Автор РИД: ИБАРАКИ ЮНИВЕРСИТИ (JP)

Изобретение относится к полупроводниковому материалу, инфракрасному светоприемному элементу и способам производства полупроводникового материала. Предложен полупроводниковый материал, характеризующийся улучшенной противоокислительной стойкостью. Данный полупроводниковый материал включает...