Автор РИД: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук"

Изобретение относится к изготовлению солнечных элементов и может быть использовано в фотоэнергетике, преимущественно в солнечных элементах или фотоэлектрических преобразователях (ФЭП) при преобразовании солнечного излучения. Способ изготовления периодической вертикально-ориентированной...

Изобретение относится к однодоменному антителу, специфично связывающемуся с внеклеточной частью ErbB3 человека. Предложенное однодоменное антитело содержит гипервариабельные петли CDR1, CDR2, CDR3 с аминокислотными последовательностями SEQ ID NO: 1-3 и не имеете канонической дисульфидной связи....

Изобретение относится к области формирования микроструктур для использования в различных оптоэлектронных устройствах, а более конкретно к области формирования лазерных микрорезонаторов, обладающих одночастотным спектром излучения. Задачей настоящего изобретения является разработка простого в...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ формирования тонких упорядоченных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов (ННК) арсенида галлия на кремнии характеризуется тем, что на подложке кремния с кристаллографической ориентацией поверхности (111)...

Использование: для синтеза полых квазиодномерных наноструктур. Сущность изобретения заключается в том, что способ роста GaN нанотрубок, активированного легирующей примесью Si на подложке Si с тонким буферным слоем AlN, включает осаждение материалов методом молекулярно-пучковой эпитаксии, перед...