Автор РИД: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе российской академии наук (ФГБУН ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН)

Настоящее изобретение относится к лазерной полупроводниковой технике. Лазер-тиристор на основе гетероструктуры содержит катодную область (1), включающую подложку n-типа (2), широкозонный слой n-типа (3), анодную область (4), включающую контактный слой р-типа (5), широкозонный слой р-типа (6),...