×
10.02.2013
216.012.24ac

Результат интеллектуальной деятельности: МНОГОСЛОЙНЫЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ ЭКРАН ДЛЯ ЗАЩИТЫ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ И СПОСОБ ЕГО НАНЕСЕНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к многослойным металлическим покрытиям, используемых в радиоэлектронной и приборостроительной технике, в частности, при создании экранов для защиты от воздействия внешних магнитного и электромагнитного полей. Изобретение направлено на повышение технологичности и снижение себестоимости получения многослойного электромагнитного экрана, а также минимизация его габаритных и весовых характеристик при высоких защитных свойствах, что обеспечивается за счет того, что многослойный электромагнитный экран согласно изобретению выполняется в виде покрытия из последовательно нанесенных магнитных и немагнитных слоев, при этом толщина немагнитного слоя выбирается в пределах 1-25 мкм, толщина магнитного слоя выбирается в пределах 6-250 мкм, при этом суммарная толщина магнитных слоев составляет 300-500 мкм, общее количество магнитных и немагнитных слоев находится в пределах 3

Изобретение относится к многослойным металлическим покрытиям, используемым в радиоэлектронной и приборостроительной технике, в частности при создании экранов для защиты от воздействия внешнего электромагнитного поля в широком диапазоне частот, а также способу нанесения такого покрытия.

Известен защитный экран от воздействия электромагнитного излучения (RU 2002120891 А, от 27.02.2004), выполненный в виде многослойного пакета, включающего изоляционные отражающие электромагнитное излучение чередующиеся слои и расположенные между ними поглощающие электромагнитное излучение слои. Недостатком данного экрана является сложность создания и нанесения таких слоев и недостаточная защита таким экраном от электромагнитного излучения.

Наиболее близким аналогом заявляемого изобретения является корпус для электронных приборов (RU 2295207 С1, от 10.03.1997). В данном корпусе устанавливают электронную аппаратуру, а сам корпус выполнен в виде многослойных экранов из комбинации магнитных и немагнитных слоев. Благодаря специально подобранным слоям осуществляется достаточно высокая эффективность экранирования электромагнитного излучения. Недостатком данного экрана являются большие габариты, вес и сложность создания такого корпуса.

Целью изобретения является повышение технологичности и снижение себестоимости способа получения многослойного электромагнитного экрана, а также минимизация габаритных и весовых характеристик экрана, при высоких защитных свойствах.

Поставленная цель достигается тем, что многослойный экран представляет собой покрытие из последовательно нанесенных магнитных и немагнитных слоев, которые наносят методом электролитического осаждения немагнитного и магнитного слоев. При этом экспериментально установлено, что максимальная эффективность экранирования достигается в следующих экранах: толщина немагнитного слоя в пределах 1-25 мкм, суммарная толщина магнитных слоев составляет 300-500 мкм, общее количество магнитных и немагнитных слоев находится в пределах 3<Nмагн+Nнемагн<99, при этом Nмагн=Nнемагн+1.

Схематическое изображение многослойного экрана, показанное в качестве примера на фиг.1, содержит пять магнитных слоев 1 и пять немагнитных слоев 2.

В качестве материала немагнитного слоя предпочтительно использовать медь (Cu) или благородные металлы золото, серебро (Ag, Au).

В качестве материала магнитного слоя предпочтительно использовать сплав никель-железо, содержащий 15-25 ат.% железа (Fe). При этом толщина каждого магнитного слоя выбирается в пределах 6-250 мкм.

Также предлагается способ нанесения многослойного электромагнитного покрытия для защиты фотоэлектронных умножителей (ФЭУ). Данный способ заключается в последовательном нанесении методом электролитического осаждения немагнитного и магнитного слоев. При этом осаждение магнитного слоя проводят из электролита, содержащего: NiSO4·7H2O - 180-210 г/л; FeSO4·7H2O - 15-20 г/л; NiCl2·6H2O - 15-20 г/л; MgSO4·7H2O - 50-60 г/л; H3BO3 - 20-30 г/л; KNaC4H4O6·4H2O - 20-30 г/л; сахарин - 1-2 г/л, при плотности катодного тока Дк=20-25 мА/см2, температуре электролита T=30-35°C, кислотности рН=2,2-2,4, анод - никелевый. Осаждение немагнитного слоя (медь) проводят из электролита, содержащего: CuSO4·5H2O - 35-40 г/л; K4P2O7·3H2O - 140-150 г/л; KNaC4H4O6·4H2O - 25-30 г/л; Na2HPO4·12H2O - 90-100 г/л, при Дк=5-7 мА/см2; рН=8,2-8,4; Т=35-40°C, анод - медный.

Электролит для осаждения магнитного слоя готовят следующим образом: в отдельной порции дистиллированной воды при 80°C растворяют H3BO3. В отдельной порции дистиллированной воды растворяют NiSO4·7H2O; NiCl2·6H2O; MgSO4·7H2O при температуре 50°C и интенсивном перемешивании. В отдельной порции воды при температуре 25°C растворяют FeSO4·7H2O; KNaC4H4O6 4H2O. В отдельной порции дистиллированной воды растворяют сахарин при температуре 20°C и добавлении 10% раствора NaOH до полного растворения сахарина. Все растворенные компоненты раствора сливают в одну емкость, доводят до необходимого объема и фильтруют. Кислотность электролита доводят до требуемого значения 25% раствором H2SO4.

Электролит для осаждения немагнитного слоя (медь) готовят следующим образом: в отдельных порциях дистиллированной воды при 50°C растворяют CuSO4·5H2O и K4P2O7·3H2O. Затем раствор K4P2O7·3H2O медленно вливают в раствор CuSO4·5H2O до тех пор, пока белый творожный осадок полностью не растворится. Остальные компоненты - KNaC4H4O6·4H2O и Na2HPO4·12H2O - растворяют в полученном растворе при температуре 50°C и доводят его до необходимого объема. Кислотность электролита доводят до требуемого значения 25% раствором H2SO4.

Заявляемый новый способ получения многослойных экранов по совокупности отличительных признаков дает новый непредвиденный результат и таким образом соответствует критерию существенного отличия.

Пример конкретного осуществления

Осаждение магнитного слоя. Для приготовления раствора берут навески 210 г NiSO4·7H2O; 20 г CoCl2·6H2O; 20 г NaH2PO2·H2O и растворяют их в 500 мл дистиллированной воды при нагревании до 50°C и интенсивном перемешивании, затем в 100 мл воды растворяют 30 г борной кислоты при 80°C. Навески 15 г FeSO4·7H2O, 30 г KNaC4H4O6·4H2O растворяют отдельно в 100 мл дистиллированной воды. 1 г сахарина растворяют в 20 мл дистиллированной воды, причем для полного растворения сахарина по каплям добавляют 10% раствор NaOH. Затем все растворенные компоненты сливают в одну емкость, доводят до 1 литра. Кислотность доводят до рН=2,3 с помощью 25% раствора серной кислоты и фильтруют электролит через фильтровальную бумагу типа «синяя лента».

Осаждение магнитного слоя ведут при температуре 30-35°C и плотности тока Дк=25 мА/см2. За 60 минут осаждается ровное блестящее покрытие толщиной 25 мкм. Осаждение медного слоя. Для приготовления раствора растворяют 35 г CuSO4·5H2O и 145 г K4P2O7·3H2O в 100 мл и 500 мл дистиллированной воды соответственно. Затем раствор пирофосфата натрия при непрерывном перемешивании вливают в раствор CuSO4·5H2O, пока образовавшийся белый творожистый осадок не растворится. Взвешенные соли 95 г Na2HPO4·H2O и 25 г KNaC4H4O6·4H2O растворяют в полученном растворе и доводят его до 1 литра. Затем доводят рН электролита до 8,0 с помощью 25% раствора серной кислоты и фильтруют раствор через фильтровальную бумагу типа «синяя лента».

Осаждение медного слоя ведут при температуре 36°C и плотности тока Дк=5 мА/см2. За 60 минут осаждается ровное полублестящее покрытие толщиной 7 мкм.

Химический состав определен на Оже-спектрометре типа «Perkin-Elmer» PHI-660. Аморфность образцов контролировалась на просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ) «LEO-906E» и на дифрактометре ДРОН-3М в излучении . Толщина экранов определялась металлографическим методом на оптическом микроскопе «Carl Zeiss mhp-100».

Магнитная проницаемость определялась баллистическим методом на многослойных покрытиях цилиндрической формы с толщинами медных слоев от 1 до 25 мкм и магнитных слоев от 6 до 250 мкм, общее количество слоев варьировалось от 2 до 119.

Измерения удельного электросопротивления медных слоев проводились с помощью стандартной мостовой схемы и цифрового вольтметра. В качестве образцов использовались слои меди в виде полосок толщиной 20-30 мкм, длиной 20 мм и шириной 2 мм, к которым подводились токовые и потенциометрические контакты.

Эффективность экранирования (Э) постоянного магнитного поля оценивалась из отношения напряженностей магнитного поля в защищаемой области пространства без экрана (H0) и при его наличии (H):

Э=Н0/Н.

Измерения эффективности экранирования постоянного магнитного поля проводились на цилиндрических образцах длиной 40 мм и диаметром 20 мм с помощью калиброванных датчиков Холла.

Для измерения эффективности экранирования переменного электромагнитного поля использовался способ экранирования полупространства от плоской электромагнитной волны бесконечно плоским электромагнитным экраном. В качестве источника электромагнитной волны использовался генератор прямоугольных импульсов тока Г5-54, от которого сигнал подавался на излучательную катушку. Сигнал, индуцированный в измерительной катушке, измерялся с помощью осциллографа С1-71. При измерении Э образец размещался перпендикулярно падающей электромагнитной волне между расположенными вдоль одной оси излучательной и измерительной катушками.

Изобретение может быть проиллюстрировано несколькими примерами, представленными в таблице 1 (условные обозначения: ρ - удельное электросопротивление медного слоя; µ - магнитная проницаемость магнитного слоя; Э - эффективность экранирования; dнемагн - толщина медного слоя; Σdмагн - общая толщина магнитных слоев; Σdэкрана - общая толщина многослойного экрана; Nмагн/Nнемагн - соотношение количества магнитных и медных слоев; t - время осаждения многослойного экрана), из которых видно, что оптимальными режимами осаждения для получения многослойных экранов являются условия, приведенные в примерах №3, 14. Многослойные экраны, состоящие из 10 слоев магнитного сплава толщиной по 20 мкм и 9 слоев меди толщиной по 20 мкм, осажденные за 10 часов, обеспечивали эффективность экранирования, равную 70 (пример №3). Многослойные экраны, состоящие из 10 слоев магнитного сплава толщиной по 25 мкм и 9 слоев меди толщиной по 20 мкм, осажденные за 11 часов, обеспечивали эффективность экранирования, равную 100 (пример №14). Снижение толщины медного слоя до 1 мкм (пример №2) приводит к повышению удельного электросопротивления и снижению экранирующего эффекта до значения Э=20. При выходе за нижнюю границу по толщине немагнитного слоя (пример 1) эффективность экранирования снижается до значения 16 и не превосходит прототип. При увеличении толщины медного слоя выше 20 мкм удельное электросопротивление и экранирующий эффект многослойного покрытия практически не изменяются. Однако при dнемагн=25 мкм и количестве медных слоев, равном 9 (пример №4), общая толщина экрана увеличивается на 45 мкм и время его формирования возрастает до 12 часов. В связи с этим верхней границей по толщине медного слоя выбрана величина dнемагн=25 мкм, использовать экраны с толщиной dнемагн>25 мкм и временем осаждения 13 часов (пример №5) нецелесообразно.

При использовании магнитных слоев суммарной толщиной Σdмагн=150 мкм (пример №7), меньшей, чем у оптимальных образцов (примеры №3,14), магнитная проницаемость и эффективность экранирования многослойного экрана уменьшаются. При использовании многослойного экрана с величиной Σdмагн=300 мкм (пример №8) экранирующая способность не становится выше, чем у экранов с величиной Σdмагн=250 мкм (пример №14). Однако общая толщина экрана увеличивается на 50 мкм и время, необходимое для его формирования, до 12 часов. Поэтому создавать многослойные экраны с Σdмагн>300 мкм и временем осаждения 13 часов (пример №9) с практической точки зрения нецелесообразно.

Общее количество магнитных и медных слоев в многослойном экране должно составлять не менее 3. Поскольку магнитная структура, содержащая менее 2 слоев, не является многослойной и не обладает такими отличительными признаками, по отношению к однослойным, как снижение потерь на гистерезис, ослабление эффектов сползания доменных границ, повышенной магнитной проницаемостью. Однако при низком значении Nмагн+Nнемагн=3, составляющая эффекта экранирования, определяемая ослаблением электромагнитной волны за счет отражения на границах раздела между слоями, снижается (пример №11). При выходе за нижнюю границу по соотношению Nмагн/Nнемагн экран, содержащий 1 слой магнитного материала и 1 слой меди, не является многослойным (пример №10). При постоянном значении суммарной толщины многослойного экрана и увеличении соотношения Nмагн/Nнемагн более чем 10/9 эффективность экранирования увеличивается незначительно. Однако при этом возрастают время и трудозатраты, необходимые для формирования многослойной структуры, поскольку каждый из слоев осаждается в отдельной ванне при своих режимах электролиза. Верхняя граница соотношения Nмагн/Nнемагн установлена на уровне 50/49 (пример №12), поскольку при более высоких соотношениях Nмагн/Nнемагн (пример №13) не достигается положительный эффект, а временные и трудовые затраты увеличиваются, что нецелесообразно.

Таким образом, изобретение позволяет получать многослойные электромагнитные экраны, состоящие из магнитных слоев на основе сплава никель-железо и разделительных медных слоев, отвечающих совокупности требований, предъявляемых к защитным покрытиям от внешнего электромагнитного излучения.

Таблица 1
Многослойный электромагнитный экран для защиты фотоэлектронных умножителей и способ его нанесения
Свойства Прототип 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
ρ; мкОмсм 200-220 8,0 7,5 6,8 6,5 6,4 6,8 6,8 6,8 6,8 6,8 6,8 7,2 7,2 6,8
µ, ×105 1,2 2,8 2,8 2,8 2,8 2,8 1,8 2,4 3,0 3,0 2,8 2,8 2,8 2,8 3,0
Э 15-18 16 20 70 72 73 12 25 100 100 12 22 65 74 100
dнемагн мкм 20,0 0,8 1,0 20,0 25,0 30,0 20,0 20,0 20,0 20,0 20,0 20,0 4,0 4,0 20,0
Σdмагн мкм 200,0 200,0 200,0 200,0 200,0 200,0 120,0 150,0 300,0 350,0 200,0 200,0 200,0 240,0 250,0
Σdэкрана, мкм 380,0 207,2 209,0 80,0 425,0 470,0 300,0 330,0 480,0 530,0 220,0 220,0 396,0 476,0 430,0
Nмагн
/Nнемагн
10/9 10/9 10/9 10/9 10/9 10/9 10/9 10/9 10/9 10/9 1/1 2/1 50/49 60/59 10/9
t, часов, минут 13,0 4,15 4,18 10,0 11,30 13,0 8,24 9,0 12,0 13,0 4,40 4,40 11,32 12,40 11,0


МНОГОСЛОЙНЫЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ ЭКРАН ДЛЯ ЗАЩИТЫ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ И СПОСОБ ЕГО НАНЕСЕНИЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-17 of 17 items.
13.01.2017
№217.015.7f00

Свч-плазмотрон

Изобретение предназначено для использования в плазмохимических технологических процессах при конверсии тетрафторида кремния в моносилан для производства поликристаллического кремния высокой чистоты в микроэлектронной промышленности. Технический результат - увеличение выхода моносилана до 82-90%...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601290
Дата охранного документа: 27.10.2016
25.08.2017
№217.015.b7eb

Способ переработки апатитовых руд и концентратов

Изобретение относится к области комплексной переработки апатита и других фосфатсодержащих руд с извлечением и получением концентрата редкоземельных металлов и радионуклидов и может быть использовано при переработке минерального сырья в химической промышленности. Способ включает разложение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614962
Дата охранного документа: 31.03.2017
26.08.2017
№217.015.d8e2

Способ получения постоянных магнитов на основе неодим-железо-бор

Изобретение относится к получению литьем постоянных магнитов толщиной не более 40 мм из сплава на основе неодим-железо-бор (Nd-Fe-B) или празеодим-железо-бор (Pr-Fe-B). Способ включает заливку сплава в литейную форму и его объемную кристаллизацию при скорости охлаждения не менее 200 град/мин....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623556
Дата охранного документа: 27.06.2017
19.01.2018
№218.016.070d

Способ контроля структурного качества тонких плёнок для светопоглощающих слоёв солнечных элементов и устройство для его реализации

Изобретение относится к области преобразования солнечной энергии в электрическую в тонкопленочных полупроводниковых солнечных элементах. Способ контроля структурного качества тонких пленок для светопоглощающих слоев солнечных элементов заключается в том, что регистрируют излучение пленок при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002631237
Дата охранного документа: 19.09.2017
04.04.2018
№218.016.375c

Многослойный электромагнитный экран

Изобретение относится к области электротехники, а именно к конструкции многослойного экрана для защиты от электромагнитных полей в широком диапазоне частот, и может быть использовано для обеспечения электромагнитной совместимости блоков в комплексах электронной аппаратуры. Многослойный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646439
Дата охранного документа: 06.03.2018
09.05.2019
№219.017.50a4

Ядерный реактор на быстрых нейтронах

Изобретение относится к ядерной технике, а именно к конструкции отражателей нейтронов ядерных реакторов на быстрых нейтронах. В ядерном реакторе на быстрых нейтронах, содержащем активную зону с топливом, окруженную свинцовым отражателем нейтронов, доля изотопа Pb в свинцовом отражателе выбрана...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002461084
Дата охранного документа: 10.09.2012
29.05.2019
№219.017.6a25

Ионный диод для генерации нейтронов

Заявленное изобретение относится к приборам для ускорения ионов в электростатических полях, конкретно к технике генерации нейтронов при ядерном взаимодействии нуклидов тяжелого водорода. Сущность изобретения заключается в том, что в известном ионном диоде для генерации нейтронов, содержащем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002461151
Дата охранного документа: 10.09.2012
Showing 11-17 of 17 items.
20.03.2016
№216.014.c9c5

Способ получения алюмосиликатных адсорбентов

Изобретение относится к получению неорганических сорбентов. Предложен способ получения алюмосиликатного сорбента, включающий приготовление гетерогенной композиции, содержащей порошок алюминия, кристаллогидрат метасиликата натрия NaSiO·9HO и водный раствор соли металла, выбранного из меди,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002577381
Дата охранного документа: 20.03.2016
13.01.2017
№217.015.7045

Способ разделения редкоземельных элементов экстракцией

Изобретение относится к технологии экстракционного разделения редкоземельных элементов из азотнокислых растворов. Способ включает экстракцию трибутилфосфатом исходного раствора, содержащего нитраты редкоземельных элементов и высаливатель, промывку и реэкстракцию подкисленной водой. При этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002596245
Дата охранного документа: 10.09.2016
13.01.2017
№217.015.7f00

Свч-плазмотрон

Изобретение предназначено для использования в плазмохимических технологических процессах при конверсии тетрафторида кремния в моносилан для производства поликристаллического кремния высокой чистоты в микроэлектронной промышленности. Технический результат - увеличение выхода моносилана до 82-90%...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601290
Дата охранного документа: 27.10.2016
25.08.2017
№217.015.b7eb

Способ переработки апатитовых руд и концентратов

Изобретение относится к области комплексной переработки апатита и других фосфатсодержащих руд с извлечением и получением концентрата редкоземельных металлов и радионуклидов и может быть использовано при переработке минерального сырья в химической промышленности. Способ включает разложение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614962
Дата охранного документа: 31.03.2017
26.08.2017
№217.015.d8e2

Способ получения постоянных магнитов на основе неодим-железо-бор

Изобретение относится к получению литьем постоянных магнитов толщиной не более 40 мм из сплава на основе неодим-железо-бор (Nd-Fe-B) или празеодим-железо-бор (Pr-Fe-B). Способ включает заливку сплава в литейную форму и его объемную кристаллизацию при скорости охлаждения не менее 200 град/мин....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623556
Дата охранного документа: 27.06.2017
19.01.2018
№218.016.070d

Способ контроля структурного качества тонких плёнок для светопоглощающих слоёв солнечных элементов и устройство для его реализации

Изобретение относится к области преобразования солнечной энергии в электрическую в тонкопленочных полупроводниковых солнечных элементах. Способ контроля структурного качества тонких пленок для светопоглощающих слоев солнечных элементов заключается в том, что регистрируют излучение пленок при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002631237
Дата охранного документа: 19.09.2017
04.04.2018
№218.016.375c

Многослойный электромагнитный экран

Изобретение относится к области электротехники, а именно к конструкции многослойного экрана для защиты от электромагнитных полей в широком диапазоне частот, и может быть использовано для обеспечения электромагнитной совместимости блоков в комплексах электронной аппаратуры. Многослойный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646439
Дата охранного документа: 06.03.2018
+ добавить свой РИД