Автор РИД: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" им. А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина")

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шоттки включает формирование на лицевой стороне полуизолирующей подложки с активным слоем по меньшей мере одной пары единичных электродов истока и стока, с каналом между ними, посредством...