb

Способ определения теплового импеданса сверхбольших интегральных схем - микропроцессоров и микроконтроллеров

Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества сверхбольших интегральных схем (СБИС) - микропроцессоров и микроконтроллеров - и оценки их температурных запасов. В контролируемую СБИС, установленную на теплоотводе и подключенную к источнику питания, загружают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002521789
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.11.2014
№216.013.082f

Устройство для импульсного регулирования температуры многозонной электропечи сопротивления

Изобретение относится к электротехнике и может найти применение в регуляторах электрической энергии прецизионного технологического оборудования, например в установках выращивания сапфира. Техническим результатом является снижение пульсаций температуры в зонах регулирования электропечи....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533496
Дата охранного документа: 20.11.2014
Showing 1-10 of 412 items.
10.01.2013
№216.012.1a74

Воздушная линия электропередачи

Изобретение относится к области электроэнергетики, в частности к вопросу удаления гололедных отложений с проводов. Технический результат заключается в упрощении конструкции устройства, повышении его эффективности и автоматизации процесса, расширении областей и условий применения. Линия снабжена...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472264
Дата охранного документа: 10.01.2013
10.01.2013
№216.012.1a75

Распорка для проводов воздушных линий электропередачи

Изобретение относится к электроэнергетике и может быть использовано для механического удаления гололедных отложений с проводов и ограничения колебаний в опасных режимах. Технический результат заключается в повышении эффективности сброса гололедных отложений с проводов и рассеяния энергии их...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472265
Дата охранного документа: 10.01.2013
10.01.2013
№216.012.1a86

Реверсивный электропривод постоянного тока

Изобретение относится к электротехнике, к электроприводу с двигателем постоянного тока и может быть использовано для плавного пуска, реверса, динамического торможения. Техническим результатом предлагаемого устройства является снижение напряжения на ключах и коммутационных перенапряжений,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472282
Дата охранного документа: 10.01.2013
10.01.2013
№216.012.1a87

Магнитно-вентильный преобразователь для электропривода постоянного тока

Изобретение относится к электротехнике, к электроприводу с двигателем постоянного тока и может быть использовано для плавного пуска, реверса. Техническим результатом предлагаемого устройства является снижение напряжения на ключах и коммутационных перенапряжений, возникающих в процессе работы,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472283
Дата охранного документа: 10.01.2013
27.01.2013
№216.012.1ec2

Устройство для очистки жидкости от магнитных частиц

Изобретение относится к очистке технологических жидкостей на предприятиях металлургии и металлообрабатывающей промышленности, а также для очистки природных вод и касается устройства для очистки жидкости от магнитных частиц. Содержит емкость с патрубком, вертикальную перегородку между рабочей и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473375
Дата охранного документа: 27.01.2013
27.01.2013
№216.012.2043

Карниз крыши здания

Изобретение относится к области строительства, а именно к карнизу крыши здания. Технический результат изобретения заключается в повышении эксплуатационной надежности крыши за счет исключения образования и падения сосулек крупных размеров с карниза крыши. Карниз крыши с консольным свесом, в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473760
Дата охранного документа: 27.01.2013
10.02.2013
№216.012.231a

Способ обработки резанием

Способ предназначен для обработки резанием поверхности заготовки, используемой далее на операциях технологического процесса в качестве технологической базы, и включает обработку участков, которые на последующих операциях предназначены для непосредственного контактирования с установочными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474488
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.02.2013
№216.012.242f

Способ работы открытой системы теплоснабжения

Изобретение относится к области теплоэнергетики и может быть использовано в открытых системах теплоснабжения. Способ работы открытой системы теплоснабжения, по которому сетевую воду готовят на ТЭЦ и по подающему трубопроводу теплосети через тепловой пункт направляют в трубопроводы систем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474765
Дата охранного документа: 10.02.2013
20.02.2013
№216.012.2766

Консольный свес кровли

Изобретение относится к области строительства, а именно к консольному свесу кровли здания. Технический результат изобретения заключается в повышении эксплуатационной надежности крыши. Консольный свес кровли с автоматическим удалением слоя снега, льда и сосулек на свесе снабжен механически...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475606
Дата охранного документа: 20.02.2013
20.02.2013
№216.012.2768

Консольный свес кровли

Изобретение относится к области строительства, а именно к консольному свесу кровли жилых и производственных зданий. Технический результат изобретения заключается в повышении эксплуатационной надежности кровли. Консольный свес кровли, включает прикрепленный к нему шарнирно сбивающий орган,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475608
Дата охранного документа: 20.02.2013
+ добавить свой РИД